в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 01.06.2024

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

Бесплатная консультация
Навигация
Федеральное законодательство
Содержание

Действия


Версия для печати

  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"
отменен/утратил силу Редакция от 04.12.2008 Подробная информация
УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"

КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше;
б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр (Si)/c [5 x 10(8) рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 х 10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
Примечание.
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре);
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. С);
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. С); или
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. С) до 398 К (+125 град. С)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным схемам, используемым для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5;
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду; разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду; разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 105 млн. слов в секунду; разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 10 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в секунду; 8542 39 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования
2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
а) один внутренний лазерный диод или более;
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 5
а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30000 (в пересчете на элементы с двумя входами);
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нб; или
в) частоту переключения выше 133 МГц
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
Особое примечание.
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы;
3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; 8542
3.1.1.1.9. Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: 8542 31 900 3; 8542 31 900 9; 8542 39 900 5; 8542 39 900 9
а) более 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: 8542
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2N)/20 480 мс, где N - количество точек 8542 31 900 1; 8542 31 900 9; 8542 39 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс
Примечания:
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: монолитные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы;
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: 8540 79 000 0
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см 8540 99 000 0
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам:
а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и
б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 900 3;
8542 33 000;
8542 39 900 5;
8543 90 000 1
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;
д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или
е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
2. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3. Примечания, приведенные после пункта
3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.3. Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
8541 29 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1мВт); или д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц
Примечание.
Контрольный статус транзисторов, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или
е) предназначенные для работы на частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее: среднюю выходную мощность Р (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт.ГГц2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт.ГГц2) / / (ГГц)2]; относительную ширину полосы частот 5% или более; любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см.ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см.ГГц) / / (ГГц)]
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Для усилителей, имеющих номинальный рабочий диапазон частот, простирающийся в сторону уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле последнего абзаца подпункта "е" пункта 3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности [(см) <= (см · ГГц) /ГГц]
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Особое примечание.
Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к радиопередающему спутниковому оборудованию, разработанному или предназначенному для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
2. Контрольный статус изделий, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указанной в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5 : 1 (f_max/ f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.1.1.2.6. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.1.2.6. Преобразователи и смесители на гармониках, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, описанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх пороговых значений, установленных в этих пунктах; 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики: 8543 70 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб. см
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или установленной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
(в ред. УказовПрезидента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.2.8. Микроволновые модули питания (ММП), содержащие, по крайней мере, лампу бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: 8540 79 000 0; 8542 31 900 3; 8543 70 900 9; 8543 90 000 1
а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с;
б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 куб. см/Вт; и
в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (f_max > 2f_min) и любое из следующего: для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более 100 Вт; или частоту выше 18 ГГц
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Технические примечания:
1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности ММП
2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема ММП. Для максимальной номинальной мощности 20 Вт физический объем определяется как 20 [Вт] x 10 [куб. см/Вт] = 200 [куб. см]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом ММП;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0
а) несущую частоту выше 6 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц; 8541 60 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 8541 60 000 0
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: 8540; 8541; 8542; 8543
а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10(-14) Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Элементы, такие, как:
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы с плотностью энергии, превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C; 8506
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.1.2. Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C 8507
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Технические примечания:
1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в амперчасах, поделенным на массу в килограммах. Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах
2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии. Он является основным компоновочным блоком батареи
3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии
4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.1.1.5.1.3. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи, включая батареи, содержащие один элемент;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
в) полную энергию 25 кДж или более;
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506; 8507; 8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: 8504 50; 8505 90 100 0
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии;
3.1.1.5.4. Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20% при рабочей температуре 301 К (28 °C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/кв. м при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО) 8541 40 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равным одной астрономической единице (АЕ);
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: 9031 80 320 0; 9031 80 340 0
а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +/- 2,5 угл. с
3.1.1.7. Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик: 8536 50 030 0; 8536 50 800 0; 8541 30 000 9
а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30 000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более 1100 В; или
б) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее: импульсное напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; и максимальный ток в импульсе (ударный ток) более 3000 А
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечания:
1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые триодные тиристоры; электрические триггерные тиристоры; световые триггерные тиристоры; коммутационные тиристоры с интегральными вентилями; вентильные запираемые тиристоры; управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл-оксид-полупроводник); солидтроны
2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются тиристорные устройства и тиристорные модули, интегрированные в оборудование, разработанное для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратах
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: 8519 81 540 1; 8519 81 580; 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 10 200 0; 8521 10 950 0
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с 8521 10; 8521 90 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: 8471 70 800 0; 8521 10
а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или
б) пригодные для применения в космосе
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 8521 90 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: 8471 90 000 0; 8543 70 900 9
а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и
б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: 8471 50 000 0; 8471 60; 8471 70 200 0; 8471 70 300 0; 8471 70 500 0;
а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и 8519 81 900 0; 8519 89 900 0; 8521 90 000 9; 8522 90 400 0;
б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; 8522 90 800 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 8543 20 000 0
Примечание.
Контрольный статус анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров как функционально законченных приборов определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.3.3. Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц 9030 84 000 9; 9030 89 300 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутреннего задающего эталонного генератора и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
в) время переключения с одной выбранной частоты на другую, определенное любым из следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; менее 250 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц; или
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
г) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в МГц
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечания:
1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы сигналов синтезированных частот включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций
2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функций обычно определяются частотой выборки (например, Гвыб./с), которая преобразовывается в радиочастотную область посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет возможность прямого вывода 500 МГц или при использовании выборки с запасом по частоте дискретизации максимальная возможность прямого вывода пропорционально ниже
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 9030 40 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8517 69 390 0
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты:
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.1. Пригодные для применения в космосе; 8543 20 000 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.2. Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 х 10^(-11) в месяц 8543 20 000 0
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт 3.1.1 раздела 2;
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.2.7.3. Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее: 8543 20 000 0"
а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10(-11) в месяц; и
б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Особое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0;
8424 89 000 9;
8479 89 970 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального выращивания:
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм или более; 8486 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных 8486 20 900 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;
3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; 8486 10 000 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 9
а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;
б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;
в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или
г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.3. Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления:
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: 8456 90 000 0; 8486 20 900 2
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.3.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: 8456 90 000 0; 8486 20 900 2
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3сигма), равной +/- 5%; или
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.4. Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: 8419 89 300 0; 8486 20 900 9
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.5. Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: 8456 10 00; 8456 90 000 0; 8479 50 000 0; 8486 20 900 2; 8486 20 900 3
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме;
3.2.1.6. Оборудование для литографии:
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: 8443 39 290 0
а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Техническое примечание.
Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле: МРР = (длина волны источника света в нанометрах) х (К фактор) / (числовая апертура), где К фактор = 0,45;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.6.2. Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 180 нм или менее 8443 39; 8486 20 900
((в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
Пункт 3.2.1.6.2 включает:
а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;
б) инструментальные средства для горячего тиснения;
в) литографические инструментальные средства для нанопечати;
г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.6.3. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием методов непосредственного формирования рисунка, имеющее все нижеследующее: 8456 10 00; 8486 20 900 3; 8486 40 000 1
а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; и
б) имеющее любую из следующих характеристик: размер пятна менее 0,2 мкм; возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или точность совмещения слоев лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечание.
По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.1.9. Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1 8486 90 900 3
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.2.2. Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; 9031 80 380 0
(в ред. Указов Президента РФ от 01.12.2005 N 1384, от 06.03.2008 N 326)
Пункт 3.2.2.2. - Исключен.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Техническое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.2.2.2. Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 9030; 9031 20 000 0; 9031 80 380 0
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0; 3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III - V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
Техническое примечание. - Исключено.
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 245 нм; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления
3.3.2.5. Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие термический или светоотверждающий способ 3824 90 980 9
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:
3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; 2931 00 950 0
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% 2931 00 950 0
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде 2848 00 000 0; 2850 00 200 0
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода
3.3.5. Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлияалюминия (AlGaN) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10 000 Ом.см при 20 град. C 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.3.6. Подложки, определенные в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) 3818 00 900 0
(в ред. Указа Президента РФ от 04.12.2008 N 1726)
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:
а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или
б) контролируемом по пункту 3.2.2
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.4.3. Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Техническое примечание.
Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
Примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
3.5. Технология
3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для:
а) производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3;
б) разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше (хуже); и не содержащие многослойных структур
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Техническое примечание.
Для целей пункта "б" примечания многослойные структуры не включают приборов, содержащих максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик:
а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно
Техническое примечание.
Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство;
б) разработанных для выполнения более двух 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или
в) разработанных для выполнения более четырех 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов)
Примечание.
По подпункту "в" пункта 3.5.2 не контролируется технология мультимедийных расширений
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
Примечания:
1. По пункту 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства ядер микропроцессоров, имеющих все нижеперечисленные признаки: использующие технологии с разрешением 0,130 мкм или выше (хуже); и содержащие многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями
2. Пункт 3.5.2 включает технологии для процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров
(в ред. Указа Президента РФ от 06.03.2008 N 326)
3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше
(в ред. Указа Президента РФ от 01.12.2005 N 1384)

  • Главная
  • УКАЗ Президента РФ от 05.05.2004 N 580 (ред. от 04.12.2008) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ СПИСКА ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ И В ОТНОШЕНИИ КОТОРЫХ ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ЭКСПОРТНЫЙ КОНТРОЛЬ"

© 2012 - 2024
ZakonBase.ru

© Buzznet: Мониторинг СМИ