в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 04.11.2024

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

Навигация
Федеральное законодательство
Содержание
  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"
отменен/утратил силу Редакция от 04.12.2008 Подробная информация
УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"

КАТЕГОРИЯ 4. ЭЛЕКТРОНИКА

КАТЕГОРИЯ 4. ЭЛЕКТРОНИКА
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Радиоэлектронные системы и оборудование, специально разработанные для защиты информации от негласного доступа
4.1.2. Генераторы (синтезаторы) сигналов, в том числе программируемые, работающие в диапазоне частот от 1215 МГц до 1615 МГц 8543 20 000 0
4.1.3. Блокираторы радиовзрывателей 8543 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.1.4. Электронно-оптические приборы, предназначенные для дистанционного обнаружения ведущих встречное наблюдение оптических и электронно-оптических средств в любых условиях освещения 9005 80 000 0; 9013 80 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.1.5. Оптические средства разведки огневых позиций стрелков (снайперов), позволяющие вычислять их координаты 9005 80 000 0; 9013 80 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.1. Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет
4.3. Материалы - нет
4.4. Программное обеспечение
4.4.1. Программное обеспечение для разработки и производства электрических и механических элементов антенн, а также для анализа тепловых деформаций конструкций антенн
4.4.2. Программное обеспечение для разработки, производства или применения космических элементов спутниковой системы связи, радиолокационного наблюдения и их элементов, таких, как:
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.4.2.1. Антенн и механизмов, указанных в пункте 4.5.4.4.1;
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.4.2.2. Антенных решеток, указанных в пункте 4.5.4.4.2;
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.4.2.3. Антенных решеток, состоящих из Антенных решеток, указанных в пункте 4.5.4.4.3;
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.4.2.4. Антенных решеток и их компонентов, указанных в пункте 4.5.4.4.4;
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
Пункт 13.4.2.5. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.4.2.5. Антенн и компонентов, указанных в пункте 4.5.4.4.5
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
Пункт 13.4.3. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.4.3. Программное обеспечение для разработки или производства аппаратуры, указанной в пунктах 4.5.5.1 - 4.5.5.5
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для использования в системах и оборудовании, определенных в пункте 4.1.1
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.4.5. Программное обеспечение для разработки или производства элементов электровакуумных СВЧ-приборов, указанных в пунктах 4.5.3.4.1 - 4.5.3.4.3
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.4.6. Программное обеспечение, предназначенное для использования в генераторах (синтезаторах) сигналов, определенных в пункте 4.1.2
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.4.7. Программное обеспечение для разработки оптико-электронных телескопических комплексов, указанных в пункте 4.5.10
(в ред. Указов Президента РФ от 06.03.2008 N 326, от 04.12.2008 N 1726)
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, связанные с разработкой, производством или применением вакуумной электроники, акустоэлектроники и сегнетоэлектрики:
4.5.1.1. Технологии разработки, производства или применения оборудования с цифровым управлением, позволяющего осуществлять автоматическую ориентацию рентгеновского луча и коррекцию углового положения кварцевых кристаллов с компенсацией механических напряжений, вращающихся по двум осям при величине погрешности 10 угловых секунд или менее, которая поддерживается одновременно для двух осей вращения;
4.5.1.2. Технологии разработки, производства или применения оборудования для равномерного покрытия поверхности мембран, электродов и волоконно-оптических элементов монослоями биополимеров или биополимерных композиций
4.5.2. Технологии разработки, производства или применения любой из нижеприведенной криогенной техники, разработанной для получения и поддержания регулируемых температур ниже 100 K и пригодной для использования на подвижных наземных, морских, воздушных или космических платформах:
а) низкотемпературных контейнеров;
б) криогенных трубопроводов; или
в) низкотемпературных рефрижераторных систем закрытого типа
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.5.3. Технологии разработки, производства или применения источников микроволнового излучения (в том числе СВЧизлучения) средней мощностью более 3 МВт с энергией в импульсе более 10 кДж:
4.5.3.1. Технологии разработки, производства или применения мощных переключателей, таких, как водородные тиратроны и их компонентов, в том числе устройств получения длительных (до 30 с) импульсов;
4.5.3.2. Технологии разработки, производства или применения волноводов и их компонентов, в том числе:
4.5.3.2.1. Массового производства одно- и двухгребневых волноводов и высокоточных волноводных компонентов;
4.5.3.2.2. Механических конструкций вращающихся сочленений;
4.5.3.2.3. Устройств охлаждения ферромагнитных компонентов;
4.5.3.2.4. Прецизионных волноводов миллиметровых волн и их компонентов;
4.5.3.2.5. Ферритовых деталей для использования в ферромагнитных компонентах волноводов;
4.5.3.2.6. Ферромагнитных и механических деталей для сборки ферромагнитных узлов волноводов;
4.5.3.2.7. Материалов типа "диэлектрик-феррит" для управления фазой сигнала и уменьшения размеров антенны;
4.5.3.3. Технологии разработки, производства или применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально предназначенных для ускорения ионов
4.5.3.4. Технологии разработки или производства следующих элементов электровакуумных СВЧ-приборов:
4.5.3.4.1. Безнакальных и вторично-эмиссионных эмиттеров;
4.5.3.4.2. Высокоэффективных эмиттеров с плотностью тока катода более 10 А/кв. см;
4.5.3.4.3. Электронно-оптических и электродинамических систем для многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ), многолучевых приборов и гиротронов
4.5.4. Технологии, связанные с исследованием проблем распространения радиоволн в интересах создания перспективных систем связи и управления:
4.5.4.1. Технологии разработки, производства или применения средств КВ-радиосвязи:
4.5.4.1.1. Технологии разработки, производства или применения автоматически управляемых КВ-радиосистем, в которых обеспечивается управление качеством работы каналов связи;
4.5.4.1.2. Технологии разработки, производства или применения устройств настройки антенн, позволяющих настраиваться на любую частоту в диапазоне от 1,5 МГц до 88 МГц, которые преобразуют начальный импеданс антенны с коэффициентом стоячей волны от 3 - 1 или более до 3 - 1 или менее, и обеспечивающих настройку при работе в любом из следующих режимов:
а) в режиме приема за время 200 мс или менее;
б) в режиме передачи за время 200 мс или менее при уровнях мощности менее 100 Вт и за 1 с или менее при уровнях более 100 Вт;
4.5.4.2. Технологии разработки, производства или применения широкополосных передающих антенн, имеющих коэффициент перекрытия частотного диапазона в пределах 10 и более и коэффициент стоячей волны не более 4;
4.5.4.3. Технологии разработки, производства или применения станций радиорелейной связи, использующих эффект тропосферного рассеяния, и их компонентов, таких, как:
4.5.4.3.1. Усилителей мощности для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, использующих жидкостно- и пароохлаждаемые электронные лампы мощностью более 10 кВт или лампы с воздушным охлаждением мощностью 2 кВт или более и коэффициентом усиления более 20 дБ, включая усилители, объединенные со своими источниками электропитания;
4.5.4.3.2. Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ;
4.5.4.3.3. Специальных микроволновых гибридных интегральных схем;
4.5.4.3.4. Фазированных антенных решеток, включая их распределенные компоненты для формирования луча;
4.5.4.3.5. Адаптивных антенн, способных к установке нуля диаграммы направленности в направлении на источник помех;
4.5.4.3.6. Средств радиорелейной связи для передачи цифровой информации со скоростью более 2,1 Мбит/с и более 1 бит/цикл;
4.5.4.3.7. Средств радиорелейной многоканальной (более 120 каналов) связи с разделением каналов по частоте;
4.5.4.4. Технологии разработки, производства или применения космических спутниковых систем связи и их элементов, таких, как:
4.5.4.4.1. Развертываемых антенн, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;
4.5.4.4.2. Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;
4.5.4.4.3. Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем изменения фазы сигнала и установки нуля диаграммы направленности на источник помех;
4.5.4.4.4. Микрополосковых фазированных антенных решеток, включая компоненты для формирования нуля диаграммы в направлении на источник помех;
Пункт 13.5.4.4.5. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.5.4.4.5. Антенн и компонентов на основе композиционных материалов для достижения требуемых характеристик прочности и жесткости при минимальном весе, стабильности длительной их работы в широком диапазоне температур, включая технологии для стабилизации параметров в процессе изготовления компонентов из эпоксидных смол с графитовым наполнением;
4.5.4.5. Технологии разработки или производства усилителей мощности, предназначенных для применения в космосе и имеющих одно из следующих устройств и особенностей:
а) приборы с теплообменными устройствами, содержащими схемы теплопередачи от элемента к поглотителю тепла мощностью более 25 Вт с площади 900 кв. см;
б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц или обеспечивающие следующие мощности: 10 Вт на частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте 11 ГГц;
в) высоковольтные источники питания, имеющие соотношение мощность/масса и мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 кв. см
4.5.5. Технологии, связанные с разработкой методов и способов радиоэлектронной разведки и подавления:
4.5.5.1. Технологии разработки, производства или применения средств радиоэлектронной разведки и подавления, таких, как:
4.5.5.1.1. Систем разведки и подавления, управляемых оператором или работающих автоматизировано и разработанных для перехвата и анализа сигналов, подавления и нарушения нормальной работы систем связи всех типов или навигации;
4.5.5.1.2. Приемников, работающих с сигналами, имеющими коэффициент сжатия, превышающий 100;
4.5.5.2. Технологии разработки, производства или применения приемников, использующих дисперсионные фильтры и конвольверы с уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже основного сигнала;
4.5.5.3. Технологии разработки, производства или применения приемопередающих устройств, предназначенных для обнаружения, перехвата, анализа, подавления сигналов, в том числе с модуляцией распределенным спектром;
4.5.5.4. Технологии разработки, производства или применения устройств автоматической настройки антенны, обеспечивающих ее перестройку со скоростью не менее 30 МГц/с;
4.5.5.5. Технологии разработки, производства или применения средств автоматического определения направления, способных считывать пеленги со скоростями не менее одного пеленга в секунду;
4.5.5.6. Технологии разработки, производства или применения генераторов (синтезаторов) сигналов, в том числе программируемых, с характеристиками, указанными в пункте 4.1.2
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
4.5.6. Технологии разработки, изготовления или применения запоминающих устройств (ЗУ) на тонких пленках, такие, как:
4.5.6.1. Технологии разработки, производства или применения ЗУ на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД);
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
4.5.6.2. Технологии разработки, производства или применения материалов и оборудования для изготовления ЗУ на ЦМД;
4.5.6.3. Технологии выращивания и обработки материалов для изготовления подложек ЗУ на магнитных доменах, например, из материала на основе галлий-гадолиниевого граната;
4.5.6.4. Технологии эпитаксиального выращивания пленок для ЗУ на ЦМД;
4.5.6.5. Технологии осаждения пермаллоя и диэлектрика и создания рисунка с пространственным разрешением лучше 10 мкм, включая металлизацию напылением или испарением и ионное фрезерование;
4.5.6.6. Технологии компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;
4.5.6.7. Технологии разработки ионных имплантантов и ЗУ с соприкасающимися дисками и методы создания рисунка
4.5.7. Технологии разработки, производства или применения ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием:
4.5.7.1. Технологии разработки или производства ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием, включая:
а) подготовку бериллиево-медной подложки для обеспечения чистой и однородной поверхности;
б) покрытие медью для обеспечения требуемых плотности и шероховатости проволоки;
в) конструирование устройств для нанесения покрытий требуемых составов, однородности и толщины пермаллойного (никелево-железного) магнитного материала на проволочные подложки;
г) автоматизированные испытания в ходе нанесения покрытия на проволоку и проверка после окончания процесса с тем, чтобы гарантировать нужные параметры;
4.5.7.2. Технологии разработки или производства запоминающих устройств на проволоке, таких, как:
4.5.7.2.1. Магнитных экранов для запоминающих устройств, в том числе пермаллойного слоя;
4.5.7.2.2. Туннельных структур для плотного и дешевого размещения элементов ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием;
4.5.7.2.3. Ферритовых слоев для формирования линий магнитного потока и увеличения плотности упаковки вдоль проволоки с нанесенным покрытием
4.5.8. Технологии разработки, производства или применения специальных технических средств, разработанных для негласного получения информации, таких, как:
4.5.8.1. Для негласного получения и регистрации акустической информации;
4.5.8.2. Для негласного визуального наблюдения и документирования;
4.5.8.3. Для негласного прослушивания телефонных переговоров;
4.5.8.4. Для негласного перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;
4.5.8.5. Для негласного контроля почтовых сообщений и отправлений;
4.5.8.6. Для негласного исследования предметов и документов;
4.5.8.7. Для негласного проникновения и обследования помещений, транспортных средств и других объектов;
4.5.8.8. Для негласного контроля за перемещением транспортных средств и других объектов;
4.5.8.9. Для негласного получения (изменения, уничтожения) информации с технических средств ее хранения, обработки и передачи;
4.5.8.10. Для негласной идентификации личности
4.5.9. Технологии разработки, производства или применения технических средств для выявления электронных устройств, предназначенных для негласного получения информации
4.5.10. Технологии разработки, производства или применения крупногабаритных оптикоэлектронных телескопических комплексов, предназначенных для наблюдения земной поверхности из космоса, с диаметром входного зрачка 0,4 м и более
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)

  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"