Раздел 1 ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 12.08.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"

Действия

Главная
ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 12.08.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"

не действует Редакция от 12.08.2002 Подробная информация

ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 12.08.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"

Раздел 1

N позиции	Наименование	Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности
	Категория 1. Перспективные материалы
1.1.	Системы, оборудование и компоненты
1.1.1.	Компоненты, изготовленные из фторированных соединений, такие как:
1.1.1.1.	Уплотнения, прокладки, уплотнительные материалы или трубчатые уплотнения, предназначенные для применения в авиационной или аэрокосмической технике и изготовленные из материалов, содержащих более 50% (по весу) любого материала, контролируемого по подпунктам "б" и "в" пункта 1.3.9;	3919 90 900 0
1.1.1.2.	Пьезоэлектрические полимеры и сополимеры, изготовленные из фтористых винилиденовых материалов, контролируемых по подпункту "а" пункта 1.3.9:	3921 90 900 0
	а) в виде пленки или листа; и
	б) толщиной более 200 мкм;
1.1.1.3.	Уплотнения, прокладки, седла клапанов, трубчатые уплотнения или диафрагмы, изготовленные из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенные для авиационной, аэрокосмической или ракетной техники	3919 90 900 0
1.1.2.	Композиционные конструкции или слоистые структуры (ламинаты), имеющие любую из следующих составляющих:
1.1.2.1.	Органическую матрицу и выполненные из материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.3, 1.3.10.4 или 1.3.10.5 Примечание. По пункту 1.1.2.1 не контролируются завершенные или полузавершенные предметы, специально предназначенные для следующего только гражданского использования:	3926 90 100 0; 3926 90 910 0; 3926 90 990
	а) в спортивных целях;
	б) в автомобильной промышленности;
	в) в станкостроительной промышленности;
	г) в медицинских целях.
1.1.2.2.	Металлическую или углеродную матрицу и выполненные из:
1.1.2.2.1.	Углеродных волокнистых или нитевидных материалов:	3801; 3926 90 100 0;
	а) с удельным модулем упругости свыше 10,15 x 1E6 м; и	3926 90 910 0; 3926 90 990;
	б) с удельной прочностью на растяжение свыше 17,7 x 1E4 м; или	6903 10 000 0
1.1.2.2.2.	Материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.3
	Примечание. По пункту 1.1.2.2 не контролируются завершенные или полузавершенные предметы, специально предназначенные для следующего только гражданского использования:
	а) в спортивных целях;
	б) в автомобильной промышленности;
	в) в станкостроительной промышленности;
	г) в медицинских целях.
	Технические примечания. 1. Удельный модуль упругости - модуль Юнга, выраженный в паскалях или в Н/кв. м, деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) К [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%
	2. Удельная прочность на растяжение - критическая прочность на разрыв, выраженная в паскалях или в Н/кв. м, деленная на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.
	Примечание. По пункту 1.1.2 не контролируются композиционные структуры или ламинаты, изготовленные из эпоксидной смолы, импрегнированной углеродом, волокнистые или нитевидные материалы для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, имеющие размеры, не превышающие 1 кв. м.
1.1.3.	Изделия из нефторидных полимерных веществ, контролируемых по пункту 1.3.8.1.3, в виде пленки, листа, ленты или полосы:	3919 90 900 0; 3920 99 900 0
1.1.3.1.	При толщине свыше 0,254 мм;

1.1.3.2.	Покрытые углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами
	Примечание. По пункту 1.1.3 не контролируются изделия, покрытые или ламинированные медью и предназначенные для производства электронных печатных плат
1.1.4.	Оборудование для защиты и обнаружения и его части, не предназначенные специально для военного применения, такие как:
1.1.4.1.	Газовые маски, коробки противогазов с фильтрами и оборудование для обеззараживания, предназначенные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов, и специально предназначенные для этого компоненты;	9020 00 900 0
1.1.4.2.	Защитные костюмы, перчатки и ботинки, предназначенные или модифицированные для защиты от биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов;	6204 29 900 0; 6216 00 000 0; 6405 90
1.1.4.3.	Ядерные, биологические и химические системы обнаружения, специально предназначенные или модифицированные для обнаружения или распознавания биологических факторов или радиоактивных материалов, приспособленных для применения в военных целях, или боевых химических агентов, и специально предназначенные для этого компоненты	9027 10 100 0; 9027 10 900 0; 9027 90 900 0; 9030 10 900 0
	Примечание. По пункту 1.1.4 не контролируются:
	а) персональные радиационные мониторинговые дозиметры;
	б) оборудование, ограниченное конструктивным или функциональным назначением для защиты от токсичных веществ, специфичных для гражданской промышленности: горного дела, работ в карьерах, сельского хозяйства, фармацевтики, медицинского, ветеринарного использования, утилизации отходов или для пищевой промышленности
1.1.5.	Бронежилеты и специально предназначенные компоненты, изготовленные не по военным стандартам или спецификациям и не равноценные им в исполнении	6204 29 900 0
	Примечания. 1. По пункту 1.1.5 не контролируются индивидуальные бронежилеты и принадлежности к ним, которые вывозятся пользователями для собственной индивидуальной защиты.
	2. По пункту 1.1.5 не контролируются бронежилеты, предназначенные только для обеспечения фронтальной защиты как от осколков, так и от взрыва невоенных взрывчатых устройств
1.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
1.2.1.	Оборудование для производства волокон, препрегов, преформ или композиционных материалов либо изделий, контролируемых по пунктам 1.1.2 или 1.3.10, а также специально предназначенные компоненты и вспомогательные устройства:
1.2.1.1.	Машины для намотки волокон, у которых перемещения, связанные с позиционированием, обволакиванием и намоткой волокон, координируются и программируются по трем или более осям и которые специально предназначены для производства композиционных конструкций или ламинатов из волокнистых или нитевидных материалов;	8446 30 000 0
1.2.1.2.	Машины для намотки ленты или троса, у которых перемещения, связанные с позиционированием и намоткой ленты, троса или рулона, координируются и программируются по двум или более осям и которые специально предназначены для производства элементов корпусов боевых ракет или летательных аппаратов из композиционных материалов;	8446 30 000 0
1.2.1.3.	Ткацкие машины или машины для плетения, действующие в разных измерениях и направлениях, включая адаптеры и устройства для изменения функций машин, которые предназначены для ткачества, перемеживания или переплетения волокон с целью изготовления композиционных материалов	8446 21 000 0; 8447 90 000
	Примечание. По пункту 1.2.1.3 не контролируются текстильные машины, не модифицированные для вышеуказанного конечного использования;
1.2.1.4.	Оборудование, специально предназначенное или приспособленное для производства усиленных волокон, такое как:
1.2.1.4.1.	Оборудование для преобразования полимерных волокон, таких как полиакрилонитрил, вискоза, пек или поликарбосилан, в углеродные или карбид - кремниевые волокна, включая специальное оборудование для усиления волокон в процессе нагревания;	8456 10 00; 8456 99 900 0; 8515 80 990 0
1.2.1.4.2.	Оборудование для осаждения паров химических элементов или сложных веществ на нагретую нитевидную подложку с целью производства карбид - кремниевых волокон;	8417 80 900 0

1.2.1.4.3.	Оборудование для производства термостойкой керамики, такой как оксид алюминия, методом влажной намотки;	8445 90 000 0
1.2.1.4.4.	Оборудование для преобразования путем термообработки волокон алюминийсодержащих прекурсоров в волокна, содержащие глинозем (оксид алюминия)	8445 19 000 0; 8451 80 800 0
1.2.1.5.	Оборудование для производства препрегов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, методом горячего плавления;	8451 80 800 0; 8477 59 100 0; 8477 59 900 0
1.2.1.6.	Оборудование для неразрушающего контроля, способное обнаруживать дефекты в трех измерениях с применением методов ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданное для композиционных материалов	9022 12 000 0; 9022 19 000 0; 9022 29 000 0; 9031 80 390 0
1.2.2.	Оборудование для производства металлических сплавов, порошкообразных металлических сплавов или сплавленных материалов, специально предназначенное для того, чтобы предотвратить загрязнения, и специально разработанное для использования в одном из процессов, указанных в пункте 1.3.2.3.2
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.2.3.	Инструменты, пресс - формы, матрицы или арматура для суперпластического формования или диффузионной сварки титана, алюминия или их сплавов, специально предназначенных для производства:	8207 30 100 0
	а) корпусов летательных аппаратов или аэрокосмических конструкций;
	б) двигателей летательных или аэрокосмических аппаратов;
	в) компонентов, специально предназначенных для таких конструкций или двигателей
1.3.	Материалы
	Техническое примечание. До тех пор, пока нет возражений по существу, то термины "металлы" и "сплавы" охватывают следующие необработанные и полуфабрикатные формы:
	необработанные формы - аноды, шары, полосы (включая отрубленные полосы и проволочные полосы), металлические заготовки, блоки, стальные болванки, брикеты, бруски, катоды, кристаллы, кубы, стаканы, зерна, гранулы, слитки, глыбы, катыши, чушки, порошок, кольца, дробь, слябы, куски металла неправильной формы, губка, прутки;
	полуфабрикатные формы (независимо от того, облицованы, анодированы, просверлены либо прессованы они или нет):
	а) определенной формы или обработанные материалы, полученные путем прокатки, волочения, горячей штамповки выдавливанием, ковки, импульсного выдавливания, прессования, дробления, распыления и размалывания, а именно: угольники, швеллеры, кольца, диски, пыль, хлопья, фольга и лист, поковки, плиты, порошок, изделия, обработанные прессованием или штамповкой, ленты, фланцы, прутки (включая сварные брусковые прутки, проволочные прутки и прокатанные проволоки), профили, формы, листы, полоски, трубы и трубки (включая трубные кольца, трубные прямоугольники и полостные трубки), тянутая или экструдированная проволока;
	б) литейный материал (отливки), полученный литьем в песке, матрице, металле, пластике или других типах материалов, включая литье под высоким давлением, "шлаковые формы" (оплавляемые модели) и формы, полученные с помощью порошковой металлургии.
	Цель контроля не должна нарушаться экспортом форм, выдаваемых за законченные изделия, не указанные в Списке, но которые на самом деле представляют собой контролируемые заготовки или полуфабрикаты
1.3.1.	Материалы, специально предназначенные для поглощения электромагнитных волн, или электропроводящие полимеры, такие как:
1.3.1.1.	Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 2 x 1E8 Гц, но меньших 3 x 1E12 Гц	3815 19 000 0; 3910 00 000 0
	Примечание. По пункту 1.3.1.1 не контролируются:
	а) абсорберы волосяного типа, изготовленные из натуральных и синтетических волокон, с немагнитным наполнением для абсорбции;
	б) абсорберы, не имеющие магнитных потерь, рабочая поверхность которых не является плоской, включая пирамиды, конусы, клинья и спиралевидные поверхности;
	в) плоские абсорберы, имеющие все следующие характеристики:
	1) изготовленные из любых следующих материалов:
	пенопластических материалов (гибких или негибких) с углеродным наполнением или органических материалов, включая связывающие присадки, обеспечивающих коэффициент отражения более 5% по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от центральной частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных противостоять температурам, превышающим 450 K (177 град. C); или
	керамических материалов, обеспечивающих более чем 20% отражение по сравнению с металлом в диапазоне волн, отличающихся от центральной частоты падающей энергии более чем на +/- 15%, и не способных противостоять температурам, превышающим 800 K (527 град. C);
	Техническое примечание. Образцы для проведения испытаний на поглощение по последнему подпункту примечания к пункту 1.3.1.1 должны иметь форму квадрата со стороной не менее пяти длин волн на центральной частоте, расположенной в дальней зоне излучающего элемента.
	2) с прочностью на растяжение менее 7 x 1E6 Н/кв. м; и
	3) с прочностью на сжатие менее 14 x 1E6 Н/кв. м;
	г) плоские абсорберы, выполненные из спеченного феррита, имеющие:
	1) удельный вес более 4,4; и
	2) максимальную рабочую температуру 548 K (275 град. C).
	Особое примечание. Магнитные материалы для обеспечения поглощения волн, указанные в примечании к пункту 1.3.1.1, не освобождаются от контроля, если они содержатся в красках.

1.3.1.2.	Материалы для поглощения волн на частотах, превышающих 1,5 x 1E14 Гц, но меньших 3,7 x 1E14 Гц, и непрозрачные для видимого света;	3815 19 000 0; 3910 00 000 0
1.3.1.3.	Электропроводящие полимерные материалы с объемной электропроводностью свыше 10000 См/м или поверхностным удельным сопротивлением менее 100 Ом/кв. м, выполненные на основе любого из следующих полимеров:
1.3.1.3.1.	Полианилина;	3909 30 000 0
1.3.1.3.2.	Полипиррола;	3911 90 900 0
1.3.1.3.3.	Политиофена;	3911 90 900 0
1.3.1.3.4.	Полифенилен - винилена; или	3911 90 900 0
1.3.1.3.5.	Политиенилен - винилена	3919 90 900 0
	Техническое примечание. Объемная электропроводность и поверхностное удельное сопротивление должны определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM D-257 или ее национальным эквивалентом.
1.3.2.	Металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы следующего типа:
	Примечание. По пункту 1.3.2 не контролируются металлические сплавы, порошки металлических сплавов или сплавленные материалы, предназначенные для грунтующих покрытий
	Технические примечания. 1. К металлическим сплавам, указанным в пункте 1.3.2, относятся те, которые содержат больший процент (по весу) указанного металла, чем других элементов
	2. Срок эксплуатации до разрыва следует определять в соответствии со стандартной методикой ASTM Е-139 или ее национальным эквивалентом
	3. Показатель циклической усталости должен определяться в соответствии со стандартной методикой ASTM E-606 "Рекомендаций по тестированию на усталость при небольшом количестве циклов и постоянной амплитуде" или ее национальным эквивалентом. Тестирование следует производить в осевом направлении при среднем значении показателя нагрузки, равном единице, и коэффициенте концентрации нагрузки (Kt), равном единице. Средняя нагрузка определяется как частное от деления разности максимальной и минимальной нагрузок на максимальную нагрузку

1.3.2.1.	Алюминиды, такие, как:
1.3.2.1.1.	Никелевые алюминиды, содержащие минимально 15% (по весу), максимально 38% (по весу) алюминия и не менее одного дополнительного элемента сплава;	7502200000
1.3.2.1.2.	Титановые алюминиды, содержащие 10% (по весу) или более алюминия и не менее одного дополнительного элемента сплава	810820000
1.3.2.2.	Металлические сплавы, изготовленные из материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.3, такие, как:
1.3.2.2.1.	Никелевые сплавы:	7502200000
	а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 676 МПа при температуре 923 К (650 град. С); или
	б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 823 К (550 град. С) и максимальном нагружении 1095 МПа;
1.3.2.2.2.	Ниобиевые сплавы:	8112923100;
	а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 400 МПа при температуре 1073 К (800 град. С); или	8112993000
	б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 973 К (700 град. С) и максимальном нагружении 700 МПа;
1.3.2.2.3.	Титановые сплавы:	810820000
	а) со сроком эксплуатации 10000 часов или более до разрыва в условиях нагружения на уровне 200 МПа при температуре 723 К (450 град. С); или
	б) с низким показателем циклической усталости, 10000 циклов или более, при температуре 723 К (450 град. С) и максимальном нагружении 400 МПа;
1.3.2.2.4.	Алюминиевые сплавы с пределом прочности на растяжение:	760120; 7604291000;
	а) 240 МПа или более при температуре 473 К (200 град. С); или	7608209100; 7608209900
	б) 415 МПа или более при температуре 298 К (250 град. С);
1.3.2.2.5.	Магниевые сплавы:	8104
	а) с пределом прочности на растяжение 345 МПа или более; и
	б) со скоростью коррозии менее 1 мм в год в 3-процентном водном растворе хлорида натрия, измеренной в соответствии со стандартной методикой ASTM G-31 или ее национальным эквивалентом
1.3.2.3.	Порошки металлических сплавов или частицы материала, имеющие все следующие характеристики:
1.3.2.3.1.	Изготовленные из любых следующих композиционных систем:
	Техническое примечание. Х в дальнейшем соответствует одному или более элементам, входящим в состав сплава
1.3.2.3.1.1	Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), квалифицированные для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. менее чем с тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 1Е9 частицах сплава;	7504000000
1.3.2.3.1.2	Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);	8112923100; 8112993000
1.3.2.3.1.3	Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al);	810820000
1.3.2.3.1.4	Алюминиевые сплавы (Al-Mg-Х или А1-Х-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или	7603
1.3.2.3.1.5	Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и	8104300000
1.3.2.3.2.	Изготовленные в контролируемой среде при помощи одного из нижеследующих процессов:
	а) вакуумного распыления;
	б) газового распыления;
	в) центробежного распыления;
	г) резкого охлаждения;
	д) спиннингования расплава и кристаллизации;
	е) экстракции расплава и кристаллизации; или
	ж) механического легирования
1.3.2.3.3.	Способные образовывать материалы, контролируемые по пунктам 1.3.2.1 или 1.3.2.2;
1.3.2.4.	Сплавленные материалы, имеющие все следующие характеристики:	7503009000; 7504000000;
	а) изготовленные из любых композиционных систем, определенных в пункте 1.3.2.3.1;	7505120000; 7506;
	б) в виде неизмельченных чешуек, лент или тонких стержней; и	7603200000; 7604291000;
	в) изготавливаемые в контролируемой среде любым из следующих методов:	7606129100; 7606920000;
	1) резкого охлаждения;	760719;
	2) спиннингования расплава; или	8104300000;
	3) экстракции расплава;	8104900000; 810820000; 8108300000; 8108903000; 8112923100; 8112923900; 8112993000
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.3.3.	Магнитные материалы всех типов и любой формы, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик:
1.3.3.1.	Начальную относительную магнитную проницаемость 120000 или более и толщину 0,05 мм или менее	8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0
	Техническое примечание. Замер начальной относительной магнитной проницаемости должен осуществляться с использованием полностью отожженных материалов.
1.3.3.2.	Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик:	7206 90 000 0
	а) магнитострикционное насыщение более 5 x 1E(-4); или
	б) коэффициент магнитомеханического сцепления (к) более 0,8; или
1.3.3.3.	Аморфная или нанокристаллическая лента сплава, имеющая все следующие характеристики:	7206; 7506; 8105
	а) состав минимум 75% (по весу) железа, кобальта или никеля;
	б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и
	в) любое из нижеследующего:
	1) толщину ленты не более 0,02 мм; или
	2) удельное электрическое сопротивление 2 x 1E(-4) Ом/см или более
	Примечание. Нанокристаллические материалы, указанные в пункте 1.3.3.3, являются материалами, имеющими кристаллические зерна размером 50 нм или менее, что определяется дифракцией X-лучей.
1.3.4.	Урано - титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики:	2844 10 900 0; 8108 10 100; 8101 99 000 0
	а) плотность свыше 17,5 г/куб. см;
	б) предел упругости свыше 880 МПа;
	в) предел прочности на растяжение более 1270 МПа;
	г) относительное удлинение свыше 8%
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
1.3.5.	Сверхпроводящие композиционные материалы длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г, такие как:
1.3.5.1.	Многожильные сверхпроводящие композиционные материалы, содержащие одну или несколько ниобиево - титановых нитей:	8112 99 300 0; 8544 19 900 0
	а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе медьсодержащего материала; или
	б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре при нитях круглого сечения);

1.3.5.2.	Сверхпроводящие композиционные материалы, состоящие из одной или более сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобий - титана, имеющие все следующие характеристики:	8544 19 900 0
	а) с критической температурой при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже 24 K (-249,16 град. C);
	б) площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм; и
	в) остающиеся в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 K (-268,96 град. C), находясь в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т
1.3.6.	Жидкости и смазочные материалы, такие как:
1.3.6.1.	Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих веществ и материалов:
1.3.6.1.1.	Синтетические кремний - углеводородные масла, имеющие все следующие характеристики:	3910 00 000 0
	а) точку возгорания свыше 477 K (204 град. C);
	б) точку застывания 239 K (-34 град. C) или ниже;
	в) коэффициент вязкости 75 или более;
	г) термостабильность при 616 K (343 град. C); или
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
1.3.6.1.2.	Хлоро - фторуглероды, имеющие все следующие характеристики:	2812; 2826;
	а) точка возгорания отсутствует;	2903 41 000 0;
	б) температуру самовоспламенения свыше 977 K (704 град. C);	2903 42 000 0; 2903 43 000 0;
	в) точку застывания 219 K (-54 град. C) или ниже;	2903 44; 2903 45;
	г) коэффициент вязкости 80 или более; и	3819 00 000 0;
	д) точку кипения 473 K (200 град. C) или более	3824 71 000 0
	Примечания. 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод.
	2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор.
1.3.6.2.	Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие вещества или материалы:
1.3.6.2.1.	Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или их смесей; или	2909 30 900 0; 2930 90 950 0
1.3.6.2.2.	Фторированные кремнийсодержащие жидкости, характеризуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 град. C)	3910 00 000 0
1.3.6.3.	Увлажняющие или флотирующие жидкости с показателем чистоты более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений и материалов:
1.3.6.3.1.	Дибромтетрафторэтана;	2903 46 900 0
1.3.6.3.2.	Полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воскообразные модификации); или	3904 69 000 0
1.3.6.3.3.	Полибромтрифторэтилена	3904 69 000 0
1.3.6.4.	Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики:	2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 45 100 0; 3824 90 900 0
1.3.6.4.1.	Содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или их смесей:
1.3.6.4.1.1.	Мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров;
1.3.6.4.1.2.	Перфторалкиламинов;
1.3.6.4.1.3.	Перфторциклоалканов; или
1.3.6.4.1.4.	Перфторалканов
1.3.6.4.2.	Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K (25 град. C);
1.3.6.4.3.	Жидкое состояние при 273 K (0 град. C); и
1.3.6.4.4.	Содержащие 60% (по весу) или более фтора
	Техническое примечание. Для целей, указанных в пункте 1.3.6:
	а) точка возгорания определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальных эквивалентах;
	б) точка плавления определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальных эквивалентах;
	в) коэффициент вязкости определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальных эквивалентах;
	г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальными эквивалентами: 20 мл испытуемой жидкости помещаются в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера продута азотом, загерметизирована при давлении, равном атмосферному, и температуре, повышенной до (644 +/- 6) K [(371 +/- 6 град. C)] и выдерживаемой в течение шести часов; образец признается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполняются следующие условия:
	1) потеря веса каждого шара не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности;
	2) изменение первоначальной вязкости, определенной при 311 K (38 град. C), не превышает 25%;
	3) общее кислотное или базовое число не превышает 0,40;
	д) температура автогенного воспламенения определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальных эквивалентах.

1.3.7.	Материалы на керамической основе, некомпозиционные керамические материалы, композиционные материалы с керамической матрицей и материалы - предшественники, такие как:
1.3.7.1.	Основные материалы из простых или сложных боридов титана, имеющие суммарно металлические примеси, исключая специальные добавки, на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньшем 5 мкм, и при этом не более 10% частиц имеют размер более 10 мкм;	2850 00 900 0
1.3.7.2.	Некомпозиционные керамические материалы в сыром виде или в виде полуфабриката на основе боридов титана с плотностью 98% или более от теоретического предела;	2850 00 900 0
	Примечание. По пункту 1.3.7.2 не контролируются абразивы.
1.3.7.3.	Композиционные материалы типа керамика - керамика со стеклянной или оксидной матрицей, укрепленные волокнами, имеющие все следующие характеристики:	2849; 285000; 8803902000; 8803903000;
	а) изготовленные из любых нижеследующих материалов:	8803909800; 930690";
	1) Si-N;
	2) Si-C;
	3) Si-Al-О-N; или
	4) Si-О-N; и
	б) имеющие удельную прочность на растяжение, превышающую 12,7 х 1Е3 м;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
1.3.7.4.	Композиционные материалы типа керамика - керамика с постоянной металлической фазой или без нее, включающие частицы, нитевидные кристаллы или волокна, в которых матрица образована из карбидов или нитридов кремния, циркония или бора;	2849 20 000 0; 2849 90 100 0; 2850 00 300 0; 3926 90 100 0; 8109 90 000 0; 8803 90 990 0; 9306 90
1.3.7.5.	Материалы - предшественники (т.е. полимерные или металлорганические материалы специализированного назначения) для производства какой-либо фазы или фаз материалов, контролируемых по пункту 1.3.7.3, такие как:	3910 00 000 0
	а) полидиорганосиланы (для производства карбида кремния);
	б) полисилазаны (для производства нитрида кремния);
	в) поликарбосилазаны (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами);
1.3.7.6.	Композиционные материалы типа керамика - керамика с оксидными или стеклянными матрицами, укрепленные непрерывными волокнами любой из следующих систем:	6903; 6914 90 900 0
1.3.7.6.1.	Al2O3; или
1.3.7.6.2.	Si-C-N
	Примечание. По пункту 1.3.7.6 не контролируются композиционные материалы, содержащие волокна из этих систем, имеющие предел прочности на растяжение менее 700 МПа при 1273 K (1000 град. C) или относительное удлинение более 1% при нагрузке 100 МПа и 1273 K (1000 град. C) за 100 ч.
1.3.8.	Полимерные вещества, не содержащие фтор, такие как:
1.3.8.1.1.	Бисмалеимиды;	2925 19 800 0
1.3.8.1.2.	Ароматические полиамидимиды;	3908 90 000 0
1.3.8.1.3.	Ароматические полиимиды;	3909 30 000 0
1.3.8.1.4.	Ароматические полиэфиримиды, имеющие температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) более 513 K (240 град. C), измеренную сухим методом, описанным в стандартной методике ASTM D 3418	3907 20 900 0; 3907 91 900 0
	Примечание. По пункту 1.3.8.1 не контролируются неплавкие порошки для формообразования под давлением или фасонных форм.
1.3.8.2.	Термопластичные жидкокристаллические сополимеры, имеющие температуру тепловой деформации более 523 K (250 град. C), измеренную в соответствии со стандартной методикой ASTM D-648, метод А, или ее национальными эквивалентами, при нагрузке 1,82 Н/кв. мм, и образованные сочетанием:	3907 91 900 0
	а) любого из следующих веществ:
	1) фенилена, бифенилена или нафталина; или
	2) метила, тетрабутила или фенил - замещенного фенилена, бифенилена или нафталина; и
	б) любой из следующих кислот:
	1) терефталиковой кислоты;
	2) 6-гидроксил-2 нафтоиковой кислоты;
	3) 4-гидроксил бензойной кислоты;

1.3.8.3.	Полиариленовые эфирные кетоны, такие как:
1.3.8.3.1.	Полиэфироэфирокетон (ПЭЭК);	3907 91 900 0
1.3.8.3.2.	Полиэфирокетон - кетон (ПЭКК);	3907 91 900 0
1.3.8.3.3.	Полиэфирокетон (ПЭК);	3907 91 900 0
1.3.8.3.4.	Полиэфирокетон эфирокетон - кетон (ПЭКЭКК)	3907 91 900 0
1.3.8.4.	Полиариленовые кетоны;	3907 99
1.3.8.5.	Полиариленовые сульфиды, где ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации;	3911 90 900 0
1.3.8.6.	Полибифениленэфирсульфон	3911 90 900 0
	Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.8, определяется с использованием метода, описанного в стандартной методике ASTM D 3418, применяющей сухой метод.
1.3.9.	Необработанные соединения фтора, такие как:	3904 69 000 0
	а) сополимеры винилидена фторида, содержащие 75% или более структуры бета - кристаллина, полученной без вытягивания;
	б) фтористые полиимиды, содержащие 10% (по весу) или более связанного фтора;
	в) фтористые фосфазеновые эластомеры, содержащие 30% (по весу) или более связанного фтора
1.3.10.	Нитевидные или волокнистые материалы, которые могут быть использованы в органических, металлических или углеродных матричных композиционных материалах или слоистых структурах, такие как:
1.3.10.1.	Органические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	3926 90 100 0
	а) удельный модуль упругости свыше 12,7 x 1E6 м; и
	б) удельную прочность на растяжение свыше 23,5 x 1E4 м;
	Примечание. По пункту 1.3.10.1 не контролируется полиэтилен.
1.3.10.2.	Углеродные волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	3801; 3926 90 100 0; 5402 10 100 0;
	а) удельный модуль упругости свыше 12,7 x 1E6 м; и	5404 90 900 0; 6815 10 100 0;
	б) удельную прочность на растяжение свыше 23,5 x 1E4 м;	6903 10 000 0
	Техническое примечание. Свойства материалов, указанных в пункте 1.3.10.2, должны определяться методами 12 - 17 (SRM 12 - 17), рекомендуемыми Ассоциацией производителей усовершенствованных композиционных материалов (SACMA), или их национальными эквивалентами и должны основываться на средних значениях из большого количества опытов.
	Примечание. По пункту 1.3.10.2 не контролируются изделия, изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размеры единичных листов не превышают 50 x 90 см.
1.3.10.3.	Неорганические волокнистые или нитевидные материалы, имеющие все следующие характеристики:	3926 90 100 0; 8101 92 000 0; 8108 90 300 0 -
	а) удельный модуль упругости, превышающий 2,54 x 1E6 м; и	8108 90 700 0
	б) точку плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде, превышающую 1922 K (1649 град. C);
	Примечание. По пункту 1.3.10.3 не контролируются:
	а) дискретные, многофазные, поликристаллические волокна глинозема, содержащие 3% или более (по весу) кремнезема, имеющие удельный модуль упругости менее 10 x 1E6 м;
	б) молибденовые волокна и волокна из молибденовых сплавов;
	в) волокна на основе бора;
	г) дискретные керамические волокна с температурой плавления, размягчения, разложения или сублимации в инертной среде менее 2043 K (1770 град. C).
1.3.10.4.	Волокнистые или нитевидные материалы:
1.3.10.4.1.	Изготовленные из любого из следующих материалов:
1.3.10.4.1.1.	Полиэфиримидов, контролируемых по пунктам 1.3.8.1.1 - 1.3.8.1.4; или	5402 20 000 0; 5402 49 990 0; 5501 90 000 0; 5502 00 900; 5503 90 900 0
1.3.10.4.1.2.	Материалов, контролируемых по пунктам 1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 1.3.8.5 или 1.3.8.6; или	5402 20 000 0; 5402 49 990 0; 5501 90 000 0; 5502 00 900; 5503 90 900 0
1.3.10.4.2.	Изготовленные из материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2, и связанные с волокнами других типов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3

1.3.10.5.	Волокна, импрегнированные смолой или пеком (препреги), волокна, покрытые металлом или углеродом (преформы), или преформы углеродных волокон следующего типа:	3801; 3926 90 100 0; 6815 10 100 0; 6815 10 900; 6815 99 900 0;
	а) изготовленные из волокнистых или нитевидных материалов, контролируемых по пунктам 1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3;	6903 10 000 0; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19;
	б) изготовленные из органических или углеродных волокнистых или нитевидных материалов:	7019 40 000 0; 7019 51; 7019 52 000 0;
	1) с удельной прочностью на растяжение, превышающей 17,7 x 1E4 м;	7019 59
	2) с удельным модулем упругости, превышающим 10,15 x 1E6 м;
	3) не контролируемых по пунктам 1.3.10.1 или 1.3.10.2; и
	4) пропитанных материалами, контролируемыми по пункту 1.3.8 или подпункту "б" пункта 1.3.9, обладающими температурой перехода в стеклообразное состояние (Tg) свыше 383 K (110 град. C), фенольными либо эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg), равную или превышающую 418 K (145 град. C)
	Примечание. По пункту 1.3.10.5 не контролируются:
	а) матрицы из эпоксидной смолы, импрегнированные углеродными волокнистыми или нитевидными материалами (препрегами), для ремонта структур летательных аппаратов или ламинаты, у которых размер единичных листов препрегов не превышает 50 x 90 см;
	б) препреги, импрегнированные фенольными или эпоксидными смолами, имеющими температуру перехода в стеклообразное состояние (Tg) менее 433 K (160 град. C) и температуру отверждения меньшую, чем температура перехода в стеклообразное состояние.
	Техническое примечание. Температура перехода в стеклообразное состояние (Tg) для материалов, контролируемых по пункту 1.3.10.5, определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 3418, с применением сухого метода. Температура перехода в стеклообразное состояние для фенольных эпоксидных смол определяется с использованием метода, описанного в ASTM D 4065, при частоте 1 Гц и скорости нагрева 2 град. C в минуту, с применением сухого метода.
	Технические примечания. 1. Удельный модуль упругости определяется как модуль Юнга, выраженный в паскалях или в Н/кв. м, деленный на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.
	2. Удельная прочность на растяжение определяется как критическая прочность на разрыв, выраженная в паскалях или в Н/кв. м, деленная на удельный вес в Н/куб. м, измеренные при температуре (296 +/- 2) K [(23 +/- 2) град. C] и относительной влажности (50 +/- 5)%.
1.3.11.	Металлы и компаунды, такие как:
1.3.11.1.	Металлы в виде частиц с размерами менее 60 мкм, имеющие сферическую, пылевидную, сфероидальную форму, расслаивающиеся или молотые, изготовленные из материала, содержащего 99% или более циркония, магния или их сплавов	8104 30 000 0; 8109 10 100 0
	Особое примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.1, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.2.	Бор или карбид бора чистотой 85% или выше и с размером частиц 60 мкм или менее	2804 50 100 0; 2849 90 100 0
	Особое примечание. Металлы или сплавы, указанные в пункте 1.3.11.2, подлежат контролю независимо от того, инкапсулированы они или нет в алюминий, магний, цирконий или бериллий;
1.3.11.3.	Гуанидин нитрат	2825 10 000 0; 2834 29 900 0; 2904
1.3.12.	Материалы для ядерных тепловых источников, такие как:
1.3.12.1.	Плутоний в любой форме с содержанием изотопа плутония-238 более 50% (по весу);	2844 20 510 0; 2844 20 590 0; 2844 20 810 0;
	Примечание. По пункту 1.3.12.1 не контролируются:	2844 20 890 0
	а) поставки, содержащие один грамм плутония или менее;
	б) поставки, содержащие три "эффективных грамма" плутония или менее при использовании в качестве чувствительного элемента в приборах.
1.3.12.2.	Предварительно очищенный нептуний-237 в любой форме	2844 40 200 0; 2844 40 300 0
	Примечание. По пункту 1.3.12.2 не контролируются поставки с содержанием в один грамм нептуния-237 или менее.

1.4.	Программное обеспечение
1.4.1.	Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 1.2
1.4.2.	Программное обеспечение для разработки органических матриц, металлических матриц или углеродных матричных ламинатов или композиционных материалов
1.5.	Технология
1.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.1.2, 1.1.1.3, 1.1.2 - 1.1.5, 1.2 или 1.3
1.5.2.	Другие технологии, такие как:
1.5.2.1.	Технологии для разработки или производства полибензотиазолов или полибензоксазолей;
1.5.2.2.	Технологии для разработки или производства фтористых эластомерных соединений, содержащих по крайней мере один винилэфирный мономер;
1.5.2.3.	Технологии для проектирования или производства следующих базовых материалов или некомпозиционных керамических материалов:
1.5.2.3.1.	Базовых материалов, обладающих всем нижеперечисленным:
1.5.2.3.1.1.	Любой из следующих структур:
	а) простыми или сложными оксидами циркония и сложными оксидами кремния или алюминия;
	б) простыми нитридами бора (с кубическими формами кристаллов);
	в) простыми или сложными карбидами кремния или бора; или
	г) простыми или сложными нитридами кремния;
1.5.2.3.1.2.	Суммарными металлическими примесями, исключая преднамеренно вносимые добавки, в количестве, не превышающем:
	а) 1000 частей на миллион для простых оксидов или карбидов; или
	б) 5000 частей на миллион для сложных соединений или простых нитридов; и
1.5.2.3.1.3.	Любой из следующих характеристик:
	а) средний размер частицы равен или меньше 5 мкм и не более 10% частиц с размером, превышающим 10 мкм; или
	Примечание. Для циркония представленные выше пределы ограничены соответственно 1 мкм и 5 мкм.
	б) имеющие все следующие характеристики:
	1) защитные пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5;
	2) короткие стержни ("усы") с отношением длины к диаметру, превышающим значение 10 для диаметров стержней менее 2 мкм; и
	3) длинные или рубленые волокна с диаметром, меньшим 10 мкм
1.5.2.3.2.	Некомпозиционных керамических материалов, изготовленных из материалов, указанных в пункте 1.5.2.3.1
	Примечание. По пункту 1.5.2.3.2 не контролируются абразивные материалы.
1.5.2.4.	Технологии для производства ароматических полиамидных волокон;
1.5.2.5.	Технологии для сборки, эксплуатации или восстановления материалов, контролируемых по пункту 1.3.1;
1.5.2.6.	Технологии для восстановления композиционных материалов, слоистых структур или материалов, контролируемых по пунктам 1.1.2, 1.3.7 или 1.3.7.4
	Примечание. По пункту 1.5.2.6 не контролируются технологии для ремонта структур гражданских летательных аппаратов, использующие углеродные волокнистые или нитевидные материалы и эпоксидные смолы, содержащиеся в авиационных изделиях

	Категория 2. Обработка материалов
2.1.	Системы, оборудование и компоненты
2.1.1.	Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты, такие как:
	Примечание. По пункту 2.1 не контролируются шарикоподшипники с допусками, устанавливаемыми производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 3290 по классу 5 или хуже.
2.1.1.1.	Шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 4 или лучше или его национальным эквивалентом и имеющие кольца, шарики или ролики, сделанные из медно - никелевого сплава или бериллия	8482 10 900 0; 8482 50 000 0
	Примечание. По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.1.1.2.	Другие шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 492 по классу точности 2 или лучше или его национальным эквивалентом	8482 80 000 0
	Примечание. По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.1.1.3.	Активные магнитные подшипниковые системы, имеющие любую из следующих составляющих:	8483 30 100 0; 8483 30 900 0
	а) материалы с магнитной индукцией 2 Т или больше и пределом текучести больше 414 МПа;
	б) оснащенные электромагнитным устройством для привода с трехмерным униполярным высокочастотным подмагничиванием; или
	в) высокотемпературные, с температурой 450 K (177 град. C) и выше, позиционные датчики
2.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование Технические примечания. 1. Вторичные параллельные горизонтальные оси (например, W-ось на фрезах горизонтальной расточки или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее число горизонтальных осей. 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, которые осуществляют относительное движение между любой обрабатываемой деталью и инструментом, отрезной головкой или шлифовальным кругом, которые отрезают или снимают материал с обрабатываемой детали. Это не включает любую из следующих дополнительных осей, которые осуществляют другие относительные движения в пределах станка: а) кругозаправочные системы в шлифовальных станках; б) параллельно вращающиеся оси, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей; в) совместно вращающиеся оси, предназначенные для управления одинаковыми обрабатываемыми деталями путем закрепления их в патроне с разных концов
	Особое примечание. Ось вращения необязательно предусматривает поворот на угол, больший 360 град. Ось вращения может управлять устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой).
	3. Номенклатура оси определяется в соответствии с международным стандартом ИСО 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения".
	4. Для этой категории наклоняющиеся шпиндели рассматриваются как оси вращения.
	5. Для всех станков каждой модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, полученное не в результате индивидуальных механических испытаний, а рассчитанное в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом.
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
	Особое примечание. Заявленная точность позиционирования означает величину точности, устанавливаемую производителем, в качестве показателя, отражающего точность всех станков определенной модели. Определение показателя точности:
	1. Выбирается пять станков модели, подлежащей оценке.
	2. Измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997).
	3. Определяется значение показателя А для каждой оси каждого станка. Метод определения значения показателя А описан в стандарте ИСО.
	4. Определяется среднее значение показателя А для каждой оси.
	Эта средняя величина А становится заявленной величиной (Ax, Ay...) для всех станков данной модели.
	5. Поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей.
	6. Если параметры осей определенной модели станка не подпадают под контроль по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, а показатель А для шлифовальных станков равен или меньше (лучше) 5 мкм, для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев вновь подтверждать величину точности.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.1.	Станки, приведенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления:
	Примечания. 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные обработкой шестерен. Для таких станков см. пункт 2.2.3 2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные обработкой любых из следующих деталей: а) коленчатых или распределительных валов; б) резцов или фрез; в) червяков экструдеров; г) гравированных или ограненных деталей ювелирных изделий
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)

2.2.1.1.	Токарные станки, имеющие все следующие характеристики:	8458; 8464 90 900 0;
	а) точность позиционирования со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и	8465 99 100 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
	б) две или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления
	Примечание. По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз.
2.2.1.2.	Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:	8459 31 000 0; 8459 39 000 0;
	а) имеющие все следующие характеристики: 1) точность позиционирования со всей доступной компенсацией, равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм, в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и 2) три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления;	8459 51 000 0; 8459 61; 8459 69; 8464 90 900 0; 8465 92 000 0
	б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или
	в) точность позиционирования для координатно - расточных станков со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси;
	г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: 1) биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и 2) угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на более чем 300 мм перемещения;
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.3.	Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:	8460 11 000 0; 8460 19 000 0;
	а) имеющие все следующие характеристики: 1) точность позиционирования со всей доступной компенсацией, равную или меньшую (лучшую) 3 мкм, в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и 2) три или более чем три оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или	8460 21; 8460 29; 8464 20 800 0; 8465 93 000 0
	б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления
	Примечание. По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки:
	а) цилиндрические внешние, внутренние и внешне - внутренние шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками:
	1) ограниченные цилиндрическим шлифованием; и
	2) с максимально возможной длиной или диаметром изделия 150 мм;
	б) станки, специально спроектированные для шлифования по шаблону и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) C-ось применяется для поддержания шлифовального круга в нормальном положении по отношению к рабочей поверхности; или
	2) A-ось определяет конфигурацию цилиндрического кулачка;
	в) плоскошлифовальные станки.
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.4.	Станки для электроискровой обработки (СЭО) без подачи проволоки, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления;	8456 30
2.2.1.5.	Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:	8424 30 900 0; 8456 10 00;
	а) обработка материалов осуществляется посредством любого из следующего:	8456 99 900 0
	1) водяных или других жидких струй, включая струи с абразивными присадками;
	2) электронного луча; или
	3) лазерного луча; и
	б) имеющие две или более оси вращения, которые:
	1) могут быть одновременно скоординированы для управления по контуру; и
	2) имеют точность позиционирования меньше (лучше) 0,003 град.;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.2.1.6.	Станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанные для них компоненты	8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0

2.2.2.	Утратил силу.
2.2.3.	Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально разработанные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, одно- или двухзаходных винтовых шестерен с модулем более 1250 мм и с лицевой шириной, равной 15% от модуля или более, с качеством после финишной обработки в соответствии с международным стандартом ИСО 1328 по классу 3	8461 40 710; 8461 40 790
2.2.4.	Горячие изостатические прессы, имеющие все следующие составляющие, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:	8462 99
	а) камеры с контролируемыми тепловыми условиями внутри закрытой полости и внутренним диаметром полости 406 мм и более; и
	б) любую из следующих характеристик:
	1) максимальное рабочее давление более 207 МПа;
	2) контролируемые температурные условия, превышающие 1773 K (1500 град. C); или
	3) оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения
	Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к камере, в которой достигаются рабочие давление и температура; в размер камеры не включается размер зажимных приспособлений. Указанный выше размер будет минимальным из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из двух камер находится в другой.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.5.	Оборудование, специально спроектированное для оснащения, реализации процесса и управления процессом нанесения неорганического покрытия, защитных слоев и поверхностных модификаций, например нижних слоев неэлектронными методами, или процессами, представленными в таблице и отмеченными в примечаниях после пункта 2.5.3.4, а также специально спроектированные средства автоматизированного регулирования, установки, манипуляции и компоненты управления, включая:
2.2.5.1.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование для химического осаждения паров (CVD) со всеми следующими показателями:	8419 89 95
	а) процесс модифицирован для одного из следующих методов:
	1) пульсирующего CVD;
	2) управляемого термического осаждения с образованием центров кристаллизации (CNtd); или
	3) усиленного плазмой или с помощью плазмы CVD; и
	б) включает какой-либо из следующих способов:
	1) использующий высокий вакуум (равный или менее 0,01 Па) для уплотнения вращением; или
	2) использующий средства контроля толщины слоя покрытия на месте;
2.2.5.2.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование ионной имплантации с силой тока луча 5 мА или более;	8543 19 000 0
2.2.5.3.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование для физического осаждения паров электронным лучом (ЕВ - PVD), включающее системы электропитания с расчетной мощностью свыше 80 кВт, имеющее любую из следующих составляющих:	8543 89 900 0
	а) лазерную систему управления уровнем в заливочной ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества; или
	б) управляемый компьютером регистратор скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2.5.4.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:	8419 89 300 0; 8419 89 95
	а) работающее при уменьшающемся давлении контролируемой атмосферы (равной или менее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, способной обеспечивать снижение давления до 0,01 Па, предшествующее началу процесса напыления; или
	б) имеющее в своем составе средства контроля толщины слоя покрытия;
2.2.5.5.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование металлизации напылением, способное обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, с производительностью напыления 15 мкм/ч или более;	8419 89 300 0; 8419 89 95

2.2.5.6.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование катодно - дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде;	8543 89 900 0
2.2.5.7.	Управляемое встроенной программой производственное оборудование ионной металлизации, позволяющее осуществлять на месте любое из следующих измерений:	8543 89 900 0
	а) толщины слоя подложки и величины производительности; или
	б) оптических характеристик
	Примечание. По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5, 2.2.5.6 и 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического парового осаждения, катодно - дугового напыления, капельного осаждения, ионной металлизации или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего инструмента или для механообработки.
2.2.6.	Системы или оборудование для измерения или контроля размеров, такие как:
2.2.6.1.	Управляемые ЭВМ, с числовым программным управлением, управляемые встроенной программой машины контроля размеров, имеющие погрешность измерения длины по трем осям, равную или менее (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах), тестируемую в соответствии с международным стандартом ИСО 10360-2;	9031 80 310 0
2.2.6.2.	Измерительные инструменты для линейных или угловых перемещений, такие как:
2.2.6.2.1.	Измерительные инструменты для линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:	9031 49 900 0; 9031 80 310 0; 9031 80 510 0;
	а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешающей способностью, равной или менее (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;	9031 80 590 0
	б) системы с линейным регулируемым дифференциальным преобразователем напряжения с двумя следующими характеристиками:
	1) линейностью, равной или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и
	2) отклонением, равным или меньшим (лучшим) 0,1% в день, при стандартных условиях с колебанием окружающей температуры +/- 1 K; или
	в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:
	1) содержащие лазер; и
	2) эксплуатируемые непрерывно по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +/- 1 K при стандартных температуре и давлении, имеющие все следующие характеристики: разрешение на их полной шкале составляет 0,1 мкм или меньше (лучше); и погрешность измерения равна или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - длина, измеряемая в миллиметрах)
	Примечание. По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, средств контроля размеров или подобного оборудования.
2.2.6.2.2.	Угловые измерительные приборы с отклонением углового положения, равным или меньшим (лучшим) 0,00025 град.	9031 49 900 0; 9031 80 310 0; 9031 80 510 0;
	Примечание. По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет для фиксации углового смещения зеркала.	9031 80 590 0
2.2.6.3.	Оборудование для измерения неровностей поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла, с чувствительностью 0,5 нм или меньше (лучше)	9031 49 900 0
	Примечания. 1. Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для функций станков или измерительных приборов.
	2. Системы, указанные в пункте 2.2.6, подлежат контролю, если они по своим параметрам превышают подлежащий контролю уровень где-либо в их рабочем диапазоне.
2.2.7.	Нижеперечисленные роботы и специально спроектированные контроллеры и рабочие органы для них:	8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 0;
	а) способные в реальном масштабе времени полно отображать процесс или объект в трех измерениях с генерированием или модификацией программ или с генерированием или модификацией цифровых программируемых данных;	8537 10 990 0
	Примечание. Ограничения по указанному процессу или объекту не включают аппроксимацию третьего измерения через заданный угол или интерпретацию через ограниченную пределами шкалу для восприятия глубины или текстуры модификации заданий (2 1/2 D).
	б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности, приспособленные к условиям изготовления взрывного военного снаряжения; или
	в) специально спроектированные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие больше 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)] без операционной деградации;
	г) специально предназначенные для операций на высотах, превышающих 30000 м

2.2.8.	Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или контроля размеров, или измерительных систем и оборудования, такие, как:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.2.8.1.	Блоки оценки линейного положения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность меньше (лучше) [800 + (600 x L x 1E(-3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах)	8466
	Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1.
2.2.8.2.	Блоки оценки положения вращения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность меньше (лучше) 0,00025 град.	8466
	Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1.
2.2.8.3.	Составные вращающиеся столы или наклоняющиеся шпиндели, применение которых в соответствии со спецификацией изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше	8466
2.2.9.	Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической спецификацией изготовителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерного управления и которые имеют все следующие характеристики:	8462 29 100 0; 8463 90 100 0; 8463 90 900 0
	а) с двумя или более контролируемыми осями, которые могут одновременно и согласованно координироваться для контурного управления; и
	б) с вращательной силой более 60 кН Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к обкатным вальцовочным станкам.
2.3.	Материалы - нет
2.4.	Программное обеспечение
2.4.1.	Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.4.2.	Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способное координировать одновременно более четырех осей для контурного управления
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
2.5.	Технология
2.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 2.1, 2.2 или 2.4
2.5.2.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2
2.5.3.	Другие технологии, такие как:
2.5.3.1.	Технологии для разработки интерактивной графики как интегрирующей части блоков числового программного управления для подготовки или модификации элементов программ;
2.5.3.2.	Нижеперечисленные технологии производственных процессов металлообработки:
2.5.3.2.1.	Технологии проектирования инструмента, пресс - форм или зажимных приспособлений, специально спроектированных для любого из следующих процессов:
	а) сверхпластического формования;
	б) диффузионного сваривания; или
	в) гидравлического прессования прямого действия;
2.5.3.2.2.	Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления:
	а) сверхпластическим формованием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:
	1) данные о подготовке поверхности;
	2) данные о степени деформации;
	3) температура;
	4) давление;
	б) диффузионным свариванием титановых сплавов или суперсплавов:
	1) данные о подготовке поверхности;
	2) температура;
	3) давление;
	в) гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:
	1) давление;
	2) время цикла;
	г) горячей изостатической модификацией титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:
	1) температура;
	2) давление;
	3) время цикла

2.5.3.3.	Технологии разработки или производства гидравлических вытяжных формовочных машин и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;
2.5.3.4.	Технологии для разработки генераторов машинных команд (то есть элементов программ) из проектных данных, находящихся внутри блоков числового программного управления;
2.5.3.5.	Технологии для разработки интегрирующего программного обеспечения для обобщения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;
2.5.3.6.	Технологии для применения в неорганических чисто поверхностных покрытиях или неорганических покрытиях с модификацией поверхности изделия, отмеченных в графе "Результирующее покрытие" нижеследующей таблицы; неэлектронных слоевых покрытий (субстратов), отмеченных в графе "Подложки" нижеследующей таблицы; процессов, отмеченных в графе "Наименование процесса нанесения покрытия" нижеследующей таблицы и определенных техническим примечанием
	Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только в том случае, когда позиция графы "Результирующее покрытие" непосредственно соответствует позиции графы "Подложки". Например, в результате обработки подложки типа "углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей" путем химического осаждения паров может быть получено силицидное покрытие, которое не может получиться при том же способе нанесения покрытия на подложку типа "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния". Во втором случае позиция графы "Результирующее покрытие" не находится непосредственно напротив позиции "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния" графы "Подложки"
в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

Принадлежность конкретного оборудования, материала или технологии к оборудованию, материалам или технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется соответствием их технических характеристик техническому описанию, приведенному в графе "Наименование".

При декларировании товаров данного Списка в графе 31 ГТД необходимо указывать технические характеристики этих товаров, определенные настоящим Списком.

ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

Наименование процесса нанесения покрытия	Подложки	Результирующее покрытие
1. Химическое осаждение паров	суперсплавы	алюминиды для внутренних каналов
	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14) <*>	силициды, карбиды, слои диэлектриков (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17)
	углерод - углерод, керамика (19) и композиционные материалы с металлической матрицей	силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алюминиды, сплавы алюминидов (2), нитрид бора
	цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15)
	молибден и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	бериллий и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	материалы окон датчиков (9)	слои диэлектриков (15)
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2. Физическое осаждение паров термовыпариванием
2.1. Физическое осаждение паров электронным лучом	суперсплавы	сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
	керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)	слои диэлектриков (15)
	коррозиестойкие стали (7)	MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)
	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
	цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния	карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15)
	молибден и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	бериллий и его сплавы	слои диэлектриков (15), бориды, бериллий
	материалы окон датчиков (9)	слои диэлектриков (15)
	титановые сплавы (13)	бориды, нитриды
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством	керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)	слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
резистивного нагрева (ионное гальваническое покрытие)	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	слои диэлектриков (15)
	цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния	слои диэлектриков (15)
	молибден и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	бериллий и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	материалы окон датчиков (9)	слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.3. Физическое осаждение паров: выпаривание лазером	керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)	силициды, слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	слои диэлектриков (15)
	цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния	слои диэлектриков (15)
	молибден и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	бериллий и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	материалы окон датчиков (9)	слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
2.4. Физическое осаждение паров: катодный дуговой	суперсплавы	сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5)
разряд	полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей	бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3. Цементация (10)	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
	сплавы титана (13)	силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2)
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	силициды, оксиды
4. Плазменное напыление	суперсплавы	MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкие материалы, содержащие - никель - хром - алюминий, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир, сплавы алюминидов (2)
	алюминиевые сплавы (6)	MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4)
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	алюминиды, силициды, карбиды
	коррозиестойкие стали (7)	модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), MCrAlX (5)
	титановые сплавы (13)	карбиды, алюминиды, силициды, сплавы алюминидов (2), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкий никель - хром - алюминий - бентонит, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5. Осаждение суспензии (шлама)	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	легкоплавкие силициды, легкоплавкие алюминиды (кроме материалов для теплостойких элементов)
	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4)
6. Металлизация распылением	суперсплавы	сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), благородные металлы, модифицированные алюминидами (3), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4)
	керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14)	силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
	титановые сплавы (13)	бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2), карбиды
	углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей	силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
	цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния	карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора
	молибден и его сплавы	слои диэлектриков (15)
	бериллий и его сплавы	бориды, слои диэлектриков (15), бериллий
	материалы окон датчиков (9)	слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	алюминиды, силициды, оксиды, карбиды
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
7. Ионная имплантация	высокотемпературные стойкие стали	добавки хрома, тантала или ниобия (колумбия в США)
	титановые сплавы (13)	бориды, нитриды
	бериллий и его сплавы	бориды
	цементированный карбид вольфрама (16)	карбиды, нитриды

<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.

Примечания к таблице.

1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.

3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.

4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или

б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или

в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).

7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.

11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.

13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1E(-7) К-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).

15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл.

16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт - никель), карбида титана / (кобальт - никель), карбида хрома / (никель - хром) и карбида хрома / никеля.

17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного: магнитные дисководы и головки, оборудование для производства расходных материалов, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс - формы для штамповки - прессования, офисное автоматизированное оборудование, микрофоны или медицинские приборы.

(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)

18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% от веса или более клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.

Особые примечания. а) Химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы.

б) Пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих.

в) Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.

2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:

а) при электронно - лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;

б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;

в) при парообразовании лазером для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.

д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.

3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:

а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).

Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

Особые примечания. а) Низкое давление означает давление ниже атмосферного.

б) Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.

5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.

6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.

Особые примечания. а) В таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий.

б) Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.

7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.

Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытий

Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости.

1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:

1.1.1. Состав раствора для ванны:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек

1.1.2. Время обработки в ванне;

1.1.3. Температура в ванне;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;

1.3. Параметры циклов горячей обработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Атмосферное давление

1.3.2. Температура для горячей обработки;

1.3.3. Продолжительность горячей обработки

1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:

1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:

1.4.1.1. Состав песка;

1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;

1.4.1.3. Скорость подачи песка

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности

1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

1.5. Технические параметры защитного покрытия:

1.5.1. Материал защитного покрытия;

1.5.2. Размещение защитного покрытия

2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:

2.1. Атмосферные параметры:

2.1.1. Состав атмосферы;

2.1.2. Атмосферное давление

2.2. Временные параметры;

2.3. Температурные параметры;

2.4. Параметры слоя;

2.5. Коэффициент параметров преломления

2.6. Контроль структуры покрытия

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость подачи дроби

3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;

3.3. Параметры цикла горячей обработки:

3.3.1. Атмосферные параметры:

3.3.1.1. Состав атмосферы;

3.3.1.2. Атмосферное давление

3.3.2. Температурно - временные циклы

3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку

4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:

4.1. Критерии статического выборочного контроля;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Усиления;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности

4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения параметров является длина волны):

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

4.3.1. Отражательная способность;

4.3.2. Прозрачность;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:

5.1. Для химического осаждения паров:

5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;

5.1.2. Состав несущего газа;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа

5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:

5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав химически активного газа;

5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;

5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.2.7.6. Утратил силу.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:

5.3.1. Состав обмазки и формулировка;

5.3.2. Состав несущего газа;

5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.5.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки

5.5. Для металлизации распылением:

5.5.1. Состав и структура мишени;

5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;

5.5.3. Состав химически активного газа;

5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;

5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Изменение дозировки

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления

5.7. Для ионного гальванического покрытия:

5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;

5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры наклона подложки

N позиции	Наименование	Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности
	Категория 3. Электроника
3.1.	Системы, оборудование и компоненты
	Примечания. 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования.
	2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования.
	Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.12; если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3.
3.1.1.	Электронные компоненты, такие как:
3.1.1.1.	Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
	Примечания. 1. Контрольный статус готовых пластин или полуфабрикатов для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1.
	2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы.
3.1.1.1.1.	Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно стойкие, выдерживающие любое из следующих воздействий:	8542
	а) общую дозу 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)] или выше; или
	б) предел мощности дозы 5 x 1E6 Гр/с (кремний) [5 x 1E8 рад (кремний)/с] или выше;
3.1.1.1.2.	Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы, микросхемы микроконтроллеров, интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях, аналого - цифровые преобразователи, цифро - аналоговые преобразователи, электронно - оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю не известно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, и статических запоминающих устройств с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик:	8542
	а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 K (+125 град. C);
	б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 K (-55 град. C); или
	в) работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 K (-55 град. C) до 398 K (+125 град. C)
	Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов.
3.1.1.1.3.	Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры.
3.1.1.1.3.1. 3.1.1.1.3.2.	Совокупную теоретическую производительность (СТП) 260 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) или более и арифметико - логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более; Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или	8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100 8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100
3.1.1.1.3.3.	Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи, которые обеспечивают прямое внешнее межсоединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи, превышающей 150 Мбит/с	8542 13 55; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 680; 8542 40 100
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.4.	Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях;	8542 13 55; 8542 13 670 0; 8542 13 690; 8542 14 300; 8542 14 420 0; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 620 0; 8542 19 680; 8542 40 100
3.1.1.1.5.	Интегральные схемы для аналого - цифровых и цифро - аналоговых преобразователей, такие как:	8542 30 650 0; 8542 30 950 0; 8542 40 900
	а) аналого - цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 5 нс;
	2) разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 200 нс; или
	3) разрешающую способность более 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 2 мкс;
	б) цифро - аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и временем выхода на установившийся режим менее 10 нс;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.6.	Электронно - оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие:	8542
	а) один внутренний лазерный диод или более;
	б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
	в) оптические волноводы;

3.1.1.1.7.	Программируемые пользователем матрицы логических ключей, имеющие любую из следующих характеристик:	8542 13 740 0; 8542 14 650 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
	а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые);
	б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; или
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.8.	Программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик:	8542 13 740 0; 8542 14 650 0; 8542 19 740 0
	а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или
	б) частоту переключения, превышающую 133 МГц;
3.1.1.1.9.	Интегральные схемы для нейронных сетей;	8542
3.1.1.1.10.	Заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик:	8542 13 720 0; 8542 14 600 0; 8542 19 720 0; 8542 30; 8542 40
	а) свыше 1000 выводов;
	б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или
	в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.1.11.	Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик:	8542
	а) эквивалентное количество годных вентилей более 3000 (в пересчете на двухвходовые); или
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
	б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц;
3.1.1.1.12.	Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log2 N)/20480 мс, где N - число точек:	8542 13 55; 8542 13 610 0; 8542 13 630 0;
	Техническое примечание. В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.12 дает результат времени выполнения 500 мкс
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.	Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие как:
3.1.1.2.1.	Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
	Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) не превышает 31 ГГц; и б) распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.1.1.	Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие как:	8540 79 000 0
	а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц;
	б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
	в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
	г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
	2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или
	3) годные для применения в космосе;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.1.2.	Лампы - усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ;	8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3.	Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, имеющие любую из следующих характеристик:	8540 99 000 0
	а) время выхода на уровень эмиссии менее 3 с; или
	б) плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см

3.1.1.2.2.	Микроволновые интегральные схемы или модули, имеющие все следующее:	8542 30; 8542 40; 8542 50 000 0
	а) содержащие твердотельные интегральные схемы, имеющие один или более чем один элемент активных цепей; и
	б) работающие на частотах выше 3 ГГц";
	Примечания. 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули для оборудования, разработанного или спроектированного для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: а) не превышает 31 ГГц; и б) распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения 2. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или спроектированное для работы в полосе частот от 40,5 до 42,5 ГГц;
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.2.3.	Микроволновые транзисторы, предназначенные для работы на частотах, превышающих 31 ГГц;	8541 21; 8541 29
3.1.1.2.4.	Микроволновые твердотельные усилители, имеющие любую из следующих характеристик:	8543 89 900 0
	а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол-октавы;
	б) работающие на частотах свыше 31 ГГц;
3.1.1.2.5.	Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих:	8543 89 900 0
	а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
	б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
3.1.1.2.6.	Микроволновые сборки, способные работать на частотах, превышающих 31 ГГц;	8542 50 000 0
3.1.1.2.7.	Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6;	8543 89 900 0
3.1.1.2.8.	Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики:	8543 89 900 0
	а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
	б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
	в) объем менее 400 куб. см
	Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.1.1.3.	Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие как:
3.1.1.3.1.	Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик:	8541 60 000 0
	а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или
	б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:
	1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;
	2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
	3) ширину полосы частот более 250 МГц; или
	4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
	в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:
	1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
	2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или
	3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2.	Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц;	8541 60 000 0
3.1.1.3.3.	Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку	8541 60 000 0

3.1.1.4.	Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков:	8540; 8541; 8542; 8543
	а) электромагнитное усиление:
	1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или
	2) на частотах свыше 31 ГГц;
	б) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 1E(-14) Дж; или
	в) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000
3.1.1.5.	Нижеперечисленные накопители энергии:
3.1.1.5.1.	Батареи и батареи на фотоэлектрических элементах, такие как:	8506; 8507;
	а) первичные элементы и батареи с плотностью энергии свыше 480 Вт.ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K (70 град. C) и выше;	8541 40 910 0
	Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг.
	б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии свыше 150 Вт.ч/кг после 75 циклов заряда - разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер - часах), при работе в диапазоне температур от 253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K (60 град. C) и выше;
	в) батареи, по техническим условиям годные для применения в космосе, и радиационно стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 K (28 град. C) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 K (2527 град. C) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м
	Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи объемом 27 куб. см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14).
3.1.1.5.2.	Накопители большой энергии, такие как:	8506; 8507; 8532
	а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовые накопители), имеющие все следующие характеристики:
	1) номинальное напряжение 5 кВ или более;
	2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
	3) общую энергию 25 кДж или более;
	б) накопители с частотой повторения 10 Гц и более (многоразовые накопители), имеющие все следующие характеристики:
	1) номинальное напряжение не менее 5 кВ;
	2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг;
	3) общую энергию не менее 100 Дж; и
	4) количество циклов заряда - разряда не менее 10000;
3.1.1.5.3.	Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, имеющие все нижеперечисленные характеристики:	8505 19 900 0
	а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
	б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и
	в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв. мм
	Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии.
3.1.1.6.	Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, имеющие любую из следующих характеристик:	9031 80 310 0
	а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или
	б) точность лучше +/- 2,5 угл. с

3.1.2.	Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:
3.1.2.1.	Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как:
3.1.2.1.1.	Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик:	8520 39 900 0; 8520 90 900 0; 8521 10 300 0; 8521 10 800 0
	а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;
	б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или
	в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс;
	Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура.
3.1.2.1.2.	Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с;	8521 10; 8521 90 000 0
	Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.1.2.1.3.	Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик:	8521 10
	а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или
	б) годные для применения в космосе
	Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных.
3.1.2.1.4.	Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры;	8521 90 000 0
3.1.2.1.5.	Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики:	8543 89 900 0
	а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и
	б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с
	Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого - цифрового преобразования.
3.1.2.2.	Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс;	8543 20 000 0
3.1.2.3.	Анализаторы сигналов:	9030 83 900 0;
	а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц;	9030 89 920 0
	б) динамические анализаторы сигналов с полосой пропускания в реальном времени, превышающей 500 кГц
	Примечание. По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно - октавные фильтры).
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
3.1.2.4.	Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик:	8543 20 000 0
	а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц;
	б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или
	в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ x с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
	Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты.

3.1.2.5.	Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 40 ГГц;	9030 40 900 0
3.1.2.6.	Микроволновые приемники - тестеры, имеющие все следующие характеристики:	8527 90 990 0
	а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и
	б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
3.1.2.7.	Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик:	8543 20 000 0
	а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 1E(-11) в месяц; или
	б) годные для применения в космосе
	Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения.
3.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1.	Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1.	Установки, управляемые встроенной программой, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие как:
3.2.1.1.1.	Установки, способные выдерживать толщину слоя с отклонением не более +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более;	8479 89 650 0
3.2.1.1.2.	Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4;	8419 89 200 0
3.2.1.1.3.	Молекулярно - лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые или твердые источники	8479 89 700 0; 8543 89 700 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.2.	Установки, управляемые встроенной программой, специально предназначенные для ионной имплантации, имеющие любую из следующих характеристик:	8543 11 000 0
	а) энергию излучения (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ;
	б) специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергией излучения (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ;
	в) обладающие способностью непосредственной записи; или
	г) пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.3.	Установки сухого травления анизотропной плазмой, управляемые встроенной программой:	8456 91 000 0; 8456 99 900 0
	а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разработанные или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или
	2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре;
	б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разработанные или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или
	2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.1.4.	Установки химического парофазового осаждения и плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой:	8419 89 200 0; 8419 89 300 0
	а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разработанные в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или
	2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре;
	б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) разработанные в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированные для производства структур с критической величиной отклонения размера 0,3 мкм или менее при среднеквадратичной погрешности 3 сигма = +/- 5%; или
	2) разработанные для обеспечения дефектности поверхности менее 0,04 частицы на кв. см для частиц размером более 0,1 мкм в диаметре;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.1.5.	Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие:	8456 10 00; 8456 91 000 0; 8456 99 900 0; 8456 99 300 0; 8479 50 000 0
	а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и
	б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде
	Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме.
3.2.1.6.	Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие как:
3.2.1.6.1.	Установки многократного совмещения и экспонирования (прямого последовательного шагового экспонирования) или шагового сканирования (сканеры) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих:	9009 22 900 0
	а) источник света с длиной волны короче 350 нм; или
	б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и менее
	Примечание. Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
	(экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) x (К фактор)
	МРР = -------------------------------------------
	цифровая апертура
	где К фактор = 0,7.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.2.1.6.2.	Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик:	8456 10 00; 8456 99
	а) размер пятна менее 0,2 мкм;
	б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или
	в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма)
3.2.1.7.	Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1;
3.2.1.8.	Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем	9010 90 000 0

3.2.2.	Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее:
3.2.2.1.	Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31 ГГц;	9031 80 390 0
3.2.2.2.	Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 60 МГц;	9031 80 390 0
	Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний:
	а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры;
	б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем;
	в) запоминающих устройств.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.2.2.3.	Для испытаний микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 3 ГГц;	9031 80 390 0
	Примечание. По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц.
3.2.2.4.	Электронно - лучевые системы, спроектированные для работы на уровне 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие все следующие составляющие:	9031 80 390 0
	а) стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием; и
	б) электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В
	Примечание. По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов.
3.3.	Материалы
3.3.1.	Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих:
3.3.1.1.	Кремний;	3818 00 100 0; 3818 00 900 0
3.3.1.2.	Германий;	3818 00 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.3.1.3.	Карбид кремния; или	3818 00 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.3.1.4.	Соединения III/V на основе галлия или индия	3818 00 900 0
	Техническое примечание. Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.)
3.3.2.	Материалы резистов и подложки, покрытые контролируемыми резистами, такие как:
3.3.2.1.	Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 350 нм;	3824 90 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3.3.2.2.	Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше;	3824 90 900 0
3.3.2.3.	Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше;	3824 90 900 0
3.3.2.4.	Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силицированные резисты Техническое примечание. Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления.	3824 90 900 0
3.3.3.	Органо - неорганические компаунды, такие как:
3.3.3.1.	Органо - металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999%;	2931 00 800 0
3.3.3.2.	Органо - мышьяковистые, органо - сурьмянистые и органо - фосфорные соединения с чистотой органической элементной основы свыше 99,999%	2931 00 800 0
	Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы.
3.3.4.	Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999% даже после растворения в инертных газах или водороде	2848 00 000 0; 2850 00 100 0
	Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода.
3.4.	Программное обеспечение
3.4.1.	Программное обеспечение, специально созданное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2.	Программное обеспечение, специально созданное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2
3.4.3.	Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), имеющее все следующие составляющие:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.4.3.1.	Спроектировано для разработки полупроводниковых приборов или интегральных схем; и
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.4.3.2.	Спроектировано для выполнения или использования любой из следующих составляющих: а) правил проектирования или правил проверки схем; б) моделирования схем по их физической топологии; или в) имитаторов литографических процессов для проектирования
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)

3.5.	Технология
3.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3.1, 3.2 или 3.5 Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии разработки или производства: а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц;
	б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака:
	1) использующие проектные нормы 0,7 мкм или выше; и
	2) не содержащие многослойных структур.
	Особое примечание. Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б" примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических слоя и два слоя поликремния.
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
3.5.2.	Технологии, соответствующие общему технологическому примечанию, другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства микропроцессорных микросхем, микрокомпьютерных микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс или более и арифметико - логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
3.5.3.	Прочие технологии для разработки или производства:
	а) вакуумных микроэлектронных приборов;
	б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;
	в) сверхпроводящих электронных приборов;
	г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов;
	д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем с диэлектриком из двуокиси кремния;
	е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
	Категория 4. Вычислительная техника
	Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации).
	Особые примечания. а) Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, оперативную память или контроллеры накопителей на магнитных дисках, не входят в понятие телекоммуникационной аппаратуры, рассматриваемой в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации);
	б) для определения контрольного статуса программного обеспечения, которое специально создано для коммутации пакетов, следует использовать пункт 5.4.1.
	2. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 Категории 5 (Защита информации).
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.1.	Системы, оборудование и компоненты
4.1.1.	Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты:
4.1.1.1.	Специально созданные для достижения любой из следующих характеристик:	8471
	а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше 358 K (85 град. C)
	Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов;
	б) радиационно стойкие, превышающие любое из следующих требований:
	1) поглощенная доза 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)];
	2) мощность дозы на сбой 5 x 1E6 Гр/с (кремний) [5 x 1E8 рад (кремний)/с]; или
	3) сбой от высокоэнергетической частицы 1E(-7) ошибок/бит/день;
4.1.1.2.	Имеющие характеристики или функциональные особенности, превосходящие пределы, указанные в части 2 Категории 5 (Защита информации)	8471
	Примечание. По пункту 4.1.1.2 не контролируются цифровые персональные ЭВМ и относящееся к ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего индивидуального использования.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.1.2.	Гибридные ЭВМ, электронные сборки и специально разработанные для них компоненты:	8471 10
	а) имеющие в своем составе цифровые ЭВМ, которые контролируются по пункту 4.1.3;
	б) имеющие в своем составе аналого - цифровые преобразователи, обладающие всеми следующими характеристиками:
	1) 32 каналами или более; и
	2) разрешающей способностью 14 бит (плюс знаковый разряд) или выше со скоростью 200000 преобразований/с или выше

4.1.3.	Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты, такие как:
	Примечания. 1. Пункт 4.1.3 включает:
	а) векторные процессоры;
	б) матричные процессоры;
	в) цифровые центральные процессоры;
	г) логические процессоры;
	д) оборудование для улучшения качества изображения;
	е) оборудование для обработки сигналов.
	2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.3, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если:
	а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем;
	б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и
	в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5.
	Особые примечания. 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально спроектированного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом другого оборудования, даже если первое соответствует критерию основного элемента.
	2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 Категории 5 (Телекоммуникации).
4.1.3.1.	Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости	8471 (кроме 8471 10)
	Примечание. Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего:
	а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти;
	б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая, что если активный центральный процессор отказывает, ждущий, но отслеживающий центральный процессор может продолжить функционирование системы;
	в) взаимосвязь двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением общей памяти, чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять другую работу, пока не откажет второй центральный процессор, тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или
	г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи отказавшего устройства;
4.1.3.2.	Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную теоретическую производительность (СТП) свыше 2000 Мтопс;	8471 (кроме 8471 10)
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
4.1.3.3.	Электронные сборки, специально спроектированные или модифицированные для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4.1.3.2;	8471 (кроме 8471 10)
	Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.3.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5.
	2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются электронные сборки, специально спроектированные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.3.2.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.1.3.4.	Графические акселераторы или графические сопроцессоры, превышающие скорость исчисления трехмерных векторов, равную 200000000;	8473 30 100 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
4.1.3.5.	Оборудование, выполняющее аналого - цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5;	8543 89 900 0
4.1.3.6.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.1.3.7.	Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешней взаимосвязи цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных свыше 1,25 Гбайт/с	8471 90 000 0
	Примечание. По пункту 4.1.3.7 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи.
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)

4.1.4.	Нижеперечисленные ЭВМ, специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них:	8471
4.1.4.1.	ЭВМ с систолической матрицей;
4.1.4.2.	Нейронные ЭВМ;
4.1.4.3.	Оптические ЭВМ
4.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
4.3.	Материалы - нет
4.4.	Программное обеспечение
	Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории.
4.4.1.	Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4
4.4.2.	Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5
4.4.3.	Специальное программное обеспечение, такое как:
4.4.3.1.	Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах;
4.4.3.2.	Исключен;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
4.4.3.3.	Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превосходят пределы, указанные в части 2 Категории 5 (Защита информации);
	Примечание. По пункту 4.4.3.3 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.4.3.4.	Операционные системы, специально разработанные для оборудования обработки в реальном масштабе времени, гарантирующие время обработки полного прерывания менее 20 мкс
4.5.	Технология
4.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4

Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности)

Используемые сокращения:

ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);

ПЗ - плавающая запятая;

ФЗ - фиксированная запятая;

t - время решения;

XOR - исключающее ИЛИ;

ЦП - центральный процессор;

ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента);

СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);

R - эффективная скорость вычислений;

ДС - длина слова (число битов);

L - корректировка длины слова (бита);

АЛУ - арифметическое и логическое устройство;

x - знак умножения.

Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах.

Основной метод вычисления СТП

СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:

1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ).

2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ).

3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента.

Подробное описание этих процедур приведено ниже.

Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.

2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода - вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.

В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:

Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)

Для вычислительных элементов, реализующих:	Эффективная скорость вычислений
только ФЗ	1/[3 x (время сложения ФЗ)]
	если операции сложения нет, то через умножение: 1/(время умножения ФЗ)
(Rфз)	если нет ни операции сложения, ни операции умножения, то Rфз рассчитывается через самую быструю из имеющихся арифметических операций: 1/[3 x (время операции ФЗ)]
	см. примечания X и Z
только ПЗ (Rпз)	МАХ {1/(время сложения ПЗ), 1/(время умножения ПЗ)}
	см. примечания X и Y
и ФЗ, и ПЗ (R)	вычисляется как Rфз, так и Rпз
Для простых логических процессоров, не выполняющих указанные арифметические операции	1/[3 x (время логической операции)]
	здесь время логической операции - это время выполнения операции "исключающее ИЛИ", а если ее нет, то берется самая быстрая простая логическая операция см. примечания X и Z
Для специализированных	R = R' x ДС/64,
логических процессоров, не выполняющих указанные	где R' - число результатов в секунду
арифметические и логические операции	ДС - число битов, над которым выполняется логическая операция
	64 - коэффициент, нормализующий под 64-разрядную операцию

Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.

Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования.

Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как:

t =	время цикла
	число арифметических операций в цикле

Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения.

Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то

Rпз = 1/(время деления ПЗ)

Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда

Rпз = 1/(время обратной величины ПЗ)

Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то Rпз = 0.

Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:

1. Последовательные, или операции регистр - регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2.

2. Самая быстрая операция регистр - память или память - регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3.

3. Память - память.

В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.

Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС

Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L:

ТП = R x L,

где L = (1/3 + ДС/96)

Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.)

Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.

Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R.

Выбор максимального результирующего значения ТП для:

Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (Rфз);

Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (Rпз);

Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);

Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и

Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.

Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП

Для ЦП с одним ВЭ

СТП = ТП (Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ, ТП = max (ТПфз, ТПпз)

Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:

Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение.

Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией.

При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и (или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций.

2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ.

3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий.

4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода - вывода, контроллерами ввода - вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.

5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3.

(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

СТП = ТП1 + C2 x ТП2 + ... + Cn x ТПn,

где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом:

Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память:

C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75.

Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии:

а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;

б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш - память) осуществляется по общему каналу; и

в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.

Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по Категории 3.

2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш - память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит.

Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:

Ci = 0,75 x ki (i = 2, ..., 32) (см. примечание ниже)

= 0,60 x ki (i = 33, ..., 64)

= 0,45 x ki (i = 65, ..., 256)

= 0,30 x ki (i > 256)

Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,

где ki = min (Si/Kr, 1); и

Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;

Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек.) для всех информационных каналов, связывающих i-й ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память.

Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60.

Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:

ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и

в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е.

Ci >= Ci + 1

Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.

N позиции	Наименование	Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности
	Категория 5
	Часть 1. Телекоммуникации
	Примечания. 1. В части 1 Категории 5 определяется контрольный статус компонентов, лазерного, испытательного и производственного оборудования, материалов и программного обеспечения, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем.
	2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование или программное обеспечение, которые рассматриваются в качестве специально спроектированных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Имеются в виду функционирование, администрирование, эксплуатация, проектирование или правовые вопросы компьютерных систем.
5.1.1.	Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.1.	Телекоммуникационное оборудование, имеющее любые из следующих характеристик, свойств или качеств:
	а) специально разработанное для защиты от транзисторных электронных эффектов или электромагнитных импульсных эффектов, возникающих при ядерном взрыве;	8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0; 8543 89 900 0
	б) специально повышенной стойкости к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или	8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0; 8543 89 900 0
	в) специально разработанное для функционирования за пределами интервала температур от 218 K (-55 град. C) до 397 K (124 град. C)	8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0;
	Примечания. 1. В пункте 5.1.1.1 подпункт "в" применяется только к электронной аппаратуре.	8543 89 900 0
	2. По подпунктам "б" и "в" пункта
	5.1.1.1 не контролируется оборудование, предназначенное или модифицированное для использования на борту спутников.
5.1.1.2.	Телекоммуникационные передающие системы и аппаратура и специально разработанные компоненты и принадлежности, имеющие любые из следующих характеристик, свойств или качеств:
5.1.1.2.1.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.2.1.	Наличие систем подводной связи, имеющих любую из следующих характеристик:	9015 80 910 0
	а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 до 60 кГц;
	б) использующие электромагнитную несущую частоту менее 30 кГц; или
	в) использующие методы электронного сканирования луча
5.1.1.2.3.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.2.4.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.2.5.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.2.6.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.2.2.	Наличие радиоаппаратуры, функционирующей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую из следующих характеристик:	8525 20 910 0; 8525 20 990
	а) включающая адаптивные методы, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехового сигнала; или
	б) имеющая все следующие составляющие:
	1) автоматически прогнозируемые и выбираемые значения частоты и общей скорости цифровой передачи для ее оптимизации; и
	2) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот 1,5 - 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот 30 - 87,5 МГц, свыше предельной полосы пропускания в одну октаву или более и с соотношением гармоник и искажений на выходе лучше - 80 дБ
5.1.1.2.3.	Наличие радиоаппаратуры, использующей расширение спектра или методы перестройки частоты (скачкообразной перестройки частоты), имеющей любую из следующих характеристик:	8525 20 910 0; 8525 20 990
	а) коды расширения, программируемые пользователем; или
	б) общую ширину полосы передачи частот, в 100 или более раз превышающую полосу частот любого одного информационного канала и составляющую более 50 кГц
	Примечания. 1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, которое используется в системах сотовой связи для работы на гражданских частотах.
	2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее.
5.1.1.2.4.	Наличие радиоприемников с цифровым управлением, имеющих все следующие характеристики:	8525 20 910 0; 8525 20 990
	а) более 1000 каналов;
	б) время переключения частоты менее 1 мс;
	в) автоматический поиск или сканирование в части электромагнитного спектра; и
	г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика
	Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не контролируется оборудование сотовой связи, работающее на гражданских частотах.
5.1.1.2.5.	Использующие функции цифровой обработки сигнала для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с	8525 20 910 0; 8525 20 990
5.1.1.3.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.3.	Волоконно - оптические кабели связи, оптические волокна и принадлежности, такие как:	9001 10 900; 8544 70 000 0
	а) оптические волокна и кабели длиной более 500 м, способные выдерживать напряжение на растяжение 2 х 1Е9 Н/кв. м или более в контрольном тесте;
	Техническое примечание. Контрольный тест - проверка на стадиях изготовления или после изготовления, которая заключается в приложении заданного напряжения к волокну длиной от более 0,5 до 3 м на скорости хода от 2 до 5 м/с при прохождении между ведущими валами приблизительно 150 мм в диаметре. Окружающая среда имеет номинальные значения температуры 293 K и относительной влажности 40%.
	Особое примечание. Для выполнения проверочного теста могут использоваться соответствующие национальные стандарты.
	б) волоконно - оптические кабели и принадлежности, разработанные для использования под водой.
	Примечание. По подпункту "б" пункта 5.1.1.3 не контролируются стандартные телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского использования.
	Особые примечания. 1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3;
	2. Для волоконно - оптических корпусных разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.1.4.	Антенные фазированные решетки с электронным сканированием луча, функционирующие на частотах свыше 31 ГГц	8529 10 900
	Примечание. По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ - диапазона (MLS).

5.2.1.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
5.2.1.1.	Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 Категории 5
	Примечание. По пункту 5.2.1.1 не контролируются оптические волокна и волоконно - оптические заготовки для оборудования, не использующего полупроводниковые лазеры.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.	Оборудование и специально спроектированные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.1.	Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.2.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
	б) исполнение оптического усиления;
	в) использование техники когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного также как техника оптического гетеродина или гомодина); или
	г) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц
	Примечание. По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки систем коммерческого телевидения;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.3.	Оборудования, использующего оптическую коммутацию;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.4.	Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих:
	а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или
	б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГц
	Примечание. По подпункту "б" пункта 5.2.1.2.4 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.2.1.2.5.	Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую либо в несвязанном, либо в квазисвязанном режиме работы
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.3.1.	Материалы - нет
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.3.1.1.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

5.4.1.	Программное обеспечение
5.4.1.1.	Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования, операций или устройств, контролируемых по части 1 Категории 5
5.4.1.2.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологий, контролируемых по пункту 5.5.1
5.4.1.3.	Специальное программное обеспечение, такое как:
5.4.1.3.1.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.4.1.3.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.1 или 5.2.1;
5.4.1.3.2.	Исключен;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
5.4.1.3.3.	Программное обеспечение в отличной от машиноисполняемой форме, специально разработанное для динамической
5.4.1.4.	Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.4.1.4.1.	Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.4.1.4.2.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
	б) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц
	Примечание. По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки систем коммерческого телевидения;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.4.1.4.3.	Оборудования, использующего оптическую коммутацию;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.4.1.4.4.	Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих:
	а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или
	б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГЦ
	Примечание. По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.4 не контролируется программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки оборудования, предназначенного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.	Технология
5.5.1.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки, производства или использования (исключая функционирование) оборудования, операций или свойств, или программного обеспечения, контролируемых по части 1 Категории 5;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.	Отдельные виды технологий, такие как:
5.5.1.2.1.	Технология, требуемая для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников;
5.5.1.2.2.	Технология для разработки или использования методов лазерной связи со способностью автоматического захвата и слежения сигнала и поддержания связи через внешнюю атмосферу или через слой жидкости (воды);
5.5.1.2.3.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.4.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.5.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.6.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.3.	Технология для разработки цифровых сотовых радиосистем;
5.5.1.2.8.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.9.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.2.4.	Технология для разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра или перестройки частоты (скачкообразной перестройки частоты)
5.5.1.3.	Технологии, предназначенные в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных по линиям связи или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.3.1.	Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.3.2.	Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих:
	а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм;
	б) использование оптического усиления с применением фторсодержащих с добавкой празеодимия волоконных усилителей;
	в) использование техники когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного также как техника оптического гетеродина);
	г) использование техники мультиплексирования при распределении длин волн, обладающей более чем 8 оптическими разрядами переноса в одинарное оптическое окно; или
	д) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц
	Примечание. По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства систем коммерческого телевидения;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.3.3.	Оборудования, использующего оптическую коммутацию;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.5.1.3.4.	Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих:
	а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или
	б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГц
	Примечание. По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не контролируются технологии для разработки или производства оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
5.5.1.3.5.	Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую либо в несвязанном, либо в квазисвязанном режиме работы
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

	Часть 2. Защита информации
	Примечания. 1. Контрольный статус Информационная безопасность оборудования, программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 Категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другой аппаратуры.
	2. Экспортный контроль не распространяется на продукцию, перечисленную в части 2 Категории 5, когда она вывозится пользователями для своего индивидуального использования.
	3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не контролируются предметы, которые удовлетворяют всем следующим требованиям:
	а) общедоступны для продажи общественности без ограничений, из имеющегося в наличии в местах розничной продажи, посредством любого из следующего:
	1) сделок по продаже в розничной торговле;
	2) сделок по почтовым запросам (высылка товаров по почте);
	3) электронных сделок; или
	4) сделок по телефонным заказам;
	б) криптографические возможности которых не могут быть легко изменены пользователем;
	в) разработанные для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и
	г) исключен;
	Техническое примечание. В части 2 Категории 5 разряды четности не включаются в длину ключа
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
5.1.2.	Системы, оборудование и компоненты
5.1.2.1.	Системы, аппаратура, специальные сборки, модули и интегральные схемы, применяемые для защиты информации, и другие специально разработанные для этого компоненты:
	Особое примечание. Для контроля глобальных навигационных спутниковых систем, содержащих приемную аппаратуру или использующих дешифровку (Глобальной спутниковой системы радиоопределения - GPS или Глобальной навигационной спутниковой системы - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5.
5.1.2.1.1.	Спроектированные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровой техники, выполняющие любые криптографические функции, иные чем определение подлинности или электронной подписи, имеющие любую из следующих составляющих:	8543 89 900 0
	а) симметричный алгоритм, использующий длину ключа, превышающую 56 бит; или
	б) асимметричный алгоритм, где защита алгоритма базируется на любом из следующего:
	1. Разложении на множители целых чисел, превышающих 512 бит; или
	2. Вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит; или
	3. Дискретном логарифме в группе, отличной от поименованных в подпункте "б" пункта 5.1.2.1.1 и размера, превышающего 112 бит
	Технические примечания. 1. Функции определения подлинности электронной подписи включают в себя связанную с ними функцию ключевого управления.
	2. Определение подлинности включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа.
	3. Криптография не включает технику для постоянного сжатия данных или кодирования.
	Примечание. Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии, работающее на аналоговом принципе, выполнение которого обеспечивается цифровой техникой;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.2.1.2.	Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций;	8543 89 900 0
5.1.2.1.3.	Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.2.1.4.	Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех	8543 89 900 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.1.2.1.5.	Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации расширяющегося кода для расширения спектра или скачкообразного кода для систем перестройки частоты;	8543 89 900 0
5.1.2.1.6.	Разработанные или модифицированные для обеспечения сертифицированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки надежности компьютерных систем или эквивалентном;	8543 89 900 0
5.1.2.1.7.	Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа	8543 89 900 0
	Примечание. По пункту 5.1.2 не контролируются:
	1. Персональные кредитные карточки со встроенной микроЭВМ, где криптографические возможности ограничены использованием в оборудовании или системах, выведенных из-под контроля подпунктами 2 - 6 настоящего примечания
	Особое примечание. Если персональная кредитная карточка со встроенной микроЭВМ имеет несколько функций, то контрольный статус каждой функции определяется индивидуально.
	2. Приемное оборудование для радиовещания, коммерческого телевидения или иного телевидения коммерческого типа для вещания на ограниченную аудиторию без шифрования цифрового сигнала, кроме случаев его использования исключительно для отправки счетов или возврата информации, связанной с программой, поставщикам.
	3. Оборудование, криптографические возможности которого недоступны пользователю, специально разработанное или ограниченное для применения любым из следующего:
	а) программное обеспечение исполнено в защищенном от копирования виде;
	б) доступом к любому из следующего: защищенному от копирования содержимому, хранящемуся на доступном только для чтения носителе информации; или
	информации, накопленной в зашифрованной форме в среде (например, в связи с защитой прав интеллектуальной собственности), когда такая среда предлагается на продажу населению в идентичных наборах; или
	в) одноразовым копированием аудио- или видеоинформации, защищенной авторскими правами.
	4. Криптографическое оборудование, специально спроектированное и ограниченное применением для банковских или финансовых операций.
	Техническое примечание. Финансовые операции, указанные в пункте 4 примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование.
	5. Портативные или мобильные радиотелефоны гражданского назначения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые не содержат функции сквозного шифрования.
	6. Беспроводное телефонное оборудование с батарейным питанием, не способное к сквозному шифрованию, максимальный диапазон беспроводного действия которого на батарейном питании без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и домашней базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии со спецификацией производителя.
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)

5.2.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
5.2.2.1.	Оборудование, специально разработанное для:	8543 89 900 0
	а) разработки аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 Категории 5, включая аппаратуру для измерений или испытаний;
	б) производства аппаратуры или функций, контролируемых по части 2 Категории 5, включая аппаратуру для измерений, испытаний, ремонта или производства
5.2.2.2.	Измерительная аппаратура, специально разработанная для оценки и подтверждения функций защиты информации, контролируемых по пункту 5.1.2 или 5.4.2	8543 89 900 0
5.3.2.	Материалы - нет
5.4.2.	Программное обеспечение
5.4.2.1.	Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по части 2 Категории 5;
5.4.2.2.	Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 5.5.2;
5.4.2.3.	Специальные виды программного обеспечения, такие как:
5.4.2.3.1.	Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее, или воспроизводящее функции аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.2 или 5.2.2;
5.4.2.3.2.	Программное обеспечение для сертификации программного обеспечения, контролируемого по пункту 5.4.2.3.1
	Примечание. По пункту 5.4.2 не контролируются:
	а) программное обеспечение, требуемое для использования в аппаратуре, не контролируемой примечанием к пункту 5.1.2;
	б) программное обеспечение, реализующее любую функцию аппаратуры, не контролируемой примечанием к пункту 5.1.2.
5.5.2.	Технология
5.5.2.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки, производства или использования оборудования либо программного обеспечения, контролируемых по части 2 Категории 5
	Категория 6. Датчики и лазеры
6.1.	Системы, оборудование и компоненты
6.1.1.	Акустика
6.1.1.1.	Морские акустические системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты, такие как:
6.1.1.1.1.	Нижеперечисленные активные (передающие и приемопередающие) системы, оборудование и специально разработанные компоненты для этого:
	Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не контролируются:
	а) гидролокаторы глубины вертикального действия, не обладающие функцией сканирования луча свыше +/- 20 град., и ограниченного применения для измерения глубины воды, расстояния до погруженных или заглубленных объектов или косяков рыбы;
	б) следующие акустические буи:
	1) аварийные акустические буи;
	2) излучатели ультразвуковых импульсов, специально разработанные для перемещения или возвращения в подводное положение.
6.1.1.1.1.1.	Измеряющие глубину широкообзорные системы, предназначенные для картографирования морского дна, имеющие все следующие характеристики:	9015 80 910 0
	а) предназначенные для измерения при углах отклонения от вертикали более 20 град.;
	б) предназначенные для измерения глубины более 600 м от поверхности воды; и
	в) предназначенные для обеспечения любой из следующих характеристик:
	1) объединения нескольких лучей, любой из которых уже 1,9 град.; или
	2) точности измерений лучше 0,3% от глубины воды, полученных путем усреднения отдельных измерений в пределах полосы;
6.1.1.1.1.2.	Системы обнаружения или определения местоположения, имеющие любую из следующих характеристик:	9015 80 910 0
	а) частоту передачи ниже 10 кГц;
	б) уровень звукового давления выше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне от 10 кГц до 24 кГц включительно;
	в) уровень звукового давления выше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования с рабочей частотой в диапазоне между 24 кГц и 30 кГц;
	г) формирование лучей уже 1 град. по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц;
	д) предназначенные для работы с дальностью разрешения целей более 5120 м; или
	е) предназначенные для нормального функционирования на глубинах свыше 1000 м и имеющие датчики с любыми из следующих характеристик:
	1) динамически подстраиваемые под давление; или
	2) содержащие другие преобразующие элементы, нежели изготовленные из свинцового титаната цирконата;
6.1.1.1.1.3.	Акустические прожекторы, включающие преобразователи, объединяющие пьезоэлектрические, магнитострикционные, электрострикционные, электродинамические или гидравлические элементы, действующие индивидуально или в определенной комбинации, имеющие любую из следующих характеристик:	9015 80 910 0
	а) плотность мгновенной излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц;
	б) плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/кв. мм/Гц для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц;
	Техническое примечание. Плотность акустической мощности получается в результате деления выходной акустической мощности на произведение площади излучающей поверхности и рабочей частоты.
	в) разработанные для сопротивления давлению в течение нормального функционирования на глубинах более 1000 м; или
	г) подавление боковых лепестков более 22 дБ
	Примечания. 1. Контрольный статус акустических прожекторов, включающих преобразователи, специально разработанные для другого оборудования, определяется контрольным статусом этого другого оборудования.
	2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не контролируются электронные источники, осуществляющие только вертикальное зондирование, механические (например, пневматические ружья или пароударные ружья) или химические (например, взрывные) источники.

6.1.1.1.1.4.	Акустические системы, оборудование и специально разработанные компоненты для определения положения надводных судов и подводных аппаратов, имеющие любую из следующих характеристик:	9015 80 110 0
	а) предназначенные для работы на дистанции более 1000 м с точностью позиционирования менее 10 м (среднеквадратичное отклонение - СКО) при измерении на расстояниях до 1000 м; или
	б) предназначенные для работы на глубинах более 1000 м Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4 включает:
	а) оборудование, использующее когерентную обработку сигналов между двумя или более буями и гидрофонное устройство надводных судов и подводных аппаратов;
	б) оборудование, обладающее способностью автокоррекции погрешности скорости распространения звука для вычислений местоположения.
6.1.1.1.2.	Пассивные (принимающие в штатном режиме независимо от связи с активной аппаратурой) системы, оборудование и специально разработанные для них компоненты, такие как:
6.1.1.1.2.1.	Гидрофоны (преобразователи) с любой из следующих характеристик:
	а) включающие гибкие датчики непрерывного действия или сборки датчиков дискретного действия с диаметром или длиной менее 20 мм и с расстоянием между элементами менее 20 мм;	9015 80 110 0; 9015 80 930 0
	б) имеющие любой из следующих чувствительных элементов:	9015 80 930 0
	1) волоконно - оптический;
	2) пьезоэлектрический полимерный; или
	3) гибкий пьезоэлектрический из керамических материалов;
	в) имеющие гидрофонную чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине без компенсации ускорения;	9015 80 930 0
	г) разработанные для действия на глубинах, не превышающих 35 м, с гидрофонной чувствительностью лучше -186 дБ с компенсацией ускорения;	9015 80 930 0
	д) разработанные для нормальной работы на глубинах более 35 м с гидрофонной чувствительностью лучше -192 дБ с компенсацией ускорения;	9015 80 930 0
	е) разработанные для нормальной работы на глубинах более 100 м с гидрофонной чувствительностью лучше -204 дБ; или	9015 80 930 0
	ж) созданные для работы на глубинах более 1000 м	9015 80 930 0
	Техническое примечание. Гидрофонная чувствительность определяется как двадцатикратный десятичный логарифм отношения среднеквадратичного выходного напряжения к опорному напряжению 1 В (СКО), когда гидрофонный датчик без предусилителя помещен в акустическое поле плоской волны со среднеквадратичным давлением 1 мкПа.
	Например: гидрофон c -160 дБ (опорное напряжение 1 В на мкПа) даст выходное напряжение 1E(-8) В в таком поле в то время, как другой, с чувствительностью -180 дБ, даст только 1E(-9) В на выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, чем -180 дБ;
6.1.1.1.2.2.	Буксируемые акустические гидрофонные решетки, имеющие любую из следующих характеристик:	9015 80 930 0; 9015 80 990 0
	а) гидрофонные группы, расположенные с шагом 12,5 м и менее;
	б) гидрофонные группы, расположенные с шагом от 12,5 м до 25 м и разработанные или способные быть модифицированными для работы на глубинах более 35 м
	Техническое примечание. Способность к модификации, указанная в подпункте "б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает наличие возможности изменения обмотки или внутренних соединений для изменения расположения гидрофонной группы или пределов рабочих глубин. Такими возможностями являются наличие запасных витков обмотки более 10% от числа рабочих витков, блоков настройки конфигурации гидрофонной группы или устройств ограничения глубины погружения, обеспечивающих регулировку или контроль более чем одной гидрофонной группы;
	в) гидрофонные группы в решетке, расположенные с шагом 25 м и более и разработанные для работы на глубинах свыше 100 м;
	г) имеющие управляемые датчики, контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4;
	д) имеющие продольно укрепленные соединительные кабели решеток;
	е) имеющие собранные решетки диаметром менее 40 мм;
	ж) мультиплексированные сигналы гидрофонных групп, разработанных для работы на глубинах более 35 м или имеющих регулируемое либо сменное глубинное чувствительное устройство, предназначенное для работы на глубинах, превышающих 35 м; или
	з) характеристики гидрофонов, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1;
6.1.1.1.2.3.	Аппаратура обработки данных, специально разработанная для применения в буксируемых акустических гидрофонных решетках, обладающая программируемостью пользователем, обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов;	9015 80 930 0; 9015 80 990 0
6.1.1.1.2.4.	Управляемые датчики, имеющие все следующие характеристики:	9015 80 110 0; 9015 80 930 0
	а) точность лучше +/- 0,5 град.; и
	б) любую из следующих характеристик:
	1) разработанные для объединения в соединительный кабель решетки и работающие на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющие регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, предназначенное для работы на глубинах, превышающих 35 м; или
	2) разработанные для внешнего крепления к соединительному кабелю решетки и имеющие чувствительное устройство, способное работать с вращением на 360 град. на глубинах, превышающих 35 м;
6.1.1.1.2.5.	Донные или притопленные кабельные системы, имеющие любую из следующих составляющих:	9015 80 930 0; 9015 80 990 0
	а) объединяющие гидрофоны, указанные в пункте 6.1.1.1.2.1; или
	б) объединяющие мультиплексированные сигналы гидрофонных групп, разработанных для работы на глубинах, превышающих 35 м, либо имеющих регулируемое или сменное глубинное чувствительное устройство, предназначенное для работы на глубинах, превышающих 35 м;
6.1.1.1.2.6.	Аппаратура обработки данных, специально разработанная для донных или притопленных кабельных систем, обладающая программируемостью пользователем и обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований либо процессов	9015 80 930 0 9015 80 990 0
6.1.1.2.	Аппаратура на лагах для корреляционного измерения горизонтальной составляющей скорости носителя аппаратуры относительно морского дна на расстояниях между носителем и дном моря более 500 м	9015 80 930 0; 9015 80 990 0

6.1.2.	Оптические датчики
6.1.2.1.	Оптические детекторы, такие как:
	Примечание. По пункту 6.1.2.1 не контролируются германиевые или кремниевые фотоустройства.
6.1.2.1.1.	Нижеперечисленные твердотельные детекторы, годные для применения в космосе:
6.1.2.1.1.1.	Твердотельные детекторы, годные для применения в космосе, имеющие все следующие характеристики:	8541 40 990 0
	а) максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; и
	б) чувствительность на длине волны более 400 нм менее 0,1% относительно максимальной чувствительности;
6.1.2.1.1.2.	Твердотельные детекторы, годные для применения в космосе, имеющие все следующие характеристики:	8541 40 990 0
	а) максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 900 нм до 1200 нм; и
	б) постоянную времени отклика 95 нс или менее;
6.1.2.1.1.3.	Твердотельные детекторы, годные для применения в космосе, имеющие максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30000 нм	8541 40 990 0
6.1.2.1.2.	Электронно - оптические усилители яркости изображения и специально разработанные для них компоненты, такие как:
6.1.2.1.2.1.	Электронно - оптические усилители яркости изображения, имеющие все нижеперечисленное:	8541 40 990 0; 9013 80 900 0
	а) максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм;
	б) микроканальный анод для электронного усиления изображения с шагом отверстий (расстоянием между центрами) 15 мкм или менее; и
	в) следующие фотокатоды:
	1) фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные фотокатоды со светочувствительностью более 240 мкА/лм;
	2) фотокатоды на GaAs или GaInAs;
	3) другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V
	Примечание. По последнему подпункту пункта 6.1.2.1.2.1 не контролируются фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее.
6.1.2.1.2.2.	Специально разработанные компоненты:
	а) микроканальные платы, с шагом отверстий (расстояние между центрами) 15 мкм или менее;	8541 40 990 0
	б) фотокатоды на GaAs или GaInAs; в) другие полупроводниковые фотокатоды на соединениях групп III - V	8541 40 990 0 8541 40 990 0
	Примечание. По подпункту "в" пункта 6.1.2.1.2.2 не контролируются фотокатоды на полупроводниковых соединениях с максимальной интегральной чувствительностью к лучистому потоку 10 мА/Вт или менее.
6.1.2.1.3.	Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, такие как:
	Техническое примечание. Линейные или двухмерные многоэлементные детекторные решетки относятся к решеткам фокальной плоскости.
	Примечания. 1. Пункт 6.1.2.1.3 включает фотопроводящие и фотогальванические решетки.
	2. По пункту 6.1.2.1.3 не контролируются кремниевые решетки фокальной плоскости, многоэлементные (не более 16 элементов) герметизированные фотопроводящие элементы или пироэлектрические детекторы на основе любого из следующих материалов:
	а) сульфида свинца;
	б) триглицинсульфата и его производных;
	в) титаната свинца - лантана - циркония и его производных;
	г) танталата лития;
	д) поливинилиденфторида и его производных;
	е) ниобата бария - стронция и его производных; или
	ж) селенида свинца.
6.1.2.1.3.1.	Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие составляющие:	8541 40 910 0; 8541 40 990 0
	а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 нм; и
	б) постоянную времени отклика менее 0,5 нс;
6.1.2.1.3.2.	Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие все следующие характеристики:	8541 40 910 0; 8541 40 990 0
	а) отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 нм; и
	б) постоянную времени отклика 95 нс или менее;
6.1.2.1.3.3.	Решетки фокальной плоскости, непригодные для применения в космосе, имеющие отдельные элементы с максимальной чувствительностью в диапазоне длин волн от 1200 нм до 30000 нм	8541 40 910 0; 8541 40 990 0
6.1.2.2.	Моноспектральные датчики изображения и многоспектральные датчики изображения, предназначенные для применения при дистанционном зондировании и имеющие любую из следующих характеристик:	8540 89 900 0
	а) мгновенное поле обзора (МПО) менее 200 мкрад; или
	б) предназначенные для работы в диапазоне длин волн от 400 нм до 30000 нм и имеющие все следующие составляющие:
	1) обеспечивающие выходные данные изображения в цифровом формате; и
	2) являющиеся годными для применения в космосе или разработанными для работы на борту летательного аппарата при использовании некремниевых детекторов, имеющие МПО менее 2,5 мрад;
6.1.2.3.	Оборудование прямого наблюдения изображения, работающее в видимом или ИК диапазонах и содержащее любую из следующих составляющих:
6.1.2.3.1.	Электронно - оптические преобразователи, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; или	8540 20 300 0; 8540 99 000 0

6.1.2.3.2.	Решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3.	8540 99 000 0
	Техническое примечание. Прямое наблюдение относится к оборудованию для получения изображения, работающему в видимом или ИК диапазонах, которое представляет визуальное изображение человеку - наблюдателю без преобразования изображения в электронный сигнал для телевизионного дисплея и которое не может регистрировать или сохранять изображение фотографически, а также электронным или другим способом.
	Примечание. По пункту 6.1.2.3 не контролируется следующее оборудование, содержащее фотокатоды на материалах, отличных от GaAs или GaInAs:
	а) производственные или гражданские сигнальные устройства, системы управления движением транспорта или производственным движением либо системы счета;
	б) медицинское оборудование;
	в) технологическое оборудование, используемое для инспекции, сортировки или анализа свойств материала;
	г) сигнализаторы пожара для производственных печей;
	д) оборудование, специально разработанное для лабораторного использования.
6.1.2.4.	Специальные компоненты обеспечения для оптических датчиков, такие как:
6.1.2.4.1.	Криоохладители, годные для применения в космосе;	8418 69 990 0
6.1.2.4.2.	Нижеперечисленные криоохладители, непригодные для применения в космосе, с температурой охлаждения источника ниже 218 K (-55 град. C):	8418 69 990 0
6.1.2.4.2.1.	Замкнутого цикла с определенным средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч;	8418 69 990 0
6.1.2.4.2.2.	Саморегулирующиеся миниохладители Джоуля - Томсона с наружными диаметрами канала менее 8 мм;	8418 69 990 0
6.1.2.4.3.	Оптические чувствительные волокна, специально изготовленные композиционно или структурно либо модифицированные с помощью покрытия, чтобы стать акустически, термически, инерциально, электромагнитно чувствительными или чувствительными к ядерному излучению;	9001 10 900
6.1.2.5.	Решетки фокальной плоскости, годные для применения в космосе, имеющие более 2048 элементов на решетку и максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм	9013 80 900 0
6.1.3.	Камеры
	Особое примечание. Для камер, специально разработанных или модифицированных для подводного использования, см. пункты 8.1.2.4 и 8.1.2.5.
6.1.3.1.	Камеры контрольно - измерительных приборов и специально разработанные для них компоненты, такие как:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.3.1.1.	Высокоскоростные записывающие кинокамеры, использующие любой формат пленки от 8 до 16 мм, в которых пленка непрерывно движется вперед в течение всего периода записи и которые способны записывать при скорости кадрирования более 13150 кадров/с.	9007 11 000 0; 9007 19 000 0
	Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не контролируются записывающие кинокамеры, разработанные для обычных гражданских целей.
6.1.3.1.2.	Механические высокоскоростные камеры, в которых пленка не движется и которые способны записывать при скорости более 1000000 кадров/с для полной высоты кадрирования 35-мм пленки или при пропорционально более высокой скорости для меньшей высоты кадров, или при пропорционально меньшей скорости для большей высоты кадров;	9007 19 000 0
6.1.3.1.3.	Механические или электронные фотохронографы, имеющие скорость записи более 10 мм/мкс;	9007 19 000 0
6.1.3.1.4.	Электронные передающие камеры с кадровой синхронизацией, имеющие скорость более 1000000 кадров/с;	9007 19 000 0
6.1.3.1.5.	Электронные передающие камеры, имеющие все следующие характеристики:	9007 19 000 0
	а) скорость электронного затвора (способность стробирования) менее 1 мкс за полный кадр; и
	б) время считывания, обеспечивающее скорость кадрирования более 125 полных кадров в секунду
6.1.3.1.6.	Сменные платы, имеющие все следующие характеристики:	9007 19 000 0
	а) специально разработанные для камер контрольно - измерительных приборов, имеющих модульную структуру и контролируемых по пункту 6.1.3.1; и
	б) дающие возможность камерам удовлетворять характеристикам, установленным в пунктах 6.1.3.1.3, 6.1.3.1.4 или 6.1.3.1.5, в соответствии с техническими требованиями производителей
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.3.2.	Камеры формирования изображения, такие как:
	Примечание. По пункту 6.1.3.2 не контролируются телевизионные или видеокамеры, специально предназначенные для телевизионного вещания.
6.1.3.2.1.	Видеокамеры, включающие твердотельные датчики и имеющие любую из следующих характеристик:	8521 90 000 0
	а) более 4 x 1E6 активных пикселов на твердотельную решетку для монохромных (черно - белых) камер;
	б) более 4 x 1E6 активных пикселов на твердотельную решетку для цветных камер, включающих три твердотельные решетки; или
	в) более 12 x 1E6 активных пикселов для цветных камер на основе одной твердотельной решетки;
	Техническое примечание. Для целей настоящего пункта цифровые видеокамеры должны оцениваться максимальным числом активных пикселов, используемых для фиксации движущихся изображений
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.3.2.2.	Сканирующие камеры и системы на основе сканирующих камер, имеющие все следующие характеристики:	8521 90 000 0
	а) линейные детекторные решетки с более чем 8192 элементами на решетку; и
	б) механическое сканирование в одном направлении;
6.1.3.2.3.	Камеры формирования изображений, содержащие электронно - оптические усилители яркости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1;	8521 90 000 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
6.1.3.2.4.	Камеры формирования изображений, включающие решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3	8521 90 000 0
	Примечание. По пункту 6.1.3.2.4 не контролируются камеры формирования изображений, содержащие линейные решетки фокальной плоскости с 12 или меньшим числом элементов, не применяющих время задержки и интегрирования в элементе, разработанные для любого из следующего:
	а) производственных или гражданских охранно - сигнальных систем контроля за движением транспорта или подсчета промышленных процессов;
	б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга высокотемпературных процессов в строительстве, технике или производстве;
	в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа свойств материалов;
	г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования;
	д) медицинского оборудования
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

6.1.4.	Оптика
6.1.4.1.	Оптические зеркала (рефлекторы), такие как:
6.1.4.1.1.	Деформируемые зеркала, имеющие сплошные или многоэлементные поверхности, и специально разработанные для них компоненты, которые способны динамически осуществлять перерегулировку положения частей поверхности зеркала при скорости более 100 Гц;	9001 90 900 0
6.1.4.1.2.	Легкие монолитные зеркала, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг;	9001 90 900 0
6.1.4.1.3.	Зеркала из легких композиционных или пенообразных материалов, имеющие среднюю эквивалентную плотность менее 30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг;	9001 90 900 0
6.1.4.1.4.	Зеркала для управления лучом с диаметром или длиной главной оси более 100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины волны или лучше (длина волны равна 633 нм) и ширину полосы управления более 100 Гц;	9001 90 900 0
6.1.4.2.	Оптические компоненты, изготовленные из селенида цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), со спектром пропускания от 3000 нм до 25000 нм, имеющие любую из следующих характеристик:	9001 90 900 0
	а) объем более 100 куб. см; или
	б) диаметр или длину главной оси более 80 мм и толщину (глубину) более 20 мм;
6.1.4.3.	Компоненты для оптических систем, годные для применения в космосе, такие как:
6.1.4.3.1.	Оптические элементы облегченного типа с эквивалентной плотностью менее 20% по сравнению с твердотельными пластинами с той же самой апертурой и толщиной;	9001 90 900 0
6.1.4.3.2.	Необработанные подложки, обработанные подложки с поверхностным покрытием (однослойным или многослойным, металлическим или диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или имеющие защитные пленки;	9001 90 900 0
6.1.4.3.3.	Сегменты или узлы зеркал, предназначенные для сборки в космосе в оптическую систему с приемной апертурой, равной или более одного оптического метра в диаметре;	9002 90 990 0
6.1.4.3.4.	Изготовленные из композиционных материалов, имеющих коэффициент линейного термического расширения, равный или менее 5 x 1E(-6) в любом направлении координат	9003 90 000 0
6.1.4.4.	Оборудование оптического контроля, такое как:
6.1.4.4.1.	Специально предназначенное для поддержания профиля поверхности или ориентации оптических компонентов, годных для применения в космосе, контролируемых по пунктам 6.1.4.3.1 или 6.1.4.3.3;	9031 49 900 0; 9032 89 900 0
6.1.4.4.2.	Имеющее управление, слежение, стабилизацию или юстировку резонатора в полосе частот, равной или более 100 Гц, и погрешность 10 мкрад или менее;	9031 49 900 0; 9032 89 900 0
6.1.4.4.3.	Кардановые подвесы, имеющие все следующие характеристики:	9032 89 900 0
	а) максимальный угол поворота более 5 град.;
	б) ширину полосы, равную или более 100 Гц;
	в) ошибки угловой наводки, равные или менее 200 мкрад; и
	г) имеющие любую из следующих характеристик:
	1) диаметр или длину главной оси более 0,15 м, но не более 1 м и угловое ускорение более 2 рад/с2; или
	2) диаметр или длину главной оси более 1 м и угловое ускорение более 0,5 рад/с2;
6.1.4.4.4.	Специально разработанное для поддержания юстировки фазированной решетки или систем зеркал с фазированными сегментами, содержащее зеркала с диаметром сегмента или длиной главной оси 1 м или более	9032 89 900 0
	Лазеры

6.1.5.	Лазеры, компоненты и оптическое оборудование:
	Примечания. 1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в квазинепрерывном режиме с импульсным перекрытием.
	2. Лазеры с импульсной накачкой включают лазеры, работающие в непрерывном режиме при импульсной накачке.
	3. Контрольный статус рамановских лазеров определяется параметрами лазерного источника накачки. Лазерным источником накачки может быть любой лазер, рассматриваемый ниже.
6.1.5.1.	Газовые лазеры, такие как:
6.1.5.1.1.	Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или
	2) среднюю выходную мощность более 1 Вт;
	б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 190 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или
	2) среднюю выходную мощность более 120 Вт;
	в) выходную длину волны в диапазоне от 190 нм до 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или
	2) среднюю выходную мощность более 500 Вт; или
	г) выходную длину волны более 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или
	2) среднюю выходную мощность более 30 Вт;
	Особое примечание. Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1
(в ред. Приказов ГТК РФ от 10.05.2000 N 385, от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.1.2.	Лазеры на парах металла, такие как:
6.1.5.1.2.1.	Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 20 Вт;	9013 20 000 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.1.2.2.	Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 5 Вт;	9013 20 000 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.1.2.3.	Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную мощность более 5 Вт;	9013 20 000 0
6.1.5.1.2.4.	Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю выходную мощность более 2 Вт	9013 20 000 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.1.3.	Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или
	б) среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 5 кВт;
6.1.5.1.4.	Лазеры на диоксиде углерода (CO2), имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) выходную мощность в непрерывном режиме более 15 кВт;
	б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) среднюю выходную мощность более 10 кВт; или
	2) пиковую мощность более 100 кВт; или в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или менее 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) импульсную энергию более 5 Дж; или
	2) среднюю выходную мощность более 2,5 кВт;
6.1.5.1.5.	Химические лазеры, такие как:
6.1.5.1.5.1.	Водородно - фторовые (HF) лазеры;	9013 20 000 0
6.1.5.1.5.2.	Дейтерий - фторовые (DF) лазеры;	9013 20 000 0
6.1.5.1.5.3.	Переходные лазеры, такие как:	9013 20 000 0
	а) кислородно - йодные (О2-I) лазеры;
	б) дейтерий - фторовые - диоксид - углеродные (DF-CO2) лазеры	9013 20 000 0
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.1.6.	Лазеры на ионах аргона (Ar) или криптона (Kr), имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; или
	б) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт;
6.1.5.1.7.	Другие газовые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
	б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт;
	в) выходную длину волны от 800 нм до 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт; или
	г) выходную длину волны более 1400 нм и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт
	Примечание. По пункту 6.1.5.1.7 не контролируются азотные лазеры.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)

6.1.5.2.	Полупроводниковые лазеры, такие, как:	8541401100;
	а) отдельные с единичной поперечной модой полупроводниковые лазеры, имеющие все следующие характеристики:	9013200000;
	1) длину волны менее 950 нм или более 2000 нм; и
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 100 мВт;
	б) отдельные с многократно поперечной модой полупроводниковые лазеры, имеющие все следующие характеристики:
	1) длину волны менее 950 нм или более 2000 нм; и
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт;
	в) отдельные решетки отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) длину волны менее 950 нм и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 60 Вт; или
	2) длину волны, равную или превышающую 2000 нм, и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт
	Техническое примечание. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами
	Примечания. 1. Пункт 6.1.5.2 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические выходные соединители (например, волоконно - оптические гибкие проводники)
	2. Статус контроля полупроводниковых лазеров, специально предназначенных для другого оборудования, определяется статусом контроля другого оборудования;
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.1.5.3.	Твердотельные лазеры, такие как:
6.1.5.3.1.	Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	Примечание. Пункт 6.1.5.3.1 включает титано - сапфирные Ti:Al2O3, тулий - YAG (Tm:YAG), тулий - YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры с окрашенным центром.
	а) выходную длину волны менее 600 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
	б) выходную длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 1 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или
	в) выходную длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
6.1.5.3.2.	Неперестраиваемые лазеры, такие как:
	Примечание. Пункт 6.1.5.3.2 включает твердотельные лазеры на атомных переходах.
6.1.5.3.2.1.	Лазеры на неодимовом стекле, такие как:	9013 20 000 0
	а) лазеры с модуляцией добротности, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю выходную мощность более 10 Вт; или
	2) выходную энергию в импульсе более 50 Дж;
	б) лазеры без модуляции добротности, имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю выходную мощность более 20 Вт; или
	2) выходную энергию в импульсе более 100 Дж;
6.1.5.3.2.2.	Лазеры с растворенным неодимом (другие, нежели на стекле), имеющие выходную длину волны более 1000 нм, но не более 1100 нм:	9013 20 000 0
	Особое примечание. Для лазеров с растворенным неодимом (других, нежели на стекле), имеющих выходную длину волны менее 1000 нм или более 1100 нм, см. пункт 6.1.5.3.2.3.
	а) лазеры с модуляцией добротности, импульсным возбуждением и синхронизацией мод, длительностью импульса менее 1 нс и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) пиковую мощность более 5 ГВт;
	2) среднюю выходную мощность более 10 Вт; или
	3) импульсную энергию более 0,1 Дж;
	б) лазеры с модуляцией добротности и импульсным возбуждением с длительностью импульса, равной или больше 1 нс, и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 100 МВт; среднюю выходную мощность более 20 Вт; или импульсную энергию более 2 Дж; или
	2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 400 МВт; среднюю выходную мощность более 2 кВт; или импульсную энергию более 2 Дж;
	в) лазеры с импульсным возбуждением без модуляции добротности, имеющие:
	1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или
	2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт;
	г) лазеры с непрерывным возбуждением, имеющие:
	1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или
	2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее:
	пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт;
6.1.5.3.2.3.	Другие неперестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) длину волны менее 150 нм и:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
	б) длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм и:
	1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт;
	в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм, такие как:
	1) лазеры с модуляцией добротности, имеющие:
	выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю выходную мощность, превышающую: 10 Вт для лазеров с одной поперечной модой; 30 Вт для лазеров с несколькими поперечными модами;
	2) лазеры без модуляции добротности, имеющие:
	выходную энергию в импульсе более 2 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; или
	г) длину волны более 1400 нм и:
	1) выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт

6.1.5.4.	Лазеры на красителях и других жидкостях, имеющие любую из следующих характеристик:	9013 20 000 0
	а) длину волны менее 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
	б) длину волны 150 нм или более, но не более 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт;
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или
	3) импульсный генератор, работающий на одной продольной моде со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения импульсов более 1 кГц, если длительность импульса менее 100 нс
	в) длину волны более 800 нм, но не свыше 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 10 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме не более 10 Вт; или
	г) длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик:
	1) выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или
	2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт;
6.1.5.5.	Компоненты, такие как:
6.1.5.5.1.	Зеркала, охлаждаемые либо активным методом, либо трубчатой охладительной системой	9002 90 990 0
	Техническое примечание. Активным охлаждением является метод охлаждения оптических компонентов, в котором используется течение жидкости по субповерхности (расположенной обычно менее чем в 1 мм ниже от оптической поверхности) оптического компонента для отвода тепла от оптики.
6.1.5.5.2.	Оптические зеркала или прозрачные или частично прозрачные оптические или электрооптические компоненты, специально разработанные для использования с контролируемыми лазерами	9002 90 990 0
6.1.5.6.	Оптическое оборудование, такое как:
6.1.5.6.1.	Оборудование, измеряющее динамический волновой фронт (фазу), использующее по крайней мере 50 позиций на волновом фронте луча, имеющее любую из следующих характеристик:	9031 49 900 0
	а) частоту кадров, равную или более 100 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 5% от длины волны луча; или
	б) частоту кадров, равную или более 1000 Гц, и фазовую дискриминацию, составляющую по крайней мере 20% от длины волны луча;
6.1.5.6.2.	Оборудование лазерной диагностики, способное измерять погрешности углового управления положением луча лазера сверхвысокой мощности, равные или менее 10 мкрад;	9031 49 900 0
6.1.5.6.3.	Оптическое оборудование и компоненты, специально предназначенные для использования с системой лазера сверхвысокой мощности с фазированными решетками для суммирования когерентных лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм, в зависимости от того, какая из величин меньше;	9013 90 900 0
6.1.5.6.4.	Защищенные объективы, специально предназначенные для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности	9002 19 000 0
	Магнитометры
6.1.6.	Магнитометры, магнитные градиентометры, внутренние магнитные градиентометры и компенсационные системы и специально разработанные для них компоненты, такие как:
	Примечание. По пункту 6.1.6 не контролируются инструменты, специально разработанные для биомагнитных измерений медицинской диагностики.
6.1.6.1.	Магнитометры, использующие технологию на основе эффекта сверхпроводимости с оптической накачкой или ядерной прецессией (протонной / Оверхаузера), имеющей среднеквадратичный уровень шума (чувствительность) менее (лучше) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах;	9015 80 930 0
6.1.6.2.	Магнитометры с катушкой индуктивности, имеющие среднеквадратичное значение уровня шума (чувствительности) менее (лучше), чем любой из следующих показателей:	9015 80 930 0
	а) 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте менее 1 Гц;
	б) 1 x 1E(-3) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц; или
	в) 1 x 1E(-4) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах более 10 Гц;
6.1.6.3.	Волоконно - оптические магнитометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) менее (лучше) 1 нТ, деленной на корень квадратный из частоты в герцах;	9015 80 930 0
6.1.6.4.	Магнитные градиентометры, использующие наборы магнитометров, контролируемых по пунктам 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3;	9015 80 930 0
6.1.6.5.	Волоконно - оптические внутренние магнитные градиентометры со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ/м, деленные на корень квадратный из частоты в герцах;	9015 80 930 0
6.1.6.6.	Внутренние магнитные градиентометры, использующие технологию, отличную от волоконно - оптической, со среднеквадратичным уровнем шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,015 нТ/м, деленные на корень квадратный из частоты в герцах;	9015 80 930 0
6.1.6.7.	Магнитокомпенсационные системы для магнитных датчиков, предназначенных для работы на подвижных платформах;	9015 80 930 0
6.1.6.8.	Сверхпроводящие электромагнитные датчики, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов и имеющие все следующие составляющие:	9015 80 930 0
	а) специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры по меньшей мере одного из компонентов сверхпроводников (включая устройства на эффекте Джозефсона или сверхпроводящие устройства квантовой интерференции (СКВИДы));
	б) специально разработанные для измерений вариаций электромагнитного поля на частотах 1 кГц или менее; и
	в) имеющие любую из следующих характеристик:
	1) включающие тонкопленочные СКВИДы с минимальным размером элемента менее 2 мкм и с соответствующими схемами соединения входа и выхода;
	2) разработанные для функционирования при максимальной скорости нарастания магнитного поля более 1E6 квантов магнитного потока в секунду;
	3) разработанные для функционирования без магнитного экрана в окружающем земном магнитном поле; или
	4) имеющие температурный коэффициент менее 0,1 кванта магнитного потока, деленного на кельвин
	Гравиметры

6.1.7.	Гравиметры и гравитационные градиентометры:
6.1.7.1.	Гравиметры, разработанные или модифицированные для наземного использования со статистической точностью менее (лучше) 10 микрогалей	9015 80 930 0
	Примечание. По пункту 6.1.7.1 не контролируются наземные гравиметры типа кварцевых элементов (Уордена).
6.1.7.2.	Гравиметры, разработанные для подвижных платформ для наземных, морских, погруженных, воздушных и космических применений, имеющие все следующие характеристики:	9015 80 930 0
	а) статистическую точность менее (лучше) 0,7 миллигалей; и
	б) рабочую точность менее (лучше) 0,7 миллигалей со временем регистрации в состоянии готовности менее 2 мин. в любой комбинации корректирующих компенсаций и влияния движения;
6.1.7.3.	Гравитационные градиентометры
	Радиолокаторы
6.1.8.	Локационные системы, оборудование и узлы, имеющие любую из следующих характеристик, и специально предназначенные для них компоненты:
	Примечание. По пункту 6.1.8 не контролируются:
	а) РЛС с активным ответом;
	б) автомобильные РЛС, предназначенные для предотвращения столкновений;
	в) дисплеи или мониторы, используемые для управления воздушным движением (УВД), имеющие разрешение не более 12 элементов на 1 мм;
	г) метеорологические (погодные) локаторы.
6.1.8.1.	Работающие на частотах от 40 ГГц до 230 ГГц и имеющие среднюю выходную мощность более 100 мВт;	8526 10 900 0
6.1.8.2.	РЛС, рабочая частота которых может перестраиваться в пределах более чем +/- 6,25% от центральной рабочей частоты	8526 10 900 0
	Техническое примечание. Центральная рабочая частота равна половине суммы наибольшей и наименьшей несущих частот.
6.1.8.3.	Способные работать одновременно на двух или более несущих частотах;	8526 10 900 0
6.1.8.4.	Имеющие возможность функционирования в режимах синтезированной апертуры или в обратной синтезированной апертуры локатора, или в режиме локатора бокового обзора воздушного базирования;	8526 10 900 0
6.1.8.5.	Включающие фазированные антенные решетки с электронным сканированием луча;	8526 10 900 0
6.1.8.6.	Обладающие способностью нахождения высотных одиночных целей	8526 10 900 0
	Примечание. По пункту 6.1.8.6 не контролируется прецизионное радиолокационное оборудование для контроля захода на посадку, соответствующее стандартам ИКАО.
6.1.8.7.	Специально разработанные для воздушного базирования (устанавливаются на воздушном шаре или корпусе летательного аппарата) и имеющие допплеровскую обработку сигнала для обнаружения движущихся целей;	8526 10 900 0
6.1.8.8.	РЛС, использующие обработку сигналов локатора с применением любой из следующих составляющих:	8526 10 900 0
	а) методов расширения спектра РЛС; или
	б) методов РЛС с частотной ажильностью;
6.1.8.9.	РЛС, обеспечивающие наземное функционирование с максимальной инструментальной дальностью действия более 185 км	8526 10 900 0
	Примечание. По пункту 6.1.8.9 не контролируются:
	а) наземные РЛС для наблюдения рыбных косяков;
	б) наземные РЛС, специально разработанные для управления воздушным движением в случае, когда они удовлетворяют всем следующим условиям:
	1) имеют максимальную инструментальную дальность действия 500 км или менее;
	2) спроектированы так, что данные с РЛС о цели могут быть переданы только одним путем от места нахождения локатора к одному или нескольким гражданским центрам УВД на маршруте;
	3) не содержат средств для дистанционного управления скоростью сканирования локатора из центра УВД на маршруте; и
	4) должны устанавливаться надолго;
	в) локаторы для метеорологического наблюдения с воздушного шара.

6.1.8.10.	Являющиеся лазерными локационными станциями или лазерными дальномерами (ЛИДАРы), имеющими любую из следующих характеристик:	9015 10 900 0; 9031 80 590 0
	а) годные для применения в космосе; или
	б) использующие методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющие угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад
	Примечание. По пункту 6.1.8.10 не контролируются ЛИДАРы, специально спроектированные для съемки или метеорологического наблюдения.
6.1.8.11.	Имеющие подсистемы обработки сигнала в виде сжатия импульса с любой из следующих характеристик:	8526 10 900 0
	а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или
	б) шириной импульса менее 200 нс; или
6.1.8.12.	Имеющие подсистемы обработки данных с любой из следующих характеристик:	8526 10 900 0
	а) автоматическое сопровождение цели, обеспечивающее при любом вращении антенны определение предполагаемого положения цели за время до следующего прохождения луча антенны;
	б) вычисление скорости цели от активной РЛС, имеющей непериодическое (переменное) сканирование;
	в) обработка для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигналов или образов) для идентификации или классификации целей; или
	г) наложение и корреляция или слияние данных о цели от двух или более пространственно распределенных и взаимосвязанных измерительных РЛС для усиления и различения целей
	Примечания. 1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не контролируются средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС.
	2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не контролируются системы, оборудование и узлы, используемые для контроля морского движения.
6.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
6.2.1.	Акустика - нет
6.2.2.	Оптические датчики - нет
6.2.3.	Камеры - нет
	Оптика
6.2.4.	Следующее оптическое оборудование:
6.2.4.1.	Оборудование для измерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +/- 0,1% от значения отражательной способности;	9031 49 900 0
6.2.4.2.	Оборудование, отличное от оборудования для измерения рассеяния оптической поверхностью, имеющее незатемненную апертуру с диаметром более 10 см, специально предназначенное для бесконтактного оптического измерения неплоской фигуры (профиля) оптической поверхности с точностью 2 нм или менее (лучше) от требуемого профиля	9031 49 900 0
	Примечание. По пункту 6.2.4 не контролируются микроскопы.
6.2.5.	Лазеры - нет
6.2.6.	Магнитометры - нет
	Гравиметры
6.2.7.	Оборудование для производства, юстировки и калибровки гравиметров наземного базирования со статической точностью лучше 0,1 миллигала	9031 80 390 0
	Радиолокаторы
6.2.8.	Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально предназначенные для них компоненты	8526 10 900 0
6.3.	Материалы
6.3.1.	Акустика - нет
	Оптические датчики
6.3.2.	Материалы для оптических датчиков, такие как:
6.3.2.1.	Химически чистый элементарный теллур (Te) с уровнями чистоты 99,9995% или более;	2804 50 900 0
6.3.2.2.	Монокристаллы (включая эпитаксиальные пластины) любого из следующего:	3818009000; 8107900000;
	а) цинкового теллурида кадмия с содержанием цинка менее 6% по молярным долям;
	б) теллурида кадмия (CdTe) любого уровня чистоты; или
	в) ртутного теллурида кадмия (HgCdTe) любого уровня чистоты
	Техническое примечание. Молярная доля определяется отношением молей ZnTe к сумме молей CdTe и ZnTe, присутствующих в кристалле
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
6.3.3.	Камеры - нет
	Оптика
6.3.4.	Оптические материалы, такие как:
6.3.4.1.	Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и сульфида цинка (ZnS), полученные химическим осаждением паров, имеющие любую из следующих характеристик:	2842 90 100 0; 2830 20 000 0
	а) объем более 100 куб. см; или
	б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или более;
6.3.4.2.	Слитки следующих электрооптических материалов:
6.3.4.2.1.	Арсенат титаната калия (KTA);	2842 90 900 0
6.3.4.2.2.	Серебряный селенид галлия (AgGaSe2);	2842 90 100 0
6.3.4.2.3.	Таллиевый селенид мышьяка (Tl3AsSe3, известный также как TAS);	2842 90 100 0
6.3.4.3.	Нелинейные оптические материалы, имеющие все следующие характеристики:	7020 00 900 0
	а) восприимчивость третьего порядка (хи 3) 1E(-6) кв. м/В2 или более; и
	б) время отклика менее 1 мс;
6.3.4.4.	Заготовки карбида кремнезема или осажденных материалов бериллия - бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной главной оси более 300 мм;	2849 20 000 0; 8112 19 000 0
6.3.4.5.	Стекло, содержащее расплавы кремния, фосфатное стекло, фторофосфатное стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния (HfF4), имеющее все следующие характеристики:	7001 00 910 0; 7001 00 990 0; 7020 00 900 0
	а) концентрацию гидроксильных ионов (OH-) менее 5 частей на миллион;
	б) интегральные уровни чистоты металлов менее 1 части на миллион; и
	в) высокую однородность (вариацию показателя коэффициента преломления) менее 5 x 1E(-6);
6.3.4.6.	Синтетический алмазный материал с поглощением менее 1E(-5) смЕ(-1) на длине волны от 200 нм до 14000 нм	7104 90 000 0; 7105 10 000 0
	Лазеры

6.3.5.	Синтетические кристаллические материалы (основа) лазера в необработанном виде, такие как:
6.3.5.1.	Корунд с титаном;	7103 10 000 0
6.3.5.2.	Александрит	7103 10 000 0
6.3.6.	Магнитометры - нет
6.3.7.	Гравиметры - нет
6.3.8.	Радиолокаторы - нет
6.4.	Программное обеспечение
6.4.1.	Программное обеспечение, специально созданное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 6.1.4, 6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8
6.4.2.	Программное обеспечение, специально разработанное для использования оборудования, контролируемого по пунктам 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8
6.4.3.	Другое программное обеспечение, такое как:
	Акустика
6.4.3.1.	Следующее программное обеспечение:
	а) программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток;
	б) текст программы для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием буксируемых гидрофонных решеток;
	в) программное обеспечение, специально разработанное для формирования акустического луча при обработке акустических данных в реальном масштабе времени при пассивном приеме донными или погруженными кабельными системами;
	г) текст программы для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема донными или погруженными кабельными системами
6.4.3.2.	Оптические датчики - нет;
6.4.3.3.	Камеры - нет;
6.4.3.4.	Оптика - нет;
6.4.3.5.	Лазеры - нет;
	Магнитометры
6.4.3.6.	Программное обеспечение, такое как:
6.4.3.6.1.	Программное обеспечение, специально разработанное для магнитокомпенсационных систем для магнитных датчиков, предназначенных для работы на подвижных платформах;
6.4.3.6.2.	Программное обеспечение, специально разработанное для обнаружения магнитных аномалий на подвижных платформах
	Гравиметры
6.4.3.7.	Программное обеспечение, специально разработанное для коррекции влияния движения гравиметров или гравитационных градиентометров;
	Радиолокаторы
6.4.3.8.	Программное обеспечение, такое как:
6.4.3.8.1.	Программы для применения программного обеспечения для управления воздушным движением на компьютерах общего назначения, находящихся в центрах управления воздушным движением и обладающих любой из следующих возможностей:
	а) одновременной обработкой и отображением более 150 траекторий систем; или
	б) приемом информации о целях РЛС от более чем четырех первичных РЛС;
6.4.3.8.2.	Программное обеспечение для разработки или производства обтекателей антенн радиолокаторов, которые:
	а) специально разработаны для защиты фазированных антенных решеток с электронным сканированием луча, контролируемых по пункту 6.1.8.5; и
	б) имеют результирующий средний уровень боковых лепестков более чем на 40 дБ ниже максимального уровня главного луча
	Техническое примечание. Средний уровень боковых лепестков, указанный в подпункте "б" пункта 6.4.3.8.2, измеряется целиком для всей решетки, за исключением диапазона углов, в который входят главный луч и первые два боковых лепестка по обе стороны главного луча.
6.5.	Технология
6.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования, материалов или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 6.1, 6.2, 6.3 или 6.4
6.5.2.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 6.1, 6.2 или 6.3
6.5.3.	Другие технологии:
6.5.3.1.	Акустика - нет
6.5.3.2.	Оптические датчики - нет
6.5.3.3.	Камеры - нет
	Оптика
6.5.3.4.	Технологии, такие как:
6.5.3.4.1.	Технология обработки и покрытия оптических поверхностей, требуемая для достижения однородности 99,5% или лучше, для оптических покрытий диаметром или длиной главной оси более 500 мм и с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее 5 x 1E(-3)
	Особое примечание. Смотрите также пункт 2.5.3.6.
6.5.3.4.2.	Оптические технологии изготовления, использующие методы одноточечного вращения алмазов с получением конечных среднеквадратичных точностей обработки поверхности лучше, чем корень квадратный из 10 нм на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв. м
	Лазеры
6.5.3.5.	Технология, требуемая для разработки, производства или использования специализированных диагностических инструментов или мишеней в испытательных установках для испытаний лазеров сверхвысокой мощности или испытаний, или оценки стойкости материалов, облучаемых лучами лазеров сверхвысокой мощности;
	Магнитометры

6.5.3.6.	Технология, требуемая для разработки или производства феррозондовых магнитометров или систем феррозондовых магнитометров, имеющих любую из следующих характеристик:
	а) уровень шума менее 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах менее 1 Гц (среднеквадратичное); или
	б) уровень шума 1 x 1E(-3) нТ, деленные на корень квадратный из частоты в герцах, на частотах 1 Гц или более (среднеквадратичное);
6.5.3.7.	Гравиметры - нет
6.5.3.8.	Радиолокаторы - нет
	Категория 7. Навигация и авиационная электроника
7.1.	Системы, оборудование и компоненты
	Примечание. Для автопилотов подводных аппаратов смотрите Категорию 8, для РЛС смотрите Категорию 6.
7.1.1.	Линейные акселерометры, предназначенные для использования в инерциальных системах навигации или наведения и имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:	9014 20 900 0; 9032 89
	а) стабильность смещения менее (лучше) 130 микро g относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год;
	б) стабильность масштабного коэффициента менее (лучше) 130 долей на миллион относительно фиксированной калиброванной величины на протяжении периода в 1 год; или
	в) специфицируемые для функционирования при уровнях линейных ускорений, превышающих 100 g
	Особое примечание. Для угловых или вращающихся акселерометров см. пункт 7.1.2
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
7.1.2.	Гироскопы и угловые или вращающиеся акселерометры, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:	9014 20 130 0; 9032 89
	а) стабильность скорости дрейфа, измеренную в условиях воздействия 1 g на протяжении периода в 3 месяца относительно фиксированной калиброванной величины:
	1) менее (лучше) 0,1 град. в час, когда паспортные (номинальные) данные приведены для функционирования при уровнях линейных ускорений ниже 10 g; или
	2) менее (лучше) 0,5 град. в час, когда приведены паспортные (номинальные) данные для функционирования при уровнях линейных ускорений от 10 до 100 g включительно; или
	б) специфицируемые для функционирования при линейных ускорениях с уровнем, превышающим 100 g
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
7.1.3.	Инерциальные навигационные системы (платформенные карданные и бесплатформенные бескарданные) и инерциальное оборудование, разработанное для летательных аппаратов, наземных средств передвижения или космических аппаратов для определения местоположения, наведения или управления, имеющие любую из следующих характеристик, и специально разработанные для них компоненты:	9014 10 900 0; 9014 20 900 0
	а) навигационную ошибку (чисто инерциальную) после нормальной выставки от 0,8 морской мили в час (50-процентная круговая вероятная ошибка - КВО) или менее (лучше); или
	б) специфицируемые для функционирования при уровнях линейных ускорений свыше 10 g
	Примечания. 1. Параметры, указанные в подпункте "а" пункта 7.1.3, применимы для любого из следующих условий среды:
	а) входная случайная вибрация на предельном уровне величиной корень квадратный из 7,7 g в первые полчаса и общие испытания в течение полутора часов вдоль каждой из осей по трем перпендикулярным направлениям, когда может иметь место следующая случайная вибрация:
	1) постоянная спектральная плотность мощности от 0,04 g2/Гц в частотном интервале от 15 до 1000 Гц; и
	2) спектральная плотность мощности спадает в зависимости от частоты от 0,04 g2/Гц до 0,01 g2/Гц в частотном интервале от 1000 до 2000 Гц; или
	б) вращение и рыскание равны или более +2,62 рад/с (150 град./с); или
	в) условий, указанных в национальных стандартах, положения которых эквивалентны пунктам "а" и "б" настоящего примечания.
	2. По пункту 7.1.3 не контролируются инерциальные навигационные системы, сертифицированные для применения на гражданских летательных аппаратах гражданской администрацией государства - участника соглашений.
7.1.4.	Гироастрокомпасы и другие устройства, которые обеспечивают определение местоположения или ориентацию посредством автоматического слежения небесных тел или спутников с точностью по азимуту, равной или менее (лучше) 5 угловых секунд	9014 20 900 0; 9014 80 000 0
7.1.5.	Приемная аппаратура глобальных навигационных спутниковых систем (GPS или ГЛОНАСС), имеющая одну из следующих характеристик, и специально разработанные для нее компоненты:	9014 20 900 0; 9014 80 000 0
	а) использующая дешифровку; или
	б) использующая антенны с управляемой диаграммой направленности ("провал" в диаграмме направленности)
7.1.6.	Бортовые альтиметры, действующие на частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц включительно, имеющие одну из следующих характеристик:	8526 10 900 0; 8526 91 900 0
	а) управление мощностью; или
	б) использующие амплитудную модуляцию с переменной фазой
7.1.7.	Радиопеленгаторное оборудование, действующее на частотах свыше 30 МГц и имеющее все следующие характеристики, и специально разработанные для него компоненты:	8526 91 900 0
	а) мгновенное значение ширины полосы пропускания 1 МГц или более;
	б) параллельную работу на более чем 100 частотных каналах; и
	в) производительность более 1000 пеленгований в секунду на частотный канал

7.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
7.2.1.	Оборудование для испытаний, калибровки, выставки, специально разработанное для оборудования, контролируемого по пункту 7.1	9031 10 000 0; 9031 20 000 0; 9031 80
	Примечание. По пункту 7.2.1 не контролируется оборудование для испытаний, калибровки, выставки для технического обслуживания по первому и
	второму уровням. Технические примечания. 1. Техническое обслуживание по первому уровню Повреждение инерциального навигационного устройства на летательном аппарате обнаруживается по показаниям устройств контроля и отображения информации или по сообщению сигнализации от соответствующей подсистемы. Впоследствии вызванное повреждение может быть устранено фирмой - изготовителем путем замены неисправного устройства. Оператор удаляет это устройство и заменяет его запасным.
	2. Техническое обслуживание по второму уровню Неисправное устройство посылается для ремонта в производственный цех фирмы или оператору, ответственному за техническое обслуживание по второму уровню. В производственном цехе неисправное устройство испытывается различными соответствующими средствами, чтобы проверить и локализовать неисправный модуль устройства, подлежащий замене в цехе. Этот поврежденный модуль устройства удаляется и заменяется действующим запасным. Поврежденный модуль устройства (или по возможности устройство) затем возвращается изготовителю.
	Техническое обслуживание по второму уровню не включает извлечение подпадающих под контроль акселерометров и гироскопических датчиков из заменяемого в заводских условиях модуля устройства.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
7.2.2.	Оборудование, специально разработанное для оценки характеристик зеркал кольцевых лазерных гироскопов, такое как:
7.2.2.1.	Рефлектометры, имеющие точность измерений в 10 миллионных долей или менее (лучше);	9031 80
7.2.2.2.	Профилометры, имеющие точность измерений в 0,5 нм (5 ангстрем) или менее (лучше)	9031 80
7.2.3.	Оборудование, специально разработанное для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1	8413; 8421 19 910; 8421 19 980;
	Примечание. Пункт 7.2.3 включает:	9031 10 000 0;
	а) испытательные установки для регулирования гироскопов;	9031 20 000 0; 9031 80
	б) установки для динамической балансировки гироскопов;
	в) установки для испытания гиромотора;
	г) установки для наполнения и откачки рабочего вещества гироскопа;
	д) центрифуги для гироподшипников;
	е) установки для выравнивания осей акселерометра.
7.3.	Материалы - нет
7.4.	Программное обеспечение
7.4.1.	Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2
7.4.2.	Текст программы для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании, включая инерциальное оборудование, не контролируемое по пункту 7.1.3 или 7.1.4, либо в системах определения курсового направления в воздухе
	Примечание. По пункту 7.4.2 не контролируются тексты программ для использования в платформенных системах определения положения в воздухе.
	Техническое примечание. Система определения положения (курсового направления) летательного аппарата в воздухе, как правило, отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что система определения углового (курсового) положения летательного аппарата в воздухе обеспечивает информацией о положении самолета в воздухе и направлении и обычно не обеспечивает информацией об ускорении, скорости и положении (координате), снимаемой с ИНС.
7.4.3.	Другое программное обеспечение, такое как:
7.4.3.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения действующих характеристик или уменьшения навигационной ошибки систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3 или 7.1.4;
7.4.3.2.	Текст программы для гибридных комплексированных систем, которые улучшают действующие характеристики или уменьшают навигационную ошибку систем до уровней, указанных в пункте 7.1.3, при комплексировании инерциальных данных с любыми из навигационных данных, получаемых от:
	а) допплеровского определителя скорости;
	б) глобальной навигационной спутниковой системы (GPS или ГЛОНАСС); или
	в) базы данных о рельефе местности;
7.4.3.3.	Текст программы для комплексированных авиационных или космических систем, которые объединяют данные измерительных датчиков и используют экспертные системы;
7.4.3.4.	Текст программы для разработки любого из следующих видов оборудования:
7.4.3.4.1.	Цифровых систем управления полетом для общего управления полетом;
7.4.3.4.2.	Комплексированных систем управления полетом и двигателей;
7.4.3.4.3.	Систем управления по проводам или по сигнальным огням;
7.4.3.4.4.	Отказоустойчивых и самоперестраиваемых активных систем управления полетом;
7.4.3.4.5.	Бортового автоматического оборудования, управляющего ориентацией;
7.4.3.4.6.	Воздушно - информационных систем, основанных на сведениях о поверхностных помехах; или
7.4.3.4.7.	Проекционных дисплеев с головками растрового типа или трехмерных дисплеев
7.4.3.5.	Программное обеспечение системы автоматизированного проектирования, специально разработанное для создания активных систем управления полетом, систем многокоординатного управления вертолетом по проводам или сигнальным огням или вертолетных систем контроля направления или противовращения с контролируемой циркуляцией, технологии которых контролируются по пунктам 7.5.4.2, 7.5.4.3.1 или 7.5.4.3.2

7.5.	Технология
7.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 7.1, 7.2 или 7.4
7.5.2.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования, контролируемого по пункту 7.1 или 7.2
7.5.3.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для ремонта, капитального ремонта и восстановления оборудования, контролируемого по пунктам 7.1.1 - 7.1.4
	Примечание. По пункту 7.5.3 не контролируются технологии технического обслуживания, непосредственно связанного с калибровкой, демонтажем или заменой неисправных или непригодных к эксплуатации типовых заменяемых элементов и местоположением специализированного ремонта летательных аппаратов гражданского применения, которые описаны в руководствах технического обслуживания по первому или второму уровню.
	Особое примечание. Для целей пункта 7.5.3 см. техническое примечание к пункту 7.2.1.
7.5.4.	Другие технологии, такие как:
7.5.4.1.	Технология для разработки или производства:
7.5.4.1.1.	Бортового автоматически управляемого оборудования, работающего на частотах, превосходящих 5 мГц;
7.5.4.1.2.	Воздушно - информационных систем, основанных только на поверхностных статических данных, то есть систем, которые обходятся без стандартных воздушных проб;
7.5.4.1.3.	Проекционных дисплеев с головками растрового типа или трехмерных дисплеев для летательных аппаратов;
7.5.4.1.4.	Инерциальных навигационных систем или гироастрокомпасов, содержащих в себе акселерометры или гироскопы, контролируемые по пункту 7.1.1 или 7.1.2;
7.5.4.1.5.	Электрических исполнительных механизмов (то есть электромеханических, электрогидростатических и интегрированных исполнительных блоков), специально разработанных для прямого управления полетом;
7.5.4.1.6.	Групп оптических датчиков системы управления полетом, специально разработанных для применения в активных системах управления полетом
7.5.4.2.	Технологии разработки активных систем управления полетом (включающих полет с управлением по проводам или сигнальным огням), включая:
7.5.4.2.1.	Конфигурацию, разработанную для связи множества микроэлектронных вычислительных элементов (бортовых компьютеров), позволяющую реализовать законы управления в реальном масштабе времени;
7.5.4.2.2.	Компенсацию зависимости управления от расположения измерительного датчика или динамических нагрузок каркаса летательного аппарата, например, компенсацию вибрационного фона датчика или вариацию размещения датчиков относительно центра тяжести;
7.5.4.2.3.	Электронное управление избыточными данными или системами резервирования для определения ошибки, допустимого отклонения ошибки, локализации ошибки или ее реконфигурации
	Примечание. По пункту 7.5.4.2.3 не контролируется технология проектирования физической избыточности.
7.5.4.2.4.	Управление летательным аппаратом, которое позволяет автономно изменять структуру сил и моментов в полете в реальном масштабе времени;
7.5.4.2.5.	Комплексирование цифровой системы управления полетом, системы навигации и данных системы управления двигателем в цифровую систему общего управления полетом
	Примечание. По пункту 7.5.4.2.5 не контролируются:
	а) технологии проектирования комплексированных цифровых систем управления полетом, навигации и контроля данных двигателя, объединенных в цифровую систему управления полетом для оптимизации траектории полета;
	б) технологии проектирования авиационных средств навигации, предназначенных исключительно для курсового всенаправленного радиомаяка СВЧ - диапазона, дальномерной аппаратуры, системы "слепой" посадки, системы посадки СВЧ - диапазона или системы захода на посадку.
7.5.4.2.6.	Полностью автономную цифровую систему управления полетом или многодатчиковую систему организации работы управляющих систем, использующих экспертные системы
	Особое примечание. Для технологий полностью автономной электронно - цифровой системы управления двигателями (ФАДЕК) см. пункт 9.5.3.1.9.
7.5.4.3.	Технология для разработки следующих вертолетных систем:
7.5.4.3.1.	Многокоординатных средств управления по проводам или сигнальным огням, которые объединяют по крайней мере две из следующих функций в один управляющий элемент:
	а) управление несущим винтом;
	б) управление вращением;
	в) управление рысканием;
7.5.4.3.2.	Системы управления моментом вращения и скручивающим усилием при вращательном движении;
7.5.4.3.3.	Вращающихся лопастей с переменной геометрией аэродинамического профиля для систем с управляемыми лопастями

	Категория 8. Морское дело
8.1.	Системы, оборудование и компоненты
8.1.1.	Подводные аппараты и надводные суда, такие как:
	Особое примечание. Для оценки контрольного статуса оборудования подводных аппаратов смотрите: для оборудования передачи зашифрованной информации - часть 2 Категории 5 (Защита информации); применительно к датчикам - Категорию 6; для навигационного оборудования - Категории 7 и 8; для оборудования передачи, зашифрованной для подводного оборудования, - пункт 8.1.
8.1.1.1.	Пилотируемые человеком, управляемые по проводам подводные аппараты, спроектированные для операций на глубинах, превышающих 1000 м;	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.2.	Пилотируемые человеком, не управляемые по проводам подводные аппараты, имеющие любую из следующих характеристик:
8.1.1.2.1.	Спроектированные для автономного плавания и имеющие все следующие характеристики по подъемной силе:	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
	а) 10% или более их собственного веса (веса в воздухе); и
	б) 15 кН или более
8.1.1.2.2.	Спроектированные для плавания на глубинах, превышающих 1000 м; или	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.2.3.	Имеющие все следующие характеристики:	8906 00 910 0;
	а) спроектированные для экипажа из четырех или более человек;	8906 00 990 0
	б) спроектированные для автономного плавания в течение 10 часов или более;
	в) имеющие радиус действия 25 морских миль или более; и
	г) имеющие длину 21 м или менее
	Технические примечания. 1. Для целей пункта 8.1.1.2 "автономное плавание" означает, что аппараты полностью погружены без шнорхеля, все их системы функционируют и обеспечивают плавание на минимальной скорости, при которой погружением можно безопасно управлять (с учетом необходимой динамики по глубине погружения) с использованием только глубинных рулей без участия надводного судна поддержки или базы (береговой или корабля - матки); аппараты имеют двигательную систему для движения в погруженном и надводном состоянии.
	2. Для целей пункта 8.1.1.2 радиус действия составляет половину максимального расстояния, которое может преодолеть подводный аппарат.
8.1.1.3.	Не пилотируемые человеком, управляемые по проводам подводные аппараты, спроектированные для плавания на глубинах, превышающих 1000 м, имеющие любую из следующих составляющих:	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.3.1.	Спроектированные для самоходного маневра с применением двигателей или тяговых установок, контролируемых по пункту 8.1.2.1.2; или
8.1.1.3.2.	Имеющие волоконно - оптические линии передачи данных
8.1.1.4.	Не пилотируемые человеком, не управляемые по проводам подводные аппараты, имеющие любую из следующих составляющих:	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.4.1.	Спроектированные для решения задачи достижения (прокладки курса) любого географического ориентира в реальном масштабе времени без участия человека;
8.1.1.4.2.	Имеющие канал передачи акустических данных или команд; или
8.1.1.4.3.	Имеющие волоконно - оптическую линию передачи данных или линию передачи команд, превышающую по длине 1000 м
8.1.1.5.	Океанские системы спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН, для спасения объектов с глубин, превышающих 250 м, и имеющие одну из следующих характеристик:
8.1.1.5.1.	Системы динамического управления положением, способные стабилизироваться в пределах (внутри) 20 м относительно заданной точки, фиксируемой навигационной системой; или	8905 90 100 0; 8906 00 910 0
8.1.1.5.2.	Системы придонной навигации и навигационной интеграции для глубин, превышающих 1000 м, с точностью обеспечения положения в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки	8905 90 100 0; 8906 00 910 0
8.1.1.6.	Амфибийные суда на воздушной подушке (с полностью изменяемой поверхностной конфигурацией), имеющие все следующие характеристики:	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
	а) максимальную проектную скорость при полной загрузке более 30 узлов при значении высоты волны в 1,25 м (Морская статья 3) или более;
	б) амортизирующее давление более 3830 Па; и
	в) соотношение водоизмещения незагруженного и полнозагруженного судна менее 0,70;
8.1.1.7.	Амфибийные суда на воздушной подушке (с неизменяемой поверхностной конфигурацией) с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 40 узлов при значении высоты волны в 3,25 м (Морская статья 5) или более;	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.8.	Суда с гидрокрылом с активными системами для автоматического управления крылом с максимальной проектной скоростью при полной загрузке в 40 узлов или более и значении высоты волны в 3,25 м (Морская статья 5) или более;	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.1.9.	Суда с малой площадью ватерлинии, имеющие любую из следующих характеристик:	8906 00 910 0; 8906 00 990 0
	а) водоизмещение при полной загрузке, превышающее 500 тонн, с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 35 узлов, при значении высоты волны в 3,25 м (Морская статья 5) или более; или
	б) водоизмещение при полной загрузке, превышающее 1500 тонн, с максимальной проектной скоростью при полной загрузке, превышающей 25 узлов, при значении высоты волны в 4 м (Морская статья 6) или более
	Техническое примечание. Принадлежность судна к судам с малой площадью ватерлинии определяется следующей формулой: площадь ватерлинии при известном значении водоизмещения при операционной проектной осадке меньше 2 x (водоизмещение при операционной проектной осадке)(2/3).
8.1.2.	Системы или оборудование, такие как:
	Примечание. Для систем подводной связи смотрите часть 1 Категории 5 (Телекоммуникации).
8.1.2.1.	Системы и оборудование, специально спроектированные или модифицированные для подводных аппаратов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м, такие как:
8.1.2.1.1.	Помещения под давлением или корпуса под давлением с максимальным внутренним диаметром камеры, превышающим 1,5 м;	8905 90 100 0; 8906 00 990 0
8.1.2.1.2.	Электродвигатели постоянного тока или тяговые установки;	8501 33 900; 8501 34 500 0; 8501 34 990 0
8.1.2.1.3.	Кабельные разъемы и соединители для них, использующие оптическое волокно и имеющие силовые элементы из синтетических материалов	9013 80 900 0
8.1.2.2.	Системы, специально спроектированные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов, контролируемых по пункту 8.1.1, использующие навигационные данные и имеющие сервоуправляющие средства с замкнутым контуром:	9014 80 000 0
	а) способные управлять движением аппарата в пределах 10 м относительно заданной точки водяного столба;
	б) поддерживающие положение аппарата в пределах 10 м относительно заданной точки водяного столба; или
	в) поддерживающие положение аппарата в пределах 10 м при следовании на тросе (кабеле) за или под кораблем - маткой

8.1.2.3.	Волоконно - оптические корпусные разъемы или соединители;	9013 80 900 0
8.1.2.4.	Системы подводного наблюдения, включающие:
8.1.2.4.1.	Телевизионные системы и телевизионные камеры, такие как:
8.1.2.4.1.1.	Телевизионные системы (включая камеру, оборудование для мониторинга и передачи сигнала), имеющие предельное разрешение более 800 линий при измерении его в воздушной среде и телесистемы, специально спроектированные или модифицированные для дистанционного управления подводным судном; или	8525 10 900
8.1.2.4.1.2.	Подводные телекамеры, имеющие предельное разрешение более 1100 линий при измерении разрешения в воздушной среде;	8525 30 900 0
8.1.2.4.1.3.	Телевизионные камеры для съемки объектов с низким уровнем освещенности, специально спроектированные или модифицированные для использования под водой и содержащие все следующие составляющие:	8525 30
	а) трубки с усилителем изображения, которые контролируются по пункту 6.1.2.1.2.1; и
	б) более 150000 активных пикселов на площади твердотельного приемника
	Техническое примечание. Предельное разрешение в телевидении измеряется горизонтальным (строчным) разрешением, обычно выраженным в максимальном числе линий по высоте изображения (экрана), различаемых на тестовой таблице, использующей стандарт IEEE 208/1960 или любой эквивалент этого стандарта.
8.1.2.4.2.	Системы, специально спроектированные или модифицированные для дистанционного управления подводным аппаратом, использующие способы минимизации эффектов обратного рассеяния, включая облучатели с пропусканием сигнала в определенном диапазоне значений дальности, или лазерные системы	8526 91; 9031 80 590 0
8.1.2.5.	Фотодиапозитивные камеры, специально спроектированные или модифицированные для подводного применения на глубинах более 150 м, имеющие формат ленты 35 мм или более и любую из следующих составляющих:	9006 53; 9006 59 000 0
	а) аннотацию ленты данными, определяющими специфику внешнего источника камеры;
	б) автоматическую обратную коррекцию фокусного расстояния; или
	в) управление с автоматической компенсацией, специально спроектированное для боксов подводной фотосъемки, способных выдерживать глубину, превышающую 1000 м
8.1.2.6.	Электронные системы наблюдения, специально спроектированные или модифицированные для подводного использования, способные хранить в цифровой форме более 50 экспонированных кадров;	8525 30; 8528
8.1.2.7.	Системы подсветки, специально спроектированные или модифицированные для применения под водой:
8.1.2.7.1.	Стробоскопические световые системы с энергией выхода более 300 Дж в одной вспышке и частотой вспышки более 5 раз в секунду;	9029 20 900 0; 9405 40 100; 9405 40 390
8.1.2.7.2.	Аргонодуговые световые системы, специально спроектированные для использования на глубинах более 1000 м	9405 40 100; 9405 40 390
8.1.2.8.	Роботы, специально спроектированные для подводного применения, управляемые с использованием специализированной ЭВМ, управляемой встроенной программой, имеющие любую из следующих составляющих:	8479 50 000 0; 8479 90 980 0
	а) системы, управляющие роботом с использованием информации от датчиков, которые измеряют усилие или момент вращения, прикладываемые к внешнему объекту, расстояние до внешнего объекта или контактное (тактильное) взаимодействие между роботом и внешним объектом; или
	б) способные создавать усилие в 250 Н или более или момент вращения 250 Нм или более и использующие сплавы на основе титана или волоконные, или нитевидные композиционные материалы в элементах конструкции роботов
8.1.2.9.	Дистанционно управляемые шарнирные манипуляторы, специально спроектированные или модифицированные для использования с подводными аппаратами, имеющими любую из следующих составляющих:	8479 50 000 0; 8479 90 980 0
	а) системы, управляющие манипулятором, используя информацию от датчиков, измеряющих момент вращения или усилие, прикладываемые к внешнему объекту, или контактное (тактильное) взаимодействие между манипулятором и внешним объектом; или
	б) пропорциональное управление ведущий - ведомый или управление с применением специализированной ЭВМ, управляемой встроенной программой, имеющие пять степеней свободы движения или более
	Примечание. При определении количества степеней свободы движения в расчет принимаются только функции, имеющие пропорциональное управление с применением позиционной обратной связи или с применением специализированной ЭВМ, управляемой встроенной программой, обеспеченной библиотекой программ.
8.1.2.10.	Изолированные от атмосферы силовые системы, специально спроектированные для применения под водой, такие как:
8.1.2.10.1.	Изолированные от атмосферы силовые системы с двигателями циклов Брайтона или Ренкина, имеющие любую из следующих составляющих:	8408 10; 8409 99 000 0
	а) химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя;
	б) системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа;
	в) приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; или
	г) системы, специально спроектированные для:
	1) прессования продуктов реакции или восстановления топлива;
	2) хранения продуктов реакции; и
	3) выхлопа продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.2.	Дизельные двигатели для изолированных от атмосферы силовых систем, имеющие все следующие характеристики:	8408 10; 8409 99 000 0
	а) химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления диоксида углерода, оксида углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя;
	б) системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа;
	в) приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; и
	г) специально спроектированные выхлопные системы с задержкой выброса продуктов сгорания;

8.1.2.10.3.	Воздушно - независимые энергетические установки на топливных элементах (ЭХГ) с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющие любую из следующих составляющих:	8409 99 000 0
	а) приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; или
	б) системы, специально спроектированные для:
	1) прессования продуктов реакции или восстановления топлива;
	2) хранения продуктов реакции; и
	3) выхлопа продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более;
8.1.2.10.4.	Независимые от атмосферы силовые системы с двигателями цикла Стирлинга, имеющие все следующие составляющие:	8408 10; 8409 99 000 0
	а) приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой на частотах ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; и
	б) специально спроектированные выхлопные системы с выхлопом продуктов сгорания при противодавлении в 100 кПа или более
8.1.2.11.	Кромки корпуса, уплотнения и выдвижные элементы, имеющие любую из следующих составляющих:	8479 90 980 0; 8906 00 910 0; 8906 00 990 0
	а) спроектированные для давлений в подушке 3830 Па или более, функционирующие при значении высоты волны 1,25 м (Морская статья 3) или более и специально спроектированные для амфибийных судов на воздушной подушке (с полностью изменяемой поверхностной конфигурацией), контролируемых по пункту 8.1.1.6; или
	б) спроектированные для давлений в 6224 Па или более, функционирующие при значении высоты волны 3,25 м (Морская статья 5) или более и специально спроектированные для амфибийных судов на воздушной подушке (с неизменяемой поверхностной конфигурацией), контролируемых по пункту 8.1.1.7;
8.1.2.12.	Подъемные вентиляторы мощностью более 400 кВт, специально спроектированные для амфибийных судов на воздушной подушке, контролируемых по пунктам 8.1.1.6 или 8.1.1.7;	8412 39 900 0; 8412 80 990 0; 8485 10 900 0
8.1.2.13.	Полностью погружаемые подкавитационные или суперкавитационные гидрокрылья, специально разработанные для судов, контролируемых по пункту 8.1.1.8;	8479 90 980 0; 8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.2.14.	Активные системы, специально спроектированные или модифицированные для автоматического управления движением подводных аппаратов или судов, контролируемых по пунктам 8.1.1.6, 8.1.1.7, 8.1.1.8 или 8.1.1.9;	8479 90 980 0; 8906 00 910 0; 8906 00 990 0
8.1.2.15.	Винты, системы передачи мощности, системы получения энергии и системы снижения шума, такие как:
8.1.2.15.1.	Системы двигателя с водяным винтом или системы передачи мощности, специально спроектированные для амфибийных судов на воздушной подушке (с полностью изменяемой или неизменяемой поверхностной конфигурацией), для судов с гидрокрыльями и судов с малой площадью ватерлинии, контролируемых по пунктам 8.1.1.6, 8.1.1.7, 8.1.1.8 или 8.1.1.9, такие как:
8.1.2.15.1.1.	Суперкавитационные, супервентиляторные, частично погруженные или опускаемые (проникающие через поверхность) движители мощностью более 7,5 МВт;	8408 10
8.1.2.15.1.2.	Противовращательные движительные системы мощностью более 15 МВт;	8412 29 500 0; 8485 10 900 0
8.1.2.15.1.3.	Системы, служащие для выравнивания потока, набегающего на движитель с использованием методов устранения завихрений потока до и после их образования;	8412 29 500 0
8.1.2.15.1.4.	Легковесный, высокой мощности (К-фактор превышает величину 300) редуктор;	8483 40 930 0
8.1.2.15.1.5.	Системы передачи мощности трансмиссионным валом, включающие компоненты из композиционных материалов и способные осуществлять передачу мощности более 1 МВт	8483 10 900 0
8.1.2.15.2.	Движители с водяным винтом, системы получения и передачи энергии, разработанные для применения на судах, такие как:
8.1.2.15.2.1.	Гребные винты с регулируемым шагом и сборки ступицы мощностью более 30 МВт;	8485 10 900 0
8.1.2.15.2.2.	Электрические двигатели с водяным внутренним охлаждением и выходной мощностью, превышающей 2,5 МВт;	8501 34 990 0
8.1.2.15.2.3.	Движители с применением сверхпроводимости или долго работающие магнитоэлектрические двигатели с выходной мощностью, превышающей 0,1 МВт;	8501 20 900 0
8.1.2.15.2.4.	Системы передачи мощности трансмиссионным валом, включающие компоненты из композиционных материалов и способные осуществлять передачу мощности более 2 МВт;	8483 10 900 0
8.1.2.15.2.5.	Системы вентиляторных или системы на базе вентиляторных винтов мощностью более 2,5 МВт	8485 10 900 0
8.1.2.15.3.	Системы снижения шума, разработанные для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более, включая:
8.1.2.15.3.1.	Системы снижения шума под водой на частотах ниже 500 Гц, состоящие из компаундных акустических сборок для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель - генераторных установок, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, двигательных установок или редукторов, специально спроектированных для звуковой или вибрационной изоляции, имеющие усредненную массу, превышающую 30% от массы монтируемого оборудования;	8409 99 000 0; 8412 29 500 0
8.1.2.15.3.2.	Активные системы снижения шума или его погашения или подшипники на магнитном подвесе, специально спроектированные для мощных трансмиссионных систем, включающие электронные системы управления, способные активно снижать вибрации оборудования генерацией антишумовых или антивибрационных сигналов непосредственно у источника шума	8412 29 500 0
8.1.2.16.	Системы движения на струйном движителе с выходной мощностью, превышающей 2,5 МВт, использующие отклоняющееся сопло и технику регулирования потока лопаткой (лопастью) в целях увеличения эффективности движителя или снижения генерируемых движителем и распространяемых под водой шумов;	8412 29 500 0
8.1.2.17.	Аппараты, погружаемые под воду или плавающие под водой, автономные, закрытого или полузакрытого типа (имеющие собственное воздухообеспечение)
8.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
8.2.1.	Гидроканалы, имеющие шумовой фон менее 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от 0 до 500 Гц, спроектированные для измерения акустических полей, генерируемых гидропотоком около моделей движительных систем	9031 20 000 0
8.3.	Материалы
8.3.1.	Синтактный материал, разработанный для применения под водой, имеющий все следующие характеристики:	3921 90 900 0
	а) предназначенный для морских глубин более 1000 м; и
	б) плотность менее 561 кг/куб. м Техническое примечание. Синтактный материал состоит из полых сфер из пластика или стекла, залитых резиновой матрицей.
8.4.	Программное обеспечение
8.4.1.	Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 8.1, 8.2 или 8.3
8.4.2.	Специфическое программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности (ремашинизации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой
8.5.	Технология
8.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 8.1, 8.2 или 8.3
8.5.2.	Другие технологии, такие как:
8.5.2.1.	Технологии для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта, восстановления (ремашинизации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой;
8.5.2.2.	Технологии для капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности оборудования, контролируемого по пунктам 8.1.1, 8.1.2.2, 8.1.2.10, 8.1.2.15 или 8.1.2.16

	Категория 9. Двигатели
9.1.	Системы, оборудование и компоненты
9.1.1.	Газотурбинные авиационные двигатели, при производстве которых используется любая из технологий, контролируемых по пункту 9.5.3.1:	8411 11 900 0; 8411 81 - 8411 82
	а) не снабженные сертификатом для определенных гражданских летательных аппаратов, для которых они предназначены;
	Примечание. В целях осуществления сертификации на отнесение летательных аппаратов к категории гражданских сертификация 16 двигателей, сборок или их компонентов, включая запасные, считается допустимой.
	б) не снабженные сертификатом для гражданского применения авторитетными специалистами государств - участников договоренностей;
	в) разработанные для полета на скорости более 1,2 М в течение более 30 мин.
9.1.2.	Морские газотурбинные двигатели со стандартной по ИСО эксплуатационной мощностью 24245 кВт или более и удельным расходом топлива, не превышающим 0,219 кг/кВт.ч, в диапазоне мощностей от 35 до 100% и специально разработанные агрегаты и компоненты для таких двигателей	8411 82 910 - 8411 82 990 0
	Примечание. Термин "морские газотурбинные двигатели" включает промышленные или авиационные газотурбинные двигатели, приспособленные для применения в корабельных электрогенераторных или двигательных установках.
9.1.3.	Специально разработанные агрегаты и компоненты, при производстве которых используются технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1, для следующих газотурбинных двигателей:	8411 99 90
	а) контролируемых по пункту 9.1.1;
	б) о разработке или производстве которых либо не известно производителю, либо они разрабатываются и производятся в государствах, не являющихся участниками договоренностей
9.1.4.	Ракеты - носители и космические аппараты	8802 60 000 0; 9306 90
	Примечания. 1. По пункту 9.1.4 не контролируются полезные нагрузки.
	2. Для контрольного статуса оборудования, входящего в состав полезной нагрузки космического аппарата, смотрите соответствующие категории.
9.1.5.	Жидкостные ракетные двигатели, содержащие любую из систем или компонентов, контролируемых по пункту 9.1.6	8412 10 900 0
9.1.6.	Системы и компоненты, специально разработанные для жидкостных ракетных двигателей, такие как:
9.1.6.1.	Криогенные рефрижераторы, бортовые сосуды Дьюара, криогенные теплоотборные трубы или криогенные системы, специально разработанные для использования в космических аппаратах и имеющие потери криогенной среды (хладоагента) менее 30% в год;	8412 90 900 0
9.1.6.2.	Криогенные контейнеры или рефрижераторные системы с замкнутым циклом, способные обеспечивать температуру 100 K (-173 град. C) или ниже, для самолетов, способных поддерживать скорость полета, превышающую 3 М, ракет - носителей или космических аппаратов;	8412 90 900 0
9.1.6.3.	Хранилища для жидкого водорода или системы его перекачки;	7311 00; 8413 19 900 0
9.1.6.4.	Турбонасосы высокого давления (превышающего 17,5 МПа), компоненты насосов или объединенные с ними газогенераторы, или системы, управляющие подачей газа к турбине;	8413 19
9.1.6.5.	Камеры сгорания высокого давления (превышающего 10,6 МПа) и сопла для них;	8412 90 300 0
9.1.6.6.	Системы хранения топлива, использующие принципы капиллярного сдерживания или точной подачи (то есть с гибкими вытеснительными пузырями);	8412 29 990 0; 8479 89 950 0
9.1.6.7.	Форсунки жидких топлив с единичными калиброванными отверстиями диаметром 0,381 мм или менее (площадью сечения 1,14 x 1E(-3) кв. см или менее для некруглых отверстий), специально спроектированные для жидкостных ракетных двигателей;	8412 90 900 0; 9306 90 900 0
9.1.6.8.	Монолитные камеры сгорания или монолитные выхлопные конические насадки сопла из материала углерод - углерод плотностью более 1,4 г/куб. см и прочностью на разрыв более 48 МПа	3801; 8412 90; 9306 90
9.1.7.	Твердотопливные ракетные двигатели, обладающие любой из следующих характеристик:	8412 10 900 0
	а) суммарным импульсом, превосходящим 1,1 МНс;
	б) удельным импульсом 2,4 кН/кг или более, когда поток истекает из сопла в условиях, соответствующих условиям на уровне моря, и давление в камере сгорания составляет 7 МПа;
	в) доля в массе ступени превосходит 88% и заряд твердого топлива превосходит 86% веса ступени;
	г) включают любые из компонентов, контролируемых по пункту 9.1.8;
	д) изолирующие системы или системы крепления топлива, выполненные как единое целое с двигателем для обеспечения большей механической прочности или как преграда для исключения взаимного проникновения химических продуктов (компонентов) твердого топлива в материал изоляции
	Техническое примечание. Для целей подпункта "д" пункта 9.1.7 большая механическая прочность означает прочность применения, равную или превышающую прочность топлива.
9.1.8.	Компоненты, специально разработанные для твердотопливных ракетных двигателей, такие как:
9.1.8.1.	Изолирующие системы и системы крепления топлива, вкладыши, используемые для обеспечения большей механической прочности или как преграда для исключения взаимного проникновения твердого топлива в материал изоляции	8412 90 300 0; 8803 90 990 0
	Техническое примечание. Для целей пункта 9.1.8.1 большая механическая прочность означает прочность применения, равную или превышающую прочность топлива.
9.1.8.2.	Двигательные отсеки из композиционных волоконно - тканых материалов с диаметром больше 0,61 м или имеющих удельную прочность более 25 км	9306 90
	Техническое примечание. Удельная прочность (PV/W) - это разрывное напряжение (P), умноженное на объем отсека (V) и деленное на общий вес отсека (W) высокого давления.
9.1.8.3.	Сопла двигателей с уровнем тяги, превышающим 45 кН, или скоростью уноса массы в области горловины сопла менее 0,075 мм/с;	9306 90
9.1.8.4.	Системы управления вектором тяги на основе поворотного сопла или впрыска вторичной жидкости, имеющие любую из следующих характеристик:	8412 90 300 0; 9306 90
	а) способность перемещаться по азимуту и углу места (двум степеням свободы) в диапазоне свыше +/- 5 град.;
	б) скорость вращения вектора тяги 20 град./с или более; или
	в) ускорение вращения вектора тяги 40 град./с 2 или более
9.1.9.	Гибридные ракетные двигатели с:	8412 10 900 0;
	а) суммарным импульсом, превышающим 1,1 МНс; или	8412 90 300 0
	б) толкающим усилием, превышающим 220 кН в условиях вакуума на выходе

9.1.10.	Следующие специально разработанные компоненты, системы или структуры для ракет - носителей, двигательных установок ракет - носителей и космического аппарата, включая:
9.1.10.1.	Компоненты и структуры, каждые из которых превышают 10 кг, специально разработанные для ракет - носителей, изготовленные с применением металлических матриц, композиционных материалов, органических композиционных материалов, керамических матриц или армированных интерметаллических материалов, контролируемых по пункту 1.3.7 или 1.3.10	2804 50 100 0; 2818 20 000 0; 2849 20 000 0; 3801; 3926 90 100 0; 6815 99 100 0; 6903 10 000 0; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19;
	Примечание. Ограничение по весу не относится к головной (боевой) части снаряда.	7019 40 000 0; 7019 51; 7019 52 000 0; 7019 59; 8101 92 000 0; 8102 92 000 0; 8108 90 300 0 - 8108 90 700 0; 8412 90; 8803 90 990 0; 9306 90
9.1.10.2.	Компоненты и структуры, специально разработанные для двигательных установок ракет - носителей, контролируемых по пунктам 9.1.5 - 9.1.9, изготовленные с применением металлических матриц, композиционных материалов, органических композиционных материалов, керамических матриц или армированных интерметаллических материалов, контролируемых по пункту 1.3.7 или 1.3.10;	2804 50 100 0; 2818 20 000 0; 2849 20 000 0; 3801; 3926 90 100 0; 6815 99 100 0; 6903 10 000 0; 7019 11 000 0; 7019 12 000 0; 7019 19; 7019 40 000 0; 7019 51; 7019 52 000 0; 7019 59; 8101 92 000 0; 8102 92 000 0; 8108 90 300 0 - 8108 90 700 0; 8412 90; 8803 90 990 0; 9306 90
9.1.10.3.	Структурные компоненты и изоляционные системы, специально разработанные для активного управления динамической чувствительностью или деформациями структур космического аппарата;	8803 90 990 0; 9306 90
9.1.10.4.	Жидкостные ракетные двигатели многократного включения с соотношением тяги к весу двигателя, равным или более 1 кН/кг, и временем срабатывания (временем, необходимым для достижения 90% полной номинальной тяги от момента пуска) менее 0,03 с	8412 10 900 0
9.1.11.	Прямоточные воздушно - реактивные двигатели, пульсирующие воздушно - реактивные двигатели или двигатели комбинированного цикла и специально разработанные для них компоненты	8412 10 900 0
9.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование
9.2.1.	Нижеперечисленные оборудование, инструменты или приспособления, специально разработанные для производства лопаток газовых турбин, литых лопастей или краев кожухов:
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
9.2.1.1.	Оборудование для направленной кристаллизации или выращивания монокристалла;	8411 99 90
9.2.1.2.	Керамические стержни (ядра, сердечники) или патроны (оболочки);	6903 90 800 0
9.2.1.3.	Керамические стержни (ядра, сердечники) производственного оборудования или инструментов;	6903 90 800 0
9.2.1.4.	Керамические патроны (оболочки) оборудования для изготовления восковых моделей	6903 90 800 0
9.2.2.	Системы контроля с управлением от основного оборудования в реальном масштабе времени, контрольно - измерительные приборы (включая датчики) или автоматическое оборудование для сбора и обработки информации, специально предназначенные для разработки газотурбинных двигателей, узлов и компонентов, включая технологии, контролируемые по пункту 9.5.3.1	9031 80 990 0
9.2.3.	Оборудование, специально разработанное для производства или испытаний (проверки) креплений щеток газовых турбин, разработанных для условий функционирования при скоростях на концах лопаток, превышающих 335 м/с, и температуре свыше 773 K (500 град. C), и специально разработанные компоненты или принадлежности для него	8459 61; 8459 69; 9024 10
9.2.4.	Инструменты, штампы или зажимные приспособления для соединения суперсплавов, титановых сплавов или интеркерамических комбинаций лопатка - диск, описанных в пунктах 9.5.3.1.3 или 9.5.3.1.6, для газовых турбин	8515 80 110 0; 8515 80 190 0; 8466
9.2.5.	Системы контроля с управлением от основного оборудования в реальном масштабе времени, контрольно - измерительные приборы (включая датчики) или автоматическое оборудование для сбора и обработки информации, специально предназначенные для использования с любыми следующими аэродинамическими трубами или устройствами:
9.2.5.1.	Аэродинамическими трубами, разработанными для скоростей 1,2 М или более, исключая специально разработанные для исследовательских целей и имеющие размер испытательной камеры (измеренный в продольном направлении) менее 250 мм	9031 20 000 0
	Техническое примечание. Размер испытательной камеры определяется по диаметру окружности, стороне квадрата или наибольшей стороне прямоугольника, измеренным в месте наибольшего сечения.
9.2.5.2.	Устройствами для моделирования условий обтекания на скоростях, превышающих 5 М, включая тепловые, плазменно - дуговые, импульсные и ударные аэродинамические трубы, а также аэрогазодинамические установки и легкогазовые пушки;	9031 20 000 0
9.2.5.3.	Аэродинамическими трубами или устройствами, отличными от двухмерных, имеющими возможность имитировать потоки с числом Рейнольдса, превышающим 25 x 1E6	9031 20 000 0
9.2.6.	Оборудование, специально разработанное для виброакустических испытаний, обладающее уровнем звукового давления 160 дБ или более (относительно 20 мкПа), расчетной мощностью 4 кВт или более, рабочей температурой в камере, превышающей 1273 K (1000 град. C), и имеющее специально разработанные для него кварцевые нагреватели	9031 20 000 0
9.2.7.	Оборудование, специально разработанное для проверки целостности ракетных двигателей с использованием техники неразрушающего контроля, отличающейся от плоскостного рентгеновского облучения или требующей взятия основных физических и химических проб	9022 29 000 0; 9024 10; 9031
9.2.8.	Датчики, специально разработанные для непосредственного измерения поверхностного трения на стенке в потоке с температурой торможения, превышающей 833 K (560 град. C)	9025 19 990 0; 9027 80 980 0
9.2.9.	Оснастка, специально разработанная для производства методом порошковой металлургии элементов роторов турбин двигателей, способных функционировать при напряжении на уровне 60% предельной прочности на растяжение или более и температуре металла 873 K (600 град. C) или более	8462 99 100 0

9.3.	Материалы - нет
9.4.	Программное обеспечение
9.4.1.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для разработки оборудования или технологии, контролируемых по пунктам 9.1, 9.2 или 9.5.3
9.4.2.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для производства оборудования, контролируемого по пункту 9.1 или 9.2
9.4.3.	Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для задействования полностью автономных электронно - цифровых систем управления двигателями (ФАДЕК), контролируемыми по пункту 9.1, или оборудования, контролируемого по пункту 9.2, такое как:
9.4.3.1.	Программное обеспечение в электронно - цифровых контроллерах для двигательных систем, аэрокосмических испытательных установок или воздуходувных установок для испытания авиационных двигателей;
9.4.3.2.	Программное обеспечение с допусками на аварийное выключение, используемое в ФАДЕК и ассоциированное в стендовое оборудование
9.4.4.	Другое программное обеспечение, такое как:
9.4.4.1.	Программное обеспечение для моделирования двух- или трехвязкого внутридвигательного течения потока в аэродинамических трубах или для обработки данных летных испытаний, позволяющее детально моделировать внутридвигательный поток;
9.4.4.2.	Программное обеспечение для испытаний авиационных газотурбинных двигателей, сборок или компонентов, специально разработанное для обобщения, преобразования и анализа данных в реальном масштабе времени и способное обеспечить управление с обратной связью, включая динамическую поднастройку испытуемых изделий или условий испытаний в ходе проведения эксперимента;
9.4.4.3.	Программное обеспечение, специально разработанное для управления направленной кристаллизацией или формированием единичного кристалла;
9.4.4.4.	Программное обеспечение в виде текста программы, объектного кода или машинного кода, требуемое для применения активных компенсационных систем для управления зазором венца лопаток ротора
	Примечание. По пункту 9.4.4.4 не контролируется программное обеспечение, которое входит в состав неконтролируемого оборудования, или требуемое для технического обслуживания, связанного с калибровкой, ремонтом или модернизацией системы управления с активной компенсацией зазора.
9.5.	Технология
9.5.1.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам 9.1.4 - 9.1.11, 9.2 или 9.4
9.5.2.	Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования, контролируемого по подпункту "в" пункта 9.1.1 и пунктам 9.1.4 - 9.1.11 или 9.2
	Примечания. 1. Для технологии по ремонту контролируемых структур, ламинатов или материалов смотрите пункт 1.5.2.6.
	2. Технологии разработки или производства, контролируемые по пункту 9.5, газотурбинных двигателей остаются контролируемыми, когда они используются как применяемые технологии ремонта, восстановления или капитального ремонта. Не контролируются технические данные, чертежи или документация для эксплуатационной деятельности, непосредственно связанной с калибровкой, извлечением или перемещением поврежденных или необслуживаемых без перемещения блоков, включая перемещение двигателей в целом или их модулей.
9.5.3.	Другие технологии, такие как:
9.5.3.1.	Технологии, требуемые для разработки или производства любых из следующих компонентов или систем газотурбинных двигателей:
9.5.3.1.1.	Лопаток газовых турбин, лопастей или верхних частей венцов, полученных из сплавов методом направленной кристаллизации (DS) или из одного кристалла (SC) и имеющих (по Миллеру индекс направления 001) время сопротивления на излом более 400 ч при температуре 1273 K (1000 град. C) и давлении 200 МПа, базируясь на усредненных показателях свойств материала;
9.5.3.1.2.	Многокупольных камер сгорания, работающих при средних температурах на выходе из камеры более 1813 K (1540 град. C), или камер сгорания, содержащих термически разделенные теплозащитные элементы, неметаллические теплозащитные элементы или неметаллические корпуса;
9.5.3.1.3.	Компонентов, изготовленных из органических композиционных материалов для применения при температуре более 588 K (315 град. C) или из металлических матричных, композиционных, керамических матричных, интерметаллических или армированных интерметаллических материалов, контролируемых по пунктам 1.1.2 или 1.3.7;
9.5.3.1.4.	Неохлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов или других компонентов, спроектированных для работы в газовом потоке с температурой 1323 K (1050 град. C) или более;
9.5.3.1.5.	Охлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов, иных, нежели те, что описаны в пункте 9.5.3.1.1, работающих без тепловой защиты при температуре газа в 1643 K (1370 град. C) или более;
9.5.3.1.6.	Комбинаций лопасть с профилем крыла - диск турбины, использующих жесткое соединение;
9.5.3.1.7.	Компонентов газотурбинного двигателя, использующих технологию диффузионной сварки, контролируемую по пункту 2.5.3.2;
9.5.3.1.8.	Высокоресурсных вращающихся компонентов газотурбинного двигателя, использующих материалы, изготовленные методом порошковой металлургии, контролируемые по пункту 1.3.2.2;
9.5.3.1.9.	ФАДЕК для газотурбинных двигателей и двигателей с комбинированным циклом и относящихся к ним компонентов диагностики, датчиков и специально спроектированных компонентов;
9.5.3.1.10.	Систем управления геометрией газового потока и систем управления в целом для:
	а) газогенераторных турбин;
	б) вентиляторных или мощных турбин;
	в) подвижных сопел
	Примечания. 1. Системы управления геометрией газового потока и системы управления в целом в пункте 9.5.3.1.10 не включают выходные поворотные лопатки, вентиляторы с изменяемым шагом, поворотные статоры или дренажные клапаны для компрессоров.
	2. По пункту 9.5.3.1.10 не контролируются технологии разработки или производства систем управления геометрией газового потока для реверса тяги.

9.5.3.1.11.	Систем управления зазором венца лопаток ротора, использующих технологию активной компенсации зазора турбинным кожухом, ограниченную базой данных проектирования и разработки; или
9.5.3.1.12.	Пустотелых лопаток с широкой хордой без межпролетного крепления
9.5.3.2.	Технологии, требуемые для разработки или производства любого из следующего оборудования:
9.5.3.2.1.	Аэродинамических моделей для испытаний в аэродинамической трубе, оборудованных съемными датчиками, способными транслировать данные от первичных сенсоров в систему сбора информации;
9.5.3.2.2.	Лопаток из композиционных материалов или их креплений, способных выдерживать более 2000 кВт при скоростях полета свыше 0,55 М
9.5.3.3.	Технологии, требуемые для разработки или производства компонентов газотурбинных двигателей, использующие для сверления отверстий лазер, водяную струю, электрохимическую обработку (ЭХО) или станки электроискровой обработки (СЭО) для получения отверстий, имеющих любую из следующих характеристик:
9.5.3.3.1.	Все следующие параметры:
	а) глубина, более чем в 4 раза большая их диаметра;
	б) диаметр меньше 0,76 мм; и
	в) углы наклона, равные или менее 25 град.; или
9.5.3.3.2.	Все следующие параметры:
	а) глубина, более чем в 5 раз большая их диаметра;
	б) диаметр менее 0,4 мм; и
	в) углы наклона более 25 град.
	Техническое примечание. Применительно к пункту 9.5.3.3 угол наклона измеряется от поверхности, обдуваемой потоком, тангенциально в точке, где ось отверстия пересекается с этой поверхностью.
9.5.3.4.	Технологии, требуемые для разработки или производства вертолетных систем передачи мощности, или завала конуса лопастей вертолета, или системы передачи мощности поворотного крыла летательного аппарата
(в ред. Приказа ГТК РФ от 11.01.2002 N 21)
9.5.3.5.	Технологии для разработки или производства поршневого дизельного двигателя наземных систем станции с силовой установкой, имеющей все следующие составляющие:
	а) объем бокса 1,2 куб. м или меньше;
	б) полную выходную мощность более 750 кВт на основе стандартов 80/1269/ЕЕС, ИСО 2534 или их национальных эквивалентов; и
	в) плотность мощности более 700 кВт/куб. м объема бокса
	Техническое примечание. Объем бокса: производная трех значений перпендикуляров, измеренных следующим образом:
	длина - длина коленчатого вала от переднего фланца до лицевой плоскости маховика;
	ширина - максимальное значение из следующих измерений:
	1) внешнее расстояние от одной крайней крышки клапана до другой;
	2) расстояние между краями головок цилиндров; или
	3) диаметр кожуха маховика;
	высота - наибольшее из следующих измерений:
	1) расстояние от оси коленчатого вала до верхней плоскости крышки клапана (или головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода поршня; или
	2) диаметр кожуха маховика.
9.5.3.6.	Технологии, требуемые для производства специально спроектированных компонентов для дизельных двигателей с высокой выходной мощностью, такие как:
9.5.3.6.1.	Технологии, требуемые для производства систем двигателя, имеющего все перечисленные ниже компоненты, использующие керамические материалы, контролируемые по пункту 1.3.7:
	а) гильзы цилиндров;
	б) поршни;
	в) головки цилиндров; и
	г) один из других компонентов или более (включая выхлопные отверстия, элементы турбонаддува, направляющие клапанов, сборки клапана или изолированные топливные инжекторы);
9.5.3.6.2.	Технологии, требуемые для производства систем турбонаддува с одноступенчатыми компрессорами, имеющие все следующие показатели:
	а) соотношение давлений (степень сжатия) 4:1 или выше;
	б) расход в диапазоне от 30 до 130 кг/мин.; и
	в) способность изменять сечение потока внутри компрессора или секций турбины;
9.5.3.6.3.	Технологии, требуемые для производства систем топливной инжекции со специально спроектированной многотопливной (например, дизельное или обычное топливо) способностью к изменению вязкости топлива в диапазоне от дизельного топлива (2,5 сантистокса при 310,8 K (37,8 град. C)) до бензина (0,5 сантистокса при 310,8 K (37,8 град. C)), имеющие обе следующие составляющие:
	а) инжектируемое количество больше 230 куб. мм на один впрыск в один цилиндр;
	б) детали специально спроектированного электронного управления для регулятора переключения и автоматического измерения характеристик топлива для обеспечения определенного значения момента вращения с применением соответствующих датчиков
9.5.3.7.	Технологии, требуемые для разработки или производства дизельных двигателей с высокой выходной мощностью с твердой, газофазной или жидкопленочной (или их комбинациями) смазкой стенок цилиндров, позволяющих выдерживать температуры, превышающие 723 K (450 град. C), измеряемые на стенке цилиндра в верхней предельной точке касания поршневого кольца
	Техническое примечание. Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - это двигатели с номинальным значением эффективного давления торможения в 1,8 МПа или более при скорости вращения в 2300 об./мин., обеспечивающие скорость вращения в 2300 об./мин. или более.

Главная
ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 12.08.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"

Наименование документ	ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 12.08.2002) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"
Вид документа	приказ, положение
Принявший орган	гтк рф
Номер документа	315
Дата принятия	01.01.1970
Дата редакции	12.08.2002
Дата регистрации в Минюсте	01.01.1970
Статус	не действует
Публикация	В данном виде документ опубликован не был. (в ред. от 23.05.96 - "Таможенные ведомости", N 9, 1996)
Навигатор	Примечания

Законодательная база Российской Федерации

Бесплатная консультация

Навигация

Федеральное законодательство

Действия