в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 04.11.2024

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

Бесплатная консультация
Навигация
Федеральное законодательство
Содержание

Действия


Версия для печати

  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 06.03.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"
не действует Редакция от 06.03.2008 Подробная информация
УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 06.03.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"

КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА

КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА
13.1. Системы, оборудование и компоненты
13.1.1. Радиоэлектронные системы и оборудование, специально разработанные для защиты информации от негласного доступа
13.1.2. Генераторы (синтезаторы) сигналов, в том числе программируемые, работающие в диапазоне частот от 1215 МГц до 1615 МГц 8543 20 000 0
13.1.3. Блокираторы радиовзрывателей 8543 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.1.4. Электронно-оптические приборы, предназначенные для дистанционного обнаружения ведущих встречное наблюдение оптических и электронно-оптических средств в любых условиях освещения 9005 80 000 0;
9013 80 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
13.3. Материалы - нет
13.4. Программное обеспечение
13.4.1. Программное обеспечение для разработки и производства электрических и механических элементов антенн, а также для анализа тепловых деформаций конструкций антенн
13.4.2. Программное обеспечение для разработки, производства или применения космических элементов спутниковой системы связи, радиолокационного наблюдения и их элементов, таких, как:
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.2.1. Антенн и механизмов, указанных в пункте 13.5.4.4.1;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.2.2. Антенных решеток, указанных в пункте 13.5.4.4.2;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.2.3. Антенных решеток, указанных в пункте 13.5.4.4.3;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.2.4. Антенных решеток и их компонентов, указанных в пункте 13.5.4.4.4;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.2.5. Антенн и компонентов, указанных в пункте 13.5.4.4.5
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.3. Программное обеспечение для разработки или производства аппаратуры, указанной в пунктах 13.5.5.1 - 13.5.5.5
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для использования в системах и оборудовании, контролируемых по пункту 13.1.1
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.5. Программное обеспечение для разработки или производства элементов электровакуумных СВЧ-приборов, указанных в пунктах 13.5.3.4.1 - 13.5.3.4.3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.6. Программное обеспечение, предназначенное для использования в генераторах (синтезаторах) сигналов, контролируемых по пункту 13.1.2
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.4.7. Программное обеспечение для разработки оптико-электронных телескопических комплексов, указанных в пункте 13.5.10
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.5. Технология
13.5.1. Технологии, связанные с разработкой, производством или применением вакуумной электроники, акустоэлектроники и сегнетоэлектрики:
13.5.1.1. Технологии разработки, производства или применения оборудования с цифровым управлением, позволяющего осуществлять автоматическую ориентацию рентгеновского луча и коррекцию углового положения кварцевых кристаллов с компенсацией механических напряжений, вращающихся по двум осям при величине погрешности 10 угловых секунд или менее, которая поддерживается одновременно для двух осей вращения;
13.5.1.2. Технологии разработки, производства или применения оборудования для равномерного покрытия поверхности мембран, электродов и волоконно-оптических элементов монослоями биополимеров или биополимерных композиций
13.5.2. Технологии разработки, производства или применения криогенной техники:
13.5.2.1. Технологии разработки, производства или применения низкотемпературных контейнеров, криогенных трубопроводов или низкотемпературных рефрижераторных систем закрытого типа, разработанных для получения и поддержания регулируемых температур ниже 100 К и пригодных для использования на подвижных наземных, морских, воздушных и космических платформах
13.5.3. Технологии разработки, производства или применения источников микроволнового излучения (в том числе СВЧ-излучения) средней мощностью более 3 МВт с энергией в импульсе более 10 кДж:
13.5.3.1. Технологии разработки, производства или применения мощных переключателей, таких, как водородные тиратроны и их компонентов, в том числе устройств получения длительных (до 30 с) импульсов;
13.5.3.2. Технологии разработки, производства или применения волноводов и их компонентов, в том числе:
13.5.3.2.1. Массового производства одно- и двухгребневых волноводов и высокоточных волноводных компонентов;
13.5.3.2.2. Механических конструкций вращающихся сочленений;
13.5.3.2.3. Устройств охлаждения ферромагнитных компонентов;
13.5.3.2.4. Прецизионных волноводов миллиметровых волн и их компонентов;
13.5.3.2.5. Ферритовых деталей для использования в ферромагнитных компонентах волноводов;
13.5.3.2.6. Ферромагнитных и механических деталей для сборки ферромагнитных узлов волноводов;
13.5.3.2.7. Материалов типа "диэлектрикферрит" для управления фазой сигнала и уменьшения размеров антенны;
13.5.3.3. Технологии разработки, производства или применения СВЧ и ВЧ-антенн, специально предназначенных для ускорения ионов
13.5.3.4. Технологии разработки или производства следующих элементов электровакуумных СВЧ-приборов:
13.5.3.4.1. Безнакальных и вторичноэмиссионных эмиттеров;
13.5.3.4.2. Высокоэффективных эмиттеров с плотностью тока катода более 10 А/кв. см;
13.5.3.4.3. Электронно-оптических и электродинамических систем для многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ), многолучевых приборов и гиротронов
13.5.4. Технологии, связанные с исследованием проблем распространения радиоволн в интересах создания перспективных систем связи и управления:
13.5.4.1. Технологии разработки, производства или применения средств КВ-радиосвязи:
13.5.4.1.1. Технологии разработки, производства или применения автоматически управляемых КВ-радиосистем, в которых обеспечивается управление качеством работы каналов связи;
13.5.4.1.2. Технологии разработки, производства или применения устройств настройки антенн, позволяющих настраиваться на любую частоту в диапазоне от 1,5 МГц до 88 МГц, которые преобразуют начальный импеданс антенны с коэффициентом стоячей волны от 3-1 или более до 3-1 или менее, и обеспечивающих настройку при работе в любом из следующих режимов:
а) в режиме приема за время 200 мс или менее;
б) в режиме передачи за время 200 мс или менее при уровнях мощности менее 100 Вт и за 1 с или менее при уровнях более 100 Вт;
13.5.4.2. Технологии разработки, производства или применения широкополосных передающих антенн, имеющих коэффициент перекрытия частотного диапазона в пределах 10 и более и коэффициент стоячей волны не более 4;
13.5.4.3. Технологии разработки, производства или применения станций радиорелейной связи, использующих эффект тропосферного рассеяния, и их компонентов, таких, как:
13.5.4.3.1. Усилителей мощности для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, использующих жидкостно- и пароохлаждаемые электронные лампы мощностью более 10 кВт или лампы с воздушным охлаждением мощностью 2 кВт или более и коэффициентом усиления более 20 дБ, включая усилители, объединенные со своими источниками электропитания;
13.5.4.3.2. Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ;
13.5.4.3.3. Специальных микроволновых гибридных интегральных схем;
13.5.4.3.4. Фазированных антенных решеток, включая их распределенные компоненты для формирования луча;
13.5.4.3.5. Адаптивных антенн, способных к установке нуля диаграммы направленности в направлении на источник помех;
13.5.4.3.6. Средств радиорелейной связи для передачи цифровой информации со скоростью более 2,1 Мбит/с и более 1 бит/цикл;
13.5.4.3.7. Средств радиорелейной многоканальной (более 120 каналов) связи с разделением каналов по частоте;
13.5.4.4. Технологии разработки, производства или применения космических спутниковых систем связи и их элементов, таких, как:
13.5.4.4.1. Развертываемых антенн, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;
13.5.4.4.2 Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;
13.5.4.4.3. Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем изменения фазы сигнала и установки нуля диаграммы направленности на источник помех;
13.5.4.4.4. Микрополосковых фазированных антенных решеток, включая компоненты для формирования нуля диаграммы в направлении на источник помех;
13.5.4.4.5. Антенн и компонентов на основе композиционных материалов для достижения требуемых характеристик прочности и жесткости при минимальном весе, стабильности длительной их работы в широком диапазоне температур, включая технологии для стабилизации параметров в процессе изготовления компонентов из эпоксидных смол с графитовым наполнением;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.5.4.5. Технологии разработки или производства усилителей мощности, предназначенных для применения в космосе и имеющих одно из следующих устройств и особенностей:
а) приборы с теплообменными устройствами, содержащими схемы теплопередачи от элемента к поглотителю тепла мощностью более 25 Вт с площади 900 кв. см;
б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц или обеспечивающие следующие мощности: 10 Вт на частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте 11 ГГц;
в) высоковольтные источники питания, имеющие соотношение мощность/масса и мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см
13.5.5. Технологии, связанные с разработкой методов и способов радиоэлектронной разведки и подавления:
13.5.5.1. Технологии разработки, производства или применения средств радиоэлектронной разведки и подавления, таких, как:
13.5.5.1.1. Систем разведки и подавления, управляемых оператором или работающих автоматизировано и разработанных для перехвата и анализа сигналов, подавления и нарушения нормальной работы систем связи всех типов или навигации;
13.5.5.1.2. Приемников, работающих с сигналами, имеющими коэффициент сжатия, превышающий 100;
13.5.5.2. Технологии разработки, производства или применения приемников, использующих дисперсионные фильтры и конвольверы с уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже основного сигнала;
13.5.5.3. Технологии разработки, производства или применения приемопередающих устройств, предназначенных для обнаружения, перехвата, анализа, подавления сигналов, в том числе с модуляцией распределенным спектром;
13.5.5.4. Технологии разработки, производства или применения устройств автоматической настройки антенны, обеспечивающих ее перестройку со скоростью не менее 30 МГц/с;
13.5.5.5. Технологии разработки, производства или применения средств автоматического определения направления, способных считывать пеленги со скоростями не менее одного пеленга в секунду;
13.5.5.6. Технологии разработки, производства или применения генераторов (синтезаторов) сигналов, в том числе программируемых, с характеристиками, указанными в пункте 13.1.2
13.5.6. Технологии разработки, изготовления или применения запоминающих устройств (ЗУ) на тонких пленках, такие, как:
13.5.6.1. Технологии разработки, производства или применения ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД);
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
13.5.6.2. Технологии разработки, производства или применения материалов и оборудования для изготовления ЗУ на ЦМД;
13.5.6.3. Технологии выращивания и обработки материалов для изготовления подложек ЗУ на магнитных доменах, например, из материала на основе галлий-гадолиниевого граната;
13.5.6.4. Технологии эпитаксиального выращивания пленок для ЗУ на ЦМД;
13.5.6.5. Технологии осаждения пермаллоя и диэлектрика и создания рисунка с пространственным разрешением лучше 10 мкм, включая металлизацию напылением или испарением и ионное фрезерование;
13.5.6.6. Технологии компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;
13.5.6.7. Технологии разработки ионных имплантантов и ЗУ с соприкасающимися дисками и методы создания рисунка
13.5.7. Технологии разработки, производства или применения ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием:
13.5.7.1. Технологии разработки или производства ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием, включая:
а) подготовку бериллиево-медной подложки для обеспечения чистой и однородной поверхности;
б) покрытие медью для обеспечения требуемых плотности и шероховатости проволоки;
в) конструирование устройств для нанесения покрытий требуемых составов, однородности и толщины пермаллойного (никелево-железного) магнитного материала на проволочные подложки;
г) автоматизированные испытания в ходе нанесения покрытия на проволоку и проверка после окончания процесса с тем, чтобы гарантировать нужные параметры;
13.5.7.2. Технологии разработки или производства запоминающих устройств на проволоке, таких, как:
13.5.7.2.1. Магнитных экранов для запоминающих устройств, в том числе пермаллойного слоя;
13.5.7.2.2. Туннельных структур для плотного и дешевого размещения элементов ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием;
13.5.7.2.3. Ферритовых слоев для формирования линий магнитного потока и увеличения плотности упаковки вдоль проволоки с нанесенным покрытием
13.5.8. Технологии разработки, производства или применения специальных технических средств, разработанных для негласного получения информации, таких, как:
13.5.8.1. Для негласного получения и регистрации акустической информации;
13.5.8.2. Для негласного визуального наблюдения и документирования;
13.5.8.3. Для негласного прослушивания телефонных переговоров;
13.5.8.4. Для негласного перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;
13.5.8.5. Для негласного контроля почтовых сообщений и отправлений;
13.5.8.6. Для негласного исследования предметов и документов;
13.5.8.7. Для негласного проникновения и обследования помещений, транспортных средств и других объектов;
13.5.8.8. Для негласного контроля за перемещением транспортных средств и других объектов;
13.5.8.9. Для негласного получения (изменения, уничтожения) информации с технических средств ее хранения, обработки и передачи;
13.5.8.10. Для негласной идентификации личности
13.5.9. Технологии разработки, производства или применения технических средств для выявления электронных устройств, предназначенных для негласного получения информации
13.5.10. Технологии разработки, производства или применения крупногабаритных оптико-электронных телескопических комплексов, предназначенных для наблюдения земной поверхности из космоса, с диаметром входного зрачка 0,4 м и более
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 06.03.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"

© 2012 - 2024
ZakonBase.ru

© Buzznet: Мониторинг СМИ