Законодательная база Российской Федерации

УКАЗ Президента РФ от 26.08.96 N 1268 (ред. от 28.09.2001) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ"

Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий

Примечания к таблице. 1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.

3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.

4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или

б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или

в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).

7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.

11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.

13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E-7 КЕ-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).

15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл.

16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт - никель), карбида титана / (кобальт - никель), карбид хрома / (никель - хром) и карбид хрома / никель.

17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного: магнитные дисководы и головки, оборудование для производства расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс - формы для штамповки - прессования, офисное автоматизированное оборудование, микрофоны или медицинские приборы.

(в ред. Указов Президента РФ от 29.02.2000 N 447, от 28.09.2001 N 1156)

18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% от веса или более, клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.

Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;

(в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6)

б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих;

в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.

2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:

а) при электронно - лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;

б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

в) при парообразовании лазером для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.

Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия;

д) ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)

Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.

5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий;

б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.

7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытий:

Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости

1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:

1.1.1. Состав раствора для ванны:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек

1.1.2. Время обработки в ванне;

1.1.3. Температура в ванне;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;

1.3. Параметры циклов горячей обработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Атмосферное давление

1.3.2. Температура для горячей обработки;

1.3.3. Продолжительность горячей обработки

1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:

1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:

1.4.1.1. Состав песка;

1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;

1.4.1.3. Скорость подачи песка

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности

1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

1.5. Технические параметры защитного покрытия:

1.5.1. Материал защитного покрытия;

1.5.2. Размещение защитного покрытия

2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:

2.1. Атмосферные параметры:

2.1.1. Состав атмосферы;

2.1.2. Атмосферное давление

2.2. Временные параметры;

2.3. Температурные параметры;

2.4. Параметры слоя;

2.5. Коэффициент параметров преломления

2.6. Контроль структуры покрытия

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость подачи дроби

3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;

3.3. Параметры цикла горячей обработки:

3.3.1. Атмосферные параметры:

3.3.1.1. Состав атмосферы;

3.3.1.2. Атмосферное давление

3.3.2. Температурно - временные циклы

3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку

4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:

4.1. Критерии статического выборочного контроля;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Усиления;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности

4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения параметров является длина волны):

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

4.3.1. Отражательная способность;

4.3.2. Прозрачность;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:

5.1. Для химического осаждения паров:

5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;

5.1.2. Состав несущего газа;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа

5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:

5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав химически активного газа;

5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;

5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.2.7.6. - Утратил силу.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:

5.3.1. Состав обмазки и формулировка;

5.3.2. Состав несущего газа;

5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.5.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки

5.5. Для металлизации распылением:

5.5.1. Состав и структура мишени;

5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;

5.5.3. Состав химически активного газа;

5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;

5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Изменение дозировки

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления

5.7. Для ионного гальванического покрытия:

5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры наклона подложки

где К фактор = 0,7;

Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности)

Используемые сокращения:

ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);

ПЗ - плавающая запятая;

ФЗ - фиксированная запятая;

t - время решения;

XOR - исключающее ИЛИ;

ЦП - центральный процессор;

ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента);

СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);

R - эффективная скорость вычислений;

ДС - длина слова (число битов);

L - корректировка длины слова (бита);

АЛУ - арифметическое и логическое устройство;

x - знак умножения.

Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах.

Основной метод вычисления СТП

СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:

1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ);

2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ);

3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента. Подробное описание этих процедур приведено ниже.

Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.

2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода - вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.

В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:

Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)

Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо

Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования.

Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как:

Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения.

Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то

Rпз = 1/(время деления ПЗ)

Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда

Rпз = 1/(время обратной величины ПЗ)

Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то Rпз = 0.

Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:

1. Последовательные, или операции регистр - регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2;

2. Самая быстрая операция регистр - память или память - регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3;

3. Память - память.

В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.

Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС

Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L:

ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)

Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС).

Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.

Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R.

Выбор максимального результирующего значения ТП для:

Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (Rфз);

Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (Rпз);

Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);

Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и

Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.

Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП

Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП
(Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ, ТП = max (ТПфз, ТПпз)

Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:

Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение.

Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией.

При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и (или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций.

2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ.

3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий.

4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода - вывода, контроллерами ввода - вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.

5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3.

(в ред. Указа Президента РФ от 29.02.2000 N 447)

СТП = ТП1 + C2 х ТП2 + ... + Cn х ТПn,

где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом:

Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память: C2 = C3 = C4 = ...= Cn = 0,75.

Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии:

а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;

б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш - память) осуществляется по общему каналу; и

в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.

Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по Категории 3.

2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш - память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит.

Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:

Сi = 0,75 x ki (i = 2,...,32) (см. примечание ниже)

= 0,60 x ki (i = 33,...,64)

= 0,45 x ki (i = 65,...,256)

= 0,30 x ki (i > 256)

Величина Сi основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,

где ki = min (Si/Kr , 1); и

Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;

Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек) для всех информационных каналов, связывающих i-ый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память.

Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60.

Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:

ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и

в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е.

Ci >= Ci + 1

Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75