Приложения ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ"

Действия

Главная
ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ"

не действует Редакция от 26.11.2007 Подробная информация

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ"

Приложения

Приложение N 1
к федеральной целевой программе "Развитие
электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Приложение N 1. ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ

	Единица измерения	2007 год	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2015 год
Индикатор

Достигаемый технологический уровень электроники	мкм	0,18	0,18	0,13	0,13	0,1-0,09	0,045

Показатели

Увеличение объемов продаж изделий электронной и радиоэлектронной техники	млрд. рублей	19	58	70	95	130	300
Количество разработанных базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)	-	3-5	16-20	80-90	125-135	179-185	260-270
Количество завершенных и разрабатываемых проектов базовых центров проектирования функционально сложной электронной компонентной базы в организациях электронной промышленности Роспрома, в том числе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" (нарастающим итогом)	-	-	6	8	14	27	35
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома (нарастающим итогом)	-	-	2	2	2	4	7
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	1	4
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	11
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Рособразования, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	1	1	2	2	7
Количество объектов технологического перевооружения электронных производств на основе передовых технологий в организациях электронной промышленности (нарастающим итогом)	-	1	1	5	10	23	89
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях приборостроения и промышленности средств связи Роспрома (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	11
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	1	9
Количество объектов реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)	-	-	-	-	-	-	8
Количество завершенных поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)	-	1	3	9	15-17	18-21	32-37
Количество реализованных мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)	-	4	11-12	16-20	22-25	36-40	55-60
Количество создаваемых рабочих мест (нарастающим итогом)	-	450	1020-1050	1800-2200	3000-3800	3800-4100	5000-6000

Приложение N 2
к федеральной целевой программе "Развитие
электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Приложение N 2. ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

	Мероприятия	2008-2015 годы - всего	В том числе					Ожидаемые результаты
	Мероприятия	2008-2015 годы - всего	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012-2015 годы	Ожидаемые результаты
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы

Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника

1.	Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3B5	207 --- 138	147 --- 98	60 -- 40				создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
2.	Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона	265 --- 175		60 -- 40	120 --- 79	85 -- 56		создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А3В5 для бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
3.	Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур	314 --- 210	214 --- 143	100 --- 67		-	-	создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации (2009 год)
4.	Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур	770 --- 512		136 --- 90	337 --- 225	297 --- 197		создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для техники связи, радиолокации (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
5.	Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний- германий"	237 --- 151	166 --- 111	71 -- 40				создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
6.	Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний- германий"	532 --- 352		100 --- 64	246 --- 164	186 --- 124		создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
7.	Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетероструктур "кремний- германий"	111 --- 81	76 -- 51	35 -- 30				разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
8.	Разработка базовых технологий проектирования кремний-германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков	207 --- 142		40 -- 30	100 --- 67	67 -- 45		создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
9.	Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры	120 --- 80	60 -- 40	60 -- 40				создание базовых технологий производства элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
10.	Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры	153 --- 102			89 -- 60	64 -- 42		создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
11.	Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью	124 --- 85	74 -- 52	50 -- 33				создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
12.	Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов	150 --- 97		45 -- 30	60 -- 40	45 -- 27		создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
13.	Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х- и С-диапазонов на основе новых материалов	93 -- 62			60 -- 32	33 -- 30		создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х- и С-диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
14.	Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов	96 -- 62	53 -- 35	43 -- 27				создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
15.	Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов	170 --- 116			95 -- 70	75 -- 46		создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S- и L-диапазонов для техники связи, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
16.	Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов для их массового производства	87 -- 57	45 -- 27	42 -- 30				разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
17.	Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения	104 --- 69	54 -- 36	50 -- 33				создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
18.	Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного назначения	141 --- 95			89 -- 60	52 -- 35		разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
19.	Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами	85 -- 57	45 -- 30	40 -- 27				создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2008 год), создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
20.	Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа	85 -- 57			45 -- 30	40 -- 27		создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа (2011 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
21.	Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования	156 --- 104	86 -- 57	70 -- 47				создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств (2009 год), разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии

22.	Разработка базовых технологий создания мощных вакуумных сверхвысокочастотных устройств	2670 ---- 1780	375 --- 250	420 --- 280	450 --- 300	525 --- 350	900 --- 600	создание конструктивных рядов и базовых технологий проектирования и производства мощных и сверхмощных вакуумных сверхвысокочастотных приборов для аппаратуры широкого назначения нового поколения (2009 год, 2011 год), включая разработку: конструкций многолучевых электронно-оптических систем, включая автоэмиссионные катоды повышенной мощности и долговечности (2012 год); мощных широкополосных ламп бегущей волны импульсного и непрерывного действия, магнетронов, тетродов миллиметрового диапазона (2013 год); малогабаритных ускорителей электронов с энергией до 10 МЭВ для терапевтических и технических приложений (2014 год)
23.	Разработка базовых технологий создания мощных твердотельных сверхвысокочастотных устройств на базе нитрида галлия	1785 ---- 1190	150 --- 100	300 --- 200	300 --- 200	135 --- 90	900 --- 600	создание базовых конструкций и технологий изготовления сверхвысокочастотных мощных приборов на структурах с использованием нитрида галлия (2008 год, 2010 год), включая: создание гетеропереходных полевых транзисторов с диодом Шоттки с удельной мощностью до 30- 40 Вт/мм и рабочими напряжениями до 100 В; исследования и разработку технологий получения гетероструктур на основе слоев нитрида галлия на изоляторе и высокоомных подложках (2013 год); разработка технологии получения интегральных схем, работающих в экстремальных условиях (2015 год)
24.	Исследование перспективных типов сверхвысокочастотных приборов и структур, разработка технологических принципов их изготовления	1080 ---- 720					1080 ---- 720	исследование технологических принципов формирования перспективных сверхвысокочастотных приборов и структур, включая создание наногетероструктур, использование комбинированных (электронных и оптических методов передачи и преобразования сигналов), определение перспективных методов формирования приборных структур, работающих в частотных диапазонах до 200 ГГц
25.	Разработка перспективных методов проектирования и моделирования сложнофункциональной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы	1050 ---- 700					1050 ---- 700	создание полного состава прикладных программ проектирования и оптимизации сверхвысокочастотной электронной компонентной базы, включая проектирование активных приборов, полосковых линий передачи, согласующих компонентов, формируемых в едином технологическом процессе
	Всего по направлению 1	10791 ----- 7194	1545 ---- 1030	1722 ---- 1148	1930,5 ------ 1327	1603,5 ------ 1069	3930 ---- 2620

Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база

26.	Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм	151 ----- 100,8	71 ---- 47,4	80 ---- 53,4				создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2009 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
27.	Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм	315,4 ----- 210,3			59,4 ---- 39,6	256 ----- 170,7		создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2011 год), разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высокоинтегрированной радиационно-стойкой элементной базы
28.	Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм	155 ----- 103,4	71 ---- 47,4	84 -- 56				создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм (2009 год)
29.	Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм	360,1 ----- 240			81,5 ---- 54,3	278,6 ----- 185,7		создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм
30.	Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы	174 --- 116	98 ---- 65,3	76 ---- 50,7				создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2009 год)
31.	Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы	261 ----- 174,2			56 ---- 37,3	205 ----- 136,9		создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы (2011 год)
32.	Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплиментарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса	140,8 ----- 93,9	83,2 ---- 55,4	57,6 ---- 38,5				разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения
33.	Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире	374 ----- 249,5			74,5 ---- 49,8	299,5 ----- 199,7		создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2011 год)
34.	Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления	152,6 ----- 98,4	80,6 ---- 50,4	72 -- 48				разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А (2009 год)
35.	Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов	81,2 ---- 57,5	33,2 ---- 25,5	48 -- 32				создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
36.	Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы	251 ----- 167,3			61,1 ---- 40,7	189,9 ----- 126,6		разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
37.	Разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно стойких сверхбольших интегральных схем	975 --- 650					975 --- 650	создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости (2012 год, 2015 год)
38.	Разработка расширенного ряда радиационно стойких сверхбольших интегральных схем для специальной аппаратуры связи, обработки и передачи информации, систем управления	975 --- 600					975 --- 600	разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения, разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А, создание ряда микронанотриодов и микронанотриодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
39.	Разработка и совершенствование методов моделирования и проектирования радиационно стойкой элементной базы	951 --- 634					951 --- 634	разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы для определения технически обоснованных норм испытаний
40.	Разработка и совершенствование базовых технологий и конструкций радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на структурах "кремний на сапфире" и "кремний на изоляторе" с топологическими нормами не менее 0,18 мкм	975 --- 650					975 --- 650	создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2014 год), создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год)
	Всего по направлению 2	6293 ------ 4195,3	437,1 ----- 291,4	417,6 ----- 278,6	332,5 ----- 221,7	1229,4 ------ 819,6	3876 ---- 2584

Направление 3. Микросистемная техника

41.	Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем	209 --- 105	112 --- 75	97 -- 30				создание базовых технологий (2009 год) и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
42.	Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем	424 --- 277	-	75 -- 60	228 --- 141	121 --- 76		разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов и микросистем контроля давления, микроакселерометров, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
43.	Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем	155 --- 100	110 --- 70	45 -- 30				создание базовых технологий (2009 год) и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники

44.	Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем	418 --- 280		71 -- 60	225 --- 143	122 --- 77		разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин - микроакселерометров, микрогироскопов на поверхностных акустических волнах, датчиков давления и температуры, датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений, резонаторов
45.	Разработка базовых технологий микроаналитических систем	55 -- 38	55 -- 38					создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
46.	Разработка базовых конструкций микроаналитических систем	224 --- 164		64 -- 30	102 --- 86	58 -- 48		создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах
47.	Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем	94 -- 71	59 -- 41	35 -- 30				создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2009 год)
48.	Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем	208 --- 145		35 -- 30	112 --- 75	61 -- 40		разработка базовых конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения
49.	Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей	55 -- 38	55 -- 38					создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур (2008 год)
50.	Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей	214 --- 137		54 -- 30	104 --- 69	56 -- 38		разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях
51.	Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем	77 -- 61	45 -- 31	32 -- 30				разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели (2009 год)
52.	Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем	166 --- 119		32 -- 30	87 -- 58	47 -- 31		разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий
53.	Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники	40 -- 24	40 -- 24					создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
54.	Разработка перспективных технологий и конструкций микрооптоэлектромеханических систем для оптической аппаратуры, систем отображения изображений, научных исследований и специальной техники	1155 ---- 770					1155 ---- 770	создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения (2012 год), акустооптических перестраиваемых фильтров (2012 год), двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей (2013 год), разработка базовых технологий, конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения (2015 год)
55.	Разработка и совершенствование методов и средств контроля, испытаний и аттестации изделий микросистемотехники	1155 ---- 770					1155 ---- 770	создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
56.	Разработка перспективных технологий и конструкций микроаналитических систем для аппаратуры контроля и обнаружения токсичных, горючих, взрывчатых и наркотических веществ	1170 ---- 780					1170 ---- 780	создание перспективных технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства (2012 год, 2013 год, 2014 год)
	Всего по направлению 3	5818,5 ------ 3879	475,5 ----- 317	540 --- 360	858 --- 572	465 --- 310	3480 ---- 2320

Направление 4. Микроэлектроника

57.	Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм	270 ----- 125,6	148,9 ----- 76,6	121,1 ----- 49				разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне, разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме
58.	Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного)	34 ---- 22,7	22 ---- 14,7	12 -- 8				разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов
59.	Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений; универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания	766,9 ----- 466,8	336,7 ----- 180	430,2 ----- 286,8				разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
60.	Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит; микроэлектронных устройств различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнито-электрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов	1801,6 ------ 1200,9			799,8 ------ 533,1	1001,8 ------ 667,8		разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
61.	Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм	462,4 ----- 308,3	252,4 ----- 168,3	210 ----- 140				разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической документации и ввод в эксплуатацию производственной линии
62.	Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu	894,8 ----- 596,2			146,3 ----- 97,3	748,5 ----- 498,9		разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
63.	Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей	494,2 ----- 294,2		211,1 ----- 105,6	166,4 ----- 110,9	116,7 ----- 77,7		разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
64.	Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов	173 --- 173	68 -- 68	105 --- 105				разработка технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков
65.	Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно- и ионно-лучевое зондирование и другие)	227 --- 227	132 --- 132	95 -- 95				разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов

66.	Разработка базовых субмикронных технологий уровней 0,065- 0,045 мкм	1200 ---- 800					1200 ---- 800	разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,045 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) (2014 год). Создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования сверхбольших интегральных схем; создание базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu (2015 год), освоение и развитие технологии проектирования и изготовления для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных изделий, а также с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,045 мкм, разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров
67.	Исследование технологических процессов и структур для субмикронных технологий уровней 0,032 мкм	1425 ---- 950					1425 ---- 950	создание технологии сверхбольших интегральных схем технологических уровней 65-32 нм, организация опытного производства (2015 год)
68.	Разработка перспективных технологий и конструкций изделий интеллектуальной силовой электроники для применения в аппаратуре бытового и промышленного применения, на транспорте, в топливно-энергетическом комплексе и в специальных системах	1425 ---- 950					1425 ---- 950	создание технологий и конструкций перспективных изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; создание встроенных интегральных источников питания (2013-2015 годы)
69.	Разработка перспективных технологий сборки сверхбольших интегральных схем в многовыводные корпуса, в том числе корпуса с матричным расположением выводов и технологий многокристальной сборки, включая создание "систем в корпусе"	1650 ---- 1100					1650 ---- 1100	разработка перспективной технологии многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей (2015 год)
	Всего по направлению 4	11222 ------ 7214,7	993,4 ----- 639,6	1236,4 ------ 789,4	1151 ----- 741,3	1913,6 ------ 1244,4	5927,5 ----- 3800

Направление 5. Электронные материалы и структуры

70.	Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза	78 -- 49	51 -- 32	27 -- 17				внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов
71.	Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А В для 3 5 мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем	131 --- 87			77 -- 51	54 -- 36		создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А В для обеспечения 3 5 разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов (2011 год)
72.	Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60- 90 ГГц	77 -- 50	50 -- 32	27 -- 18				создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60- 90 ГГц (2009 год)
73.	Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов	133 --- 88			79 -- 52	54 -- 36		создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления
74.	Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для обеспечения производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе	77 -- 49	50 -- 31	27 -- 18				создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год)
75.	Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов	134 --- 88			79 -- 52	55 -- 36		создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2011 год)
76.	Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника	57 -- 38	36 -- 24	21 -- 14				создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год)
77.	Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники	106 --- 69		25 -- 17	44 -- 28	37 -- 24		создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплиментарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)
78.	Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем	57 -- 38	36 -- 24	21 -- 14				создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния
79.	Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств	105 --- 70			61 -- 41	44 -- 29		создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)
80.	Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники	141 --- 93	57 -- 38	84 -- 55				создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год)
81.	Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения	160 --- 90	52 -- 35	108 --- 55				создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год)
82.	Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов	146 --- 96	54 -- 36	92 -- 60				создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год)
83.	Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией	92 -- 63	36 -- 24	56 -- 39				разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов, с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год)
84.	Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25- 0,18 мкм	216 --- 162	72 -- 48	144 --- 114				создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25- 0,18 мкм (2009 год)
85.	Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами	232 --- 161			109 --- 78	123 --- 83		разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2010 год, 2011 год)
86.	Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм	220 --- 143			85 -- 53	135 --- 90		создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011 год)
87.	Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики	46 -- 34	28 -- 22	18 -- 12				создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)
88.	Разработка технологий производства соединений А3В5 и тройных структур для: производства сверхмощных лазерных диодов; высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов; фотоприемников среднего инфракрасного диапазона	87 -- 58			32 -- 22	55 -- 36		создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе: производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год); высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год); фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2011 год)
89.	Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения	48 -- 33	30 -- 33	18 -- 33				создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год)
90.	Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе: катодов и газопоглотителей; электронно-оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок	86 -- 57			32 -- 22	54 -- 35		создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год), электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год), стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год)
91.	Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия	47 -- 32	30 -- 20	17 -- 12				создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год)

92.	Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур	85 -- 58			32 -- 22	53 -- 36		создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)
93.	Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и т. п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами	47 -- 32	30 -- 20	17 -- 12				создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год), в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники
94.	Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов	86 -- 58			33 -- 21	53 -- 37		создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год)
95.	Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения	1395 ---- 930					1395 ---- 930	создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)
96.	Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки	1395 ---- 930					1395 ---- 930	создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0,065- 0,032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год)
97.	Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы	1380 ---- 920					1380 ---- 920	создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год), создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)
	Всего по направлению 5	6864 ---- 4576	612 --- 408	702 --- 468	663 --- 442	717 --- 478	4170 ---- 2780

Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы

98.	Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2- 5 нс	33 -- 22	18 -- 12	15 -- 10				разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения
99.	Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом	120 --- 80		21 -- 14	48 -- 32	51 -- 34		создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год)
100.	Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа	32 -- 21	17 -- 11	15 -- 10				создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)
101.	Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц	39 -- 26	39 -- 26					создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем (2008 год)
102.	Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе"	96 -- 64		33 -- 22	63 -- 42			создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов (2010 год)
103.	Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем	69 -- 46			48 -- 32	21 -- 14		создание базовой технологии (2010 год) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи
104.	Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений	30 -- 20	30 -- 20					создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля
105.	Разработка базовой технологии унифицированных электронно-оптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона	37 -- 24	16 -- 10	21 -- 14				создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах (2009 год)
106.	Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры	84 -- 55	45 -- 30	39 -- 25				создание базовой технологии (2008 год) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения
107.	Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения), специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения	96 -- 64	45 -- 30	51 -- 34				создание базовой технологии (2008 год) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи
108.	Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта	98 -- 65		15 -- 10	60 -- 40	23 -- 15		разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 год), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства
109.	Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемопередающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона	47 -- 32	22 -- 15	25 -- 17				создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах (2008 год, 2009 год)
110.	Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве	67 -- 45	55 -- 37	12 -- 8				создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 год), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры
111.	Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением	52 -- 35	25 -- 17	27 -- 18				разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем
112.	Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения	45 -- 30	24 -- 16	21 -- 14				создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения
113.	Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа	90 -- 60		15 -- 10	57 -- 38	18 -- 12		создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи (2010 год, 2011 год)
114.	Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой	51 -- 34	24 -- 16	27 -- 18				создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата (2009 год)
115.	Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения	60 -- 40	30 -- 20	30 -- 20				создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве для обеспечения задач энергосбережения (2009 год)

116.	Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа	38 -- 25	18 -- 12	20 -- 13				создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре (2009 год)
117.	Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку"	162 --- 108		33 -- 22	99 -- 66	30 -- 20		создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2010 год, 2011 год)
118.	Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения	183 --- 122	45 -- 30	33 -- 22	105 --- 70			создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям (2010 год)
119.	Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей	162 --- 108		33 -- 22	99 -- 66	30 -- 20		создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования (2010 год)
120.	Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения	72 -- 48	24 -- 16	18 -- 12	30 -- 20			разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий, для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники (2010 год)
121.	Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона сопротивления, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства	105 --- 70			45 -- 30	60 -- 40		разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля (2011 год)
122.	Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции	192 --- 128		24 -- 16	78 -- 52	90 -- 60		создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур (2010 год, 2011 год)
123.	Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки	48 -- 32	36 -- 24	12 -- 8				создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью (2009 год)
124.	Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов	60 -- 40	30 -- 20	30 -- 20				создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочип-резисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре (2009 год)
125.	Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чип-конденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками	129 --- 86	24 -- 16	30 -- 20	75 -- 50			создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристиками с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности (2010 год)
126.	Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда	41 -- 27	20 -- 13	21 -- 14				создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией (2009 год)
127.	Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы	115 --- 77		25 -- 17	60 -- 40	30 -- 20		создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью (2011 год)
128.	Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками	49 -- 33	24 -- 16	25 -- 17				создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем (2009 год)
129.	Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам	27 -- 18	27 -- 18					создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов (2008 год)
130.	Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа	97 -- 65	46 -- 31	51 -- 34				создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения (2009 год)
131.	Комплексное исследование и разработка пленочных технологий изготовления высокоэкономичных крупноформатных гибких и особо плоских экранов	825 --- 550					825 --- 550	комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" (2012 год), создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем (2014 год)
132.	Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных и квантовых структур и приборов нового поколения	825 --- 550					825 --- 550	создание технологии формирования нового поколения оптоэлектронных комплексированных приборов, обеспечивающих создание "системы на кристалле" с оптическими входами-выходами (2014 год, 2015 год)
133.	Разработка перспективных технологий промышленного изготовления солнечных высокоэффективных элементов	811,5 ----- 541					811,5 ----- 541	создание перспективной технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования (2015 год)
	Всего по направлению 6	5086,5 ------ 3391	684 --- 456	721,5 ----- 481	867 --- 578	352,5 ----- 235	2461,5 ----- 1641

Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции

134.	Разработка базовых технологий создания рядов приемопередающих унифицированных электронных модулей для аппаратуры связи, радиолокации, телекоммуникаций, бортовых радиотехнических средств	4395 ---- 2930	90 -- 60	135 --- 90	135 --- 90	735 --- 490	3300 ---- 2200	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной элементной базы и последних достижений в разработке алгоритмов сжатия видеоизображений приемопередающих унифицированных электронных модулей аппаратуры связи, телекоммуникаций, цифрового телевидения, бортовых радиотехнических средств, активных фазированных антенных решеток с параметрами: диапазон частот до 100 ГГц; скорость передачи информации до 100 Гбит/с; создание базовых технологий и конструкции для создания унифицированных рядов приемопередающих унифицированных электронных модулей аппаратуры волоконно-оптических линий связи когерентных, высокоскоростных каналов со спектральным уплотнением, телекоммуникаций, цифрового телевидения, обеспечивающих импортозамещение в этой области; разработка новых технологий
135.	Разработка базовых технологий создания нового класса унифицированных электронных модулей для обработки аналоговых и цифровых сигналов на основе устройств функциональной электроники, приборов обработки сигналов аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей, сенсоров и преобразователей	2820 ---- 1880	60 -- 40	105 --- 70	90 -- 60	465 --- 310	2100 ---- 1400	создание на основе базовых технологий и современной отечественной твердотельной компонентной электронной базы унифицированных электронных модулей нового поколения для обработки аналоговых и цифровых сигналов РЛС и других радиотехнических систем в высокочастотных, ПЧ и сверхвысокочастотных диапазонах, освоение производства нового класса многофункциональных радиоэлектронных устройств, разработка унифицированных электронных модулей преобразователей физических и химических величин для измерения и контроля широкой номенклатуры параметров микромеханических систем
136.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, навигации (угловых и линейных перемещений, ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени)	1725 ---- 1150	45 -- 30	60 -- 40	60 -- 40	285 --- 190	1275 ---- 850	создание рядов унифицированных электронных модулей для систем телеметрии, управления, радиолокационных, робототехнических, телекоммуникационных систем и навигации (ориентации, стабилизации, позиционирования, наведения, радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко снизить стоимость и организовать крупносерийное производство радиоэлектронных средств широкого применения
137.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных модулей процессоров, скоростного и сверхскоростного ввода-вывода данных, шифрования и дешифрования данных, интерфейсов обмена, систем сбора и хранения информации, периферийных устройств, систем идентификации и управления доступом, конверторов, информационно-вычислительных систем	3285 ---- 2190	60 -- 40	105 --- 70	105 --- 70	540 --- 360	2475 ---- 1650	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы унифицированных электронных модулей широкой номенклатуры для применения в различных информационных системах, в том числе унифицированных электронных модулей шифрования и дешифрования данных; разработка базовых технологий и конструкций унифицированных электронных модулей на поверхностных акустических волнах систем радиочастотной и биометрической идентификации, систем идентификации личности, транспортных средств, электронных паспортов, логистики, контроля доступа на объекты повышенной безопасности, объектов атомной энергетики. В создаваемых унифицированных электронных модулях будет обеспечена скорость обмена и передачи информации до 30 Гб/сек
138.	Разработка базовых технологий создания рядов унифицированных электронных цифровых модулей для перспективных магистрально-модульных архитектур	1680 ---- 1120	45 -- 30	60 -- 40	60 -- 40	270 --- 180	1245 ---- 830	разработка на основе перспективных отечественных сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" базового ряда электронных модулей для создания перспективных магистрально-модульных архитектур, обеспечивающих создание защищенных средств вычислительной техники нового поколения (автоматизированные рабочие места, серверы, средства высокоскоростных линий волоконной связи), функционирующих с использованием современных высокоскоростных последовательных и параллельных системных интерфейсов

139.	Разработка базовых технологий создания ряда унифицированных электронных модулей для контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля, диагностики блоков радиоэлектронной аппаратуры, для стандартных и встроенных систем контроля и измерений	1980 ---- 1320	45 -- 30	75 -- 50	60 -- 40	330 --- 220	1470 ---- 980	создание на основе современной и перспективной отечественной электронной компонентной базы рядов унифицированных электронных модулей, обеспечивающих возможность создания по модульному принципу контрольно-измерительной, метрологической и поверочной аппаратуры, аппаратуры тестового контроля и диагностики на основе базовых несущих конструкций; создание комплекта сложнофункциональных блоков, определяющих ядро измерительных приборов, систем и комплексов, разработка законченных функциональных модулей, предназначенных для поверки и диагностики выполнения процессорных и интерфейсных функций сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для систем управления, а также систем проектирования и изготовления модулей систем управления и бортовых электронно-вычислительных машин, систем обработки информации и вычислений
140.	Разработка базовых технологий создания нового поколения унифицированных рядов средств электропитания и преобразователей электроэнергии для радиоэлектронных систем и аппаратуры гражданского и двойного назначения	2865 ---- 1910	60 -- 40	90 -- 60	90 -- 60	480 --- 320	2145 ---- 1430	разработка базовых технологий создания системообразующих унифицированных рядов средств (систем, источников, сервисных устройств) и преобразователей электроэнергии нового поколения межвидового и межведомственного применения, в том числе средств электропитания с высокой плотностью упаковки элементов с применением бескорпусных изделий, плоских моточных изделий пленочной технологии, новых методов экранирования, отвода и рассеяния тепла, основанных на применении наноразмерных материалов с высокой анизотропной теплопроводностью. Будут разработаны базовые технологии создания: унифицированных рядов источников электропитания; преобразователей электрической энергии; источников и систем бесперебойного электропитания; фильтров сетевых модулей автоматического переключения каналов; модулей защиты от сетевых помех; адаптеров
141.	Разработка оптимизированной системы базовых несущих конструкций первого, второго и третьего уровней для наземной, морской, авиационной и космической радиоэлектронной аппаратуры специального и двойного назначения, предназначенной для жестких условий эксплуатации, в том числе работающей в негерметизированном отсеке с использованием прогрессивных технологий	3195 ---- 2130	60 -- 40	105 --- 70	105 --- 70	525 --- 350	2400 ---- 1600	разработка системы базовых несущих конструкций, изготавливаемых на основе прогрессивных технологий и обеспечивающих техническую совместимость со всеми видами современных объектов с использованием новых полимерных материалов. Применение оптимизированных базовых несущих конструкций позволит сократить сроки разработки радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 раза, снизить трудоемкость изготовления базовых несущих конструкций в 1,5 - 2 раза, на 25 процентов уменьшить материалоемкость и сократить затраты на производство радиоэлектронной аппаратуры в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить эффективное импортозамещение
142.	Разработка базовых технологий комплексно интегрированных базовых несущих конструкций с функциями контроля, диагностики, индикации функционирования	1695 ---- 1130	30 -- 20	45 -- 30	60 -- 40	285 --- 190	1275 ---- 850	разработка базовых несущих конструкций с функциями контроля, в том числе контроля температуры, влажности, задымления в корпусах радиоэлектронной аппаратуры, уровня вибрации, контроля параметров составных частей радиоэлектронной аппаратуры - унифицированных электронных модулей, индикации рабочих режимов и аварийных сигналов для идентификации контролируемых параметров, разработка герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций, обеспечивающих нормальный тепловой режим радиоэлектронной аппаратуры и выполняющих функции измерения и регулирования в требуемом диапазоне температуры и влажности воздуха внутри герметичных и перфорированных базовых несущих конструкций. Это позволит в 1,5 - 2 раза повысить надежность радиоэлектронной аппаратуры
143.	Разработка базовых технологий создания облегченных паяных базовых несущих конструкций для радиоэлектронной аппаратуры авиационного и космического базирования на основе существующих и перспективных алюминиевых сплавов повышенной прочности, обеспечивающих отвод тепла по элементам конструкции	1320 ---- 880	45 -- 30	45 -- 30	45 -- 30	210 --- 140	975 --- 650	обеспечение улучшения массогабаритных характеристик бортовой аппаратуры на 30 процентов и повышение прочности при внешних воздействиях в 1,5 - 2 раза
144.	Разработка контейнерных базовых несущих конструкций с унифицированными интерфейсными средствами для комплексирования бортовых и наземных систем и комплексов различного назначения	1080 ---- 720	30 -- 20	45 -- 30	45 -- 30	180 --- 120	780 --- 520	повышение уровня системной интеграции и комплексирования средств и систем, повышение конкурентоспособности не менее чем в 2 раза, обеспечение функционирования аппаратуры в условиях внешних жестких воздействий
	Всего по направлению 7	26040 ----- 17360	570 --- 380	870 --- 580	855 --- 570	4305 ---- 2870	19440 ----- 54518

Направление 8. Типовые базовые технологические процессы

145.	Разработка технологии изготовления высокоплотных теплонагруженных и сильноточных печатных плат	3225 ---- 2150	60 -- 40	105 --- 70	105 --- 70	555 --- 370	2400 ---- 1600	обеспечение разработки технологий: производства печатных плат 5-го и выше классов точности, включая платы со встроенными пассивными элементами; создания межслойных соединений с переходными сопротивлениями до 1 мОм для силовых цепей электропитания; формирования слоев меди (в том числе с толщиной до 200- 400 мкм), серебра, никеля с высокими показателями проводимости; формирования финишных покрытий для бессвинцовой технологии производства изделий; производства многослойных печатных плат под высокие температуры пайки; лазерных процессов изготовления печатных плат; прямой металлизации сквозных и глухих отверстий
146.	Разработка технологии изготовления прецизионных коммутационных плат на основе керамики (в том числе низкотемпературной), металла, углепластика и других функциональных материалов	2040 ---- 1360	45 -- 30	60 -- 40	60 -- 40	360 --- 240	1515 ---- 1010	обеспечение разработки технологий: изготовления коммутационных плат для жестких условий эксплуатации и широкого диапазона частот; получения коммутационных плат с температурным коэффициентом расширения, соответствующим тепловым характеристикам многовыводных корпусов (в том числе керамических) современных приборов; обеспечения предельно минимального газовыделения в замкнутом пространстве герметичных модулей; снижения энергоемкости технологических процессов за счет применения прогрессивных материалов и методов обработки, в том числе низкотемпературной керамики; интеграции в коммутационную плату теплостоков и низкоомных проводников, пассивных элементов; прогрессивных методов формообразования элементов коммутационных плат; обеспечения совмещенного монтажа компонентов методами пайки и сварки на одной плате
147.	Разработка технологий сборки, монтажа электронных модулей, многокристальных модулей и микросборок на основе новой компонентной базы, перспективных технологических и конструкционных материалов	3780 ---- 2520	90 -- 60	120 --- 80	105 --- 70	615 --- 410	2850 ---- 1900	обеспечение разработки технологий: новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе с применением бессвинцовых припоев; высокоточного дозирования материалов, применяемых при сборке (флюсы, припои и припойные пасты, клеи, лаки, компаунды и т. п.); новых методов сборки и пайки корпусов типа BGA, CSP, Flip-chip и других на различные коммутационные платы; монтажа новой электронной компонентной базы, в том числе бескорпусных кристаллов силовых ключей на токовые шины; сборки и монтажа низкопрофильных магнитных компонентов; настройки и ремонта сложных модулей, в том числе демонтажа и повторного монтажа многовыводных компонентов с восстановлением влагозащиты
148.	Разработка технологии создания межблочных соединений для коммутации сигналов в широком диапазоне частот и мощностей	1455 ---- 970	45 -- 30	60 -- 40	60 -- 40	225 --- 150	1065 ---- 710	обеспечение разработки технологий: изготовления антенно-фидерных устройств, в том числе гибких волноводов, вращающихся сочленений с различными видами охлаждения; оптоволоконной коммутации, устойчивой к воздействию жестких условий эксплуатации для различных условий применения, в том числе для систем дистанционного управления и мониторинга; изготовления устройств коммутации (разъемов, переключателей и т. п.) различного назначения, в том числе многовыводных, герметичных, врубных, сильноточных и других
149.	Разработка методов, средств и технологии автоматизированного контроля коммутационных плат, узлов, электронных модулей и приборов специального и общего применения на этапах разработки и производства	1485 ---- 990	45 -- 30	75 -- 50	75 -- 50	225 --- 150	1065 ---- 710	повышение процента выхода годных изделий, снижение потерь на 15-30 процентов; обеспечение разработки: неразрушающих методов контроля качества монтажных соединений и многослойных структур за счет использования различного излучения и цифровой обработки информации; методов выявления напряженных состояний элементов конструкции и потенциальных неисправностей изделий; унифицированных методов и средств тестового и функционального контроля изделий различного назначения
150.	Разработка технологии производства специальных технологических и конструкционных материалов и базовой технологии защиты электронных модулей от воздействия в жестких условиях эксплуатации	3645 ---- 2430	60 -- 40	105 --- 70	105 --- 70	600 --- 400	2775 ---- 1850	импортозамещение специальных конструкционных и технологических материалов, обеспечивающих процессы бессвинцовой и комбинированной пайки, изготовления коммутационных плат; разработка влагозащитных электроизоляционных покрытий с минимальным газовыделением со сроком эксплуатации 25 и более лет; разработка быстроотверждающихся, эластичных, с низким газовыделением в вакууме клеев, компаундов; разработка материалов и технологии их применения для формирования теплостоков в высокоплотной аппаратуре; разработка высокоэффективных ферритов для планарных трансформаторов повышенной мощности; обеспечение разработки технологий: локальной защиты чувствительных компонентов, общей защиты модулей органическими материалами, в том числе наноструктурированными; вакуумно-плотной герметизации узлов и блоков со свободным внутренним объемом до 5-10 л методами пайки и сварки; изготовления вакуумно-плотных корпусов многокристальных модулей и микросборок под поверхностный монтаж на платы; формирования покрытий, обеспечивающих длительную защиту от дестабилизирующих факторов внешней среды, включая ионизирующие излучения; нанесения локальных покрытий с заданными свойствами на элементы конструкции модулей
	Итого по направлению 8	15630 ----- 10420	345 --- 230	525 --- 350	510 --- 340	2580 ---- 1720	11670 ----- 7780

Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов

151.	Разработка технологий создания систем и оборудования автоматизации проектирования радиоэлектронных систем и комплексов	2640 ---- 1760	60 -- 40	90 -- 60	90 -- 60	435 --- 290	1965 ---- 1310	создание технологий отечественного программно-аппаратного обеспечения и средств разработки для автоматизированного проектирования радиоэлектронного оборудования с использованием различных технологических процессов; повышение качества и сокращение сроков разработки радиоэлектронной продукции; создание технологий обеспечения информационной безопасности функционирования информационно-управляющих систем; существенное повышение уровней защиты информации в информационно-управляющих системах, создание базовых универсальных функциональных модулей защиты информации от несанкционированного доступа, вирусных атак, средств разведки и считывания информации, криптозащиты каналов систем; реализация полного технологического цикла проектирования, испытаний и производства унифицированной высокоэффективной, импортозамещающей, конкурентоспособной аппаратуры
152.	Разработка технологий моделирования сложных информационно-управляющих систем, в том числе систем реального времени	3120 ---- 2080	90 -- 60	120 --- 80	105 --- 70	525 --- 350	2280 ---- 1520	создание новых способов моделирования: комбинированного способа моделирования, позволяющего существенным образом повысить быстродействие вычислений при сохранении точности расчета выходных показателей эффективности; способа операционно-динамического моделирования; снижение сроков разработки и испытаний радиоэлектронной продукции; повышение достоверности математического и имитационного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний и экспериментов
153.	Разработка технологий полунатурных и стендовых испытаний сложных информационно-управляющих систем	2430 ---- 1620	45 -- 30	75 -- 50	75 -- 50	405 --- 270	1830 ---- 1220	создание метрологически аттестованной унифицированной стендовой испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ; снижение сроков разработки и стоимости испытаний радиоэлектронной продукции; существенное повышение достоверности полунатурного моделирования радиоэлектронных систем и комплексов, обеспечение максимальной сходимости результатов с результатами натурных испытаний
154.	Разработка технологии конструирования и производства, а также аппаратно-программного обеспечения метрологических систем различного назначения для создания нового поколения отечественного парка измерительной аппаратуры	2265 ---- 1510	45 -- 30	75 -- 50	75 -- 50	375 --- 250	1695 ---- 1130	разработка базовых технологий, элементов и конструкций для создания парка измерительных систем и приборов, необходимых для разработки и испытаний радиотехнических информационно-управляющих систем, систем связи и телекоммуникаций
	Итого по направлению 9	10455 ----- 6970	240 --- 160	360 --- 240	345 --- 230	1740 ---- 1160	7770 ---- 5180

Направление 10. Обеспечивающие работы

155.	Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации	93 -- 93	6 - 6	10 -- 10	7 - 7	10 -- 10	60 -- 60	разработка комплекта методической и научно-технической документации для обеспечения функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации
156.	Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения	128 --- 128	13 -- 13	20 -- 20	15 -- 15	19 -- 19	60 -- 60	разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)
157.	Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства	99 -- 99	7 - 7	12 -- 12	9 - 9	11 -- 11	60 -- 60	разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования
158.	Создание и внедрение основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы	94 -- 94	7 - 7	10 -- 10	7 - 7	10 -- 10	60 -- 60	разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы
159.	Научное сопровождение Программы, в том числе определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы	127 --- 127	13 -- 13	20 -- 20	15 -- 15	19 -- 19	60 -- 60	оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках Программы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы
160.	Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и организаций, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы	98 -- 98	7 - 7	12 -- 12	9 - 9	10 -- 10	60 -- 60	проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения Программы
161.	Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы	93 -- 93	7 - 7	10 -- 10	8 - 8	8 - 8	60 -- 60	формирование системно-ориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы
162.	Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий Программы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям	68 -- 68	8 -- 8	11 -- 11	8 - 8	7 - 7	35 -- 35	создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы
	Всего по направлению 10	800 --- 800	68 -- 68	105 --- 105	78 -- 78	94 -- 94	455 --- 455
	Итого по разделу I	99000 ----- 66000	5970 ---- 3980	7200 ---- 4800	7650 ---- 5100	15000 ----- 10000	63180 ----- 42120

II. Капитальные вложения

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ПРОМЫШЛЕННОСТИ (РОСПРОМ)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

163.	Реконструкция и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино	1393 ----- 696,5	630 --- 315	383 ----- 191,5	380 --- 190			создание производственно-технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год
164.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва	1161 ----- 580,5	220 --- 110	341 ----- 170,5	180 --- 90	420 --- 210		создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках
165.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород	280 ---- 140 <*>			100 --- 50	180 --- 90		расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год <**>
166.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов	280 ---- 140 <*>			100 --- 50	180 --- 90		ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне <**>
167.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва	400 ---- 200 <*>			210 --- 105	190 --- 95		реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности <**>
168.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск	120 ---- 60 <*>			60 --- 30	60 --- 30		реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для организаций Росатома и Роскосмоса <**>
169.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск	180 ---- 90 <*>			100 --- 50	80 --- 40		создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80- 100 тыс. штук в год для комплектования важнейших специальных систем <**>
170.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва	1520 ---- 760 <*>					1520 ---- 760	техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,18 мкм <**>
171.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва	240 ---- 120 <*>		120 --- 60	120 --- 60			организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения <**>
172.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт-Петербург	420 ---- 210 <*>					420 ---- 210	создание новых производственных мощностей для выпуска микроэлектронных датчиков физических величин и электронных датчиков для экспресс-контроля параметров крови и жизнедеятельности человека <**>
173.	Реконструкция и техническое перевооружение централизованного производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Производственное объединение "Квант", г. Великий Новгород	300 ---- 150 <*>		300 --- 150				Обеспечение потребности в базовых несущих конструкциях, в том числе импортозамещающих, предприятий приборостроения, машиностроения, судостроения и других отраслей промышленности <**>
174.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", г. Пенза	120 ---- 60 <*>		120 --- 60				техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники <**>
175.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж	60 --- 30 <*>	60 -- 30					техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год <**>
176.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронных материалов", г. Владикавказ	100 ---- 50 <*>			50 --- 25	50 --- 25		техническое перевооружение производства новых электронных материалов, используемых в микросистемотехнике, микроэлектронике и квантовой электронике <**>

177.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск-Уральский, Свердловская область	200 ---- 100 <*>			60 --- 30	140 --- 70		создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики <**>
178.	Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Авангард", г. Санкт-Петербург	200 ---- 100 <*>		100 --- 50	100 --- 50			создание спецтехнологической линии, включающей чистые производственные помещения и технологическое оборудование для выпуска современных микроэлектромеханических и микроакустоэлектромеханических систем мирового класса <**>
179.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф.В.Лукина", г. Москва	160 ---- 80 <*>					160 ---- 80 <*>	организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков (10 млн. штук в год) и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии (0,3 млн. штук в год) <**>
180.	Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область	840 ---- 420 <*>			120 --- 60	60 -- 30	660 ---- 330	расширение производства перспективных тонкостенных антенно-фидерных устройств и волноводных трактов сверхвысокочастотного диапазона, увеличение выпуска в 1,5 раза <**>
181.	Техническое перевооружение и реконструкция технологической и лабораторной базы производства и контроля перспективных радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск	1000 ---- 500 <*>					1000 ---- 500	увеличение объемов производства модулей для обработки и передачи сигналов радиолокационных, навигационных и посадочных систем до 250 штук в год, рост объемов производства на 500- 750 млн. рублей <**>
182.	Техническое перевооружение и реконструкция производства и лабораторной базы для разработки и производства перспективных радиоэлектронных модулей, изделий в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	1800 ---- 900 <*>					1800 ---- 900	повышение эффективности, надежности и конкурентоспособности отечественных радиоэлектронных модулей, изделий, комплексов и систем открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега" <**>
183.	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической, контрольно-испытательной базы нового поколения антенных систем дистанционного зондирования Земли в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон", г. Москва	1200 ---- 600 <*>					1200 ---- 600	повышение надежности и качества конечной продукции открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", создание конкурентоспособных изделий мирового уровня, увеличение годового объема производства до 6 систем в год <**>
184.	Техническое перевооружение для создания производства нового поколения радиоэлектронных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза	350 ---- 175 <*>		100 --- 50	110 --- 55	140 --- 70		создание комплексного испытательного стенда для исследования образцов техники <**>
185.	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической, контрольно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Инженерно-маркетинговый центр Концерна радиостроения "Вега", г. Москва	400 ---- 200 <*>			60 -- 30	60 -- 30	280 ---- 140	производство систем радиочастотной идентификации до 10 тыс. штук в год <**>
186.	Техническое перевооружение и реконструкция мощностей для производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область	1000 ---- 500 <*>					1000 ---- 500	обеспечение производства микропроцессорных систем управления и контроля гибридных двигательных установок различного класса в объеме до 1000 штук в месяц <**>
187.	Реконструкция и техническое перевооружение в целях создания специализированного производства прецизионных лазерных и пьезокерамических гироскопов в открытом акционерном обществе "Ижевский электромеханический завод "Купол", г. Ижевск, Удмуртская Республика	1720 ---- 860 <*>					1720 ---- 860	изготовление прецизионных лазерных и пьезокерамических гироскопов для перспективных летательных аппаратов <**>
188.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных низкочастотных типовых элементов замены и модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Марийский машиностроительный завод", г. Йошкар-Ола	1220 ---- 610 <*>					1220 ---- 610	изготовление унифицированных твердотельных низкочастотных типовых элементов замены для информационных средств и модулей активных фазированных антенных решеток для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением <**>
189.	Реконструкция и техническое перевооружение производства унифицированных электронных модулей межвидового применения на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Нижний Новгород	720 ---- 360 <*>					720 ---- 360	организация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием, увеличение объема ежегодного производства продукции с 2370 млн. рублей в 2007 году до 5028 млн. рублей в 2015 году <**>
190.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Правдинский радиозавод", г. Балахна, Нижегородская область	970 ---- 485 <*>		110 --- 55	60 -- 30	70 -- 35	730 ---- 365	увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток L-диапазона для перспективных средств связи и управления воздушным движением <**>
191.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Лианозовский электромеханический завод", г. Москва	1230 ---- 615 <*>					1230 ---- 615	увеличение объемов производства, повышение качества и надежности твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и S-диапазонов волн, для перспективных средств связи и управления воздушным движением <**>
192.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток в открытом акционерном обществе "Новосибирский завод им. Коминтерна", г. Новосибирск	450 ---- 225 <*>		100 --- 50	160 --- 80	190 --- 95		изготовление приемопередающих модулей активных фазированных антенных решеток С- и сверхвысокочастотного диапазона волн для информационных средств и информационно-управляющих систем, увеличение объема производства в 1,8 раза <**>
193.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных высокочастотных типовых элементов замены в открытом акционерном обществе "Рязанский завод "Красное Знамя", г. Рязань	800 ---- 400 <*>					800 ---- 400	изготовление унифицированных твердотельных высокочастотных типовых элементов замены для локационных систем различного применения, перспективных средств связи и управления воздушным движением, увеличение объема производства типовых элементов замены в 1,5 раза <**>
194.	Техническое перевооружение и реконструкция специализированного производства унифицированных рабочих мест операторов информационных систем в открытом акционерном обществе "Уральское производственное предприятие "Вектор", г. Екатеринбург	960 ---- 480 <*>					960 ---- 480	увеличение выпуска унифицированных автоматизированных рабочих мест операторов информационных и специального назначения управляющих систем в 1,7 раза <**>
195.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания регионального контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	960 ---- 480 <*>					960 ---- 480	внедрение современных технологий с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием для организации контрактного производства <**>
196.	Создание лабораторной, технологической и производственной базы для обеспечения разработки, производства и испытаний нового поколения телекоммуникационных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	2060 ---- 1030 <*>					2060 ---- 1030	создание конкурентоспособной продукции мирового уровня, освоение технологий двойного назначения, увеличение объема выпуска изделий до 2 - 2,5 млрд. рублей в год <**>
197.	Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективной наземной аппаратуры связи в открытом акционерном обществе "Рязанский радиозавод", г. Рязань	160 ---- 80 <*>		40 --- 20	40 --- 20	80 --- 40		увеличение объема выпуска продукции в 1,4 - 1,5 раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции <**>
198.	Реконструкция и техническое перевооружение производства перспективных коротковолновых радиостанций в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Октябрь", г. Тамбов	490 ---- 245 <*>			50 -- 25	60 -- 30	380 ---- 190	увеличение объема выпуска продукции в 1,3 - 1,5 раза, повышение качества и конкурентоспособности продукции <**>
199.	Реконструкция и техническое перевооружение производства наземной аппаратуры подвижной связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский завод "Революционный труд", г. Тамбов	350 ---- 175 <*>					350 ---- 175	модернизация производства и внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием <**>
200.	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега", г. Воронеж	600 ---- 300 <*>		90 -- 45	50 -- 25	60 -- 30	400 ---- 200	ускорение и повышение качества разработки мультисервисных сетей ведомственной и профессиональной связи, ожидаемый экономический эффект 3 млрд. рублей <**>
201.	Техническое перевооружение и реконструкция лабораторной и производственно-технологической базы нового поколения узлов связи в открытом акционерном обществе "Тамбовский научно-исследовательский институт радиотехники "Эфир", г. Тамбов	220 ---- 110 <*>		60 -- 30	80 --- 40	80 --- 40		ускорение и повышение качества разработки перспективных программно реализуемых сетей радиосвязи и серии унифицированных электронных модулей для построения указанных сетей <**>
202.	Техническое перевооружение производства открытого акционерного общества "Богородицкий завод технохимических изделий", г. Богородицк, Тульская область	1520 ---- 760 <*>					1520 ---- 760	серийное производство монокристаллических и мультикристаллических пластин кремния; производство детекторов на основе новых высокотемпературных кристаллов сцинтилляторов <**>
203.	Создание серийного производства инфракрасных оптоэлектронных компонентов в открытом акционерном обществе "РЭ Комплексные системы", г. Санкт-Петербург	1120 ---- 560 <*>					1120 ---- 560	серийное производство инфракрасных оптоэлектронных компонентов и комплекса электронных средств для обеспечения безопасности промышленных объектов <**>
204.	Техническое перевооружение с целью создания производства новых электровакуумных приборов на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Контакт", г. Саратов	320 ---- 160 <*>	100 --- 50	100 --- 50	120 --- 60			увеличение объемов производства в 1,5 раза <**>
205.	Техническое перевооружение и реконструкция производства по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона и специального технологического оборудования в открытом акционерном обществе "Владыкинский механический завод", г. Москва	300 ---- 150 <*>	100 --- 50	100 --- 50	100 --- 50			обеспечение увеличения объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей в год, увеличения ресурса изделий, создания новых приборов <**>
206.	Техническое перевооружение для создания сборочного производства электронных модулей с использованием новейшей электронной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Электромеханический завод "Звезда", г. Сергиев Посад, Московская область	800 ---- 400 <*>					800 ---- 400	создание сборочного производства с использованием микроминиатюрной элементной базы, в том числе микропроцессоров и матриц BGA <**>

207.	Реконструкция и техническое перевооружение с целью создания контрактного производства электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калужский завод телеграфной аппаратуры", г. Калуга	420 ---- 210 <*>					420 ---- 210	увеличение объема выпуска продукции до 520 млн. рублей в год <**>
208.	Техническое перевооружение и реконструкция производства и приборно-измерительной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Таганрогский научно-исследовательский институт связи", г. Таганрог	302 ---- 151 <*>					302 ---- 151	внедрение современных технологий, создание комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза <**>
209.	Техническое перевооружение и реконструкция пилотной технологической линии по изготовлению наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии на федеральном государственном унитарном предприятии "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской Академии наук", г. Москва	480 ---- 240 <*>					480 ---- 240	производство наногетероструктурных сверхвысокочастотных транзисторов и монолитных интегральных схем для систем связи, измерительной техники, радиолокации и сверхвысокочастотной радиометрии <**>
210.	Техническое перевооружение и реконструкция производства испытательной базы нового поколения пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов в открытом акционерном обществе "Завод "Метеор", г. Волжский, Волгоградская область	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	производство полного функционального ряда массовых отечественных микроминиатюрных пьезоэлектрических генераторов, фильтров, резонаторов. Увеличение объема выпуска продукции до 230-250 млн. рублей в год <**>
211.	Реконструкция и техническое перевооружение научно-производственной и лабораторной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И.Шимко", г. Казань	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	расширение производственных площадей выпуска приемопередающих модулей на 720 кв. м <**>
212.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский завод имени М.В.Фрунзе", г. Нижний Новгород	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза <**>
213.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Омское производственное объединение "Иртыш", г. Омск	300 ---- 150 <*>	120 --- 60	180 --- 90				организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза <**>
214.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей в открытом акционерном обществе "Авангард", г. Санкт-Петербург	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,5 раза <**>
215.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства по изготовлению печатных плат выше 5-го класса точности и унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение "Электроприбор", г. Пенза	1000 ---- 500 <*>					1000 ---- 500	обеспечение изготовления печатных плат с новыми финишными покрытиями до 20 000 кв. м в год; обеспечение изготовления унифицированных электронных модулей на печатных платах в количестве до 400 тыс. штук в год <**>
216.	Техническое перевооружение и реконструкция производства электронных сверхвысокочастотных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород	600 ---- 300 <*>					600 ---- 300	внедрение современной технологии с соответствующим переоснащением высокопроизводительным оборудованием. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза <**>
217.	Техническое перевооружение и реконструкция производства систем, комплексов и средств, защиты информации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва	510 ---- 255 <*>					510 ---- 255	обеспечение разработки, производства и аттестации средств комплексов и систем защиты информации. Увеличение объема выпуска продукции до 0,8 - 1,2 млрд. рублей <**>
218.	Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций (БНК) на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт "Градиент", г. Ростов-на-Дону	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	обеспечение потребности организаций в базовых несущих конструкциях для всех видов радиоэлектронной аппаратуры. Увеличение объема выпуска продукции в 2 раза <**>
219.	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы для создания комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва	360 ---- 180 <*>					360 ---- 180	обеспечение разработки, производства и аттестации комплексов средств автоматизации информационно-управляющих систем. Увеличение объема выпуска продукции до 0,52 млрд. рублей <**>
220.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Калугаприбор", г. Калуга	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза <**>
221.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза <**>
222.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза <**>
223.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Курский завод "Маяк", г. Курск	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 2,5 раза <**>
224.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Полюс" имени М.Ф.Стельмаха", г. Москва	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,8 раза <**>
225.	Техническое перевооружение с целью создания контрактного производства унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург	300 ---- 150 <*>					300 ---- 150	организация контрактной сборки массовой продукции, увеличение объема производства контрактной продукции в 1,7 раза <**>
226.	Техническое перевооружение с целью создания мощностей по выпуску источников вторичного электропитания в открытом акционерном обществе "Специальное конструкторско-технологическое бюро по релейной технике", г. Великий Новгород	240 ---- 120 <*>					240 ---- 120	увеличение объема производства в 1,5 раза <**>
227.	Реконструкция и техническое перевооружение производства и испытательной базы широкополосных сверхвысокочастотных устройств на федеральном государственном унитарном предприятии "Брянский электромеханический завод", г. Брянск	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	увеличение объема производства радиоэлектронных изделий на 170 млн. рублей <**>
228.	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-испытательных мощностей на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственное конструкторское бюро аппаратно-программных средств "Связь", г. Ростов-на-Дону	100 ---- 50 <*>					100 ---- 50	увеличение объема выпуска продукции на 100 млн. рублей, освоение серийного производства изделий "Орион-3М", "Орион-3СМ", "Анализ", "Страж-ПМ" и других <**>
229.	Техническое перевооружение и реконструкция научно-технического и производственного комплексов по выпуску электровакуумных приборов сверхвысокочастотного диапазона на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва	800 ---- 400 <*>					800 ---- 400	увеличение объема выпуска продукции до 1,5 - 2 млрд. рублей в год, снижение себестоимости продукции <**>
230.	Техническое перевооружение и реконструкция регионального производства базовых несущих конструкций на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород	300 ---- 150 <*>	200 --- 100	100 --- 50				увеличение объема выпуска продукции в 2 раза <**>
231.	Техническое перевооружение и реконструкция производства, метрологической и стендовой базы для наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе в открытом акционерном обществе "Центральный научно-исследовательский технологический институт "Техномаш", г. Москва	480 ---- 240 <*>					480 ---- 240	организация производства базисных материалов и элементов для разработки приборов и устройств контроля сверхмалых количеств химических и биологических веществ с использованием наноструктурированных материалов, слоистых структур и композитов на их основе <**>
232.	Реконструкция и техническое перевооружение испытательного центра для обеспечения комплекса работ по корпусированию и испытаниям сложнофункциональных интегральных схем в открытом акционерном обществе "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт", г. Санкт-Петербург	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	увеличение объема производства изделий до 1,9 млн. штук и 650 млн. рублей <**>
233.	Реконструкция и техническое перевооружение технологической линии по производству прецизионных многослойных печатных плат на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский приборостроительный ордена Трудового Красного Знамени завод им. Н.Г.Козицкого", г. Омск	700 ---- 350 <*>					700 ---- 350	увеличение объема выпуска продукции на 2 млрд. рублей <**>
234.	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт "Экран", г. Самара	806 ---- 403 <*>	220 --- 110	176 --- 88	190 --- 95	220 --- 110		создание конкурентоспособных изделий мирового уровня. Разработка технологий двойного назначения. Увеличение объема производства в 1,5 раза <**>

235.	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторной базы для комплексов специальной радиосвязи и управления на федеральном государственном унитарном предприятии "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск	720 ---- 360 <*>					720 ---- 360	создание комплексов конкурентоспособной аппаратуры специальной радиосвязи и управления. Увеличение объема выпуска продукции в 1,5 раза <**>
236.	Реконструкция и техническое перевооружение моделирующего центра в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт вычислительных комплексов им. М.А.Карцева", г. Москва	280 ---- 140 <*>					280 ---- 140	повышение конкурентоспособности, снижение сроков разработки на 4- 5 месяцев. Создание поведенческих моделей систем реального времени, использование систем поддержки принятия решений, проведение и анализ полунатурных испытаний, отработка алгоритмов искусственного интеллекта. Сокращение сроков испытания в 1,5 - 2 раза. Применение CALS-технологий с целью сокращения затрат и поддержки жизненного цикла разрабатываемых систем <**>
237.	Техническое перевооружение и реконструкция производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы по созданию модернизированной системы идентификации на федеральном государственном унитарном предприятии "Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники", г. Пенза	560 ---- 280 <*>					560 ---- 280	увеличение объема выпуска продукции до 421,5 млн. рублей <**>
238.	Техническое перевооружение и реконструкция метрологической, испытательной базы и производства оптических изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород	600 ---- 300 <*>					600 ---- 300	создание метрологической, испытательной базы для разработки и производства контрольно-измерительной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн. Увеличение объема производства квантовых рубидиевых стандартов частоты в 3 раза <**>
239.	Техническое перевооружение и реконструкция стендовой и испытательной базы сложных радиоэлектронных систем и комплексов в открытом акционерном обществе "Производственное объединение "Азимут", г. Махачкала	180 ---- 90 <*>					180 ---- 90	создание сверхширокополосных измерительных комплексов для измерения параметров одиночных антенн и линейных, плоских и объемных решеток систем навигации, посадки и радиолокации в ближней и дальней зонах (до 1000 м) и модернизация существующей в организации испытательной базы для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ <**>
240.	Реконструкция и техническое перевооружение производственно-технологической и лабораторно-испытательной базы в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", г. Томск	570 ---- 285 <*>				70 -- 35	500 ---- 250	увеличение объема выпуска продукции до 3 - 3,5 млрд. рублей в год <**>
241.	Техническое перевооружение и реконструкция производства сверхвысокочастотной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород	1160 ---- 580 <*>				60 -- 30	1100 ---- 550	увеличение объема производства монолитно-интегральных и гибридно-монолитных приборов и электронных компонентов (в том числе импортозамещающих) до 250 тыс. штук в год, электровакуумных и вакуумно-твердотельных модулей (в том числе на основе микроминиатюрных ламп бегущей волны) до 1 тыс. штук в год, унифицированных приемопередающих модулей (в диапазоне частот 20- 150 ГГц) до 1,5 тыс. штук в год <**>
242.	Реконструкция и техническое перевооружение для выпуска теплоотводящих керамических подложек для твердотельных сверхвысокочастотных устройств и IGBT-модулей в открытом акционерном обществе "Холдинговая компания "Новосибирский электровакуумный завод - Союз", г. Новосибирск	224 ---- 112 <*>					224 ---- 112	увеличение объема выпуска продукции до 761,5 млн. рублей в год. Серийный выпуск электронных компонентов, керамических подложек, керамических корпусов, обеспечивающих увеличение объемов производства в различных отраслях промышленности, сверхвысокочастотной техники и силовой полупроводниковой электроники <**>
243.	Техническое перевооружение и реконструкция опытного приборного производства в открытом акционерном обществе "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург	640 ---- 320 <*>					640 ---- 320	реконструкция опытного производства с учетом реализации новых технологий по изготовлению интегральных сборок, датчиков на пьезопленках и других <**>
244.	Реконструкция и техническое перевооружение организации для совершенствования судовой электротехнической продукции в открытом акционерном обществе "Научно-производственное объединение "Марс", г. Ульяновск	832 ---- 416 <*>				140 --- 70	692 ---- 346	комплексное дооснащение базовых технологий производства электронных средств вычислительной техники с целью импортозамещения и повышения конкурентоспособности; создание экспериментально-лабораторного комплекса для проведения контроля технологических параметров и испытаний <**>
245.	Реконструкция и техническое перевооружение опытно-экспериментального производства модулей функциональной микроэлектроники в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург	240 ---- 120 <*>					240 ---- 120	техническое перевооружение обеспечит: внедрение современных технологий производства модулей функциональной микроэлектроники; рост объема производства функциональных модулей в 2 - 2,5 раза; расширение номенклатуры без существенных затрат на подготовку производства; промышленное освоение технологий влагозащиты и электроизоляции модулей <**>
246.	Создание производственного комплекса для массового производства компонентов инерциальных микромеханических датчиков двойного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург	1100 ---- 550 <*>					1100 ---- 550	создание участков по производству кремниевых датчиков, многослойных плат, сборке и корпусированию инерциальных микромеханических изделий <**>
247.	Реконструкция инженерно-испытательного корпуса в открытом акционерном обществе "Концерн "Гранит-Электрон", г. Санкт-Петербург	620 ---- 310 <*>				100 --- 50	520 ---- 260	внедрение современных базовых технологий производства электронных модулей цифровой и цифроаналоговой вычислительной техники; обеспечение разработки и производства базовых унифицированных электронных модулей. Увеличение объема поставок до 10000 штук <**>
248.	Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптико-электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики", г. Казань	460 ---- 230 <*>				160 --- 80	300 ---- 150	создание новой оптической элементной базы перспективных оптико-электронных систем, обеспечивающей предельно возможные технические параметры систем, в том числе комплексированных и многоспектральных оптических каналов <**>
249.	Реконструкция производственно-испытательного комплекса федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург	640 ---- 320 <*>					640 ---- 320	разработка, испытания, опытные поставки и серийное производство новых видов оптико-электронных систем, обеспечивающих предельно возможные технические параметры изделий <**>
250.	Реконструкция корпуса 2Ж для создания лабораторно-аналитического центра инфракрасной фото- и оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва	700 ---- 350 <*>					700 ---- 350	создание единого аналитического центра по исследованиям и сертификации важнейших материалов и компонентов инфракрасной фотоэлектроники <**>
251.	Техническое перевооружение производственно-технологического комплекса по созданию оптоэлектронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "НПО "Орион", г. Москва	3720 ---- 1860 <*>					3720 ---- 1860	создание производственно-технологического комплекса, который обеспечит промышленный выпуск изделий компонентной базы 2-го и 3-го поколений и оптико-электронных систем на их основе с параметрами, превышающими современный и прогнозируемый мировой уровень <**>
252.	Техническое перевооружение производственно-технологической базы в открытом акционерном обществе "Московский завод "Сапфир", г. Москва	600 ---- 300 <*>					600 ---- 300	создание инфракрасных матричных фотоприемных устройств нового поколения и организация на их основе производства тепловизионной аппаратуры широкого применения <**>
253.	Модернизация стендово-экспериментальной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область	420 ---- 210 <*>				140 --- 70	280 ---- 140	обеспечение возможности проведения испытаний опытных образцов источников электроэнергии, статических преобразователей и аппаратуры защиты и коммутации для проекта "полностью электрический самолет" <**>
254.	Техническое перевооружение производственной базы, освоение инновационных технологий для изготовления радиоэлектронных изделий авиационной техники с использованием новых уровней технологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт авиационного оборудования", г. Жуковский, Московская область	520 ---- 260 <*>					520 ---- 260	изготовление конкурентоспособных изделий авиационной техники, соответствующих современным и перспективным международным стандартам <**>
255.	Реконструкция и техническое перевооружение экспериментально-технологической базы для производства микроэлектронных изделий на федеральном государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань	376 ---- 188 <*>				100 --- 50	276 ---- 138	создание производственных мощностей по производству современной микроэлектронной аппаратуры <**>
256.	Реконструкция и техническое перевооружение цеха по производству первичных преобразователей и вторичной аппаратуры на федеральном государственном унитарном предприятии "Казанское приборостроительное конструкторское бюро", г. Казань	230 ---- 115 <*>					230 ---- 115	производство конкурентоспособной продукции, обладающей современными показателями по надежности, быстродействию и массогабаритным характеристикам <**>
257.	Реконструкция и техническое перевооружение производства электронных систем самолетного энергоснабжения в открытом акционерном обществе "Агрегатное конструкторское бюро "Якорь", г. Москва	458 ---- 229 <*>				160 --- 80	298 ---- 149	серийное производство широкой номенклатуры статических преобразователей напряжения авиационных перспективных объектов (проект "полностью электрический самолет", истребитель 5-го поколения, программа развития гражданской авиационной техники) <**>
258.	Создание электронного полигона по исследованиям, отработке и сертификации бортового авиационного радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Летно-испытательный институт имени М.М.Громова", г. Жуковский, Московская область	1070 ---- 535 <*>					1070 ---- 535	полигон позволит проводить работы с радиоэлектронной аппаратурой в условиях реального полета с учетом информационного взаимодействия с наземными и самолетными системами обеспечения воздушного движения в реальных условиях естественных и промышленных помех <**>
259.	Создание центра сертификации аппаратных средств бортовой вычислительной техники на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	создание новой позиции для проведения сертификации аппаратных модулей бортовой вычислительной техники, включающей: аппаратное и программное оснащение центра сертификации; создание и освоение базовых инженерных методик проведения сертификации; акты ввода в эксплуатацию центра сертификации <**>
260.	Создание распределенной отраслевой стендово-имитационной среды исследований, отработки прикладного математического обеспечения, отладки и испытаний систем и комплексов авиационного бортового радиоэлектронного оборудования на федеральном государственном унитарном предприятии "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва	500 ---- 250 <*>					500 ---- 250	создание распределенной информационно-связанной сети стендов, на которой будут проводиться исследования архитектур и информационных потоков, соответствующих различным условиям полета, интерфейсов, отработка системного и функционального математического обеспечения, отладка прикладного математического обеспечения и радиоэлектронной бортовой аппаратуры, наземные сертификационные испытания радиоэлектронных систем и комплексов <**>
261.	Техническое перевооружение производства в открытом акционерном обществе "Научно-производственный комплекс "Технокомплекс", г. Раменское, Московская область	1040 ---- 520 <*>					1040 ---- 520	освоение: базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы; технологии создания фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона на основе применения отечественной электронной компонентной базы <**>
262.	Техническое перевооружение участков монтажа электронных систем и электронно-оптических модулей на федеральном государственном унитарном предприятии Санкт-Петербургское особое конструкторское бюро "Электроавтоматика", г. Санкт-Петербург	296 ---- 148 <*>					296 ---- 148	ввод в эксплуатацию производственных линий с высокой степенью автоматизации производства современной авиационной радиоэлектронной и оптико-электронной аппаратуры для коммерческой и военной авиации <**>

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

263.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс", г. Москва, для создания межотраслевого центра проектирования	160 ---- 80 <*>			60 --- 30	100 --- 50		создание межотраслевого базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м <**>
264.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Информационные телекоммуникационные технологии", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра полного цикла проектирования и производства аппаратно-программных комплексов	120 ---- 60 <*>	120 --- 60					создание базового центра системного проектирования производительностью 40 аппаратно-программных комплексов в год <**>
265.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Московский научно-исследовательский институт "Агат", г. Жуковский, Московская область, для создания базового центра проектирования	120 ---- 60 <*>			120 --- 60			создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
266.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования	80 ---- 40 <*>		30 --- 15		50 --- 25		создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <**>

267.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	460 ---- 230 <*>		60 --- 30	140 --- 70	260 --- 130		создание базового центра системного проектирования площадью 1000 кв. м <**>
268.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования	60 ---- 30 <*>		60 --- 30				создание базового центра системного проектирования площадью 250 кв. м <**>
269.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования	140 --- 70 <*>				140 --- 70		создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <**>
270.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>			80 --- 40	120 --- 60		создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв. м <**>
271.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>			80 --- 40	120 --- 60		создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв. м <**>
272.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования	120 ---- 60 <*>			120 ---- 60			создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
273.	Реконструкция и техническое перевооружение действующего предприятия федеральное государственное унитарное предприятие "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск (развитие базового центра системного проектирования СБИС)	34 --- 17	34 --- 17					создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
274.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	120 --- 60 <*>				120 --- 60		создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
275.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	232 ---- 116 <*>					232 ---- 116	создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м <**>
276.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	360 ---- 180 <*>			160 --- 80	200 --- 100		создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м <**>
277.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования	120 ---- 60 <*>	120 ---- 60					создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
278.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования	30 --- 15 <*>				30 --- 15		создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
279.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования	120 --- 60 <*>		120 --- 60				создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
280.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	160 ---- 80 <*>	160 --- 80					создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <**>
281.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	140 --- 70 <*>				140 --- 70		создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <**>
282.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования	180 --- 90 <*>	180 --- 90					создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <**>
283.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра проектирования	160 --- 80 <*>	160 --- 80					создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <**>
284.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования	120 --- 60 <*>	120 --- 60					создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
285.	Создание базового центра проектирования на базе федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственная корпорация "Государственный оптический институт имени С.И.Вавилова", г. Санкт-Петербург	500 ---- 250 <*>					500 ---- 250	создание базового центра по проектированию, моделированию, изготовлению, тестированию и сертификации перспективных оптических систем и оптико-электронного оборудования <**>
286.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Концерн ПВО "Алмаз-Антей", г. Москва, для создания базового центра проектирования систем цифровой обработки, твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей	2200 ---- 1100 <*>					2200 ---- 1100	повышение качества и надежности систем цифровой обработки, систем твердотельных передающих и приемных систем, приемопередающих модулей активных фазированных системных решеток С-диапазона для перспективных средств связи, управления воздушным движением и формирования сигналов на кристалле для радиолокационных станций различного применения <**>
287.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра проектирования в открытом акционерном обществе "Концерн "Созвездие", г. Воронеж	500 ---- 250 <*>					500 ---- 250	создание базового центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для нового поколения аппаратуры и мобильных телекоммуникационных систем; создание конкурентоспособных изделий для нового поколения мобильных телекоммуникационных систем гражданского и двойного назначения <**>
288.	Создание базового центра системного проектирования (дизайн-центра) радиоэлектронных модулей и узлов стационарных и мобильных средств автоматизации в открытом акционерном обществе "Научно-производственное предприятие "Рубин", г. Пенза	440 --- 220 <*>				440 --- 220		обеспечение производства комплексных средств автоматизации для управления автомобильным и железнодорожным транспортом, объектами топливно-энергетического комплекса <**>
289.	Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Челябинский радиозавод "Полет", г. Челябинск	200 ---- 100 <*>				200 --- 100		обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; повышение надежности и качества и ускорение разработки конкурентоспособных изделий мирового уровня; разработка технологий двойного назначения <**>
290.	Создание базового центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на основе современной электронной компонентной базы в открытом акционерном обществе "Рыбинский завод приборостроения", г. Рыбинск, Ярославская область	200 ---- 100 <*>			200 ---- 100			обеспечение возможности изготовления разработанных электронных модулей по современным технологиям; разработка технологий двойного назначения <**>

291.	Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Всероссийский научно-исследовательский институт "Эталон", г. Москва	180 ---- 90 <*>			180 --- 90			обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств <**>
292.	Создание базового центра системного проектирования микроэлектронных модулей нового поколения на основе технологии "систем в модуле" двойного и специального применения в открытом акционерном обществе "Московский научно-исследовательский институт связи", г. Москва	180 ---- 90 <*>			180 ---- 90			обеспечение проектирования, производства, испытаний, контроля, тестирования и сертификации перспективных изделий, включая климатические, механические, надежностные и другие специализированные испытания, а также сертификации выпускаемых изделий по требованиям различных категорий заказчиков и производств <**>
293.	Расширение базового центра системного проектирования по проектированию радиоэлектронной аппаратуры на базе сверхбольших интегральных схем "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва	320 ---- 160 <*>					320 ---- 160	расширение возможностей и объемов базового центра системного проектирования, перевод ключевых проектов, выполняемых концерном, на использование технологии современного системного проектирования. Ускорение процесса получения готовых проектов не менее чем в 2 раза <**>
294.	Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Научно-исследовательский институт "Кулон", г. Москва	210 ---- 105 <*>				210 ---- 105		обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей - до 3,5 тысяч штук в год <**>
295.	Создание базового центра системного проектирования высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей в открытом акционерном обществе "Конструкторское бюро "Луч", г. Рыбинск, Ярославская область	210 ---- 105 <*>				210 ---- 105		обеспечение проектирования, производства высокоплотных электронных узлов на основе технологии многокристальных модулей как ключевой технологии достижения высоких технических характеристик разрабатываемых и производимых изделий. Планируемый объем выпуска многокристальных модулей - до 3,5 тысяч штук <**>
296.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Московский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский радиотехнический институт", г. Москва, для создания базового центра проектирования универсальных цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств	500 ---- 250 <*>					500 ---- 250	создание базового центра проектирования и разработки высокопроизводительных сверхбольших интегральных схем и микропроцессорной техники, оснащенного современными средствами проектирования, разработки и отладки сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", а также матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе перспективных сложнофункциональных блоков и радиоэлектронной аппаратуры для систем и средств связи двойного и гражданского применения <**>
297.	Создание базового центра проектирования универсальных микропроцессоров, систем на кристалле, цифровых приборов обработки сигналов и других цифровых устройств, комплексов и систем на базе современных лицензионных систем автоматизированного проектирования и технических средств открытого акционерного общества "Институт электронных управляющих машин", г. Москва.	370 ---- 185 <*>		120 --- 60	100 --- 50	150 --- 75		создание базового центра разработки высокопроизводительной микропроцессорной техники двойного назначения, оснащенного современной технологией разработки многоядерных систем на кристалле, матричных корпусов для сверхбольших интегральных схем с большим количеством выводов, контроллеров перспективных периферийных интерфейсов для разработки на их базе высокопроизводительных вычислительных систем широкого применения <**>
298.	Техническое перевооружение и реконструкция базового регионального научно-технологического центра по микросистемотехнике федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск	840 ---- 420 <*>					840 ---- 420	ускорение проектирования и отработки технологии производства перспективных устройств микросистемотехники для комплектования аппаратуры управления, средств телекоммуникации и связи, высокоточного оружия, робототехнических комплексов, мониторинга окружающей среды, зданий и сооружений, систем трубопроводов, водо- и газоснабжения, цифровых и аналоговых устройств средств контроля, учета и дистанционного управления подачей энергоресурсов. Ожидаемый экономический эффект составит 1500 млн. рублей <**>
299.	Реконструкция и техническое перевооружение центра системного проектирования и производства радиоэлектронных средств спутниковой связи федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Вигстар", г. Москва	490 ---- 245 <*>					490 ---- 245	создание конкурентоспособных изделий мирового уровня для комплексов аппаратуры спутниковой связи. Разработка технологий двойного назначения <**>
300.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов, с целью создания дизайн-центра и производства сверхвысокочастотных и силовых устройств	1080 ---- 540 <*>					1080 ---- 540	создание дизайн-центра площадью 2000 кв. м и увеличение выпуска продукции на 500 млн. рублей в год <**>
301.	Техническое перевооружение для создания центра проектирования перспективной электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж	90 --- 45 <*>	90 --- 45					создание конкурентоспособной технологии автоматизированного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле с проектными нормами 0,18 - 0,13 мкм и степенью интеграции до 100 млн. вентилей на кристалле, что позволит обеспечить ускоренную разработку сложнофункциональных блоков, сверхбольших интегральных схем и систем на кристалле, соответствующих по техническим характеристикам современным мировым образцам <**>
302.	Создание отраслевого центра системного уровня проектирования интеллектуальных датчиков различного назначения на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор", г. Санкт-Петербург	340 ---- 170 <*>					340 ---- 170	организация современного центра системного уровня проектирования на основе отечественной электронной компонентной базы: микромеханических датчиков; датчиков акустического давления; датчиков угловых перемещений и других <**>
303.	Создание отраслевого центра проектирования сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" в открытом акционерном обществе "Концерн "Моринформсистема-Агат", г. Москва	360 ---- 180 <*>					360 ---- 180	создание отраслевого центра проектирования (дизайн-центра) сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для обеспечения новейшей цифровой техникой приборостроительных организаций судостроительной отрасли <**>

3. Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств) для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов

304.	Реконструкция и техническое перевооружение открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва (включая приобретение программно-технических средств) с целью создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов	1306 ---- 653 <*>	156 --- 78	830 --- 415	320 --- 160			создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов с объемом производства не менее 1200 штук в год <**>
	Итого по Роспрому	75600 ----- 37800	2790 ---- 1395	3740 ---- 1870	4340 ---- 2170	5740 ---- 2870	58990 ----- 29495

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ (РОСАТОМ)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

305.	Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	140 ---- 70 <*>			80 --- 40	60 --- 30		создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах <**>
306.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на сапфире" для субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	440 ---- 220 <*>					440 ---- 220	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
307.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства фотошаблонов субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	420 ---- 210 <*>					420 ---- 210	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
308.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства структур "кремний на сапфире" с ультратонким приборным слоем для субмикронных радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	380 ---- 190 <*>					380 ---- 190	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
309.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники с применением методов нанотехнологий на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва	400 ---- 200 <*>					400 ---- 200	создание производственно-технологического участка изготовления изделий микроэлектроники для систем автоматики специзделий <**>
310.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства быстродействующих радиационно стойких монолитных интегральных схем на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	1060 ---- 530 <*>					1060 ---- 530	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
311.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий оптоэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	500 ---- 250 <*>					500 ---- 250	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
312.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микросистемотехники на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	780 ---- 390 <*>					780 ---- 390	создание производственно-технологического участка в межведомственном центре по разработке и производству радиационно стойкой электронной компонентной базы <**>
313.	Техническое перевооружение и реконструкция с целью производства радиационно стойких изделий микроэлектроники на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область	820 ---- 410 <*>					820 ---- 410	реконструкция производственно-технологических участков по изготовлению радиационно стойких изделий микроэлектроники <**>

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

314.	Реконструкция дизайн-центра радиационно-стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Федеральный научно-производственный центр Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород	200 ---- 100 <*>	80 -- 40	80 -- 40		40 --- 20		реконструкция дизайн-центра <**>
315.	Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики", г. Москва	80 ---- 40 <*>					80 --- 40	реконструкция дизайн-центра <**>
316.	Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики", г. Саров, Нижегородская область	80 ---- 40 <*>					80 --- 40	реконструкция дизайн-центра <**>
317.	Реконструкция дизайн-центра радиационно стойкой электронной компонентной базы на федеральном государственном унитарном предприятии "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И.Забабахина", г. Снежинск, Челябинская область	100 ---- 50 <*>					100 ---- 50	реконструкция дизайн-центра <**>
	Итого по Росатому	5400 ---- 2700	80 --- 40	80 --- 40	80 --- 40	100 ---- 50	5060 ---- 2530

ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)

1. Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств

318.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, с целью создания производства многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники	320 ---- 160 <*>					320 ---- 160	переоснащенное производство многокристальных систем в корпусе, микро- и радиоэлектронных модулей, в том числе на основе устройств микросистемной техники; оснащенное отраслевое автоматизированное хранилище производимых и приобретаемых электронных компонентов со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции <**>
319.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва, для создания производства модулей сверхвысокочастотных устройств для особо жестких условий эксплуатации	600 ---- 300 <*>					600 ---- 300	переоснащение производства по выпуску: параметрического ряда модулей сверхвысокочастотных устройств; узлов и крупноблочных радиоэлектронных функциональных модулей приемопередающей аппаратуры. Реализация указанных мероприятий обеспечивает: сокращение сроков изготовления изделий радиолокационной техники и техники связи в 2- 3 раза; расширение номенклатуры сверхвысокочастотных изделий в 1,5 раза <**>
320.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение прикладной механики имени академика М.Ф.Решетнева", г. Железногорск, Красноярский край, с целью создания производственной линии для изготовления облегченных сверхвысокочастотных волноводов миллиметрового диапазона	160 ---- 80 <*>					160 ---- 80	переоснащение производственной линии для выпуска облегченных сверхвысокочастотных волноводов; увеличение производства сверхвысокочастотных волноводов с низким уровнем потерь и улучшенными массовыми характеристиками; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для модулей радиоэлектронных и навигационных систем со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции <**>
321.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное объединение автоматики имени академика Н.А.Семихатова", г. Екатеринбург, для создания производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов микромодульных средств автономного управления и контроля	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	дооснащение производства электромеханических и радиоэлектронных компонентов для микромодульных средств автономного управления и контроля; увеличение производства изделий бортовой и промышленной радиоэлектроники на 35 процентов и более; оснащение отраслевого автоматизированного хранилища для радиоэлектронных модулей со встроенной системой мониторинга и прогнозирования состояния хранимой продукции <**>
322.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт прецизионного приборостроения", г. Москва, для создания производства лазерных средств высокоточных измерений	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	переоснащение производства модульных лазерных средств высокоточных измерений, дальнометрии и передачи информации в бортовых и промышленных системах различного назначения <**>
323.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания отраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы радиоэлектронной аппаратуры к дестабилизирующим факторам космического пространства	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание межотраслевой лаборатории контроля стойкости электронной компонентной базы для специальной радиоэлектронной аппаратуры в условиях космического пространства, что обеспечит: внедрение технологических процессов прямого (в том числе неразрушающего) контроля стойкости электронной компонентной базы и экспериментально-аналитического прогноза деградации характеристик электронной компонентной базы и радиоэлектронной аппаратуры; определение характеристик стойкости к условиям открытого космического пространства; увеличение сроков активного функционирования аппаратуры до 20 лет <**>
324.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Полюс", г. Томск, для технического перевооружения действующего производства	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	перевооружение производственных линий для изготовления встроенных модульных пассивных радиоэлементов для систем бортовой и промышленной радиоэлектроники и вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания; расширение номенклатуры и увеличение производства встроенных вторичных источников питания с совмещенными линиями передачи данных и электропитания для средств бортовой и промышленной электроники на 70 процентов и более <**>
325.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт микроприборов - К", г. Москва, для создания матричных оптико-электронных модулей на основе кремниевых мембран и гетеропереходов на основе арсенида галлия и нитрида галлия	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	переоснащение производства матричных оптико-электронных модулей для работы в составе оптико-электронных преобразователей высокого разрешения и матричных сверхвысокочастотных приборов для модулей фазированных антенных решеток, что позволит: расширить номенклатуру выпускаемой мелкосерийной продукции в 2 раза; увеличить объем выпускаемых дискретных и модульных элементов в 10 раз <**>

2. Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

326.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания базового центра проектирования	610 ---- 305 <*>			60 --- 30	60 --- 30	490 --- 245	создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
327.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания отраслевого центра автоматизированного проектирования гибридных микро- и наноэлектронных модулей сверхвысокочастотных устройств со встроенными пассивными и активными элементами на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт точных приборов", г. Москва	550 ---- 275 <*>	120 --- 60	120 --- 60	60 --- 30	60 --- 30	190 --- 95	создание отраслевого центра автоматизированного проектирования и функциональной поддержки процессов изготовления и эксплуатации параметрических рядов сверхвысокочастотных модулей унифицированных сверхвысокочастотных трактов, базовых несущих конструкций активных фазированных антенных решеток, радиолокационных и связных модульных приборов площадью 500 кв. м <**>
328.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового координационного центра системного проектирования унифицированных электронных модулей на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт машиностроения", г. Королев, Московская область	600 ---- 300 <*>				40 --- 20	560 ---- 280	создание базового координационного центра площадью 300 кв. м для системного проектирования стандартных наборов конструктивных элементов для создания унифицированных электронных модулей субминиатюрных адаптивных и самообучающихся информационно-управляющих вычислительных систем и управляющих многопроцессорных больших цифровых вычислительных машин с элементами искусственного интеллекта <**>
329.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков для работы в особо жестких условиях эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-исследовательский институт физических измерений", г. Пенза	280 ---- 140 <*>					280 ---- 140	создание центра проектирования унифицированных микроэлектронных датчиков площадью 380 кв. м для проектирования унифицированных полупроводниковых микродатчиков и преобразователей физических величин в системах управления, контроля и диагностики динамических объектов <**>
330.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования интегральных микроэлектронных датчиков и датчикопреобразующей аппаратуры для особо жестких условий эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение измерительной техники", г. Королев, Московская область	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра площадью 350 кв. м для системного проектирования с полным циклом проектирования и производства параметрического ряда интегральных микроэлектронных датчиков и нанодатчиков для контрольной аппаратуры на основе специализированных электронных узлов по технологии "кремний на изоляторе" для особо жестких условий эксплуатации <**>
331.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное предприятие Всероссийский научно-исследовательский институт электромеханики с заводом имени А.Г.Иосифьяна", г. Москва	420 ---- 210 <*>					420 ---- 210	создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки радиоэлектронных средств с улучшенной электромагнитной совместимостью площадью 450 кв. м (в том числе для создания встроенных бесконтактных систем управления электродвигателями и приводами, оптоэлектронных и радиотехнических приборов) <**>
332.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И.Берга", г. Москва	260 ---- 130 <*>					260 ---- 130	создание центра проектирования интегральных сверхвысокочастотных модулей специального и промышленного применения для унифицированных приемопередающих радиоэлектронных трактов площадью 340 кв. м (в том числе для создания испытательного центра радиоэлектронной аппаратуры космического и промышленного назначения) <**>
333.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А.Пилюгина", г. Москва	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание центра площадью 220 кв. м для системного проектирования матричных преобразователей и микроэлектронных сигнальных процессоров высокоточных навигационных приборов бортового и промышленного назначения <**>
334.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания центра проектирования особо стойкого модульного ядра отказоустойчивой радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации на федеральном государственном унитарном предприятии "Центральный научно-исследовательский институт "Комета", г. Москва	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание дизайн-центра площадью 370 кв. м для системного проектирования радиационно стойкой, помехоустойчивой электронной компонентной базы, в том числе изделий "система на кристалле" для построения особо стойкого модульного ядра радиоэлектронной аппаратуры с особо жесткими условиями эксплуатации, в том числе для космического, авиационного и промышленного применения <**>
335.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра системного проектирования и технического перевооружения действующего производства на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение прикладной механики имени академика М.Ф.Решетнева", г. Железногорск, Красноярский край	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации аппаратуры модульных средств связи и навигации для бортовых и промышленных систем площадью 300 кв. м <**>
336.	Реконструкция и техническое перевооружение для создания базового центра сквозного системного проектирования на федеральном государственном унитарном предприятии "Научно-производственное объединение имени С.А.Лавочкина", г. Москва	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра сквозного системного проектирования и функциональной поддержки в процессе эксплуатации площадью 350 кв. м (в том числе для радиоэлектронных функциональных модулей роботизированных транспортных средств повышенной живучести) <**>
	Итого по Роскосмосу	5800 ---- 2900	120 --- 60	120 --- 60	120 --- 60	160 --- 80	5280 ---- 2640

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ (РОСОБРАЗОВАНИЕ)

Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования

337.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения "Московский государственный институт электронной техники" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования	120 ---- 60 <*>		60 --- 30	60 --- 30			создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <**>
338.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики" (технический университет), г. Москва, для создания базового центра проектирования	50 --- 25	50 --- 25					создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м
339.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Томский государственный университет", г. Томск, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <**>
340.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э.Баумана", г. Москва, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <**>
341.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного учреждения высшего профессионального образования "Южный федеральный университет", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <**>
342.	Реконструкция и техническое перевооружение государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Новосибирский государственный университет", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования	200 ---- 100 <*>					200 ---- 100	создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <**>
343.	Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования	230 ---- 115 <*>					230 ---- 115	создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <**>
	Итого по Рособразованию	1200 ---- 600	50 -- 25	60 -- 30	60 -- 30		1030 ---- 515
	Всего по Программе	88000 ----- 44000	3040 ---- 1520	4000 ---- 2000	4600 ---- 2300	6000 ---- 3000	70360 ----- 35180

В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе - размер финансирования за счет средств федерального бюджета.

<*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

<**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

Приложение N 3
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008-2015 годы

Приложение N 3. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ОБЪЕМОВ ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

	2008-2015 годы	В том числе
	2008-2015 годы	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012-2015 годы
Всего по Программе	110000	5500	6800	7400	13000	77300
из них:
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации	3895	258	279	265	585	2508
Федеральное агентство по промышленности	90605	4627	5761	6265	11425	62527
Федеральное космическое агентство	7200	290	320	360	430	5800
Федеральное агентство по атомной энергии	6600	240	290	340	400	5330
Федеральное агентство по науке и инновациям	1100	60	120	140	160	620
Федеральное агентство по образованию	600	25	30	30	-	515
Капитальные вложения - всего	44000	1520	2000	2300	3000	35180
из них:
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации	-	-	-	-	-	-
Федеральное агентство по промышленности	37800	1395	1870	2170	2870	29495
Федеральное космическое агентство	2900	60	60	60	80	2640
Федеральное агентство по атомной энергии	2700	40	40	40	50	2530
Федеральное агентство по науке и инновациям	-	-	-	-	-	-
Федеральное агентство по образованию	600	25	30	30	-	515
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - всего	66000	3980	4800	5100	10000	42120
из них:
Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации	3895	258	279	265	585	2508
Федеральное агентство по промышленности	52805	3232	3891	4095	8555	33032
Федеральное космическое агентство	4300	230	260	300	350	3160
Федеральное агентство по атомной энергии	3900	200	250	300	350	2800
Федеральное агентство по науке и инновациям	1100	60	120	140	160	620
Федеральное агентство по образованию	-	-	-	-	-	-

Приложение N 4
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008-2015 годы

Приложение N 4. ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

	2008-2015 годы	В том числе
	2008-2015 годы	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012-2015 годы
Всего по Программе	187000	9010	11200	12250	21000	133540
в том числе:
федеральный бюджет	110000	5500	6800	7400	13000	77300
внебюджетные средства	77000	3510	4400	4850	8000	56240
Капитальные вложения - всего	88000	3040	4000	4600	6000	70360
в том числе:
федеральный бюджет	44000	1520	2000	2300	3000	35180
внебюджетные средства	44000	1520	2000	2300	3000	35180
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы - всего	99000	5970	7200	7650	15000	63180
в том числе:
федеральный бюджет	66000	3980	4800	5100	10000	42120
внебюджетные средства	33000	1990	2400	2550	5000	21060

Приложение N 5
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники"
на 2008-2015 годы

Приложение N 5. РАСЧЕТ ПОКАЗАТЕЛЕЙ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ

Расчеты коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы (далее - Программа) базировались на ориентировочных данных о бюджетных и внебюджетных ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и ожидаемых объемах производства высокотехнологичной наукоемкой продукции по годам расчетного периода (2008-2015 годы).

Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до максимального уровня освоения введенных новых мощностей.

За начальный год расчетного периода принимается первый год осуществления инвестиций или первый год разработки приоритетных образцов продукции (в данном случае это 2008 год).

Конечный год расчетного периода определяется полным освоением в серийном производстве разработанной в период реализации Программы (2008-2015 годы) продукции на созданных в этот период мощностях.

Учитывая, что обновление производственных мощностей осуществляется в течение всего периода действия Программы и завершается в 2015 году, а нормативный срок освоения введенных мощностей составит 1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода принят 2017 год.

Исходная информация по годовым объемам производства продукции была определена на основе прогнозных оценок. При этом объемы производства на первой стадии финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ достигнуты за счет реализации программных мероприятий прошлых лет и составляют в 2008 году 60 процентов объема выпускаемой продукции отрасли, в 2009 году - 65 процентов, в 2010 году - 70 процентов, в 2011 году - 90 процентов.

Капитальные вложения на реализацию Программы предусматривают прежде всего техническое перевооружение производства и строительство уникальных объектов.

Коммерческая и бюджетная эффективность Программы определялась с учетом следующих условий:

данные об ассигнованиях на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения, а также об объемах производства приведены в ценах соответствующих лет;

расчеты произведены с учетом фактора времени, т. е. приведения (дисконтирования) будущих затрат и результатов к расчетному году с помощью коэффициента дисконтирования (Е = 0,1);

размер всех налогов и отчислений, поступающих в бюджет и внебюджетные фонды, определен в соответствии с Налоговым кодексом Российской Федерации;

расчеты всех экономических показателей произведены в ценах соответствующих лет с учетом индексов-дефляторов, установленных Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации до 2009 года с последующей экстраполяцией их до 2017 года (на период 2008-2015 годов индекс-дефлятор для продукции радиоэлектронной промышленности составляет 1,05).

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации Программы, приведены в таблице 1. Результаты расчетов приведены в таблице 2.

Экономическая эффективность реализации Программы в отрасли характеризуется следующими показателями.

При общей сумме инвестиций 187000 млн. рублей, включая 110000 млн. рублей бюджетных ассигнований на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения и 77000 млн. рублей внебюджетных ассигнований, реализация Программы позволит получить в сфере производства за расчетный период (2008-2015 годы) чистый дисконтированный доход в размере 64374,4 млн. рублей, а чистый дисконтированный доход государства (бюджетный эффект) составит 125045,9 млн. рублей.

Всего налоговых поступлений от реализации Программы ожидается в размере 198577,2 млн. рублей.

Срок окупаемости всех инвестиций (бюджетных и внебюджетных ассигнований) за счет чистой прибыли и амортизации составит 8,1 года, а бюджетных ассигнований за счет налоговых поступлений - 1 год.

Соответственно, индексы доходности (рентабельности) составят для всех инвестиций - 1,52, для бюджетных ассигнований - 2,7.

Уровень безубыточности равен 0,68 при норме 0,7, что свидетельствует о высокой эффективности и степени устойчивости Программы к возможным отклонениям от условий ее реализации.

Итоговые показатели эффективности реализации Программы приведены в таблице 3.

Таблица 1

Исходные данные, принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

Показатели	2008 год	2009 год	2010 год	2011 год	2012 год	2013 год	2014 год	2015 год	2016 год	2017 год	За расчетный период
Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости), процентов	62	62	62	62	62	62	62	62	62	62
Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж)	58000	70000	95000	130000	170000	210000	250000	300000	370000	450000
Инвестиции из всех источников финансирования по Программе	9010	11200	12250	21000	29640	35200	34750	33950			187000
в том числе:
средства федерального бюджета на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды	5500	6800	7400	13000	18000	20800	19500	19000			110000
из них:
капитальные вложения	1520	2000	2300	3000	5280	8000	11000	10900			44000
внебюджетные средства на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и пр.)	3510	4400	4850	8000	11640	14400	15250	14950			77000
налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)	33000	35000	37000	40000	44000	50000	58000	65000	67000	68000
Рентабельность реализованной продукции, процентов	10	10	12	14	16	18	20	20	20	20
Амортизационные отчисления, процентов себестоимости	3,5	3,8	4	4,5	5	5,5	6	6,5	7	7,5
Материалы, процентов себестоимости	50	50	50	50	50	50	50	50	50	50
Фонд оплаты труда, процентов себестоимости	25	25	25	25	25	25	25	25	25	25
Налог на имущество, процентов	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
Налог на прибыль, процентов	24	24	24	24	24	24	24	24	24	24
Подоходный налог, процентов	13	13	13	13	13	13	13	13	13	13
Единый социальный налог, процентов	26	26	26	26	26	26	26	26	26	26
Налог на добавленную стоимость, процентов	18	18	18	18	18	18	18	18	18	18
Налог с продаж, процентов	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Норма дисконта (средняя за расчетный период), процентов											0,1

Таблица 2

Расчет коммерческой и бюджетной эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)

Наименование показателей	Расчетный период										За расчетный период
	2008	2009	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017
	номер шага (m)
	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9

Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)

Годовой объем реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость	58000	70000	95000	130000	170000	210000	250000	300000	370000	450000
Себестоимость годового объема реализованной продукции отрасли	52727	63636	84821	114035	146552	177966	208333	25000	308333	375000
Прибыль от реализации продукции	5273	6364	10179	15965	23448	32034	41667	50000	61667	75000
Налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно-производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)	33000	35000	37000	40000	44000	50000	58000	65000	67000	68000
Налог на имущество	660	700	740	800	880	1000	1160	1300	1340	1360
Налогооблагаемая прибыль	4587,3	5727,3	9466,1	15166,7	22744,8	31072,9	40416,7	48500	59816,7	72750
Налог на прибыль	1100,9	1374,5	2271,9	3640	5458,8	7457,5	9700	11640	14356	17460
Чистая прибыль	3486,3	4352,7	7194,2	11526,7	17286,1	23615,4	30716,7	36860	45460,7	55290
Амортизационные отчисления в структуре себестоимости	1845,5	2418,2	3392,9	5131,6	7327,6	9788,1	12500	16250	21583,3	28125
Материальные затраты в структуре себестоимости	26363,6	31818,2	42410,7	57017,5	73275,9	88983,1	104166,7	125000	154166,7	187500
Фонд оплаты труда в структуре себестоимости	13181,8	15909,1	21205,4	28508,8	36637,9	44491,5	52083,3	62500	77083,3	93750
Налог на добавленную стоимость	4745,5	5727,3	7633,9	10263,2	13189,7	16016,9	18750	22500	27750	33750
Налог с продаж	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
Подоходный налог	1713,6	2068,2	2756,7	3706,1	4762,9	5783,9	6770,8	8125	10020,8	12187,5
Единый социальный налог	3427,3	4136,4	5513,4	7412,3	9525,9	11567,8	13541,7	16250	20041,7	24375
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)	10546,4	12631,8	16644	22181,6	28358,4	34368,6	40222,5	48175	59152,5	71672,5	343953,4
Сальдо от операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)	5331,8	6770,9	10587,1	16658,2	24613,7	33403,5	43216,7	53110	67044	83415
Коэффициент дисконтирования (норма дисконта Е = 0,10)	1	0,909	0,826	0,751	0,683	0,621	0,564	0,513	0,467	0,424
Сальдо от операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования	5331,8	6155,4	8749,6	12515,6	16811,5	20741	24394,7	27253,8	31276,5	35376,1	188605,9
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)	9010	11200	12250	21000	29640	35200	34750	33950			187000,0
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования	-3678,2	-4429,1	-1662,9	-4341,8	-5026,3	-1796,5	8466,7	19160	67044	83415
Величина инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования	9010	10181,8	10124	15777,6	20244,5	21856,4	19615,5	17421,7			124231,5
Сальдо суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования	-3678,2	-4026,4	-1374,3	-3262	-3433,1	-1115,5	4779,2	9832,1	31276,5	35376,1	64374,4
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)
Чистый дисконтированный доход	-3678,2	-7704,7	-9079	-12341	-15774,1	-16889,5	-12110,3	-2278,2	28998,3	64374,4
Срок окупаемости инвестиций (период возврата), лет											8,1
Индекс доходности (рентабельность инвестиций)											1,52

Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)

Средства федерального бюджета на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)	5500	6800	7400	13000	18000	208000	19500	19000			110000
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды	10546,4	12631,8	16644	22181,6	28358,4	34368,6	40222,5	48175	59152,5	71672,5
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	10546,4	11483,5	13755,4	16665,3	19369,2	21340,2	22704,6	24721,4	27595,1	30396,1	198577,2
Отток бюджетных средств	5500	6800	7400	13000	18000	20800	19500	19000
Отток бюджетных средств с учетом дисконтирования	5500	6181,8	6115,7	9767,1	12294,2	12915,2	11007,2	9750			73531,3
Сальдо суммарного потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования	5046,4	5301,7	7639,7	6898,3	7075	8425,1	11697,3	14971,4	27595,1	30396,1	125045,9
Чистый дисконтированный доход государства или бюджетный эффект	5046,4	10348	17987,7	24886	31960,9	40386	52083,3	67054,7	94649,8	125045,9
Индекс доходности бюджетных средств	1,9	1,9	2,2	1,7	1,6	1,7	2,1	2,5			2,7
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	10546,4	11483,5	13755,4	16665,3	19369,2	21340,2	22704,6	24721,4	27595,1	30396,1	198577,2
Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,61	0,61	0,6	0,62	0,61	0,59	0,56	0,56			0,59
Период возврата бюджетных средств, лет											1 год
Уровень безубыточности	0,79	0,79	0,76	0,73	0,7	0,68	0,66	0,66	0,66	0,66	0,68

Таблица 3

Итоговые показатели эффективности реализации федеральной целевой программы "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

(млн. рублей)

Наименование показателей	2008-2017 годы
Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет)	187000
в том числе:
средства федерального бюджета	110000
внебюджетные средства	77000
Показатели коммерческой эффективности
Чистый дисконтированный доход в 2017 году	64374,4
Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации, лет	8,1
Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли	1,52
Уровень безубыточности	0,68
Показатели бюджетной эффективности
Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования	198577,2
Бюджетный эффект	125045,9
Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям	2,7
Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)	0,6
Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям, лет	1 год

Приложение N 6
к федеральной целевой программе
"Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники" на 2008-2015 годы

Приложение N 6. МЕТОДИКА ОЦЕНКИ СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ

Чистый дисконтированный доход является одним из основных показателей эффективности и характеризует интегральный эффект от реализации Программы. Определяется как сальдо суммарного денежного потока от операционной и инвестиционной деятельности организаций с учетом дисконтирования за расчетный период по следующей формуле:

где:

фи_m - сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода;

m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М);

альфа_m - коэффициент дисконтирования на m-ом шаге расчетного периода.

Чистый дисконтированный доход характеризуется превышением суммарных денежных притоков от инвестиционной и операционной деятельности организаций над суммарными денежными оттоками за расчетный период с учетом дисконтирования.

Эффективность реализации Программы оценивается в течение расчетного периода, продолжительность которого определяется началом реализации Программы вплоть до ее завершения.

За начальный год расчетного периода (t_н) принимается первый год осуществления затрат (2008 год), конечный год расчетного периода (t_к) определяется годом завершения реализации Программы (2015 год).

В качестве расчетного года (t_р) принимается фиксированный момент времени - начальный год расчетного периода или год проведения расчета. Для данного расчета принят год приведения расчета (2007 год).

Расчетный период (2008-2015 годы) измеряется количеством шагов расчета.

В качестве шага расчета принимается минимальный интервал времени, принятый разработчиком для расчета (год, полугодие, квартал, месяц). Номер шага обозначается числами - 1, 2, 3 и так далее. За начальный шаг принимается первый шаг. Для данного технико-экономического обоснования в качестве шага принят один год.

Соизмерение разновременных затрат и результатов (учет фактора времени) производится путем их приведения (дисконтирования) к расчетному шагу.

Приведение будущих денежных ресурсов (инвестиций, производственных издержек, прибыли и так далее) к расчетному году расчетного периода производится путем умножения затрат и результатов на коэффициент дисконтирования, величина которого (альфа_m) определяется по классической формуле сложных процентов:

где:

Е - годовая норма дисконтирования, принятая в размере 0,15;

m - порядковый номер шага расчетного периода от 1 до m-ого шага, а именно:

1 - базовый (начальный) шаг (год);

2 - первый шаг, следующий за базовым шагом;

3 - второй шаг, следующий за первым шагом, и так далее.

Под нормой дисконтирования (Е) понимается минимально допустимая для инвестора величина дохода в расчете на единицу капитала, вложенного в реализацию Программы, с учетом уровня инфляции.

При отсутствии утвержденных норм дисконта и обоснованных требований инвесторов в качестве нормы дисконтирования рекомендуется принимать процентную ставку за банковский кредит, т. е. ставку рефинансирования Центрального банка Российской Федерации, действующую на момент проведения расчета (13 процентов), с учетом фактора риска в размере 2 процентов, т. е. Е = 15 процентов.

Для настоящего расчета норма дисконта принята в размере 15 процентов.

В свою очередь, сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной и операционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода равно:

где:

- сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной деятельности на m-м шаге расчетного периода;

- сальдо суммарного денежного потока от операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода.

Сальдо суммарного денежного потока от инвестиционной деятельности на m-ом шаге расчетного периода () определяется как разность между затратами на реализацию Программы из всех источников финансирования (отток) и реализацией активов (приток), которые в данном случае равны 0.

Сальдо суммарного денежного потока от операционной деятельности на m-м шаге расчетного периода () определяется как разность между объемом продаж (приток) и суммой издержек производства реализуемой продукции (без амортизационных отчислений), налога на имущество и налога на прибыль (отток). В итоге образуется сумма чистой прибыли и амортизационных отчислений, остающаяся у организаций (чистый доход организаций).

Внутренняя норма доходности представляет собой норму дисконтирования, при которой величина чистого дисконтированного дохода равна 0.

Внутренняя норма доходности характеризует предельную (граничную) норму дисконтирования, разделяющую эффективные варианты реализации Программы от неэффективных, а также степень устойчивости Программы. Внутренняя норма доходности сравнивается с нормой дисконтирования, принятой для расчета, и чем больше внутренняя норма доходности, тем выше эффективность реализации Программы. Показатель внутренней нормы доходности определяется исходя из условия, что значение ЧДД = 0, и решения уравнения относительно внутренней нормы доходности:

где:

m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М).

Для определения показателя внутренней нормы доходности (ВНД) используется финансовая функция "ВНДОХ", встроенная в программу "Excel".

Срок окупаемости инвестиций или период возврата (СО_и) - это период времени от начального момента времени, в течение которого чистый дисконтированный доход становится неотрицательным.

Другое определение срока окупаемости - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных инвестиций полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами (суммой чистой прибыли и амортизационных отчислений) вследствие реализации Программы.

В зависимости от начального момента времени, принятого для определения срока окупаемости (периода возврата инвестиций), существует несколько его модификаций.

Как правило, за начальный момент времени принимается начало инвестиционной деятельности в календарном исчислении, т. е. календарное начало первого шага расчетного периода m_1 (в данном случае 2008 год, принятый для расчета).

Срок окупаемости определяется по данным расчета "Сальдо накопленного суммарного потока от операционной и инвестиционной деятельности с учетом дисконтирования".

Целая часть величины срока окупаемости определяется количеством шагов, имеющих отрицательное значение сальдо. Дробная часть периода возврата, добавляемая к целой части, определяется методом интерполяции.

Программа может быть принята к рассмотрению при условии, если срок окупаемости меньше расчетного периода, принятого для технико-экономического обоснования Программы, равного 8 годам (2008-2015 годы).

Индекс доходности инвестиций определяется как отношение дисконтированной величины сальдо от операционной деятельности, т. е. чистого дохода организаций (чистой прибыли плюс амортизационные отчисления) за расчетный период, к дисконтированной величине затрат из всех источников финансирования за тот же период.

Если индекс доходности инвестиций больше 1, Программа является эффективной, если меньше 1 - неэффективной. При значении чистого дисконтированного дохода, равном 0, индекс доходности равен 1.

Показатели бюджетной эффективности

Бюджетный эффект представляет собой превышение доходной части бюджета над его расходной частью в результате реализации Программы.

Бюджетный эффект за расчетный период определяется по следующей формуле:

где:

дельта_m - превышение доходной части бюджета над его расходной частью на m-м шаге расчетного периода;

альфа_m - коэффициент дисконтирования на m-м шаге расчетного периода;

m - порядковый номер шага расчета (от 1 до М).

В состав расходов бюджета включаются средства, выделяемые для прямого бюджетного финансирования Программы.

В состав доходов бюджета и приравненных к ним поступлений во внебюджетные фонды включаются:

налог на имущество в размере 2 процентов среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости;

налог на прибыль в размере 24 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество);

налог на добавленную стоимость в размере 18 процентов объема реализованной продукции;

подоходный налог в размере 13 процентов фонда оплаты труда;

единый социальный налог в размере 26 процентов фонда оплаты труда.

Доходная часть бюджета корректируется в зависимости от коэффициента участия государства в Программе.

Доля бюджетных ассигнований (коэффициент участия государства) является важным показателем бюджетной эффективности и определяется как отношение дисконтированной величины средств федерального бюджета, выделяемых на реализацию Программы, за расчетный период к дисконтированной величине суммарных затрат из всех источников финансирования за тот же период.

Этот показатель характеризует степень финансового участия государства в реализации Программы и учитывается при оценке бюджетного эффекта. Предпочтение следует отдавать вариантам программ, имеющим наименьшую величину показателя, т. е. требующим относительно меньше бюджетных ассигнований.

Срок окупаемости или период возврата средств федерального бюджета - это период времени от начального шага, в течение которого бюджетный эффект становится неотрицательным.

Другое определение срока окупаемости средств федерального бюджета - продолжительность периода, в конце которого суммарная величина дисконтированных средств федерального бюджета полностью возмещается суммарными дисконтированными доходами бюджета (налоговыми поступлениями) вследствие реализации Программы.

Определение срока окупаемости (периода возврата) средств федерального бюджета производится аналогично определению срока окупаемости затрат из всех источников финансирования.

Индекс доходности средств федерального бюджета определяется как отношение дисконтированной величины доходов бюджета от реализации Программы за расчетный период к дисконтированной величине расходов бюджета за тот же период.

УТВЕРЖДЕНЫ
Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 26 ноября 2007 г. N 809

Главная
ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ"

Наименование документ	ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 26.11.2007 N 809 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ" НА 2008-2015 ГОДЫ"
Вид документа	постановление, методика, перечень, программа
Принявший орган	правительство рф
Номер документа	809
Дата принятия	01.01.1970
Дата редакции	26.11.2007
Дата регистрации в Минюсте	01.01.1970
Статус	не действует
Публикация	На момент включения в базу документ опубликован не был Документ в электронном виде ФАПСИ, НТЦ "Система"
Навигатор	Примечания

Законодательная база Российской Федерации

Бесплатная консультация

Навигация

Федеральное законодательство

Действия

Показатели бюджетной эффективности