| 3.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
| | Примечания. 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования | |
| | 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования | |
| | Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.12; если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 | |
| 3.1.1. | Электронные компоненты, такие, как: | |
| 3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: | |
| | Примечания. 1. Контрольный статус готовых пластин или полуфабрикатов для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | |
| | 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы | |
| 3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно стойкие, выдерживающие любое из следующих воздействий: | 8542 |
| | а) общую дозу 5 х 10E3 Гр (кремний) [5 х 10E5 рад (кремний)] или выше; или | |
| | б) предел мощности дозы 5 х 10E6 Гр/с (кремний) [5 х 10E8 рад (кремний)]/с или выше; (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.1.1.2. | Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы, микросхемы микроконтроллеров, интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях, аналого - цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно - оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю не известно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, и статических запоминающих устройств с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 |
| | а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. C); | |
| | б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. C); или | |
| | в) работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 К (-55 град. C) до 398 К (+125 град. C) | |
| | Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.1.1.3. | Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры | |
| 3.1.1.1.3.1. | Совокупную теоретическую производительность (СТП) 260 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) или более и арифметико - логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более; | 854211870 |
| 3.1.1.1.3.2. | Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или | 8542 |
| 3.1.1.1.3.3. | Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи для внешнего межсоединения в параллельный процессор со скоростью передачи, превышающей 2,5 Мбит/с | 854211760 |
| 3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; | 854211550; 854211720; 854211760 |
| 3.1.1.1.5. | Интегральные схемы для аналого - цифровых и цифро - аналоговых преобразователей, такие, как: | 854211830 - 854211870; 854211990; |
| | а) аналого - цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: | 854220100; 854220900 |
| | 1) разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 10 нс; | |
| | 2) разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 200 нс; или | |
| | 3) разрешающую способность более 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 2 мкс; | |
| | б) цифро - аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и временем выхода на установившийся режим менее 10 нс; | |
| 3.1.1.1.6. | Электронно - оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: | 854219 |
| | а) один внутренний лазерный диод или более; | |
| | б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и | |
| | в) оптические волноводы; | |
| 3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, имеющие любую из следующих характеристик: | 854211300 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; | |
| 3.1.1.1.8. | Программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: | 854211910 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) частоту переключения, превышающую 133 МГц; | |
| 3.1.1.1.9. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 854219 |
| 3.1.1.1.10. | Заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик: | 854219 |
| | а) свыше 208 выводов; | |
| | б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,35 нс; или | |
| | в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | |
| 3.1.1.1.11. | Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик: | 854211990 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 300 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц; | |
| 3.1.1.1.12. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие любую из следующих характеристик: | 854211810; 854211830 |
| | а) расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье менее 1 мс; | 854211850; 854211870 |
| | б) расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье, отличного от 1024-точечного, менее, чем Nlog2N/10240 мс, где N - число точек; или | |
| | в) производительность алгоритма "бабочка" более 5,12 МГц | |
| 3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие, как: | |
| 3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в стандартном диапазоне частот установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие, как: | 854049000 |
| | а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; | |
| | б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | |
| | в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с мгновенной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | |
| | г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | |
| | 2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | |
| | 3) годные для применения в космосе; | |
| 3.1.1.2.1.2. | Лампы - усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | 854041000 |
| 3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, имеющие любую из следующих характеристик: | 854049000 |
| | а) время выхода на уровень эмиссии менее 3 с; или | |
| | б) плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см | |
| 3.1.1.2.2. | Микроволновые интегральные схемы или модули, содержащие твердотельные интегральные схемы, работающие на частотах свыше 3 ГГц | 854049000 |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули оборудования, спроектированного для работы в стандартном диапазоне частот установленном Международным союзом электросвязи, не превышающем 31 ГГц; (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, предназначенные для работы на частотах, превышающих 31 ГГц; | 854049000 |
| 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 854049000 |
| | а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол - октавы; | |
| | б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; | |
| 3.1.1.2.5. | Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих: | 854049000 |
| | а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или | |
| | б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; | |
| 3.1.1.2.6. | Микроволновые сборки, способные работать на частотах, превышающих 31 ГГц; | 854049000 |
| 3.1.1.2.7. | Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | 854049000 |
| 3.1.1.2.8. | Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: | 854081000 |
| | а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; | |
| | б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | |
| | в) объем менее 400 куб. см | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или пригодная для работы на стандартных частотах, установленных Международным союзом электросвязи (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие, как: | |
| 3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: | 854160000 |
| | а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или | |
| | б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; | |
| | 2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | |
| | 3) ширину полосы частот более 250 МГц; или | |
| | 4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | |
| | в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | |
| | 2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | |
| | 3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; | |
| 3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц; | 854160000 |
| 3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку | 854160000 |
| 3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: | 854280000 |
| | а) электромагнитное усиление: | |
| | 1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или | |
| | 2) на частотах свыше 31 ГГц; | |
| | б) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10E-14 Дж; или | |
| | в) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000 | |
| 3.1.1.5. | Нижеперечисленные накопители энергии: | |
| 3.1.1.5.1. | Батареи и батареи на фотоэлектрических элементах, такие как: | 850619900 |
| | а) первичные элементы и батареи с плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K (70 град. C) и выше | |
| | Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг; | |
| | б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг после 75 циклов заряда - разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер - часах), при работе в диапазоне температур от 253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K (60 град. C) и выше; | |
| | в) батареи, по техническим условиям годные для применения в космосе, и радиационно стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 K (28 град. C) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 K (2527 град. C) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи объемом 27 куб. см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14); | |
| 3.1.1.5.2. | Накопители большой энергии, такие, как: | 850619900; 850780900 |
| | а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовые накопители), имеющие все следующие характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение 5 кВ или более; | |
| | 2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и | |
| | 3) общую энергию 25 кДж или более; | |
| | б) накопители с частотой повторения 10 Гц и более (многоразовые накопители), имеющие все следующие характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение не менее 5 кВ; | |
| | 2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; | |
| | 3) общую энергию не менее 100 Дж; и | |
| | 4) количество циклов заряда - разряда не менее 10000; | |
| 3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, имеющие все нижеперечисленные характеристики: | 850519900 |
| | а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; | |
| | б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и | |
| | в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв. мм | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии | |
| 3.1.1.6. | Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, имеющие любую из следующих характеристик: | 903180310 |
| | а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или | |
| | б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | |
| 3.1.2. | Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: | |
| 3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие, как: | |
| 3.1.2.1.1. | Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: | 852039900 |
| | а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; | |
| | б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или | |
| | в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс | |
| | Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура; | |
| 3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с; | 852110; 852190000 |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие стандартный формат сигнала для гражданского телевидения, рекомендуемый Международным союзом электросвязи либо Международной электротехнической комиссией (МЭК); (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.1.2.1.3. | Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: | 852110 |
| | а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или | |
| | б) годные для применения в космосе | |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; | |
| 3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; | 852190000 |
| 3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: | 854380900 |
| | а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и | |
| | б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с | |
| | Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого - цифрового преобразования | |
| 3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; | 854380900 |
| 3.1.2.3. | Анализаторы сигналов: | 854380900 |
| | а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; | |
| | б) динамические анализаторы сигналов с полосой пропускания в реальном времени, превышающей 25,6 кГц | |
| | Примечание. По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей | |
| | Техническое примечание. Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробнооктавные фильтры; | |
| 3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 854320000 |
| | а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц; | |
| | б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или | |
| | в) фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ x с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц | |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; | |
| 3.1.2.5. | Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; | 854380900 |
| 3.1.2.6. | Микроволновые приемники - тестеры, имеющие все следующие характеристики: | 852790990 |
| | а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и | |
| | б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; | |
| 3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 854320000 |
| | а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 10E-11 в месяц; или | |
| | б) годные для применения в космосе | |
| | Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения | |
| 3.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
| 3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: | |
| 3.2.1.1. | Установки, управляемые встроенной программой, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие, как: | |
| 3.2.1.1.1. | Установки, способные выдерживать толщину слоя с отклонением не более +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; | 841989900 |
| 3.2.1.1.2. | Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4; | 841989900 |
| 3.2.1.1.3. | Молекулярно - лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые источники | 841780100 |
| 3.2.1.2. | Установки, управляемые встроенной программой, специально предназначенные для ионной имплантации, имеющие любую из следующих характеристик: | 845610000 |
| | а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; | |
| | б) специально спроектированные и оптимизированные для работы с ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ; | |
| | в) обладающие способностью непосредственной записи; или | |
| | г) пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; | |
| 3.2.1.3. | Установки сухого травления анизотропной плазмой, управляемые встроенной программой: | 845690000 |
| | а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс | |
| | б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
| 3.2.1.4. | Установки химического парофазового осаждения и плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой: | 845690000 |
| | а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс | |
| | б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
| 3.2.1.5. | Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие: | 845610000; 845690000 |
| | а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и | |
| | б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде | |
| | Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме | |
| 3.2.1.6. | Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие, как: | |
| 3.2.1.6.1. | Установки многократного совмещения и экспонирования для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих: | 900922900 |
| | а) источник света с длиной волны короче 400 нм; или | |
| | б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,7 мкм и менее | |
| | Примечание. Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле: | |
| | МРР=((экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) x (К фактор))/цифровая апертура | |
| | где К фактор = 0,7; | |
| 3.2.1.6.2. | Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик: | 845610000 |
| | а) размер пятна менее 0,2 мкм; | |
| | б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или | |
| | в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма) | |
| 3.2.1.7. | Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; | |
| 3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем | 901090000 |
| 3.2.2. | Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее: | |
| 3.2.2.1. | Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31 ГГц; | 903180390 |
| 3.2.2.2. | Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 60 МГц | 903180390 |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний: | |
| | а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры; | |
| | б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем; | |
| 3.2.2.3. | Для испытаний микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 3 ГГц | 903180390 |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц; (в ред. Указа Президента РФ от 04.01.99 N 6) | |
| 3.2.2.4. | Электронно - лучевые системы, спроектированные для работы на уровне 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие все следующие составляющие: | 903180390 |
| | а) стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием; и | |
| | б) электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В | |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов | |
| 3.3. | Материалы | |
| 3.3.1. | Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих: | |
| 3.3.1.1. | Кремний; | 381800900 |
| 3.3.1.2. | Германий; или | 381800900 |
| 3.3.1.3. | Соединения III/V на основе галлия или индия | 381800900 |
| | Техническое примечание. Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.) | |
| 3.3.2. | Материалы резистов и подложки, покрытые контролируемыми резистами, такие, как: | |
| 3.3.2.1. | Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 370 нм; | 854140990 |
| 3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; | 854140990 |
| 3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; | 854150990 |
| 3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силицированные резисты Техническое примечание. Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления | 854140990 |
| 3.3.3. | Органо - неорганические компаунды, такие, как: | |
| 3.3.3.1. | Органо - металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999%; | 293100900 |
| 3.3.3.2. | Органо - мышьяковистые, органо - сурьмянистые и органо - фосфорные соединения с чистотой органической элементной основы свыше 99,999% | 293100900 |
| | Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы | |
| 3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999% даже после растворения в инертных газах или водороде | 284890000; 285000100 |
| | Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода | |
| 3.4. | Программное обеспечение | |
| 3.4.1. | Программное обеспечение, специально созданное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 | |
| 3.4.2. | Программное обеспечение, специально созданное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2 | |
| 3.4.3. | Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), предназначенное для полупроводниковых приборов или интегральных схем, имеющее любую из следующих составляющих: | |
| 3.4.3.1. | Правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; | |
| 3.4.3.2. | Моделирование схем по их физической топологии; или | |
| 3.4.3.3. | Имитаторы литографических процессов для проектирования | |
| | Техническое примечание. Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки проводников, диэлектриков или полупроводникового материала | |
| | Примечание. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации (трассировки), проверки топологии или размножения шаблонов | |
| | Особое примечание. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология | |
| 3.5. | Технология | |
| 3.5.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3.1, 3.2 или 3.5 | |
| | Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии разработки или производства: | |
| | а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; | |
| | б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака: | |
| | 1) использующие проектные нормы 1 мкм или выше; и | |
| | 2) не содержащие многослойных структур | |
| | Особое примечание. Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б" примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических слоя и два слоя поликремния | |
| 3.5.2. | Прочие технологии для разработки или производства: | |
| | а) вакуумных микроэлектронных приборов; | |
| | б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; | |
| | в) сверхпроводящих электронных приборов; | |
| | г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов | |
Расширенный поиск
Популярные запросы
