в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 10.12.2025

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

  • Главная
  • РЕШЕНИЕ ГКРЧ при Минсвязи РФ от 09.08.2004 N 04-01-05-1 "О ПРОЕКТЕ "ПОЛОЖЕНИЯ О ПОРЯДКЕ РАССМОТРЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРТИЗЫ И ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЯ О ВЫДЕЛЕНИИ ПОЛОС РАДИОЧАСТОТ ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ УСТРОЙСТВ"
действует Редакция от 09.08.2004 Подробная информация
РЕШЕНИЕ ГКРЧ при Минсвязи РФ от 09.08.2004 N 04-01-05-1 "О ПРОЕКТЕ "ПОЛОЖЕНИЯ О ПОРЯДКЕ РАССМОТРЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРТИЗЫ И ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЯ О ВЫДЕЛЕНИИ ПОЛОС РАДИОЧАСТОТ ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ УСТРОЙСТВ"

Приложение 3. ПЕРЕЧЕНЬ ОСНОВНЫХ ТЕХНИЧЕСКИХ ДАННЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО УСТРОЙСТВА (УСТАНОВКИ)

1. Назначение
2. Эксплуатационные, технологические и конструктивные особенности
3. Предполагаемая годовая серийность производства или объем закупки по импорту
4. Район (место) применения
5. Заказчик
6. Разработчик (фирма-производитель, фирма-поставщик при закупке по импорту)
7. Краткая характеристика генератора (тип, выходной прибор, нагрузка и др.)
8. Рабочая частота и ее отклонения
9. Режим работы (излучения)
10. Характеристика импульсного режима излучения (длительность и форма импульса, скважность, частота повторения и др.)
11. Мощность на нагрузке:
- в непрерывном режиме
- в импульсном режиме
- средняя в импульсном режиме
12. Допустимое значение напряжения радиопомех:
- на рабочей частоте
- на побочных частотах
13. Допустимое значение напряженности поля радиопомех:
- на рабочей частоте
- на побочных частотах
14. Меры и способы по подавлению радиопомех

Примечание. Напряженность поля радиопомех, равная 1 мкВ/м, и напряжение радиопомех, равное 1 мкВ, соответствует уровню "0" дБ.

  • Главная
  • РЕШЕНИЕ ГКРЧ при Минсвязи РФ от 09.08.2004 N 04-01-05-1 "О ПРОЕКТЕ "ПОЛОЖЕНИЯ О ПОРЯДКЕ РАССМОТРЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ, ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРТИЗЫ И ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЯ О ВЫДЕЛЕНИИ ПОЛОС РАДИОЧАСТОТ ДЛЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ И ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ УСТРОЙСТВ"