Последнее обновление: 22.12.2024
Законодательная база Российской Федерации
8 (800) 350-23-61
Бесплатная горячая линия юридической помощи
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 29.05.2000) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"
Раздел 1
1.3.2.2.1.1. | Никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), квалифицированные для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. менее чем с тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 1E9 частицах сплава; | 7504 00 000 0 |
1.3.2.2.1.2. | Ниобиевые сплавы (Nb-Al-X или Nb-X-Al, Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti); | 8112 91 310 0; 8112 99 300 0 |
1.3.2.2.1.3. | Титановые сплавы (Ti-Al-X или Ti-X-Al); | 8108 10 100 |
1.3.2.2.1.4. | Алюминиевые сплавы (Al-Mg-X или Al-X-Mg, Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe); или | 7603 |
1.3.2.2.1.5. | Магниевые сплавы (Mg-Al-X или Mg-X-Al); и | 8104 30 000 0 |
1.3.2.2.2. | Изготовленные в контролируемой среде при помощи одного из нижеследующих процессов: | |
а) вакуумного распыления; | ||
б) газового распыления; | ||
в) центробежного распыления; | ||
г) резкого охлаждения; | ||
д) спиннингования расплава и кристаллизации; | ||
е) экстракции расплава и кристаллизации; или | ||
ж) механического легирования | ||
1.3.2.3. | Сплавленные материалы в виде неизмельченных чешуек, ленты или тонких стержней, изготавливаемых в контролируемой среде методом резкого охлаждения, спиннингования расплава или экстракцией расплава, используемые при производстве порошка для металлических сплавов или частиц материалов, контролируемых по пункту 1.3.2.2 | 7503 00 900 0; 7504 00 000 0; 7505 12 000 0; 7506; 7606 12 910 0; 7606 92 000 0; 7607 19; 7603 20 000 0; 7604 29 100 0; 8104 30 000 0; 8104 90 000 0; 8108 10 100; 8108 10 900 0; 8108 90 300 0; 8112 91 310 0; 8112 91 390 0; 8112 99 300 0 |
1.3.3. | Магнитные материалы всех типов и любой формы, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик: | |
1.3.3.1. | Начальную относительную магнитную проницаемость 120000 или более и толщину 0,05 мм или менее | 8505 11 000 0; 8505 19 100 0; 8505 19 900 0 |
Техническое примечание. Замер начальной относительной магнитной проницаемости должен осуществляться с использованием полностью отожженных материалов. | ||
1.3.3.2. | Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих характеристик: | 7206 90 000 0 |
а) магнитострикционное насыщение более 5 x 1E(-4); или | ||
б) коэффициент магнитомеханического сцепления (к) более 0,8; или | ||
1.3.3.3. | Аморфная или нанокристаллическая лента сплава, имеющая все следующие характеристики: | 7206; 7506; 8105 |
а) состав минимум 75% (по весу) железа, кобальта или никеля; | ||
б) магнитную индукцию насыщения (Bs) 1,6 Т или более; и | ||
в) любое из нижеследующего: | ||
1) толщину ленты не более 0,02 мм; или | ||
2) удельное электрическое сопротивление 2 x 1E(-4) Ом/см или более | ||
Примечание. Нанокристаллические материалы, указанные в пункте 1.3.3.3, являются материалами, имеющими кристаллические зерна размером 50 нм или менее, что определяется дифракцией X-лучей. | ||
1.3.4. | Урано - титановые сплавы или вольфрамовые сплавы с матрицей на основе железа, никеля или меди, имеющие все следующие характеристики: | 2844 10 900 0; 8108 10 100; 8101 99 000 0 |
а) плотность свыше 17,5 г/куб. см; | ||
б) предел упругости свыше 880 МПа; | ||
в) предел прочности на растяжение более 1270 МПа; | ||
г) относительное удлинение свыше 8% | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
1.3.5. | Сверхпроводящие композиционные материалы длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г, такие как: | |
1.3.5.1. | Многожильные сверхпроводящие композиционные материалы, содержащие одну или несколько ниобиево - титановых нитей: | 8112 99 300 0; 8544 19 900 0 |
а) уложенные в матрицу не из меди или не на основе медьсодержащего материала; или | ||
б) имеющие площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм (6 мкм в диаметре при нитях круглого сечения); |
1.3.5.2. | Сверхпроводящие композиционные материалы, состоящие из одной или более сверхпроводящих нитей, выполненных не из ниобий - титана, имеющие все следующие характеристики: | 8544 19 900 0 |
а) с критической температурой при нулевой магнитной индукции, превышающей 9,85 K (-263,31 град. C), но не ниже 24 K (-249,16 град. C); | ||
б) площадь поперечного сечения менее 0,28 x 1E(-4) кв. мм; и | ||
в) остающиеся в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 K (-268,96 град. C), находясь в магнитном поле, соответствующем магнитной индукции 12 Т | ||
1.3.6. | Жидкости и смазочные материалы, такие как: | |
1.3.6.1. | Гидравлические жидкости, содержащие в качестве основных составляющих любые из следующих веществ и материалов: | |
1.3.6.1.1. | Синтетические кремний - углеводородные масла, имеющие все следующие характеристики: | 3910 00 000 0 |
а) точку возгорания свыше 477 K (204 град. C); | ||
б) точку застывания 239 K (-34 град. C) или ниже; | ||
в) коэффициент вязкости 75 или более; | ||
г) термостабильность при 616 K (343 град. C); или | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
1.3.6.1.2. | Хлоро - фторуглероды, имеющие все следующие характеристики: | 2812; 2826; |
а) точка возгорания отсутствует; | 2903 41 000 0; | |
б) температуру самовоспламенения свыше 977 K (704 град. C); | 2903 42 000 0; 2903 43 000 0; | |
в) точку застывания 219 K (-54 град. C) или ниже; | 2903 44; 2903 45; | |
г) коэффициент вязкости 80 или более; и | 3819 00 000 0; | |
д) точку кипения 473 K (200 град. C) или более | 3824 71 000 0 | |
Примечания. 1. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.1, кремнийуглеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод. | ||
2. Для целей, указанных в пункте 1.3.6.1.2, хлорофторуглероды содержат исключительно углерод, фтор и хлор. | ||
1.3.6.2. | Смазочные материалы, содержащие в качестве основных составляющих следующие вещества или материалы: | |
1.3.6.2.1. | Фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или их смесей; или | 2909 30 900 0; 2930 90 950 0 |
1.3.6.2.2. | Фторированные кремнийсодержащие жидкости, характеризуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при температуре 298 K (25 град. C) | 3910 00 000 0 |
1.3.6.3. | Увлажняющие или флотирующие жидкости с показателем чистоты более 99,8%, содержащие менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленные по меньшей мере на 85% из любых следующих соединений и материалов: | |
1.3.6.3.1. | Дибромтетрафторэтана; | 2903 46 900 0 |
1.3.6.3.2. | Полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воскообразные модификации); или | 3904 69 000 0 |
1.3.6.3.3. | Полибромтрифторэтилена | 3904 69 000 0 |
1.3.6.4. | Фторуглеродные охлаждающие жидкости для электроники, имеющие все следующие характеристики: | 2903 41 000 0; 2903 42 000 0; 2903 45 100 0; 3824 90 900 0 |
1.3.6.4.1. | Содержащие 85% (по весу) или более любого из следующих веществ или их смесей: | |
1.3.6.4.1.1. | Мономерных форм перфторполиалкилэфиртриазинов или перфторалифатических эфиров; | |
1.3.6.4.1.2. | Перфторалкиламинов; | |
1.3.6.4.1.3. | Перфторциклоалканов; или | |
1.3.6.4.1.4. | Перфторалканов | |
1.3.6.4.2. | Плотность 1,5 г/мл или более при 298 K (25 град. C); | |
1.3.6.4.3. | Жидкое состояние при 273 K (0 град. C); и | |
1.3.6.4.4. | Содержащие 60% (по весу) или более фтора | |
Техническое примечание. Для целей, указанных в пункте 1.3.6: | ||
а) точка возгорания определяется с использованием метода Кливлендской открытой чашки, описанного в стандартной методике ASTM D-92 или ее национальных эквивалентах; | ||
б) точка плавления определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-97 или ее национальных эквивалентах; | ||
в) коэффициент вязкости определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM D-2270 или ее национальных эквивалентах; | ||
г) термостабильность определяется в соответствии со следующей методикой испытаний или ее национальными эквивалентами: 20 мл испытуемой жидкости помещаются в камеру объемом 46 мл из нержавеющей стали типа 317, содержащую шары номинального диаметра 12,5 мм из инструментальной стали М-10, стали марки 52100 и корабельной бронзы (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn); камера продута азотом, загерметизирована при давлении, равном атмосферному, и температуре, повышенной до (644 +/- 6) K [(371 +/- 6 град. C)] и выдерживаемой в течение шести часов; образец признается термостабильным, если по завершении вышеописанной процедуры выполняются следующие условия: | ||
1) потеря веса каждого шара не превышает 10 мг/кв. мм его поверхности; | ||
2) изменение первоначальной вязкости, определенной при 311 K (38 град. C), не превышает 25%; | ||
3) общее кислотное или базовое число не превышает 0,40; | ||
д) температура автогенного воспламенения определяется с использованием специального метода, описанного в стандартной методике ASTM E-659 или ее национальных эквивалентах. |
Категория 2. Обработка материалов | ||
2.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
2.1.1. | Антифрикционные подшипники или системы подшипников и их компоненты, такие как: | |
Примечание. По пункту 2.1 не контролируются шарикоподшипники с допусками, устанавливаемыми производителем в соответствии с международным стандартом ИСО 3290 по классу 5 или хуже. | ||
2.1.1.1. | Шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО по классу 4 или лучше или его национальным эквивалентом и имеющие кольца, шарики или ролики, сделанные из медно - никелевого сплава или бериллия | 8482 10 900 0; 8482 50 000 0 |
Примечание. По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники. | ||
2.1.1.2. | Другие шариковые и твердороликовые подшипники, имеющие допуски, устанавливаемые производителем в соответствии с международным стандартом ИСО по классу 2 или лучше или его национальным эквивалентом | 8482 80 000 0 |
Примечание. По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники. | ||
2.1.1.3. | Активные магнитные подшипниковые системы, имеющие любую из следующих составляющих: | 8483 30 100 0; 8483 30 900 0 |
а) материалы с магнитной индукцией 2 Т или больше и пределом текучести больше 414 МПа; | ||
б) оснащенные электромагнитным устройством для привода с трехмерным униполярным высокочастотным подмагничиванием; или | ||
в) высокотемпературные, с температурой 450 K (177 град. C) и выше, позиционные датчики | ||
2.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование Технические примечания. 1. Вторичные параллельные горизонтальные оси (например, W-ось на фрезах горизонтальной расточки или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее число горизонтальных осей. | |
Особое примечание. Ось вращения необязательно предусматривает поворот на угол, больший 360 град. Ось вращения может управлять устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой). | ||
2. Номенклатура оси определяется в соответствии с международным стандартом ИСО 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения". | ||
3. Для этой категории наклоняющиеся шпиндели рассматриваются как оси вращения. | ||
4. Для всех станков каждой модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, полученное не в результате индивидуальных механических испытаний, а рассчитанное в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
Особое примечание. Заявленная точность позиционирования означает величину точности, устанавливаемую производителем, в качестве показателя, отражающего точность всех станков определенной модели. Определение показателя точности: | ||
1. Выбирается пять станков модели, подлежащей оценке. | ||
2. Измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997). | ||
3. Определяется значение показателя А для каждой оси каждого станка. Метод определения значения показателя А описан в стандарте ИСО. | ||
4. Определяется среднее значение показателя А для каждой оси. | ||
Эта средняя величина А становится заявленной величиной (Ax, Ay...) для всех станков данной модели. | ||
5. Поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей. | ||
6. Если параметры осей определенной модели станка не подпадают под контроль по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, а показатель А для шлифовальных станков равен или меньше (лучше) 5 мкм, для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм, то производитель обязан каждые 18 месяцев вновь подтверждать величину точности. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2.1. | Станки, приведенные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления: |
2.2.1.1. | Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: | 8458; 8464 90 900 0; |
а) точность позиционирования со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и | 8465 99 100 0 | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
б) две или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления | ||
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз. | ||
2.2.1.2. | Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: | 8459 31 000 0; 8459 39 000 0; |
а) точность позиционирования со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 4,5 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; | 8459 51 000 0; 8459 61; 8459 69; 8464 90 900 0; 8465 92 000 0 | |
б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или | ||
в) точность позиционирования для координатно - расточных станков со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2.1.3. | Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: | 8460 11 000 0; 8460 19 000 0; |
а) точность позиционирования со всей доступной компенсацией равную или меньшую (лучшую) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ИСО 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом вдоль любой линейной оси; и три или более оси, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; или | 8460 21; 8460 29; 8464 20 800 0; 8465 93 000 0 | |
б) пять или более осей, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления | ||
Примечание. По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки: | ||
а) цилиндрические внешние, внутренние и внешне - внутренние шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: | ||
1) ограниченные цилиндрическим шлифованием; и | ||
2) с максимально возможной длиной или диаметром изделия 150 мм; | ||
б) станки, специально спроектированные для шлифования по шаблону и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) C-ось применяется для поддержания шлифовального круга в нормальном положении по отношению к рабочей поверхности; или | ||
2) A-ось определяет конфигурацию цилиндрического кулачка; | ||
в) заточные или отрезные станки, предназначенные для производства только резцов и фрез; | ||
г) станки для обработки коленчатых валов или кулачковых осей; | ||
д) плоскошлифовальные станки. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2.1.4. | Станки для электроискровой обработки (СЭО) без подачи проволоки, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; | 8456 30 |
2.2.1.5. | Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов: | 8424 30 900 0; 8456 10 00; |
а) посредством: | 8456 99 900 0 | |
1) водяных или других жидких струй, включая струи с абразивными присадками; | ||
2) электронного луча; или | ||
3) лазерного луча; и | ||
б) имеющие две или более оси вращения, которые: | ||
1) могут быть одновременно скоординированы для управления по контуру; и | ||
2) имеют точность позиционирования меньше (лучше) 0,003 град.; | ||
2.2.1.6. | Станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий 5000 мм или более, и специально разработанные для них компоненты | 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0 |
2.2.2. | Утратил силу. | |
2.2.3. | Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально разработанные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, одно- или двухзаходных винтовых шестерен с модулем более 1250 мм и с лицевой шириной, равной 15% от модуля или более, с качеством после финишной обработки в соответствии с международным стандартом ИСО 1328 по классу 3 | 8461 40 710; 8461 40 790 |
2.2.4. | Горячие изостатические прессы, имеющие все следующие составляющие, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: | 8462 99 |
а) камеры с контролируемыми тепловыми условиями внутри закрытой полости и внутренним диаметром полости 406 мм и более; и | ||
б) любую из следующих характеристик: | ||
1) максимальное рабочее давление более 207 МПа; | ||
2) контролируемые температурные условия, превышающие 1773 K (1500 град. C); или | ||
3) оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения | ||
Техническое примечание. Внутренний размер камеры относится к камере, в которой достигаются рабочие давление и температура; в размер камеры не включается размер зажимных приспособлений. Указанный выше размер будет минимальным из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из двух камер находится в другой. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2.5. | Оборудование, специально спроектированное для оснащения, реализации процесса и управления процессом нанесения неорганического покрытия, защитных слоев и поверхностных модификаций, например нижних слоев неэлектронными методами, или процессами, представленными в таблице и отмеченными в примечаниях после пункта 2.5.3.4, а также специально спроектированные средства автоматизированного регулирования, установки, манипуляции и компоненты управления, включая: | |
2.2.5.1. | Управляемое встроенной программой производственное оборудование для химического осаждения паров (CVD) со всеми следующими показателями: | 8419 89 95 |
а) процесс модифицирован для одного из следующих методов: | ||
1) пульсирующего CVD; | ||
2) управляемого термического осаждения с образованием центров кристаллизации (CNtd); или | ||
3) усиленного плазмой или с помощью плазмы CVD; и | ||
б) включает какой-либо из следующих способов: | ||
1) использующий высокий вакуум (равный или менее 0,01 Па) для уплотнения вращением; или | ||
2) использующий средства контроля толщины слоя покрытия на месте; | ||
2.2.5.2. | Управляемое встроенной программой производственное оборудование ионной имплантации с силой тока луча 5 мА или более; | 8543 19 000 0 |
2.2.5.3. | Управляемое встроенной программой производственное оборудование для физического осаждения паров электронным лучом (ЕВ - PVD), включающее системы электропитания с расчетной мощностью свыше 80 кВт, имеющее любую из следующих составляющих: | 8543 89 900 0 |
а) лазерную систему управления уровнем в заливочной ванне, которая точно регулирует скорость подачи исходного вещества; или | ||
б) управляемый компьютером регистратор скорости, работающий на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимый для нормирования скорости осаждения покрытия, содержащего два или более элемента; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2.5.4. | Управляемое встроенной программой производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: | 8419 89 300 0; 8419 89 95 |
а) работающее при уменьшающемся давлении контролируемой атмосферы (равной или менее 10 кПа, измеряемой выше и внутри 300 мм выходного сечения сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, способной обеспечивать снижение давления до 0,01 Па, предшествующее началу процесса напыления; или | ||
б) имеющее в своем составе средства контроля толщины слоя покрытия; | ||
2.2.5.5. | Управляемое встроенной программой производственное оборудование металлизации напылением, способное обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, с производительностью напыления 15 мкм/ч или более; | 8419 89 300 0; 8419 89 95 |
2.2.8. | Узлы, блоки и вставки, специально разработанные для станков или оборудования, контролируемых по пункту 2.2.6 или 2.2.7, такие как: | |
2.2.8.1. | Блоки оценки линейного положения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность меньше (лучше) [800 + (600 x L x 1E(-3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) | 8466 |
Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1. | ||
2.2.8.2. | Блоки оценки положения вращения с обратной связью (например, приборы индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность меньше (лучше) 0,00025 град. | 8466 |
Примечание. Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1. | ||
2.2.8.3. | Составные вращающиеся столы или наклоняющиеся шпиндели, применение которых в соответствии со спецификацией изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше | 8466 |
2.2.9. | Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической спецификацией изготовителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерного управления и которые имеют все следующие характеристики: | 8462 29 100 0; 8463 90 100 0; 8463 90 900 0 |
а) с двумя или более контролируемыми осями, которые могут одновременно и согласованно координироваться для контурного управления; и | ||
б) с вращательной силой более 60 кН Техническое примечание. Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к обкатным вальцовочным станкам. | ||
2.3. | Материалы - нет | |
2.4. | Программное обеспечение | |
2.4.1. | Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2 | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.4.2. | Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способное выполнять любую из следующих операций: | |
2.4.2.1. | Координировать одновременно более четырех осей для контурного управления; или | |
2.4.2.2. | Осуществлять в реальном масштабе времени обработку данных для изменения траектории перемещения инструмента, скорости подачи и положения шпинделя в течение операции, выполняемой станком, в любом из следующих видов: | |
а) автоматического вычисления и модификации части программных данных для функционирования по двум или более осям с помощью измерения циклов и действия с базой данных; или | ||
б) адаптивного управления с более чем одной физической переменной, измеренной и обработанной с помощью компьютерной модели (стратегия) для изменения одной или более машинных команд для оптимизации процесса | ||
Примечание. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам Категории 2. | ||
2.5. | Технология | |
2.5.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пунктам 2.1, 2.2 или 2.4 | |
2.5.2. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для производства оборудования, контролируемого по пунктам 2.1 или 2.2 | |
2.5.3. | Другие технологии, такие как: | |
2.5.3.1. | Технологии для разработки интерактивной графики как интегрирующей части блоков числового программного управления для подготовки или модификации элементов программ; | |
2.5.3.2. | Нижеперечисленные технологии производственных процессов металлообработки: | |
2.5.3.2.1. | Технологии проектирования инструмента, пресс - форм или зажимных приспособлений, специально спроектированных для любого из следующих процессов: | |
а) сверхпластического формования; | ||
б) диффузионного сваривания; или | ||
в) гидравлического прессования прямого действия; | ||
2.5.3.2.2. | Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления: | |
а) сверхпластическим формованием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: | ||
1) данные о подготовке поверхности; | ||
2) данные о степени деформации; | ||
3) температура; | ||
4) давление; | ||
б) диффузионным свариванием титановых сплавов или суперсплавов: | ||
1) данные о подготовке поверхности; | ||
2) температура; | ||
3) давление; | ||
в) гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: | ||
1) давление; | ||
2) время цикла; | ||
г) горячей изостатической модификацией титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: | ||
1) температура; | ||
2) давление; | ||
3) время цикла |
2.5.3.3. | Технологии разработки или производства гидравлических вытяжных формовочных машин и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов; | |
2.5.3.4. | Технологии для разработки генераторов машинных команд (то есть элементов программ) из проектных данных, находящихся внутри блоков числового программного управления; | |
2.5.3.5. | Технологии для разработки интегрирующего программного обеспечения для обобщения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления; | |
2.5.3.6. | Технологии для применения в неорганических чисто поверхностных покрытиях или неорганических покрытиях с модификацией поверхности изделия, отмеченных в графе "Результирующее покрытие" нижеследующей таблицы; неэлектронных слоевых покрытий (субстратов), отмеченных в графе "Подложки" нижеследующей таблицы; процессов, отмеченных в графе "Наименование процесса нанесения покрытия" нижеследующей таблицы и определенных техническим примечанием | |
Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только в том случае, когда позиция графы "Результирующее покрытие" непосредственно соответствует позиции графы "Подложки". Например, в результате обработки подложки типа "углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей" путем химического осаждения паров может быть получено силицидное покрытие, которое не может получиться при том же способе нанесения покрытия на подложку типа "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния". Во втором случае позиция графы "Результирующее покрытие" не находится непосредственно напротив позиции "цементированный карбид вольфрама, карбид кремния" графы "Подложки" | ||
в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
Принадлежность конкретного оборудования, материала или технологии к оборудованию, материалам или технологиям, подлежащим экспортному контролю, определяется соответствием их технических характеристик техническому описанию, приведенному в графе "Наименование".
При декларировании товаров данного Списка в графе 31 ГТД необходимо указывать технические характеристики этих товаров, определенные настоящим Списком.
ТАБЛИЦА К ПУНКТУ 2.5.3.6. ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
Наименование процесса нанесения покрытия | Подложки | Результирующее покрытие |
1. Химическое осаждение паров | суперсплавы | алюминиды для внутренних каналов |
керамика (19) и стекла с малым коэффициентом расширения (14) <*> | силициды, карбиды, слои диэлектриков (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) | |
углерод - углерод, керамика (19) и композиционные материалы с металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алюминиды, сплавы алюминидов (2), нитрид бора | |
цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15) | |
молибден и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
бериллий и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
материалы окон датчиков (9) | слои диэлектриков (15) | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2. Физическое осаждение паров термовыпариванием | ||
2.1. Физическое осаждение паров электронным лучом | суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) | слои диэлектриков (15) | |
коррозиестойкие стали (7) | MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) | |
углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора | |
цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15) | |
молибден и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
бериллий и его сплавы | слои диэлектриков (15), бориды, бериллий | |
материалы окон датчиков (9) | слои диэлектриков (15) | |
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством | керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) | слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод |
резистивного нагрева (ионное гальваническое покрытие) | углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | слои диэлектриков (15) |
цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния | слои диэлектриков (15) | |
молибден и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
бериллий и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
материалы окон датчиков (9) | слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.3. Физическое осаждение паров: выпаривание лазером | керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) | силициды, слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод |
углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | слои диэлектриков (15) | |
цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния | слои диэлектриков (15) | |
молибден и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
бериллий и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
материалы окон датчиков (9) | слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
2.4. Физическое осаждение паров: катодный дуговой | суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), MCrAlX (5) |
разряд | полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей | бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3. Цементация (10) | углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
сплавы титана (13) | силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2) | |
тугоплавкие металлы и сплавы (8) | силициды, оксиды | |
4. Плазменное напыление | суперсплавы | MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкие материалы, содержащие - никель - хром - алюминий, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир, сплавы алюминидов (2) |
алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4) | |
тугоплавкие металлы и сплавы (8) | алюминиды, силициды, карбиды | |
коррозиестойкие стали (7) | модифицированные виды циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), MCrAlX (5) | |
титановые сплавы (13) | карбиды, алюминиды, силициды, сплавы алюминидов (2), эрозионно стойкий никель - графит, эрозионно стойкий никель - хром - алюминий - бентонит, эрозионно стойкий алюминий - кремний - полиэфир | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5. Осаждение суспензии (шлама) | тугоплавкие металлы и сплавы (8) | легкоплавкие силициды, легкоплавкие алюминиды (кроме материалов для теплостойких элементов) |
углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) | |
6. Металлизация распылением | суперсплавы | сплавы силицидов, сплавы алюминидов (2), благородные металлы, модифицированные алюминидами (3), MCrAlX (5), модифицированные виды циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4) |
керамика и стекла с малым коэффициентом расширения (14) | силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод | |
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы алюминидов (2), карбиды | |
углерод - углерод, керамика и композиционные материалы с металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора | |
цементированный карбид вольфрама (16), карбид кремния | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), слои диэлектриков (15), нитрид бора | |
молибден и его сплавы | слои диэлектриков (15) | |
бериллий и его сплавы | бориды, слои диэлектриков (15), бериллий | |
материалы окон датчиков (9) | слои диэлектриков (15), алмазоподобный углерод | |
тугоплавкие металлы и сплавы (8) | алюминиды, силициды, оксиды, карбиды | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
7. Ионная имплантация | высокотемпературные стойкие стали | добавки хрома, тантала или ниобия (колумбия в США) |
титановые сплавы (13) | бориды, нитриды | |
бериллий и его сплавы | бориды | |
цементированный карбид вольфрама (16) | карбиды, нитриды |
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
Примечания к таблице.
1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.
3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.
4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или
б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или
в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).
7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.
11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.
13. Титановые сплавы определяются исключительно как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 1E(-7) К-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).
15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл.
16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт - никель), карбида титана / (кобальт - никель), карбида хрома / (никель - хром) и карбида хрома / никеля.
17. Не контролируется технология, специально разработанная для нанесения алмазоподобного углерода на любое из нижеуказанного: магнитные дисководы и головки, поликарбонатные окуляры, оборудование для производства расходных материалов, оборудование пекарен, вентили кранов, диафрагмы для динамиков акустических колонок, части автомобильных двигателей, режущие инструменты, пресс - формы для штамповки - прессования, высококачественные линзы, сконструированные для камер или телескопов, офисного автоматического оборудования, микрофоны или медицинские приборы.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
18. Карбид кремния не включает материалы для режущих и гибочных инструментов.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
19. Керамические подложки, в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% от веса или более клей или цемент как отдельные составляющие, а также их сочетания.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.
Особые примечания. а) Химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы.
б) Пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих.
в) Газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно - лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка, обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
в) при парообразовании лазером для испарения материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.
д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.
3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия).
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
Особые примечания. а) Низкое давление означает давление ниже атмосферного.
б) Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.
6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.
Особые примечания. а) В таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий.
б) Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытий
Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости.
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
2.6. Контроль структуры покрытия
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно - временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения параметров является длина волны):
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;
5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.2.7.6. Утратил силу.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем матрицы логических ключей, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 13 740 0; 8542 14 650 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; | ||
3.1.1.1.8. | Программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: | 8542 13 740 0; 8542 14 650 0; 8542 19 740 0 |
а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | ||
б) частоту переключения, превышающую 133 МГц; | ||
3.1.1.1.9. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 8542 |
3.1.1.1.10. | Заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 13 720 0; 8542 14 600 0; 8542 19 720 0; 8542 30; 8542 40 |
а) свыше 208 выводов; | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,35 нс; или | ||
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | ||
3.1.1.1.11. | Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 |
а) эквивалентное количество годных вентилей более 3000 (в пересчете на двухвходовые); или | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц; | ||
3.1.1.1.12. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 13 55; 8542 13 610 0; 8542 13 630 0; |
а) расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье менее 1 мс; | 8542 13 650 0; 8542 13 670 0; 8542 13 690; | |
б) расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье, отличного от 1024-точечного, менее чем Nlog2N/10240 мс, где N - число точек; или | 8542 14 300; 8542 14 420 0; 8542 14 440; 8542 19 550; 8542 19 620 0; 8542 19 680; | |
в) производительность алгоритма "бабочка" более 5,12 МГц | 8542 40 100 | |
3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие как: | |
3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц. | ||
3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие как: | 8540 79 000 0 |
а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; | ||
б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | ||
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с мгновенной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | ||
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | ||
2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | ||
3) годные для применения в космосе; | ||
3.1.1.2.1.2. | Лампы - усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 8540 71 000 0 |
3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, имеющие любую из следующих характеристик: | 8540 99 000 0 |
а) время выхода на уровень эмиссии менее 3 с; или | ||
б) плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см |
3.1.1.2.2. | Микроволновые интегральные схемы или модули, | 8542 30; 8542 40; 8542 50 000 0 |
а) содержащие твердотельные интегральные схемы; | ||
б) работающие на частотах выше 3 ГГц"; | ||
Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули оборудования, спроектированного для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, не превышающем 31 ГГц; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, предназначенные для работы на частотах, превышающих 31 ГГц; | 8541 21; 8541 29 |
3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 89 900 0 |
а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол-октавы; | ||
б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; | ||
3.1.1.2.5. | Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих: | 8543 89 900 0 |
а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или | ||
б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; | ||
3.1.1.2.6. | Микроволновые сборки, способные работать на частотах, превышающих 31 ГГц; | 8542 50 000 0 |
3.1.1.2.7. | Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | 8543 89 900 0 |
3.1.1.2.8. | Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: | 8543 89 900 0 |
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; | ||
б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | ||
в) объем менее 400 куб. см | ||
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или пригодная для работы на стандартных частотах, установленных Международным союзом электросвязи. | ||
3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие как: | |
3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 60 000 0 |
а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или | ||
б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; | ||
2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | ||
3) ширину полосы частот более 250 МГц; или | ||
4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | ||
в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | ||
2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | ||
3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; | ||
3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц; | 8541 60 000 0 |
3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку | 8541 60 000 0 |
3.1.2. | Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: | |
3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие как: | |
3.1.2.1.1. | Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: | 8520 39 900 0; 8520 90 900 0; 8521 10 300 0; 8521 10 800 0 |
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; | ||
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или | ||
в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс; | ||
Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура. | ||
3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 360 Мбит/с; | 8521 10; 8521 90 000 0 |
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.1.2.1.3. | Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: | 8521 10 |
а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или | ||
б) годные для применения в космосе | ||
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных. | ||
3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; | 8521 90 000 0 |
3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: | 8543 89 900 0 |
а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и | ||
б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с | ||
Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого - цифрового преобразования. | ||
3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; | 8543 20 000 0 |
3.1.2.3. | Анализаторы сигналов: | 9030 83 900 0; |
а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; | 9030 89 920 0 | |
б) динамические анализаторы сигналов с полосой пропускания в реальном времени, превышающей 25,6 кГц | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно - октавные фильтры). | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 20 000 0 |
а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц; | ||
б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или | ||
в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ x с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц | ||
Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты. |
3.1.2.5. | Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; | 9030 40 900 0 |
3.1.2.6. | Микроволновые приемники - тестеры, имеющие все следующие характеристики: | 8527 90 990 0 |
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и | ||
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; | ||
3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 20 000 0 |
а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 1E(-11) в месяц; или | ||
б) годные для применения в космосе | ||
Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения. | ||
3.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: | |
3.2.1.1. | Установки, управляемые встроенной программой, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие как: | |
3.2.1.1.1. | Установки, способные выдерживать толщину слоя с отклонением не более +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; | 8479 89 650 0 |
3.2.1.1.2. | Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4; | 8419 89 200 0 |
3.2.1.1.3. | Молекулярно - лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые или твердые источники | 8479 89 700 0; 8543 89 700 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.2.1.2. | Установки, управляемые встроенной программой, специально предназначенные для ионной имплантации, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 11 000 0 |
а) энергию излучения (ускоряющее напряжение) свыше 1 МэВ; | ||
б) специально спроектированные и оптимизированные для работы с энергией излучения (ускоряющим напряжением) ниже 2 кэВ; | ||
в) обладающие способностью непосредственной записи; или | ||
г) пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.2.1.3. | Установки сухого травления анизотропной плазмой, управляемые встроенной программой: | 8456 91 000 0; 8456 99 900 0 |
а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) магнитную защиту; или | ||
2) электронный циклотронный резонанс; | ||
б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) магнитную защиту; или | ||
2) электронный циклотронный резонанс; | ||
3.2.1.4. | Установки химического парофазового осаждения и плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой: | 8419 89 200 0; 8419 89 300 0 |
а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) магнитную защиту; или | ||
2) электронный циклотронный резонанс | ||
б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) магнитную защиту; или | ||
2) электронный циклотронный резонанс; | ||
3.2.1.5. | Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие: | 8456 10 00; 8456 91 000 0; 8456 99 900 0; 8456 99 300 0; 8479 50 000 0 |
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и | ||
б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде | ||
Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме. | ||
3.2.1.6. | Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие как: | |
3.2.1.6.1. | Установки многократного совмещения и экспонирования (прямого последовательного шагового экспонирования) или шагового сканирования (сканеры) для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих: | 9009 22 900 0 |
а) источник света с длиной волны короче 350 нм; или | ||
б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,5 мкм и менее | ||
Примечание. Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле: | ||
(экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) x (К фактор) | ||
МРР = ------------------------------------------- | ||
цифровая апертура | ||
где К фактор = 0,7. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.2.1.6.2. | Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик: | 8456 10 00; 8456 99 |
а) размер пятна менее 0,2 мкм; | ||
б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или | ||
в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма) | ||
3.2.1.7. | Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; | |
3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем | 9010 90 000 0 |
3.2.2. | Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее: | |
3.2.2.1. | Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31 ГГц; | 9031 80 390 0 |
3.2.2.2. | Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 60 МГц; | 9031 80 390 0 |
Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний: | ||
а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры; | ||
б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем. | ||
3.2.2.3. | Для испытаний микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 3 ГГц; | 9031 80 390 0 |
Примечание. По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи, с частотами, не превышающими 31 ГГц. | ||
3.2.2.4. | Электронно - лучевые системы, спроектированные для работы на уровне 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие все следующие составляющие: | 9031 80 390 0 |
а) стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием; и | ||
б) электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В | ||
Примечание. По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов. | ||
3.3. | Материалы | |
3.3.1. | Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих: | |
3.3.1.1. | Кремний; | 3818 00 100 0; 3818 00 900 0 |
3.3.1.2. | Германий; или | 3818 00 900 0 |
3.3.1.3. | Соединения III/V на основе галлия или индия | 3818 00 900 0 |
Техническое примечание. Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.) | ||
3.3.2. | Материалы резистов и подложки, покрытые контролируемыми резистами, такие как: | |
3.3.2.1. | Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 350 нм; | 3824 90 900 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; | 3824 90 900 0 |
3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; | 3824 90 900 0 |
3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силицированные резисты Техническое примечание. Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления. | 3824 90 900 0 |
3.3.3. | Органо - неорганические компаунды, такие как: | |
3.3.3.1. | Органо - металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999%; | 2931 00 800 0 |
3.3.3.2. | Органо - мышьяковистые, органо - сурьмянистые и органо - фосфорные соединения с чистотой органической элементной основы свыше 99,999% | 2931 00 800 0 |
Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы. | ||
3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999% даже после растворения в инертных газах или водороде | 2848 00 000 0; 2850 00 100 0 |
Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода. | ||
3.4. | Программное обеспечение | |
3.4.1. | Программное обеспечение, специально созданное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 | |
3.4.2. | Программное обеспечение, специально созданное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2 | |
3.4.3. | Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), предназначенное для полупроводниковых приборов или интегральных схем, имеющее любую из следующих составляющих: | |
3.4.3.1. | Правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; | |
3.4.3.2. | Моделирование схем по их физической топологии; или | |
3.4.3.3. | Имитаторы литографических процессов для проектирования. | |
Техническое примечание. Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки проводников, диэлектриков или полупроводникового материала. | ||
Примечание. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации (трассировки), проверки топологии или размножения шаблонов. | ||
Особое примечание. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология. |
3.5. | Технология | |
3.5.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3.1, 3.2 или 3.5 Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии разработки или производства: а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; | |
б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака: | ||
1) использующие проектные нормы 0,7 мкм или выше; и | ||
2) не содержащие многослойных структур. | ||
Особое примечание. Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б" примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических слоя и два слоя поликремния. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
3.5.2. | Прочие технологии для разработки или производства: | |
а) вакуумных микроэлектронных приборов; | ||
б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; | ||
в) сверхпроводящих электронных приборов; | ||
г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов; | ||
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД - структур) для интегральных схем с диэлектриком из двуокиси кремния; | ||
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов (пп. "е" введен Приказом ГТК РФ от | ||
Категория 4. Вычислительная техника | ||
Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации). | ||
Особые примечания. а) Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, оперативную память или контроллеры накопителей на магнитных дисках, не входят в понятие телекоммуникационной аппаратуры, рассматриваемой в части 1 Категории 5 (Телекоммуникации); | ||
б) для определения контрольного статуса программного обеспечения, которое специально создано для коммутации пакетов, следует использовать пункт 5.4.1. | ||
2. ЭВМ, сопутствующее оборудование или программное обеспечение, выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 2 Категории 5 (Защита информации). | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
4.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
4.1.1. | Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также электронные сборки и специально разработанные для них компоненты: | |
4.1.1.1. | Специально созданные для достижения любой из следующих характеристик: | 8471 |
а) по техническим условиям пригодные для работы при температуре внешней среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше 358 K (85 град. C) | ||
Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных поездов; | ||
б) радиационно стойкие, превышающие любое из следующих требований: | ||
1) поглощенная доза 5 x 1E3 Гр (кремний) [5 x 1E5 рад (кремний)]; | ||
2) мощность дозы на сбой 5 x 1E6 Гр/с (кремний) [5 x 1E8 рад (кремний)/с]; или | ||
3) сбой от высокоэнергетической частицы 1E(-7) ошибок/бит/день; | ||
4.1.1.2. | Имеющие характеристики или функциональные особенности, превосходящие пределы, указанные в части 2 Категории 5 (Защита информации) | 8471 |
Примечание. По пункту 4.1.1.2 не контролируются цифровые персональные ЭВМ и относящееся к ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего индивидуального использования. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
4.1.2. | Гибридные ЭВМ, электронные сборки и специально разработанные для них компоненты: | 8471 10 |
а) имеющие в своем составе цифровые ЭВМ, которые контролируются по пункту 4.1.3; | ||
б) имеющие в своем составе аналого - цифровые преобразователи, обладающие всеми следующими характеристиками: | ||
1) 32 каналами или более; и | ||
2) разрешающей способностью 14 бит (плюс знаковый разряд) или выше со скоростью 200000 преобразований/с или выше |
4.1.3. | Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, а также специально разработанные для них компоненты, такие как: | |
Примечания. 1. Пункт 4.1.3 включает: | ||
а) векторные процессоры; | ||
б) матричные процессоры; | ||
в) цифровые центральные процессоры; | ||
г) логические процессоры; | ||
д) оборудование для улучшения качества изображения; | ||
е) оборудование для обработки сигналов. | ||
2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.3, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если: | ||
а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем; | ||
б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и | ||
в) технология для цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5. | ||
Особые примечания. 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально спроектированного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом другого оборудования, даже если первое соответствует критерию основного элемента. | ||
2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 Категории 5 (Телекоммуникации). | ||
4.1.3.1. | Спроектированные или модифицированные для обеспечения отказоустойчивости | 8471 (кроме 8471 10) |
Примечание. Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них используется любое из следующего: | ||
а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в оперативной памяти; | ||
б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая, что если активный центральный процессор отказывает, ждущий, но отслеживающий центральный процессор может продолжить функционирование системы; | ||
в) взаимосвязь двух центральных процессоров посредством каналов передачи данных или с применением общей памяти, чтобы обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять другую работу, пока не откажет второй центральный процессор, тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, чтобы продолжить функционирование системы; или | ||
г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных посредством программного обеспечения так, что один центральный процессор распознает, когда отказывает другой центральный процессор, и восстанавливает задачи отказавшего устройства; | ||
4.1.3.2. | Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную теоретическую производительность (СТП) свыше 2000 Мтопс; | 8471 (кроме 8471 10) |
4.1.3.3. | Электронные сборки, специально спроектированные или модифицированные для повышения производительности путем объединения вычислительных элементов таким образом, чтобы совокупная теоретическая производительность объединенных сборок превышала пределы, указанные в пункте 4.1.3.2; | 8471 (кроме 8471 10) |
Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на электронные сборки и программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в пункте 4.1.3.2, при поставке в виде необъединенных электронных сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых пригодна только для использования в качестве сопутствующего оборудования, контролируемого по пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5. | ||
2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются электронные сборки, специально спроектированные для продукции или целого семейства продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, указанные в пункте 4.1.3.2. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
4.1.3.4. | Графические акселераторы или графические сопроцессоры, превышающие скорость исчисления трехмерных векторов, равную 3000000; | 8473 30 100 0 |
4.1.3.5. | Оборудование, выполняющее аналого - цифровые преобразования, превосходящее пределы, указанные в пункте 3.1.1.1.5; | 8543 89 900 0 |
4.1.3.6. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
4.1.3.7. | Аппаратура, специально разработанная для обеспечения внешней взаимосвязи цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, которые в коммуникациях имеют скорость передачи данных свыше 80 Мбайт/с | 8471 90 000 0 |
Примечание. По пункту 4.1.3.7 не контролируется оборудование внутренней взаимосвязи (например, объединительные платы, шины), оборудование пассивной взаимосвязи, контроллеры доступа к сети или контроллеры каналов связи. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
4.1.4. | Нижеперечисленные ЭВМ, специально спроектированное сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них: | 8471 |
4.1.4.1. | ЭВМ с систолической матрицей; | |
4.1.4.2. | Нейронные ЭВМ; | |
4.1.4.3. | Оптические ЭВМ | |
4.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет | |
4.3. | Материалы - нет | |
4.4. | Программное обеспечение | |
Примечание. Контрольный статус программного обеспечения для разработки, производства или использования оборудования, указанного в других категориях, определяется по описанию соответствующей категории. В данной категории дается контрольный статус программного обеспечения для оборудования этой категории. | ||
4.4.1. | Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 | |
4.4.2. | Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для поддержки технологии, контролируемой по пункту 4.5 | |
4.4.3. | Специальное программное обеспечение, такое как: | |
4.4.3.1. | Программное обеспечение операционных систем, инструментарий разработки программного обеспечения и компиляторы, специально разработанные для оборудования многопоточной обработки данных в исходных кодах; | |
4.4.3.2. | Экспертные системы или программное обеспечение для механизмов логического вывода экспертных систем, обладающие одновременно следующими признаками: | |
а) правилами, зависящими от времени; и | ||
б) примитивами для работы с временными характеристиками правил и факторов; | ||
4.4.3.3. | Программное обеспечение, имеющее характеристики или выполняющее функции, которые превосходят пределы, указанные в части 2 Категории 5 (Защита информации); | |
Примечание. По пункту 4.4.3.3 не контролируется программное обеспечение, когда оно вывозится пользователями для своего индивидуального использования. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
4.4.3.4. | Операционные системы, специально разработанные для оборудования обработки в реальном масштабе времени, гарантирующие время обработки полного прерывания менее 20 мкс | |
4.5. | Технология | |
4.5.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки, производства или использования оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 |
Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство);
ПЗ - плавающая запятая;
ФЗ - фиксированная запятая;
t - время решения;
XOR - исключающее ИЛИ;
ЦП - центральный процессор;
ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента);
СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов);
R - эффективная скорость вычислений;
ДС - длина слова (число битов);
L - корректировка длины слова (бита);
АЛУ - арифметическое и логическое устройство;
x - знак умножения.
Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа:
1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ).
2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ).
3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента.
Подробное описание этих процедур приведено ниже.
Примечания. 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода - вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования.
Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как:
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения.
Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
Rпз = 1/(время деления ПЗ)
Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда
Rпз = 1/(время обратной величины ПЗ)
Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то Rпз = 0.
Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Последовательные, или операции регистр - регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2.
2. Самая быстрая операция регистр - память или память - регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3.
3. Память - память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L:
ТП = R x L,
где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.)
Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для:
Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (Rфз);
Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (Rпз);
Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R);
Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и
Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ
СТП = ТП (Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ, ТП = max (ТПфз, ТПпз)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом:
Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение.
Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией.
При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и (или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций.
2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ.
3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий.
4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода - вывода, контроллерами ввода - вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.3.
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385)
СТП = ТП1 + C2 x ТП2 + ... + Cn x ТПn,
где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом:
Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память:
C2 = C3 = C4 = ... = Cn = 0,75.
Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии:
а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс;
б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш - память) осуществляется по общему каналу; и
в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по Категории 3.
2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш - память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
Ci = 0,75 x ki (i = 2, ..., 32) (см. примечание ниже)
= 0,60 x ki (i = 33, ..., 64)
= 0,45 x ki (i = 65, ..., 256)
= 0,30 x ki (i > 256)
Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла,
где ki = min (Si/Kr, 1); и
Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с;
Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек.) для всех информационных каналов, связывающих i-й ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память.
Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60.
Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и
в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е.
Ci >= Ci + 1
Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.
N позиции | Наименование | Код товарной номенклатуры внешне-экономической деятельности |
Категория 5 | ||
Часть 1. Телекоммуникации | ||
Примечания. 1. В части 1 Категории 5 определяется контрольный статус компонентов, лазерного, испытательного и производственного оборудования, материалов и программного обеспечения, специально разработанных для телекоммуникационного оборудования или систем. | ||
2. В тех случаях, когда для функционирования или поддержки телекоммуникационного оборудования, указанного в этой категории, и его обеспечения важное значение имеют цифровые ЭВМ, связанное с ними оборудование или программное обеспечение, которые рассматриваются в качестве специально спроектированных компонентов при условии, что они являются стандартными моделями, обычно поставляемыми производителем. Имеются в виду функционирование, администрирование, эксплуатация, проектирование или правовые вопросы компьютерных систем. | ||
5.1.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
5.1.1.1. | Телекоммуникационное оборудование, имеющее любые из следующих характеристик, свойств или качеств: | |
а) специально разработанное для защиты от транзисторных электронных эффектов или электромагнитных импульсных эффектов, возникающих при ядерном взрыве; | 8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0; 8543 89 900 0 | |
б) специально повышенной стойкости к гамма-, нейтронному или ионному излучению; или | 8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0; 8543 89 900 0 | |
в) специально разработанное для функционирования за пределами интервала температур от 218 K (-55 град. C) до 397 K (124 град. C) | 8517; 8525 20 910 0; 8525 20 990; 8527 90 990 0; | |
Примечания. 1. В пункте 5.1.1.1 подпункт "в" применяется только к электронной аппаратуре. | 8543 89 900 0 | |
2. По подпунктам "б" и "в" пункта | ||
5.1.1.1 не контролируется оборудование, предназначенное или модифицированное для использования на борту спутников. | ||
5.1.1.2. | Телекоммуникационные передающие системы и аппаратура и специально разработанные компоненты и принадлежности, имеющие любые из следующих характеристик, свойств или качеств: | |
5.1.1.2.1. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.2.1. | Наличие систем подводной связи, имеющих любую из следующих характеристик: | 9015 80 910 0 |
а) акустическую несущую частоту за пределами интервала от 20 до 60 кГц; | ||
б) использующие электромагнитную несущую частоту менее 30 кГц; или | ||
в) использующие методы электронного сканирования луча | ||
5.1.1.2.3. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.2.4. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.2.5. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.2.6. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.2.2. | Наличие радиоаппаратуры, функционирующей в диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую из следующих характеристик: | 8525 20 910 0; 8525 20 990 |
а) включающая адаптивные методы, обеспечивающие более 15 дБ подавления помехового сигнала; или | ||
б) имеющая все следующие составляющие: | ||
1) автоматически прогнозируемые и выбираемые значения частоты и общей скорости цифровой передачи для ее оптимизации; и | ||
2) встроенный линейный усилитель мощности, способный одновременно поддерживать множественные сигналы с выходной мощностью 1 кВт или более в диапазоне частот 1,5 - 30 МГц или 250 Вт или более в диапазоне частот 30 - 87,5 МГц, свыше предельной полосы пропускания в одну октаву или более и с соотношением гармоник и искажений на выходе лучше - 80 дБ | ||
5.1.1.2.3. | Наличие радиоаппаратуры, использующей расширение спектра или методы перестройки частоты (скачкообразной перестройки частоты), имеющей любую из следующих характеристик: | 8525 20 910 0; 8525 20 990 |
а) коды расширения, программируемые пользователем; или | ||
б) общую ширину полосы передачи частот, в 100 или более раз превышающую полосу частот любого одного информационного канала и составляющую более 50 кГц | ||
Примечания. 1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, которое используется в системах сотовой связи для работы на гражданских частотах. | ||
2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется оборудование, спроектированное для работы с выходной мощностью 1,0 Вт или менее. | ||
5.1.1.2.4. | Наличие радиоприемников с цифровым управлением, имеющих все следующие характеристики: | 8525 20 910 0; 8525 20 990 |
а) более 1000 каналов; | ||
б) время переключения частоты менее 1 мс; | ||
в) автоматический поиск или сканирование в части электромагнитного спектра; и | ||
г) возможность идентификации принятого сигнала или типа передатчика | ||
Примечание. По пункту 5.1.1.2.4 не контролируется оборудование сотовой связи, работающее на гражданских частотах. | ||
5.1.1.2.5. | Использующие функции цифровой обработки сигнала для обеспечения кодирования речи со скоростью менее 2400 бит/с | 8525 20 910 0; 8525 20 990 |
5.1.1.3. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.3. | Волоконно - оптические кабели связи, оптические волокна и принадлежности, такие как: | 9001 10 900; 8544 70 000 0 |
а) оптические волокна и кабели длиной более 500 м, способные выдерживать напряжение на растяжение 2 х 1Е9 Н/кв. м или более в контрольном тесте; | ||
Техническое примечание. Контрольный тест - проверка на стадиях изготовления или после изготовления, которая заключается в приложении заданного напряжения к волокну длиной от более 0,5 до 3 м на скорости хода от 2 до 5 м/с при прохождении между ведущими валами приблизительно 150 мм в диаметре. Окружающая среда имеет номинальные значения температуры 293 K и относительной влажности 40%. | ||
Особое примечание. Для выполнения проверочного теста могут использоваться соответствующие национальные стандарты. | ||
б) волоконно - оптические кабели и принадлежности, разработанные для использования под водой. | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 5.1.1.3 не контролируются стандартные телекоммуникационные кабели и принадлежности для гражданского использования. | ||
Особые примечания. 1. Для подводных кабельных разъемов и соединителей для них см. пункт 8.1.2.1.3; | ||
2. Для волоконно - оптических корпусных разъемов и соединителей см. пункт 8.1.2.3. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.1.4. | Антенные фазированные решетки с электронным сканированием луча, функционирующие на частотах свыше 31 ГГц | 8529 10 900 |
Примечание. По пункту 5.1.1.4 не контролируются антенные фазированные решетки для систем посадки с аппаратурой, удовлетворяющей стандартам Международной организации гражданской авиации (ИКАО), перекрывающим системы посадки СВЧ - диапазона (MLS). |
5.2.1. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
5.2.1.1. | Оборудование и специально разработанные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки, производства или использования оборудования, функций или свойств, контролируемых по части 1 Категории 5 | |
Примечание. По пункту 5.2.1.1 не контролируются оптические волокна и волоконно - оптические заготовки для оборудования, не использующего полупроводниковые лазеры. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2. | Оборудование и специально спроектированные компоненты или принадлежности для него, специально предназначенные для разработки любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования: | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2.1. | Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2.2. | Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих: | |
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; | ||
б) исполнение оптического усиления; | ||
в) использование техники когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного также как техника оптического гетеродина или гомодина); или | ||
г) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц | ||
Примечание. По подпункту "г" пункта 5.2.1.2.2 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки систем коммерческого телевидения; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2.3. | Оборудования, использующего оптическую коммутацию; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2.4. | Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих: | |
а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или | ||
б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГц | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 5.2.1.2.4 не контролируется оборудование, специально предназначенное для разработки оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.2.1.2.5. | Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую либо в несвязанном, либо в квазисвязанном режиме работы | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.3.1. | Материалы - нет | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.3.1.1. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
5.4.1. | Программное обеспечение | |
5.4.1.1. | Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства или использования оборудования, операций или устройств, контролируемых по части 1 Категории 5 | |
5.4.1.2. | Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для поддержки технологий, контролируемых по пункту 5.5.1 | |
5.4.1.3. | Специальное программное обеспечение, такое как: | |
5.4.1.3.1. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.4.1.3.1. | Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для обеспечения характеристик, функций или свойств аппаратуры, контролируемой по пункту 5.1.1 или 5.2.1; | |
5.4.1.3.2. | Программное обеспечение, обеспечивающее способность восстановления исходного текста телекоммуникационного программного обеспечения, контролируемого по части 1 Категории 5; | |
5.4.1.3.3. | Программное обеспечение в отличной от машиноисполняемой форме, специально разработанное для динамической | |
5.4.1.4. | Программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования: | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.4.1.4.1. | Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.4.1.4.2. | Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих: | |
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; | ||
б) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки систем коммерческого телевидения; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.4.1.4.3. | Оборудования, использующего оптическую коммутацию; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.4.1.4.4. | Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих: | |
а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или | ||
б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГЦ | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 5.4.1.4.4 не контролируется программное обеспечение, специально спроектированное или модифицированное для разработки оборудования, предназначенного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1. | Технология | |
5.5.1.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки, производства или использования (исключая функционирование) оборудования, операций или свойств, или программного обеспечения, контролируемых по части 1 Категории 5; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2. | Отдельные виды технологий, такие как: | |
5.5.1.2.1. | Технология, требуемая для разработки или производства телекоммуникационного оборудования, специально разработанного для использования на борту спутников; | |
5.5.1.2.2. | Технология для разработки или использования методов лазерной связи со способностью автоматического захвата и слежения сигнала и поддержания связи через внешнюю атмосферу или через слой жидкости (воды); | |
5.5.1.2.3. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.4. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.5. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.6. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.3. | Технология для разработки цифровых сотовых радиосистем; | |
5.5.1.2.8. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.9. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.2.4. | Технология для разработки аппаратуры, использующей методы расширения спектра или перестройки частоты (скачкообразной перестройки частоты) | |
5.5.1.3. | Технологии, предназначенные в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки или производства любого из следующего телекоммуникационного оборудования передачи данных по линиям связи или управляемого встроенной программой коммутационного оборудования: | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.3.1. | Оборудования, использующего цифровую технику, включающую асинхронный режим передачи, предназначенную для выполнения операций с общей скоростью цифровой передачи, превышающей 1,5 Гбит/с; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.3.2. | Оборудования, использующего лазер и имеющего любую из следующих составляющих: | |
а) длину волны передачи данных, превышающую 1750 нм; | ||
б) использование оптического усиления с применением фторсодержащих с добавкой празеодимия волоконных усилителей; | ||
в) использование техники когерентной оптической передачи или когерентного оптического детектирования (известного также как техника оптического гетеродина); | ||
г) использование техники мультиплексирования при распределении длин волн, обладающей более чем 8 оптическими разрядами переноса в одинарное оптическое окно; или | ||
д) использование аналоговой техники и наличие ширины полосы пропускания свыше 2,5 ГГц | ||
Примечание. По подпункту "д" пункта 5.5.1.3.2 не контролируются технологии для разработки или производства систем коммерческого телевидения; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.3.3. | Оборудования, использующего оптическую коммутацию; | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.3.4. | Радиоаппаратуры, имеющей любую из следующих составляющих: | |
а) технику квадратурно - амплитудной модуляции (КАМ) с уровнем выше 128; или | ||
б) действующей на входных или выходных частотах, превышающих 31 ГГц | ||
Примечание. По подпункту "б" пункта 5.5.1.3.4 не контролируются технологии для разработки или производства оборудования, сконструированного или модифицированного для работы в любом диапазоне частот, установленном Международным союзом электросвязи; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.5.1.3.5. | Оборудования, использующего передачу сигнала по общему каналу, осуществляемую либо в несвязанном, либо в квазисвязанном режиме работы | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
Часть 2. Защита информации | ||
Примечания. 1. Контрольный статус Информационная безопасность оборудования, программного обеспечения, систем, электронных сборок специального применения, модулей, интегральных схем, компонентов или функций, применяемых для защиты информации, определяется по части 2 Категории 5, даже если они являются компонентами или электронными сборками другой аппаратуры. | ||
2. Экспортный контроль не распространяется на продукцию, перечисленную в части 2 Категории 5, когда она вывозится пользователями для своего индивидуального использования. | ||
3. По пунктам 5.1.2 и 5.4.2 не контролируются предметы, которые удовлетворяют всем следующим требованиям: | ||
а) общедоступны для продажи общественности без ограничений, из имеющегося в наличии в местах розничной продажи, посредством любого из следующего: | ||
1) сделок по продаже в розничной торговле; | ||
2) сделок по почтовым запросам (высылка товаров по почте); | ||
3) электронных сделок; или | ||
4) сделок по телефонным заказам; | ||
б) криптографические возможности которых не могут быть легко изменены пользователем; | ||
в) разработанные для установки пользователем без дальнейшей существенной поддержки поставщиком; и | ||
г) не содержащие симметричный алгоритм, использующий длину ключа, превышающую 64 бита. | ||
Техническое примечание. В части 2 Категории 5 разряды четности не включаются в длину ключа | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.2. | Системы, оборудование и компоненты | |
5.1.2.1. | Системы, аппаратура, специальные сборки, модули и интегральные схемы, применяемые для защиты информации, и другие специально разработанные для этого компоненты: | |
Особое примечание. Для контроля глобальных навигационных спутниковых систем, содержащих приемную аппаратуру или использующих дешифровку (Глобальной спутниковой системы радиоопределения - GPS или Глобальной навигационной спутниковой системы - ГЛОНАСС), см. пункт 7.1.5. | ||
5.1.2.1.1. | Спроектированные или модифицированные для использования криптографии с применением цифровой техники, выполняющие любые криптографические функции, иные чем определение подлинности или электронной подписи, имеющие любую из следующих составляющих: | 8543 89 900 0 |
а) симметричный алгоритм, использующий длину ключа, превышающую 56 бит; или | ||
б) асимметричный алгоритм, где защита алгоритма базируется на любом из следующего: | ||
1. Разложении на множители целых чисел, превышающих 512 бит; или | ||
2. Вычислении дискретных логарифмов в мультипликативной группе конечного поля размера, превышающего 512 бит; или | ||
3. Дискретном логарифме в группе, отличной от поименованных в подпункте "б" пункта 5.1.2.1.1 и размера, превышающего 112 бит | ||
Технические примечания. 1. Функции определения подлинности электронной подписи включают в себя связанную с ними функцию ключевого управления. | ||
2. Определение подлинности включает в себя все аспекты контроля доступа, где нет шифрования файлов или текстов, за исключением шифрования, которое непосредственно связано с защитой паролей, персональных идентификационных номеров или подобных данных для защиты от несанкционированного доступа. | ||
3. Криптография не включает технику для постоянного сжатия данных или кодирования. | ||
Примечание. Пункт 5.1.2.1.1 включает оборудование, разработанное или модифицированное для использования криптографии, работающее на аналоговом принципе, выполнение которого обеспечивается цифровой техникой; | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.2.1.2. | Разработанные или модифицированные для выполнения криптоаналитических функций; | 8543 89 900 0 |
5.1.2.1.3. | Утратил силу. | |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.2.1.4. | Специально разработанные или модифицированные для снижения нежелательной утечки несущих информацию сигналов, кроме того, что необходимо для защиты здоровья или соответствия установленным стандартам электромагнитных помех | 8543 89 900 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
5.1.2.1.5. | Разработанные или модифицированные для применения криптографических методов генерации расширяющегося кода для расширения спектра или скачкообразного кода для систем перестройки частоты; | 8543 89 900 0 |
5.1.2.1.6. | Разработанные или модифицированные для обеспечения сертифицированной или подлежащей сертификации многоуровневой защиты или изоляции пользователя на уровне, превышающем класс В2 критерия оценки надежности компьютерных систем или эквивалентном; | 8543 89 900 0 |
5.1.2.1.7. | Кабельные системы связи, разработанные или модифицированные с использованием механических, электрических или электронных средств для обнаружения несанкционированного доступа | 8543 89 900 0 |
Примечание. По пункту 5.1.2 не контролируются: | ||
1. Персональные кредитные карточки со встроенной микроЭВМ, где криптографические возможности ограничены использованием в оборудовании или системах, выведенных из-под контроля подпунктами 2 - 6 настоящего примечания | ||
Особое примечание. Если персональная кредитная карточка со встроенной микроЭВМ имеет несколько функций, то контрольный статус каждой функции определяется индивидуально. | ||
2. Приемное оборудование для радиовещания, коммерческого телевидения или иного телевидения коммерческого типа для вещания на ограниченную аудиторию без шифрования цифрового сигнала, кроме случаев его использования исключительно для отправки счетов или возврата информации, связанной с программой, поставщикам. | ||
3. Оборудование, криптографические возможности которого недоступны пользователю, специально разработанное или ограниченное для применения любым из следующего: | ||
а) программное обеспечение исполнено в защищенном от копирования виде; | ||
б) доступом к любому из следующего: защищенной от копирования, доступной только для чтения среде передачи данных; или | ||
информации, накопленной в зашифрованной форме в среде (например, в связи с защитой прав интеллектуальной собственности), когда такая среда предлагается на продажу населению в идентичных наборах; или | ||
в) одноразовым копированием аудио- или видеоинформации, защищенной авторскими правами. | ||
4. Криптографическое оборудование, специально спроектированное и ограниченное применением для банковских или финансовых операций. | ||
Техническое примечание. Финансовые операции, указанные в пункте 4 примечания к пункту 5.1.2, включают сборы и оплату за транспортные услуги или кредитование. | ||
5. Портативные или мобильные радиотелефоны гражданского назначения (например, для использования в коммерческих гражданских системах сотовой радиосвязи), которые не содержат функции сквозного шифрования. | ||
6. Беспроводное телефонное оборудование с батарейным питанием, не способное к сквозному шифрованию, максимальный диапазон беспроводного действия которого на батарейном питании без усиления (одиночное, без ретрансляции, соединение между терминалом и домашней базовой станцией) составляет менее 400 м в соответствии со спецификацией производителя. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
6.1.2.3.2. | Решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3. | 8540 99 000 0 |
Техническое примечание. Прямое наблюдение относится к оборудованию для получения изображения, работающему в видимом или ИК диапазонах, которое представляет визуальное изображение человеку - наблюдателю без преобразования изображения в электронный сигнал для телевизионного дисплея и которое не может регистрировать или сохранять изображение фотографически, а также электронным или другим способом. | ||
Примечание. По пункту 6.1.2.3 не контролируется следующее оборудование, содержащее фотокатоды на материалах, отличных от GaAs или GaInAs: | ||
а) производственные или гражданские сигнальные устройства, системы управления движением транспорта или производственным движением либо системы счета; | ||
б) медицинское оборудование; | ||
в) технологическое оборудование, используемое для инспекции, сортировки или анализа свойств материала; | ||
г) сигнализаторы пожара для производственных печей; | ||
д) оборудование, специально разработанное для лабораторного использования. | ||
6.1.2.4. | Специальные компоненты обеспечения для оптических датчиков, такие как: | |
6.1.2.4.1. | Криоохладители, годные для применения в космосе; | 8418 69 990 0 |
6.1.2.4.2. | Нижеперечисленные криоохладители, непригодные для применения в космосе, с температурой охлаждения источника ниже 218 K (-55 град. C): | 8418 69 990 0 |
6.1.2.4.2.1. | Замкнутого цикла с определенным средним временем наработки на отказ или средним временем наработки между отказами более 2500 ч; | 8418 69 990 0 |
6.1.2.4.2.2. | Саморегулирующиеся миниохладители Джоуля - Томсона с наружными диаметрами канала менее 8 мм; | 8418 69 990 0 |
6.1.2.4.3. | Оптические чувствительные волокна, специально изготовленные композиционно или структурно либо модифицированные с помощью покрытия, чтобы стать акустически, термически, инерциально, электромагнитно чувствительными или чувствительными к ядерному излучению; | 9001 10 900 |
6.1.2.5. | Решетки фокальной плоскости, годные для применения в космосе, имеющие более 2048 элементов на решетку и максимальную чувствительность в диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм | 9013 80 900 0 |
6.1.3. | Камеры | |
Особое примечание. Для камер, специально разработанных или модифицированных для подводного использования, см. пункты 8.1.2.4 и 8.1.2.5. | ||
6.1.3.1. | Камеры контрольно - измерительных приборов, такие как: | |
6.1.3.1.1. | Высокоскоростные записывающие кинокамеры, использующие любой формат пленки от 8 до 16 мм, в которых пленка непрерывно движется вперед в течение всего периода записи и которые способны записывать при скорости кадрирования более 13150 кадров/с. | 9007 11 000 0; 9007 19 000 0 |
Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не контролируются записывающие кинокамеры, разработанные для обычных гражданских целей. | ||
6.1.3.1.2. | Механические высокоскоростные камеры, в которых пленка не движется и которые способны записывать при скорости более 1000000 кадров/с для полной высоты кадрирования 35-мм пленки или при пропорционально более высокой скорости для меньшей высоты кадров, или при пропорционально меньшей скорости для большей высоты кадров; | 9007 19 000 0 |
6.1.3.1.3. | Механические или электронные фотохронографы, имеющие скорость записи более 10 мм/мкс; | 9007 19 000 0 |
6.1.3.1.4. | Электронные передающие камеры с кадровой синхронизацией, имеющие скорость более 1000000 кадров/с; | 9007 19 000 0 |
6.1.3.1.5. | Электронные передающие камеры, имеющие все следующие характеристики: | 9007 19 000 0 |
а) скорость электронного затвора (способность стробирования) менее 1 мкс за полный кадр; и | ||
б) время считывания, обеспечивающее скорость кадрирования более 125 полных кадров в секунду | ||
6.1.3.2. | Камеры формирования изображения, такие как: | |
Примечание. По пункту 6.1.3.2 не контролируются телевизионные или видеокамеры, специально предназначенные для телевизионного вещания. | ||
6.1.3.2.1. | Видеокамеры, включающие твердотельные датчики и имеющие любую из следующих характеристик: | 8521 90 000 0 |
а) более 4 x 1E6 активных пикселов на твердотельную решетку для монохромных (черно - белых) камер; | ||
б) более 4 x 1E6 активных пикселов на твердотельную решетку для цветных камер, включающих три твердотельные решетки; или | ||
в) более 12 x 1E6 активных пикселов для цветных камер на основе одной твердотельной решетки; | ||
6.1.3.2.2. | Сканирующие камеры и системы на основе сканирующих камер, имеющие все следующие характеристики: | 8521 90 000 0 |
а) линейные детекторные решетки с более чем 8192 элементами на решетку; и | ||
б) механическое сканирование в одном направлении; | ||
6.1.3.2.3. | Камеры формирования изображений, содержащие электронно - оптические усилители яркости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.2.1; | 8521 90 000 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
6.1.3.2.4. | Камеры формирования изображений, включающие решетки фокальной плоскости, имеющие характеристики, указанные в пункте 6.1.2.1.3 | 8521 90 000 0 |
Примечание. По пункту 6.1.3.2.4 не контролируются камеры формирования изображений, содержащие линейные решетки фокальной плоскости с 12 или меньшим числом элементов, не применяющих время задержки и интегрирования в элементе, разработанные для любого из следующего: | ||
а) производственных или гражданских охранно - сигнальных систем контроля за движением транспорта или подсчета промышленных процессов; | ||
б) производственного оборудования, используемого для контроля или мониторинга высокотемпературных процессов в строительстве, технике или производстве; | ||
в) производственного оборудования, используемого для контроля, сортировки или анализа свойств материалов; | ||
г) оборудования, специально разработанного для лабораторного использования; | ||
д) медицинского оборудования | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
6.1.5. | Лазеры, компоненты и оптическое оборудование: | |
Примечания. 1. Импульсные лазеры включают лазеры, работающие в квазинепрерывном режиме с импульсным перекрытием. | ||
2. Лазеры с импульсной накачкой включают лазеры, работающие в непрерывном режиме при импульсной накачке. | ||
3. Контрольный статус рамановских лазеров определяется параметрами лазерного источника накачки. Лазерным источником накачки может быть любой лазер, рассматриваемый ниже. | ||
6.1.5.1. | Газовые лазеры, такие как: | |
6.1.5.1.1. | Эксимерные лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; | ||
б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 190 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 120 Вт; | ||
в) выходную длину волны в диапазоне от 190 нм до 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 10 Дж; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 500 Вт; или | ||
г) выходную длину волны более 360 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт; | ||
Особое примечание. Для эксимерных лазеров, специально разработанных для литографического оборудования, см. пункт 3.2.1 | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
6.1.5.1.2. | Лазеры на парах металла, такие как: | |
6.1.5.1.2.1. | Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.2.2. | Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 5 Вт; | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.2.3. | Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную мощность более 5 Вт; | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.2.4. | Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 Вт | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.3. | Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) выходную энергию в импульсе более 2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или | ||
б) среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 5 кВт; | ||
6.1.5.1.4. | Лазеры на диоксиде углерода (CO2), имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) выходную мощность в непрерывном режиме более 15 кВт; | ||
б) длительность импульсов в импульсном режиме более 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) среднюю выходную мощность более 10 кВт; или | ||
2) пиковую мощность более 100 кВт; или в) длительность импульсов в импульсном режиме, равную или менее 10 мкс и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) импульсную энергию более 5 Дж; или | ||
2) среднюю выходную мощность более 2,5 кВт; | ||
6.1.5.1.5. | Химические лазеры, такие как: | |
6.1.5.1.5.1. | Водородно - фторовые (HF) лазеры; | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.5.2. | Дейтерий - фторовые (DF) лазеры; | 9013 20 000 0 |
6.1.5.1.5.3. | Переходные лазеры, такие как: | 9013 20 000 0 |
а) лазеры на оксиде йода (O2-I); | ||
б) дейтерий - фторовые - диоксид - углеродные (DF-CO2) лазеры | 9013 20 000 0 | |
6.1.5.1.6. | Лазеры на ионах аргона (Ar) или криптона (Kr), имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; или | ||
б) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; | ||
6.1.5.1.7. | Другие газовые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) выходную длину волны не более 150 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; | ||
б) выходную длину волны в диапазоне от 150 нм до 800 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт; | ||
в) выходную длину волны от 800 нм до 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт; или | ||
г) выходную длину волны более 1400 нм и среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт | ||
Примечание. По пункту 6.1.5.1.7 не контролируются азотные лазеры. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) |
6.1.5.2. | Полупроводниковые лазеры, имеющие длину волны менее 950 нм или более 2000 нм, такие, как: | 8541 40 110 0 |
1. Отдельные с единичной поперечной модой полупроводниковые лазеры, имеющие среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 100 мВт; | ||
2. Отдельные с многократно поперечной модой полупроводниковые лазеры и решетки отдельных полупроводниковых лазеров, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
а) выходную энергию в импульсе более 500 мкДж и импульсную пиковую мощность более 10 Вт; или | ||
б) среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 10 Вт | ||
Техническое примечание. Полупроводниковые лазеры обычно называются лазерными диодами. | ||
Примечания. 1. Пункт 6.1.5.2 включает полупроводниковые лазеры, имеющие оптические выходные соединители (например, волоконно - оптические гибкие проводники). | ||
2. Статус контроля полупроводниковых лазеров, специально предназначенных для другого оборудования, определяется статусом контроля другого оборудования. | ||
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
6.1.5.3. | Твердотельные лазеры, такие как: | |
6.1.5.3.1. | Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
Примечание. Пункт 6.1.5.3.1 включает титано - сапфирные Ti:Al2O3, тулий - YAG (Tm:YAG), тулий - YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры с окрашенным центром. | ||
а) выходную длину волны менее 600 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; | ||
б) выходную длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 1 Дж и импульсную пиковую мощность более 20 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 20 Вт; или | ||
в) выходную длину волны более 1400 нм и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; | ||
6.1.5.3.2. | Неперестраиваемые лазеры, такие как: | |
Примечание. Пункт 6.1.5.3.2 включает твердотельные лазеры на атомных переходах. | ||
6.1.5.3.2.1. | Лазеры на неодимовом стекле, такие как: | 9013 20 000 0 |
а) лазеры с модуляцией добротности, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю выходную мощность более 10 Вт; или | ||
2) выходную энергию в импульсе более 50 Дж; | ||
б) лазеры без модуляции добротности, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю выходную мощность более 20 Вт; или | ||
2) выходную энергию в импульсе более 100 Дж; | ||
6.1.5.3.2.2. | Лазеры с растворенным неодимом (другие, нежели на стекле), имеющие выходную длину волны более 1000 нм, но не более 1100 нм: | 9013 20 000 0 |
Особое примечание. Для лазеров с растворенным неодимом (других, нежели на стекле), имеющих выходную длину волны менее 1000 нм или более 1100 нм, см. пункт 6.1.5.3.2.3. | ||
а) лазеры с модуляцией добротности, импульсным возбуждением и синхронизацией мод, длительностью импульса менее 1 нс и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) пиковую мощность более 5 ГВт; | ||
2) среднюю выходную мощность более 10 Вт; или | ||
3) импульсную энергию более 0,1 Дж; | ||
б) лазеры с модуляцией добротности и импульсным возбуждением с длительностью импульса, равной или больше 1 нс, и имеющие любую из следующих характеристик: | ||
1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 100 МВт; среднюю выходную мощность более 20 Вт; или импульсную энергию более 2 Дж; или | ||
2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 400 МВт; среднюю выходную мощность более 2 кВт; или импульсную энергию более 2 Дж; | ||
в) лазеры с импульсным возбуждением без модуляции добротности, имеющие: | ||
1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или | ||
2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт; | ||
г) лазеры с непрерывным возбуждением, имеющие: | ||
1) одномодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 500 кВт; или среднюю мощность или выходную мощность в непрерывном режиме более 150 Вт; или | ||
2) многомодовое излучение поперечной моды, имеющее: | ||
пиковую мощность более 1 МВт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 2 кВт; | ||
6.1.5.3.2.3. | Другие неперестраиваемые лазеры, имеющие любую из следующих характеристик: | 9013 20 000 0 |
а) длину волны менее 150 нм и: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 50 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт; | ||
б) длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм и: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 30 Вт; | ||
в) длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм, такие как: | ||
1) лазеры с модуляцией добротности, имеющие: | ||
выходную энергию в импульсе более 0,5 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю выходную мощность, превышающую: 10 Вт для лазеров с одной поперечной модой; 30 Вт для лазеров с несколькими поперечными модами; | ||
2) лазеры без модуляции добротности, имеющие: | ||
выходную энергию в импульсе более 2 Дж и импульсную пиковую мощность более 50 Вт; или среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 50 Вт; или | ||
г) длину волны более 1400 нм и: | ||
1) выходную энергию в импульсе более 100 мДж и импульсную пиковую мощность более 1 Вт; или | ||
2) среднюю или выходную мощность в непрерывном режиме более 1 Вт |
6.1.8.10. | Являющиеся лазерными локационными станциями или лазерными дальномерами (ЛИДАРы), имеющими любую из следующих характеристик: | 9015 10 900 0; 9031 80 590 0 |
а) годные для применения в космосе; или | ||
б) использующие методы когерентного гетеродинного или гомодинного детектирования и имеющие угловое разрешение менее (лучше) 20 мкрад | ||
Примечание. По пункту 6.1.8.10 не контролируются ЛИДАРы, специально спроектированные для съемки или метеорологического наблюдения. | ||
6.1.8.11. | Имеющие подсистемы обработки сигнала в виде сжатия импульса с любой из следующих характеристик: | 8526 10 900 0 |
а) коэффициентом сжатия импульса более 150; или | ||
б) шириной импульса менее 200 нс; или | ||
6.1.8.12. | Имеющие подсистемы обработки данных с любой из следующих характеристик: | 8526 10 900 0 |
а) автоматическое сопровождение цели, обеспечивающее при любом вращении антенны определение предполагаемого положения цели за время до следующего прохождения луча антенны; | ||
б) вычисление скорости цели от активной РЛС, имеющей непериодическое (переменное) сканирование; | ||
в) обработка для автоматического распознавания образов (выделение признаков) и сравнения с базами данных характеристик цели (сигналов или образов) для идентификации или классификации целей; или | ||
г) наложение и корреляция или слияние данных о цели от двух или более пространственно распределенных и взаимосвязанных измерительных РЛС для усиления и различения целей | ||
Примечания. 1. По подпункту "а" пункта 6.1.8.12 не контролируются средства выдачи сигнала для предупреждения столкновений в системах контроля воздушного движения, морских или прибрежных РЛС. | ||
2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 не контролируются системы, оборудование и узлы, используемые для контроля морского движения. | ||
6.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
6.2.1. | Акустика - нет | |
6.2.2. | Оптические датчики - нет | |
6.2.3. | Камеры - нет | |
Оптика | ||
6.2.4. | Следующее оптическое оборудование: | |
6.2.4.1. | Оборудование для измерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +/- 0,1% от значения отражательной способности; | 9031 49 900 0 |
6.2.4.2. | Оборудование, отличное от оборудования для измерения рассеяния оптической поверхностью, имеющее незатемненную апертуру с диаметром более 10 см, специально предназначенное для бесконтактного оптического измерения неплоской фигуры (профиля) оптической поверхности с точностью 2 нм или менее (лучше) от требуемого профиля | 9031 49 900 0 |
Примечание. По пункту 6.2.4 не контролируются микроскопы. | ||
6.2.5. | Лазеры - нет | |
6.2.6. | Магнитометры - нет | |
Гравиметры | ||
6.2.7. | Оборудование для производства, юстировки и калибровки гравиметров наземного базирования со статической точностью лучше 0,1 миллигала | 9031 80 390 0 |
Радиолокаторы | ||
6.2.8. | Импульсные локационные системы для измерения поперечного сечения, имеющие длительность передаваемых импульсов 100 нс или менее, и специально предназначенные для них компоненты | 8526 10 900 0 |
6.3. | Материалы | |
6.3.1. | Акустика - нет | |
Оптические датчики | ||
6.3.2. | Материалы для оптических датчиков, такие как: | |
6.3.2.1. | Химически чистый элементарный теллур (Te) с уровнями чистоты 99,9995% или более; | 2804 50 900 0 |
6.3.2.2. | Монокристаллы цинкового теллурида кадмия (CdZnTe) с содержанием цинка менее 6%, теллурида кадмия (CdTe) или ртутного теллурида кадмия (HgCdTe) любого уровня чистоты, включая эпитаксиальные пластины из этих материалов | 3818 00 900 0; 8107 90 000 0 |
(в ред. Приказа ГТК РФ от 10.05.2000 N 385) | ||
6.3.3. | Камеры - нет | |
Оптика | ||
6.3.4. | Оптические материалы, такие как: | |
6.3.4.1. | Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и сульфида цинка (ZnS), полученные химическим осаждением паров, имеющие любую из следующих характеристик: | 2842 90 100 0; 2830 20 000 0 |
а) объем более 100 куб. см; или | ||
б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм или более; | ||
6.3.4.2. | Слитки следующих электрооптических материалов: | |
6.3.4.2.1. | Арсенат титаната калия (KTA); | 2842 90 900 0 |
6.3.4.2.2. | Серебряный селенид галлия (AgGaSe2); | 2842 90 100 0 |
6.3.4.2.3. | Таллиевый селенид мышьяка (Tl3AsSe3, известный также как TAS); | 2842 90 100 0 |
6.3.4.3. | Нелинейные оптические материалы, имеющие все следующие характеристики: | 7020 00 900 0 |
а) восприимчивость третьего порядка (хи 3) 1E(-6) кв. м/В2 или более; и | ||
б) время отклика менее 1 мс; | ||
6.3.4.4. | Заготовки карбида кремнезема или осажденных материалов бериллия - бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной главной оси более 300 мм; | 2849 20 000 0; 8112 19 000 0 |
6.3.4.5. | Стекло, содержащее расплавы кремния, фосфатное стекло, фторофосфатное стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид гафния (HfF4), имеющее все следующие характеристики: | 7001 00 910 0; 7001 00 990 0; 7020 00 900 0 |
а) концентрацию гидроксильных ионов (OH-) менее 5 частей на миллион; | ||
б) интегральные уровни чистоты металлов менее 1 части на миллион; и | ||
в) высокую однородность (вариацию показателя коэффициента преломления) менее 5 x 1E(-6); | ||
6.3.4.6. | Синтетический алмазный материал с поглощением менее 1E(-5) смЕ(-1) на длине волны от 200 нм до 14000 нм | 7104 90 000 0; 7105 10 000 0 |
Лазеры |
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 23.05.96 N 315 (ред. от 29.05.2000) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОРУЖИЯ МАССОВОГО УНИЧТОЖЕНИЯ И РАКЕТНЫХ СРЕДСТВ ЕГО ДОСТАВКИ"