в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 21.11.2024
Расширенный поиск
Популярные запросы
Последнее обновление: 21.11.2024
Законодательная база Российской Федерации
Закрыть
федеральный закон 102 об ипотеке
закон рф о валютном регулировании
гражданский кодекс рф
фз 126
закон об осаго 2017
закон об акционерных обществах
Закон РФ О налогах наимущество физических лиц
закон о промышленной безопасности
бюджетный кодекс рф 2017
коап правонарушение
8 (800) 350-23-61
Бесплатная горячая линия юридической помощи
- Главная
- УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"
УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА | ||
3.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
Примечания: | ||
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
Особое примечание. | ||
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 | ||
3.1.1. | Электронные компоненты: | |
3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: | |
3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: | 8542 |
а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше; | ||
б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 x 10(8) рад/с] или выше; или | ||
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 х 10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов | ||
Примечание. | ||
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре); | ||
3.1.1.1.2. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. С); | ||
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. С); или | ||
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. С) до 398 К (+125 град. С) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.1.1.3. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц | 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; | 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.1.5. | Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: | 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; |
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 105 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 10 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в секунду; | 8542 39 900 9 | |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Технические примечания: | ||
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования | ||
2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с) | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) |
3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: | 8542 |
а) один внутренний лазерный диод или более; | ||
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и | ||
в) световоды; | ||
3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 39 900 5 |
а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30000 (в пересчете на элементы с двумя входами); | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нб; или | ||
в) частоту переключения выше 133 МГц | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) | ||
Особое примечание. | ||
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; | ||
3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 8542 |
3.1.1.1.9. | Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: | 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9 |
а) более 1000 выводов; | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | ||
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: | 8542 |
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или | ||
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; | ||
3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2N)/20 480 мс, где N - количество точек | 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс | ||
Примечания: | ||
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | ||
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы; | ||
3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: | |
3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: | 8540 79 000 0 |
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | ||
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | ||
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе; | ||
3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 8540 71 000 0 |
3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см | 8540 99 000 0 |
Примечания: | ||
1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: | ||
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения | ||
2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам: | ||
а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и | ||
б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) |
3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 31 900 3; 8542 33 000; 8542 39 900 5; 8543 90 000 1 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; | ||
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | ||
в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | ||
г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; | ||
д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или | ||
е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечания: | ||
1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
2. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3. Примечания, приведенные после пункта | ||
3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.1.1.2.3. | Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 21 000 0; 8541 29 000 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | ||
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | ||
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | ||
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | ||
Примечание. | ||
Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 70 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; | ||
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | ||
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; | ||
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | ||
д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или | ||
е) предназначенные для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт.ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт.ГГц2) / / (ГГц)2]; относительную ширину полосы частот 5% или более; любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см.ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см.ГГц) / / (ГГц)] | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности [(см) <= (см · ГГц) /ГГц] | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Особое примечание. | ||
Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2 | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечания: | ||
1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к радиопередающему спутниковому оборудованию, разработанному или предназначенному для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
2. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) |
3.1.1.2.5. | Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (f_max/ f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 70 900 9 |
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или | ||
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Пункт 3.1.1.2.6. - Исключен. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.1.1.2.6. | Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах; | 8543 70 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.1.2.7. | Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики: | 8543 70 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
а) рабочие частоты выше 3 ГГц; | ||
б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | ||
в) объем менее 400 куб. см | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или установленной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; | ||
(в ред. УказовПрезидента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.1.2.8. | Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: | 8540 79 000 0; 8542 31 900 3; 8543 70 900 9; 8543 90 000 1 |
а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с; | ||
б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 куб. см/Вт; и | ||
в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f_max > 2f_min) и любое из следующего: для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Технические примечания: | ||
1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП | ||
2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [куб. см/Вт] = 200 [куб. см]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты: | |
3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 60 000 0 |
а) несущую частоту выше 6 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц; | 8541 60 000 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; | 8541 60 000 0 |
3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: | 8540; 8541; 8542; 8543 |
а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10(-14) Дж; или | ||
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000; |
3.1.1.5. | Нижеперечисленные мощные энергетические устройства: | |
3.1.1.5.1. | Элементы, такие, как: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.5.1.1. | Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C; | 8506 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.5.1.2. | Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C | 8507 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Технические примечания: | ||
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в амперчасах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах | ||
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи | ||
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии | ||
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Пункт 3.1.1.5.1.3. - Исключен. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи, включая батареи, содержащие один элемент; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.5.2. | Высокоэнергетические накопительные конденсаторы: | |
3.1.1.5.2.1. | Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: | 8506; 8507; 8532 |
а) номинальное напряжение 5 кВ или более; | ||
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и | ||
в) полную энергию 25 кДж или более; | ||
3.1.1.5.2.2. | Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: | 8506; 8507; 8532 |
а) номинальное напряжение 5 кВ или более; | ||
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; | ||
в) полную энергию 100 Дж или более; и | ||
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более; | ||
3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: | 8504 50; 8505 90 100 0 |
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; | ||
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и | ||
в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии; | ||
3.1.1.5.4. | Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/кв. м при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО) | 8541 40 900 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равным одной астрономической единице (АЕ); | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.1.6. | Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: | 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 |
а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или | ||
б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | ||
3.1.1.7. | Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик: | 8536 50 030 0; 8536 50 800 0; 8541 30 000 9 |
а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или | ||
б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечания: | ||
1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые триодные тиристоры; электрические триггерные тиристоры; световые триггерные тиристоры; коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры; управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл-оксид-полупроводник); солидтроны | ||
2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются тиристорные устройства и тиристорные модули, интегрированные в оборудование, разработанное для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) |
3.1.2. | Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: | |
3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: | |
3.1.2.1.1. | Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: | 8519 81 540 1; 8519 81 580; 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 10 200 0; 8521 10 950 0 |
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; | ||
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или | ||
в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; | ||
3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с | 8521 10; 8521 90 000 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; | ||
3.1.2.1.3. | Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: | 8471 70 800 0; 8521 10 |
а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или | ||
б) пригодные для применения в космосе | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; | ||
3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; | 8521 90 000 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: | 8471 90 000 0; 8543 70 900 9 |
а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и | ||
б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; | ||
3.1.2.1.6. | Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: | 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0; |
а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и | 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 90 000 9; 8522 90 400 0; | |
б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; | 8522 90 800 0 | |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; | 8543 20 000 0 |
Примечание. | ||
Контрольный статус анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров как функционально законченных приборов определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) |
3.1.2.3. | Анализаторы сигналов радиочастот: | |
3.1.2.3.1. | Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; | 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.3.2. | Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; | 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.3.3. | Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц | 9030 84 000 9; 9030 89 300 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 20 000 0 |
в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
в) время переключения с одной выбранной частоты на другую, определенное любым из следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц; или | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
г) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечания: | ||
1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций | ||
2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.5. | Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; | 9030 40 000 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.6. | Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: | 8517 69 390 0 |
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и | ||
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.2.7.1. | Пригодные для применения в космосе; | 8543 20 000 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.2.7.2. | Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10^(-11) в месяц | 8543 20 000 0 |
Особое примечание. | ||
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт 3.1.1 раздела 2; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.1.2.7.3. | Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее: | 8543 20 000 0" |
а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10(-11) в месяц; и | ||
б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
Примечание. - Исключено. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
Особое примечание. - Исключено. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) |
3.1.3. | Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты | 8419 89 989 0; 8424 89 000 9; 8479 89 970 9 |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: | |
3.2.1.1. | Оборудование для эпитаксиального выращивания: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.1.1. | Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм или более; | 8486 10 000 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.1.2. | Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных | 8486 20 900 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Особое примечание. | ||
В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2; | ||
3.2.1.1.3. | Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; | 8486 10 000 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.2. | Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: | 8486 20 900 9 |
а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ; | ||
б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; | ||
в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или | ||
г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.3. | Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.3.1. | Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: | 8456 90 000 0; 8486 20 900 2 |
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.3.2. | Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: | 8456 90 000 0; 8486 20 900 2 |
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.4. | Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: | 8419 89 300 0; 8486 20 900 9 |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.4.1. | Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.4.2. | Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее; | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.5. | Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: | 8456 10 00; 8456 90 000 0; 8479 50 000 0; 8486 20 900 2; 8486 20 900 3 |
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и | ||
б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме | ||
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме; |
3.2.1.6. | Оборудование для литографии: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.6.1. | Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: | 8443 39 290 0 |
а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Техническое примечание. | ||
Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,45; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.6.2. | Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 180 нм или менее | 8443 39; 8486 20 900 |
((в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.2.1.6.2 включает: | ||
а) инструментальные средства для микроконтактной литографии; | ||
б) инструментальные средства для горячего тиснения; | ||
в) литографические инструментальные средства для нанопечати; | ||
г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.6.3. | Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее: | 8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1 |
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и | ||
б) имеющее любую из следующих характеристик: размер пятна менее 0,2 мкм; возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или точность совмещения слоев лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма); | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.2.1.7. | Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; | 8486 90 900 3 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем | 8486 90 900 3 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.1.9. | Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1 | 8486 90 900 3 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.2.2. | Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления: | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.2.1. | Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; | 9031 80 380 0 |
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326) | ||
Пункт 3.2.2.2. - Исключен. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечание. - Исключено. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Техническое примечание. - Исключено. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.2.2.2. | Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 | 9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.3. | Материалы | |
3.3.1. | Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов: | |
3.3.1.1. | Кремний; | 3818 00 100 0; 3818 00 900 0 |
3.3.1.2. | Германий; | 3818 00 900 0 |
3.3.1.3. | Карбид кремния; или | 3818 00 900 0 |
3.3.1.4. | Соединения III - V на основе галлия или индия | 3818 00 900 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
Техническое примечание. - Исключено. | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.3.2. | Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами: | |
3.3.2.1. | Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм; | 3824 90 980 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; | 3824 90 980 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) |
3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; | 3824 90 980 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты | 3824 90 980 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления | ||
3.3.2.5. | Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие термический или светоотверждающий способ | 3824 90 980 9 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.3.3. | Следующие органо-неорганические соединения: | |
3.3.3.1. | Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; | 2931 00 950 0 |
3.3.3.2. | Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% | 2931 00 950 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы | ||
3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде | 2848 00 000 0; 2850 00 200 0 |
Примечание. | ||
По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода | ||
3.3.5. | Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Ом.см при 20 град. C | 3818 00 900 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.3.6. | Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) | 3818 00 900 0 |
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726) | ||
3.4. | Программное обеспечение | |
3.4.1. | Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 | |
3.4.2. | Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании: | |
а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или | ||
б) контролируемом по пункту 3.2.2 | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.4.3. | Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Техническое примечание. | ||
Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов) | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
Примечание. | ||
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.4.4. | Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3 | |
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
3.5. | Технология | |
3.5.1. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3 | |
Примечание. | ||
По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для: | ||
а) производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3; | ||
б) разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше (хуже); и не содержащие многослойных структур | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Техническое примечание. | ||
Для целей пункта "б" примечания многослойные структуры не включают приборов, содержащих максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.5.2. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик: | |
а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно | ||
Техническое примечание. | ||
Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство; | ||
б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или | ||
в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов) | ||
Примечание. | ||
По подпункту "в" пункта 3.5.2 не контролируется технология мультимедийных расширений | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
Примечания: | ||
1. По пункту 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащие многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями | ||
2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326) | ||
3.5.3. | Прочие технологии для разработки или производства: | |
а) вакуумных микроэлектронных приборов; | ||
б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; | ||
Примечание. | ||
По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) | ||
в) сверхпроводящих электронных приборов; | ||
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов; | ||
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния; | ||
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов; | ||
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше | ||
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384) |
- Главная
- УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"