Законодательная база Российской Федерации

УКАЗ Президента РФ от 26.08.96 N 1268 "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ" (вместе со "СПИСКОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ")

Таблица к пункту 2.5.3.6.
Технические приемы осаждения покрытий

Примечания к таблице. 1. Процесс нанесения покрытия включает как нанесение нового покрытия, так и ремонт и обновление существующих покрытий.

2. Покрытие сплавами алюминида включает единичное или многократное нанесение покрытий, в ходе которого на элемент или элементы осаждается покрытие до или в течение процесса алюминидирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия с помощью других процессов. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса пакетной цементации для получения сплавов алюминидов.

3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида.

4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице.

5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:

а) CoCrAlY - покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; или

б) CoCrAlY - покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; или

в) NiCrAlY - покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C).

7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям, или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей.

8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, некоторые галогениды металлов (иодистый калий, фтористый калий), а окон датчиков диаметром более 40 мм - бромистый таллий и хлоробромистый таллий.

10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по Категории 2.

11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются.

13. Титановые сплавы определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C).

14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E-7 КЕ-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C).

15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл.

16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама / (кобальт-никель), карбида титана / (кобальт-никель), карбид хрома / (никель-хром) и карбид хрома / никель.

Технические примечания к таблице. Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера.

Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое нанесение с ядерным дроблением, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы;

б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих;

в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры.

2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем:

а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч;

б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление;

в) при выпаривании лазером для нагрева материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения.

Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия.

3. Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием.

4. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из:

а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)

Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия.

5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.

Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.

6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.

7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.

Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий;

б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.

8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.

Техническая терминология, используемая
в таблице технических приемов осаждения покрытий:

Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости

1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:

1.1.1. Состав раствора для ванны:

1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек

1.1.2. Время обработки в ванне;

1.1.3. Температура в ванне;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы;

1.3. Параметры циклов горячей обработки:

1.3.1. Атмосферные параметры:

1.3.1.1. Состав атмосферы;

1.3.1.2. Атмосферное давление

1.3.2. Температура для горячей обработки;

1.3.3. Продолжительность горячей обработки

1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:

1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:

1.4.1.1. Состав песка;

1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;

1.4.1.3. Скорость подачи песка

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности

1.5. Технические параметры защитного покрытия:

1.5.1. Материал защитного покрытия;

1.5.2. Размещение защитного покрытия

2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице:

2.1. Атмосферные параметры:

2.1.1. Состав атмосферы;

2.1.2. Атмосферное давление

2.2. Временные параметры;

2.3. Температурные параметры;

2.4. Параметры слоя;

2.5. Коэффициент параметров преломления

3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником:

3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1. Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость подачи дроби

3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;

3.3. Параметры цикла горячей обработки:

3.3.1. Атмосферные параметры:

3.3.1.1. Состав атмосферы;

3.3.1.2. Атмосферное давление

3.3.2. Температурно-временные циклы

3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку

4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице:

4.1. Критерии статического выборочного контроля;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1. Усиления;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности

4.3. Критерии для оценки оптических свойств:

4.3.1. Отражательная способность;

4.3.2. Прозрачность;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние

5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице:

5.1. Для химического осаждения паров:

5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;

5.1.2. Состав несущего газа;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа

5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:

5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав химически активного газа;

5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала;

5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1. Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.2.7.6. Ориентация подложки

5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:

5.3.1. Состав обмазки и формулировка;

5.3.2. Состав несущего газа;

5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.5.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки

5.5. Для металлизации распылением:

5.5.1. Состав и структура мишени;

5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;

5.5.3. Состав химически активного газа;

5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;

5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Изменение дозировки

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления

5.7. Для ионного гальванического покрытия:

5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;

5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры наклона подложки