| I.6.1. | Эпитаксиальные структуры кремния на сапфире (КНС) для КМОП интегральных схем | 38100100 |
| I.6.2. | Арсенид галлия монокристаллический нелегированный в слитках и пластинах диаметром 100 мм и более с удельным сопротивлением более 10E8 Ом/см и плотностью дислокаций менее 10E2-10E3 1/кв. см для производства сверхскоростных интегральных схем (ССИС) | 284290900; 381800900 |
| I.6.3. | Эпитаксиальные структуры германия на подложке | 381800900 |
| I.6.4. | Эпитаксиальные структуры соединений А3В5 | 381800900 |
| I.6.5. | Монокристаллы тройных соединений кадмий-ртуть-теллур (КРТ) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины | 381800900; 284290100; 284290900 |
| I.6.6. | Порошки ферритовые марганец-цинковые | 720529000; 811100110 |
| I.6.7. | Горный хрусталь первого сорта | 710310000 |
| I.6.8. | Материалы для оптических датчиков | |
| I.6.8.1. | Элементарный теллур (Te) чистотой, равной или более 99,9995% | 280450900 |
| I.6.8.2. | Монокристаллы теллурида кадмия (CdTe) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины | 381800900 |
| I.6.8.3. | Заготовки оптических волокон, специально предназначенные для производства волокон с высоким двулучепреломлением, использующихся в оптоволоконных датчиках, указанных пункте I.12.2.5.2. | 701990990 |
| I.6.9. | Оптические материалы | |
| I.6.9.1. | Селенид цинка (ZnSe) и сульфид цинка (ZnS) в виде пластин-подложек, изготовляемых химическим осаждением паров, объемом более 100 куб. см или диаметром более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм | 284290100; 283020000 |
| I.6.9.2. | Слитки следующих электрооптических материалов: | |
| I.6.9.2.1. | арсенид титаната калия (КТА); | 284290900 |
| I.6.9.2.2. | смешанный селенид серебра и галлия (Ag aSe2); | 284290100 |
| I.6.9.2.3. | смешанный селенид таллия и мышьяка (Tl3AsSl3), также известный как ТАS | 284290100 |
| I.6.9.3. | Нелинейные оптические материалы, имеющие восприимчивость третьего порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв. м, время отклика менее 1 мс | 702000900 |
| I.6.9.4. | Пластинчатые подложки карбида кремния или осажденных материалов бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей оси | 284920000; 811219000 |
| I.6.9.5. | Материалы с малым оптическим поглощением | |
| I.6.9.5.1. | сложные соединения фтора, содержащие ингредиенты с чистотой 99,999% или более Примечание. По пункту I.6.9.5.1. подлежат экспортному контролю только фториды циркония или алюминия и подобные соединения | 282690900; 702000900 |
| I.6.9.5.2. | объемные фторсодержащие стекла из соединений, указанных в пункте I.6.9.5.1. | 700100910; 700100990; 702000900 |
| I.6.9.6. | Стекло, содержащее расплавы кремния, стекло из фосфатов, фторфосфатов, фторида циркония (Zr4) и фторида гафния (Hf4) с концентрацией гидроксильных ионов (OH-) менее 5 промилле, интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 промилле, высокой однородностью (вариацией показателя преломления менее 5x10E-6) | 700100900; 702000900 |
| I.6.9.7. | Синтетический алмазный материал с поглощением менее 10E-5 см на длине волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм | 710490000; 710510000 |
| I.6.9.8. | Оптоволоконные заготовки, изготовленные из объемных соединений фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999% или более, специально разработанные для производства фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. | 701910590 |
| I.6.10. | Кристаллические основы лазеров в необработанном виде: | |
| I.6.10.1. | сапфир с имплантированным титаном; | 710310000 |
| I.6.10.2. | александрит | 710310000 |
| I.6.11. | Материалы резистов и подложки, покрытые резистами | |
| I.6.11.1. | Позитивные резисты со спектральной чувствительностью, оптимизированной на излучение с длиной волны менее 370 нм | 854140990 |
| I.6.11.2. | Все резисты, используемые для экспонирования электронными или ионными пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв. мм | 854140990 |
| I.6.11.3. | Все резисты, используемые для экспонирования рентгеновскими лучами, с чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв. мм | 854140990 |
| I.6.11.4. | Все резисты, оптимизированные под технологию формирования рисунка, включая силицированные резисты Примечание. Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста для повышения качества мокрого и сухого проявления | 854140990 |
| I.6.12. | Металлорганические соединения алюминия, галлия или индия, имеющие чистоту металлической основы более 99,999% | 293100900 |
| I.6.13. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже после разбавления нейтральными газами Примечание. Гидриды, содержащие 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подлежат экспортному контролю по пункту I.6.13. | 285000100 |
| I.6.14. | Заготовки стекла или любых других материалов, оптимизированных для производства оптических волокон, указанных в пунктах I.12.5. - I.12.5.4. | 702000900 |
Расширенный поиск
Популярные запросы
