в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 22.11.2024
Расширенный поиск
Популярные запросы
Последнее обновление: 22.11.2024
Законодательная база Российской Федерации
Закрыть
семейный кодекс рф 2017
129 фз о государственной регистрации
градостроительный кодекс рф 2017
закон о прокуратуре рф 2017
Федеральный закон Об охране окружающей среды N 7-ФЗ
фз 129 от 21.11 1996
закон о газоснабжении
закон о лицензировании 2017
255 фз 2017
фз об ооо 2017
8 (800) 350-23-61
Бесплатная горячая линия юридической помощи
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"
ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА | ||
3.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
Примечания: | ||
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
Особое примечание. | ||
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 | ||
3.1.1. | Электронные компоненты: | |
3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: | |
3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: | 8542 |
а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше; | ||
б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр(Si)/с [5 х 10(8)рад/с] или выше; или | ||
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5х10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов | ||
Примечание. | ||
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре); | ||
3.1.1.1.2. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 |
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 °С); | ||
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °С); или | ||
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °С) до 398 К (+125 °С) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; | ||
3.1.1.1.3. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: | |
3.1.1.1.3.1. | Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
3.1.1.1.3.2. | Более одной шины данных или команд либо последовательный порт связи, что обеспечивает прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи, превышающей 150 Мбайт/с | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; | ||
3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
3.1.1.1.5. | Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: | 8542 29 600 0; 8542 29 900 9; 8542 60 000 9 |
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 12 бит с общим временем преобразования менее 5 нс; | ||
разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования менее 20 нс; | ||
разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит с общим временем преобразования менее 200 нс; или | ||
разрешающую способность более 14 бит с общим временем | ||
преобразования менее 1 мкс; | ||
б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс | ||
Технические примечания: | ||
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования | ||
2. Общее время преобразования является величиной, обратной частоте выборки; | ||
3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: | 8542 |
а) один внутренний лазерный диод или более; | ||
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и | ||
в) световоды; | ||
3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 21 690 0; 8542 21 990 0 |
а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами); | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | ||
в) частоту переключения выше 133 МГц | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) | ||
Особое примечание. | ||
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; | ||
3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 8542 |
3.1.1.1.9. | Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: | 8542 21 690 0; 8542 21 990 0; 8542 29; 8542 60 000 |
а) более 1000 выводов; | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | ||
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | ||
3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: | 8542 |
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или | ||
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; | ||
3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
Техническое примечание. | ||
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс | ||
Примечания: | ||
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | ||
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: | ||
монолитные интегральные схемы; | ||
гибридные интегральные схемы; | ||
многокристальные интегральные схемы; | ||
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; | ||
оптические интегральные схемы; | ||
3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: | |
3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: | 8540 79 000 0 |
а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; | ||
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | ||
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7 % или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | ||
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | ||
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | ||
пригодные для применения в космосе; | ||
3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 8540 71 000 0 |
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"