в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 04.11.2024

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

Бесплатная консультация
Навигация
Федеральное законодательство
Содержание

Действия


Версия для печати

  • Главная
  • ПРИКАЗ ФТС РФ от 28.12.2006 N 1378 (ред. от 09.09.2010) "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ" (Приложение 7)
действует Редакция от 09.09.2010 Подробная информация
ПРИКАЗ ФТС РФ от 28.12.2006 N 1378 (ред. от 09.09.2010) "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ" (Приложение 7)

КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА

N пункта Наименование Код ТН ВЭД
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения:
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: 8542
а) суммарную дозу 5 x 10_3 Гр (Si) [5 x 10_5 рад] или выше;
б) мощность дозы 5 x 10_6 Гр (Si)/c [5 x 10_8 рад/с] или выше; или
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10_13 н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов
Примечание.
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДПструктуре);
3.1.1.1.2. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: 8542
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 град. C);
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. C); или
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 град. C) до 398 К (+125 град. C)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов;
3.1.1.1.3. Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик:
3.1.1.1.3.1. Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или 8542 31 900 1;
8542 31 900 9;
8542 39 900 9
3.1.1.1.3.2. Более трех шин данных или команд либо последовательных портов связи, обеспечивающих в отдельности прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи 1000 Мбайт/с или более 8542 31 900 1;
8542 31 900 9;
8542 39 900 9
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры;
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; 8542 31 900 1;
8542 31 900 9;
8542 39 900 9
3.1.1.1.5. Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: 8542 31 900 3;
8542 31 900 9;
8542 39 900 2;
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 9
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит, со скоростью на выходе более 500 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит, со скоростью на выходе более 200 млн. слов в секунду;
разрешающую способность 12 бит со скоростью на выходе более 50 млн. слов в секунду;
разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит, со скоростью на выходе более 5 млн. слов в секунду; или разрешающую способность более 14 бит со скоростью на выходе более 1 млн. слов в секунду;
б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2_n уровням квантования
2. Количество бит в выходном слове соответствует разрешающей способности аналого-цифрового преобразователя
3. Скорость на выходе является максимальной скоростью на выходе преобразователя независимо от структуры или выборки с запасом по частоте дискретизации. Поставщики могут также ссылаться на скорость на выходе как на частоту выборки, скорость преобразования или пропускную способность. Ее часто определяют в мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в секунду (Мвыб./с)
4. Для целей измерения скорости на выходе одно выходное слово в секунду равнозначно одному герцу или одной выборке в секунду;
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: 8542
а) один внутренний лазерный диод или более;
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и
в) световоды;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 39 900 2
а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами);
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или
в) частоту переключения выше 133 МГц
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем межсоединения (ППМС)
Особое примечание.
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы;
3.1.1.1.8. Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: 8542
3.1.1.1.9. 8542 31 900 3;
8542 31 900 9;
8542 39 900 2;
8542 39 900 9
а) более 1000 выводов;
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;
3.1.1.1.10. Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: 8542
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц;
3.1.1.1.11. Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек 8542 31 900 1;
8542 31 900 9;
8542 39 900 9
Техническое примечание.
В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс
Примечания:
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы:
монолитные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы;
3.1.1.2. Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона:
3.1.1.2.1. Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды:
3.1.1.2.1.1. Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: 8540 79 000 0
а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с;
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик:
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5;
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе;
3.1.1.2.1.2. Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; 8540 71 000 0
3.1.1.2.1.3. Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см 8540 99 000 0
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
а) частота не превышает 31,8 ГГц; и
б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения
2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам:
а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и
б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам:
частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и
диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2. Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: 8542 31 900 3;
8542 33 000;
8542 39 900 2;
8543 90 000 1
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;
д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или
е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц
2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности
3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей;
3.1.1.2.3. Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: 8541 21 000 0;
8541 29 000 0
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт);
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или
д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц
Примечание.
Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
3.1.1.2.4. Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие микроволновые усилители, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%;
б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;
г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%;
д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц; или
е) предназначенные для работы на частотах выше 3 ГГц и имеющие все следующее:
среднюю выходную мощность P (Вт), большую, чем результат от деления величины 150 (Вт x ГГц^2) на максимальную рабочую частоту f (ГГц) в квадрате, то есть:
P > 150/f^2 или в единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц^2) / (ГГц^2)];
относительную ширину полосы частот 5% или более;
любые две взаимно перпендикулярные стороны с длиной d (см), равной или меньше, чем результат от деления величины 15 (см x ГГц) на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: d <= 15/f или в единицах размерности [(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]
Особое примечание.
Для оценки ММИС усилителей мощности должны применяться критерии, описанные в пункте 3.1.1.2.2
Примечания:
1. По пункту 3.1.1.2.4 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц
2. Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности;
3.1.1.2.5. Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (f_max / f_min) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 70 900 9
а) полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или
б) полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты;
3.1.1.2.6. Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; 8543 70 900 9
3.1.1.2.7. Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: 8543 70 900 9
а) рабочие частоты выше 3 ГГц;
б) плотность средней выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и
в) объем менее 400 куб. см
Примечание.
По пункту 3.1.1.2.7 не контролируется аппаратура, спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.3. Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:
3.1.1.3.1. Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: 8541 60 000 0
а) несущую частоту выше 2,5 ГГц;
б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик:
частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ;
произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;
ширину полосы частот выше 250 МГц; или дисперсионную задержку более 10 мкс; или
в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; дисперсионную задержку более 10 мкс; или
частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц;
3.1.1.3.2. Приборы на объемных акустических волнах (то есть приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 1 ГГц; 8541 60 000 0
3.1.1.3.3. Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку; 8541 60 000 0
3.1.1.4. Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: 8540;
8541;
8542;
8543
а) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10^(-14) Дж; или
б) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10 000;
3.1.1.5. Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:
3.1.1.5.1. Батареи и сборки фотоэлектрических элементов:
3.1.1.5.1.1. Первичные элементы и батареи с плотностью энергии, превышающей 480 Вт.ч/кг, и пригодные для работы в диапазоне температур от ниже 243 К (-30 град. C) до выше 343 К (70 град. C); 8506;
8507;
8541 40 900 0
3.1.1.5.1.2. Подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии более 150 Вт.ч/кг после 75 циклов заряд-разряда при токе разряда, равном С/5 (С - номинальная емкость в ампер-часах, 5 - время разряда в часах), при работе в диапазоне температур от ниже 253 К (-20 град. C) до выше 333 К (60 град. C) 8506;
8507;
8541 40 900 0
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в килограммах;
3.1.1.5.1.3. Батареи, пригодные для применения в космосе, и радиационно стойкие сборки фотоэлектрических элементов с удельной мощностью более 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 К (28 град. C) и облучении от вольфрамового источника, нагретого до температуры 2800 К (2527 град. С) с плотностью мощности излучения 1 кВт/кв. м 8506;
8507;
8541 40 900 0
Примечание.
По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются батареи объемом 27 куб. см или менее (например, стандартные элементы с угольными стержнями или батареи типа R14);
3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:
3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8506;
8507;
8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и
в) полную энергию 25 кДж или более;
3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 8506;
10 Гц и выше (многоразрядные 8507;
конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: 8532
а) номинальное напряжение 5 кВ или более;
б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;
в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более;
3.1.1.5.3. Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все нижеперечисленные характеристики: 8504 50;
8505 90 100 0
а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;
б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; и
в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/кв. мм
Примечание.
По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально разработанные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии;
3.1.1.6. Цифровые преобразователи абсолютного углового положения вращающегося вала, имеющие любую из следующих характеристик: 9031 80 320 0;
9031 80 340 0
а) разрешение лучше 1/265 000 от полного диапазона (18 бит); или
б) точность лучше +/- 2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее:
3.1.2.1.1. Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: 8519 81 540 1;
8519 81 580;
8519 81 900 0;
8519 89 900 0;
8521 10 200 0;
8521 10 950 0
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или
в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс
Примечание.
Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту;
3.1.2.1.2. Цифровые видеомагнитофоны на 8521 10;
магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с 8521 90 000 9
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике;
3.1.2.1.3. Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: 8471 70 800 0;
8521 10
а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание.
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных;
3.1.2.1.4. Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; 8521 90 000 9
3.1.2.1.5. Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: 8471 90 000 0;
8543 70 900 9
а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и
б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более
Техническое примечание.
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования;
3.1.2.1.6. Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: 8471 50 000 0;
8471 60;
8471 70 200 0;
8471 70 300 0;
8471 70 500 0;
а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и 8519 81 900 0;
8519 89 900 0;
8521 90 000 9;
8522 90 400 0;
б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; 8522 90 800 0
3.1.2.2. Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; 8543 20 000 0
3.1.2.3. Анализаторы сигналов радиочастот:
3.1.2.3.1. Анализаторы сигналов, способные анализировать любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 10 МГц; 9030 84 000 9;
9030 89 300 0
3.1.2.3.2. Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 43,5 ГГц; 9030 84 000 9;
9030 89 300 0
3.1.2.3.3. Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц 9030 20 200 9;
9030 32 000 9;
9030 39 000 9;
9030 84 000 9;
Примечание. 9030 89 300 0
По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры);
3.1.2.4. Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
а) максимальную синтезируемую частоту выше 31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и предназначенные для создания длительности импульса менее 100 нс;
б) максимальную синтезируемую частоту выше 43,5 ГГц;
в) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или
г) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по шкале C шумомера)/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц
Примечание.
По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты
Техническое примечание.
Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.4 длительность импульса определяется как временной интервал между передним фронтом импульса, достигающим 90% от максимума, и задним фронтом импульса, достигающим 10% от максимума
3.1.2.5. Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; 9030 40 000 0
3.1.2.6. Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: 8517 69 390 0
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;
3.1.2.7. Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: 8543 20 000 0
а) долговременную стабильность (старение) меньше (лучше) 1 x 10^(-11) в месяц; или
б) пригодные для применения в космосе
Примечание.
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе
Особое примечание.
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2
3.1.3. Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты 8419 89 989 0;
8424 89 000 9;
8479 89 970 9
3.2. Испытательное, контрольное и производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1. Оборудование для эпитаксиального выращивания:
3.2.1.1.1. Оборудование, обеспечивающее производство любого из следующего: 8486 10 000 9
а) силиконового слоя с отклонением равномерности его толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 200 мм или более; или
б) слоя из любого материала, отличного от силикона, с отклонением равномерности толщины менее +/- 2,5% на расстоянии 75 мм или более;
3.2.1.1.2. Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных 8486 20 900 9
Особое примечание.
В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2;
3.2.1.1.3. Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; 8486 10 000 9
3.2.1.2. Оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 9
а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ;
б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ;
в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или
г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала;
3.2.1.3. Оборудование для сухого анизотропного плазменного травления:
3.2.1.3.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 2;
8456 90 000 0
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +/- 5%; или
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.3.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: 8486 20 900 2;
8456 90 000 0
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +/- 5%; или
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре;
3.2.1.4. Оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: 8486 20 900 9;
8419 89 300 0
3.2.1.4.1. Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;
3.2.1.4.2. Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для использования в производстве полупроводниковых устройств с критическим размером 180 нм или менее;
3.2.1.5. Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой полупроводниковых пластин (подложек), имеющие все следующие характеристики: 8456 10 00;
8486 20 900 2;
8456 90 000 0;
8486 20 900 3;
8479 50 000 0
а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин (подложек), к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и
б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакууме
Примечание.
По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), не предназначенные для работы в вакууме;
3.2.1.6. Оборудование для литографии:
3.2.1.6.1. Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер), имеющее любое из следующего: 8443 39 290 0
а) источник света с длиной волны короче 245 нм; или
б) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 180 нм и менее
Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:
МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура),
где К фактор = 0,45;
3.2.1.6.2. Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов или производства полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого сфокусированного электронного, ионного или лазерного пучка, имеющее любую из следующих характеристик: 8456 10 00;
8486 20 900 3;
8486 40 000 1
а) размер пятна менее 0,2 мкм;
б) возможность формирования рисунка с размером элементов менее 1 мкм; или
в) точность совмещения слоев лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма);
3.2.1.7. Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; 8486 90 900 3
3.2.1.8. Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем 8486 90 900 3
Примечание.
По пункту 3.2.1.8 не контролируются многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, разработанные для изготовления запоминающих устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1
3.2.2. Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:
3.2.2.1. Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах выше 31,8 ГГц; 9031 80 380 0
3.2.2.2. Для испытания микроволновых интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 9030;
9031 20 000 0;
9031 80 380 0
3.3. Материалы
3.3.1. Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:
3.3.1.1. Кремний; 3818 00 100 0;
3818 00 900 0
3.3.1.2. Германий; 3818 00 900 0
3.3.1.3. Карбид кремния; или 3818 00 900 0
3.3.1.4. Соединения III/V на основе галлия или индия 3818 00 900 0
Техническое примечание.
Соединения III/V - это либо поликристаллические, либо бинарные или многокомпонентные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA (по отечественной классификации это группы A3 и B5) Периодической системы Менделеева (например, арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и тому подобное)
3.3.2. Материалы резистов, а также подложки, покрытые контролируемыми резистами:
3.3.2.1. Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны менее 350 нм; 3824 90 980 0
3.3.2.2. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; 3824 90 980 0
3.3.2.3. Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; 3824 90 980 0
3.3.2.4. Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силилированные резисты 3824 90 980 0
Техническое примечание.
Технология силилирования - это процесс, включающий окисление поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления
3.3.3. Следующие органо-неорганические соединения:
3.3.3.1. Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99,999%; 2931 00 950 0
3.3.3.2. Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99,999% 2931 00 950 0
Примечание.
По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы
3.3.4. Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99,999%, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде 2848 00 000 0;
2850 00 200 0
Примечание.
По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2
3.4.2. Программное обеспечение, специально разработанное для применения в любом нижеследующем оборудовании:
а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - 3.2.1.6; или
б) контролируемом по пункту 3.2.2
3.4.3. Физически обоснованное программное обеспечение моделирования, специально разработанное для разработки процессов литографии, травления или осаждения с целью воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топографические рисунки на проводниках, диэлектриках или полупроводниках
Техническое примечание.
Под термином "физически обоснованное" в пункте 3.4.3 понимается использование вычислений для определения последовательности физических факторов и результатов воздействия, основанных на физических свойствах (например, температура, давление, коэффициент диффузии и полупроводниковые свойства материалов)
Примечание.
Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология
3.4.4. Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования, контролируемого по пункту 3.1.3
3.5. Технология
3.5.1. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пункту 3.1, 3.2 или 3.3
Примечание.
По пункту 3.5.1 не контролируются технологии для производства оборудования или компонентов, контролируемых по пункту 3.1.3
3.5.2. Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему Списку другие, чем те, которые контролируются по пункту 3.5.1, для разработки или производства микросхем микропроцессоров, микросхем микрокомпьютеров и микросхем микроконтроллеров, имеющих совокупную теоретическую производительность (СТП) 530 Мтопс (миллионов теоретических операций в секунду) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более
Примечание.
По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии для разработки или производства интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака:
а) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и
б) не содержащие многослойных структур
Техническое примечание.
Термин "многослойные структуры", приведенный в пункте "б" примечания, не включает приборы, содержащие максимум три металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния
3.5.3. Прочие технологии для разработки или производства:
а) вакуумных микроэлектронных приборов;
б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках;
Примечание.
По подпункту "б" пункта 3.5.3 не контролируются технологии для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц;
в) сверхпроводящих электронных приборов;
г) подложек из алмазных пленок для электронных компонентов;
д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния;
е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов;
ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31,8 ГГц или выше

  • Главная
  • ПРИКАЗ ФТС РФ от 28.12.2006 N 1378 (ред. от 09.09.2010) "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ" (Приложение 7)

© 2012 - 2024
ZakonBase.ru

© Buzznet: Мониторинг СМИ