| 3.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
| | Примечания. 1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели те, которые указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу другого оборудования | |
| | 2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, программы которых не могут быть изменены, или разработанных для выполнения конкретных функций для другого оборудования, определяется по контрольному статусу другого оборудования | |
| | Особое примечание. В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.12; если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанных в пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда 8 бит или менее, то ее контрольный статус должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 | |
| 3.1.1. | Электронные компоненты, такие, как: | |
| 3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: | |
| | Примечания. 1. Контрольный статус готовых пластин или полуфабрикатов для их изготовления, на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | |
| | 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: твердотельные интегральные схемы; гибридные интегральные схемы; многокристальные интегральные схемы; пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; оптические интегральные схемы | |
| 3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, спроектированные или определяемые как радиационно стойкие, чтобы выдержать следующее: | 854211; 854219 |
| | а) общую дозу 5 x 10E3 рад (кремний) или выше; или | |
| | б) предел мощности дозы 5 x 10E6 рад (кремний)/с или выше; | |
| 3.1.1.1.2. | Интегральные схемы электрически программируемых постоянных запоминающих устройств (ЭППЗУ), программируемые с ультрафиолетовым стиранием, и статических запоминающих устройств с произвольной выборкой (СЗУПВ), а также интегральные схемы, указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих характеристик: | 854211510; 854211520; 854211530; 854211550; 854211630; 854211650; 854211660; 854211720 |
| | а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 K (+ 125 град. C); | |
| | б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 град. C); или | |
| | в) работоспособные за пределами диапазона температур окружающей среды от 218 K (-55 град. C) до 398 K (+125 град. C) | |
| | Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы для гражданских автомобилей и железнодорожных локомотивов; | |
| 3.1.1.1.3. | Микропроцессорные микросхемы, микрокомпьютерные микросхемы и микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры | |
| 3.1.1.1.3.1. | Совокупную теоретическую производительность (СТП) 260 млн. теоретических операций в секунду (Мтопс) или более и арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бита или более; | 854211870 |
| 3.1.1.1.3.2. | Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или | 8542 |
| 3.1.1.1.3.3. | Более чем одну шину данных или команд, или порт последовательной связи для внешнего межсоединения в параллельный процессор со скоростью передачи, превышающей 2,5 Мбит/с | 854211760 |
| 3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; | 854211550; 854211720; 854211760 |
| 3.1.1.1.5. | Интегральные схемы для аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, такие, как: | 854211830 - 854211870; 854211990; |
| | а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: | 854220100; 854220900 |
| | 1) разрешающую способность 8 бит или более, но меньше 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 10 нс; | |
| | 2) разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 200 нс; или | |
| | 3) разрешающую способность более 12 бит с общим временем преобразования до максимальной разрешающей способности менее 2 мкс; | |
| | б) цифро-аналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит и более и временем выхода на установившийся режим менее 10 нс; | |
| 3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: | 854219 |
| | а) один внутренний лазерный диод или более; | |
| | б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и | |
| | в) оптические волноводы; | |
| 3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем матрицы логических ключей на полевых транзисторах, имеющие любую из следующих характеристик: | 854211300 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,4 нс; | |
| 3.1.1.1.8. | Программируемые пользователем логические матрицы полевых транзисторов, имеющие хотя бы одну из следующих характеристик: | 854211910 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 30000 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) частоту переключения, превышающую 133 МГц; | |
| 3.1.1.1.9. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 854219 |
| 3.1.1.1.10. | Заказные интегральные схемы, у которых функция неизвестна либо производителю неизвестно, распространяется ли контрольный статус на аппаратуру, в которой будут использоваться данные интегральные схемы, имеющие любую из следующих характеристик: | 854219 |
| | а) свыше 208 выводов; | |
| | б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,35 нс; или | |
| | в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | |
| 3.1.1.1.11. | Цифровые интегральные схемы, отличающиеся от указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, созданные на основе какого-либо полупроводникового соединения и имеющие любую из следующих характеристик: | 854211990 |
| | а) эквивалентное количество годных вентилей более 300 (в пересчете на двухвходовые); или | |
| | б) частоту переключения, превышающую 1,2 ГГц; | |
| 3.1.1.1.12. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие любую из следующих характеристик: | 854211810; 854211830 |
| | а) расчетное время выполнения комплексного 1024-точечного быстрого преобразования Фурье менее 1 мс; | 854211850; 854211870 |
| | б) расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье, отличного от 1024-точечного, менее, чем Nlog2N/10240 мс, где N - число точек; или | |
| | в) производительность алгоритма "бабочка" более 5,12 МГц | |
| 3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона, такие, как: | |
| 3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, разработанные или спроектированные для работы в стандартном диапазоне частот гражданских телекоммуникаций, с частотами, не превышающими 31 ГГц | |
| 3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия, такие, как: | 854049000 |
| | а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; | |
| | б) имеющие элемент подогрева катода со временем от включения до выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | |
| | в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с мгновенной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | |
| | г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) мгновенную ширину полосы более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | |
| | 2) мгновенную ширину полосы в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | |
| | 3) годные для применения в космосе; | |
| 3.1.1.2.1.2. | СВЧ-приборы - усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 854041000 |
| 3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, имеющие любую из следующих характеристик: | 854049000 |
| | а) время выхода на уровень эмиссии менее 3 с; или | |
| | б) плотность тока при непрерывной эмиссии и штатных условиях функционирования, превышающую 5 А/кв. см | |
| 3.1.1.2.2. | Микроволновые интегральные схемы или модули, содержащие твердотельные интегральные схемы, работающие на частотах свыше 3 ГГц | 854049000 |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули оборудования, спроектированного для работы в стандартном диапазоне частот гражданской телекоммуникации, не превышающем 31 ГГц; | |
| 3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, предназначенные для работы на частотах, превышающих 31 ГГц; | 854049000 |
| 3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 854049000 |
| | а) работающие на частотах свыше 10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину полосы частот более пол-октавы; | |
| | б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; | |
| 3.1.1.2.5. | Фильтры с электронной или магнитной настройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за 10 мкс, имеющие любую из следующих составляющих: | 854049000 |
| | а) полосовые фильтры, имеющие полосу пропускания частоты более 0,5% от резонансной частоты; или | |
| | б) заградительные фильтры, имеющие полосу подавления частоты менее 0,5% от резонансной частоты; | |
| 3.1.1.2.6. | Микроволновые сборки, способные работать на частотах, превышающих 31 ГГц; | 854049000 |
| 3.1.1.2.7. | Смесители и преобразователи, разработанные для расширения частотного диапазона аппаратуры, указанной в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | 854049000 |
| 3.1.1.2.8. | Микроволновые усилители мощности СВЧ, содержащие лампы, контролируемые по пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие характеристики: | 854081000 |
| | а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; | |
| | б) среднюю плотность выходной мощности, превышающую 80 Вт/кг; и | |
| | в) объем менее 400 куб. см | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, разработанная или пригодная для работы на стандартных частотах гражданских телекоммуникаций | |
| 3.1.1.3. | Приборы на акустических волнах и специально спроектированные для них компоненты, такие, как: | |
| 3.1.1.3.1. | Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонкой подложке (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), имеющие любую из следующих характеристик: | 854160000 |
| | а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или | |
| | б) несущую частоту более 1 ГГц, но не превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ; | |
| | 2) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | |
| | 3) ширину полосы частот более 250 МГц; или | |
| | 4) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | |
| | в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и дополнительно имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100; | |
| | 2) задержку рассеяния, превышающую 10 мкс; или | |
| | 3) частотное подавление боковых лепестков диаграммы направленности более 55 дБ и ширину полосы частот, превышающую 50 МГц; | |
| 3.1.1.3.2. | Приборы на объемных акустических волнах (т.е. приборы для обработки сигналов, использующие упругие волны в материале), обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах свыше 1 ГГц; | 854160000 |
| 3.1.1.3.3. | Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку | 854160000 |
| 3.1.1.4. | Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально спроектированные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, имеющие хотя бы один из следующих признаков: | 854280000 |
| | а) электромагнитное усиление: | |
| | 1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или | |
| | 2) на частотах свыше 31 ГГц; | |
| | б) токовые переключатели для цифровых схем, использующие сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеяние мощности на вентиль (в ваттах) ниже 10E-14 Дж; или | |
| | в) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000 | |
| 3.1.1.5. | Нижеперечисленные накопители энергии: | |
| 3.1.1.5.1. | Батареи и батареи на фотоэлектрических элементах, такие как: | 850619900 |
| | а) первичные элементы и батареи с плотностью энергии свыше 480 Вт. ч/кг и пригодные по техническим условиям для работы в диапазоне температур от 243 K (-30 град. C) и ниже до 343 K (70 град. C) и выше | |
| | Техническое примечание. Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором напряжение на разомкнутых клеммах падает до 75% от номинала, и деления полученного произведения на общую массу элемента (или батареи) в кг; | |
| | б) подзаряжаемые элементы и батареи с плотностью энергии свыше 150 Вт. ч/кг после 75 циклов заряда - разряда при токе разряда, равном С/5 ч (С - номинальная емкость в ампер-часах), при работе в диапазоне температур от 253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K (60 град. C) и выше; | |
| | в) батареи, по техническим условиям годные для применения в космосе, и радиационно стойкие батареи на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв. м при рабочей температуре 301 K (28 град. C) и вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 K (2527 град. C) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются батареи объемом 27 куб. см и меньше (например, стандартные угольные элементы или батареи типа R14); | |
| 3.1.1.5.2. | Накопители большой энергии, такие, как: | 850619900; 850780900 |
| | а) накопители с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовые накопители), имеющие все следующие характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение 5 кВ или более; | |
| | 2) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и | |
| | 3) общую энергию 25 кДж или более; | |
| | б) накопители с частотой повторения 10 Гц и более (многоразовые накопители), имеющие все следующие характеристики: | |
| | 1) номинальное напряжение не менее 5 кВ; | |
| | 2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; | |
| | 3) общую энергию не менее 100 Дж; и | |
| | 4) количество циклов заряда - разряда не менее 10000; | |
| 3.1.1.5.3. | Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально спроектированные на полный заряд или разряд менее чем за одну секунду, имеющие все нижеперечисленные характеристики: | 850519900 |
| | а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду; | |
| | б) внутренний диаметр токопроводящих обмоток более 250 мм; и | |
| | в) номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв. мм | |
| | Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие электромагниты или соленоиды, специально спроектированные для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии | |
| 3.1.1.6. | Вращающиеся преобразователи абсолютного углового положения вала в код, имеющие любую из следующих характеристик: | 903180310 |
| | а) разрешение лучше 1/265000 от полного диапазона (18 бит); или | |
| | б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | |
| 3.1.2. | Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: | |
| 3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее, такие, как: | |
| 3.1.2.1.1. | Накопители на магнитной ленте для аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: | 852039900 |
| | а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; | |
| | б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при числе дорожек более 42; или | |
| | в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (EIA), менее +/- 0,1 мкс | |
| | Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающая аппаратура; | |
| 3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с; | 852110; 852190000 |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны, специально спроектированные для телевизионной записи, использующие стандартный формат сигнала или рекомендуемый Международным консультативным комитетом по радиосвязи (МККР) либо Международной электротехнической комиссией (МЭК) для гражданского телевидения; | |
| 3.1.2.1.3. | Накопители на магнитной ленте для цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: | 852110 |
| | а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или | |
| | б) годные для применения в космосе | |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются аналоговые накопители на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; | |
| 3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса свыше 175 Мбит/с, спроектированная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; | 852190000 |
| 3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: | 854380900 |
| | а) скорость преобразования в цифровую форму не менее 200 млн. проб в секунду и разрешение 10 или более проб в секунду; и | |
| | б) пропускную способность не менее 2 Гбит/с | |
| | Техническое примечание. Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования | |
| 3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов частоты, имеющие время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; | 854380900 |
| 3.1.2.3. | Анализаторы сигналов: | 854380900 |
| | а) способные анализировать частоты, превышающие 31 ГГц; | |
| | б) динамические анализаторы сигналов с полосой пропускания в реальном времени, превышающей 25,6 кГц | |
| | Примечание. По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей | |
| | Техническое примечание. Фильтры с полосой пропускания фиксированных долей известны также как октавные или дробнооктавные фильтры; | |
| 3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 854320000 |
| | а) максимальную синтезируемую частоту более 31 ГГц; | |
| | б) время переключения с одной заданной частоты на другую менее 1 мс; или | |
| | в) фазовый шум одной боковой полосы лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ x с/Гц, где F - смещение рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц | |
| | Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; | |
| 3.1.2.5. | Сетевые анализаторы с максимальной рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; | 854380900 |
| 3.1.2.6. | Микроволновые приемники - тестеры, имеющие все следующие характеристики: | 852790990 |
| | а) максимальную рабочую частоту, превышающую 40 ГГц; и | |
| | б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; | |
| 3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 854320000 |
| | а) долговременную стабильность (старение) менее (лучше) 10E-11 в месяц; или | |
| | б) годные для применения в космосе | |
| | Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые стандарты, не предназначенные для космического применения | |
| 3.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
| 3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: | |
| 3.2.1.1. | Установки, управляемые встроенной программой, предназначенные для эпитаксиального выращивания, такие, как: | |
| 3.2.1.1.1. | Установки, способные выдерживать толщину слоя с отклонением не более +/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; | 841989900 |
| 3.2.1.1.2. | Установки химического осаждения паров металлорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов сложных полупроводников с помощью химических реакций между материалами, которые контролируются по пункту 3.3.3 или 3.3.4; | 841989900 |
| 3.2.1.1.3. | Молекулярно-лучевые установки эпитаксиального выращивания, использующие газовые источники | 841780100 |
| 3.2.1.2. | Установки, управляемые встроенной программой, специально предназначенные для ионной имплантации, имеющие любую из следующих характеристик: | 845610000 |
| | а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; | |
| | б) специально спроектированные и оптимизированные для работы с ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ; | |
| | в) обладающие способностью непосредственной записи; или | |
| | г) пригодные для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; | |
| 3.2.1.3. | Установки сухого травления анизотропной плазмой, управляемые встроенной программой: | 845690000 |
| | а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс | |
| | б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
| 3.2.1.4. | Установки химического парофазового осаждения и плазменной стимуляции, управляемые встроенной программой: | 845690000 |
| | а) с покассетной обработкой пластин и загрузкой через загрузочные шлюзы, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс | |
| | б) специально спроектированные для оборудования, контролируемого по пункту 3.2.1.5, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| | 1) магнитную защиту; или | |
| | 2) электронный циклотронный резонанс; | |
| 3.2.1.5. | Управляемые встроенной программой автоматически загружаемые многокамерные системы с центральной загрузкой пластин, имеющие все следующие составляющие: | 845610000; 845690000 |
| | а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин, к которым присоединяется более двух единиц оборудования для обработки полупроводников; и | |
| | б) предназначенные для интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин в вакуумной среде | |
| | Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические робототехнические системы загрузки пластин, не предназначенные для работы в вакууме | |
| 3.2.1.6. | Установки литографии, управляемые встроенной программой, такие, как: | |
| 3.2.1.6.1. | Установки многократного совмещения и экспонирования для обработки пластин методом фотооптической или рентгеновской литографии, имеющие любую из следующих составляющих: | 900922900 |
| | а) источник света с длиной волны короче 400 нм; или | |
| | б) способность воспроизводить рисунок с минимальным размером разрешения от 0,7 мкм и менее | |
| | Примечание. Минимальный размер разрешения (МРР) рассчитывается по следующей формуле: | |
| | МРР =( (экспозиция источника освещения с длиной волны в мкм) x (К фактор))/ /цифровая апертура | |
| | где К фактор = 0,7; | |
| 3.2.1.6.2. | Установки, специально спроектированные для производства шаблонов или обработки полупроводниковых приборов с использованием отклоняемого фокусируемого электронного луча, пучка ионов или лазерного луча, имеющие любую из следующих характеристик: а) размер пятна менее 0,2 мкм; б) способность производить рисунок с минимальными разрешенными проектными нормами менее 1 мкм; или в) точность совмещения лучше +/- 0,20 мкм (3 сигма) | 845610000 |
| 3.2.1.7. | Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, разработанные для интегральных схем, контролируемых по пункту 3.1.1; | |
| 3.2.1.8. | Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем | 901090000 |
| 3.2.2. | Аппаратура испытаний, управляемая встроенной программой, специально спроектированная для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально спроектированные компоненты и приспособления для нее: | |
| 3.2.2.1. | Для измерения S-параметров транзисторных приборов на частотах свыше 31 ГГц; | 903180390 |
| 3.2.2.2. | Для испытаний интегральных схем, способная выполнять функциональное тестирование (по таблицам истинности) с частотой тестирования строк более 60 МГц | 903180390 |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытаний: | |
| | а) электронных сборок или класса электронных сборок для бытовой или игровой электронной аппаратуры; | |
| | б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или интегральных схем; | |
| 3.2.2.3. | Для испытаний микроволновых интегральных схем на частотах, превышающих 3 ГГц | 903180390 |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.3 не контролируется аппаратура испытаний, специально спроектированная для испытания микроволновых интегральных микросхем для оборудования, предназначенного или пригодного по техническим условиям для работы в стандартном гражданском диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц; | |
| 3.2.2.4. | Электронно-лучевые системы, спроектированные для работы на уровне 3 кэВ или менее, или лазерные лучевые системы для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов, имеющие все следующие составляющие: | 903180390 |
| | а) стробоскопический режим либо с затенением луча, либо с детекторным стробированием; и | |
| | б) электронный спектрометр для замера напряжений менее 0,5 В | |
| | Примечание. По пункту 3.2.2.4 не контролируются сканирующие электронные микроскопы, кроме тех, которые специально спроектированы и оснащены для бесконтактного зондирования запитанных полупроводниковых приборов | |
| 3.3. | Материалы | |
| 3.3.1. | Гетероэпитаксиальные материалы, состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями, имеющими любую из следующих составляющих: | |
| 3.3.1.1. | Кремний; | 381800900 |
| 3.3.1.2. | Германий; или | 381800900 |
| 3.3.1.3. | Соединения III/V на основе галлия или индия | 381800900 |
| | Техническое примечание. Соединения III/V - это поликристаллические или двухэлементные или сложные монокристаллические продукты, состоящие из элементов групп IIIA и VA периодической системы Менделеева (по отечественной классификации это группы A3 и B5) (арсенид галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и т.п.) | |
| 3.3.2. | Материалы резистов и подложки, покрытые контролируемыми резистами, такие, как: | |
| 3.3.2.1. | Позитивные резисты, предназначенные для полупроводниковой литографии, специально приспособленные (оптимизированные) для использования на спектральную чувствительность менее 370 нм; | 854140990 |
| 3.3.2.2. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или лучше; | 854140990 |
| 3.3.2.3. | Все резисты, предназначенные для использования при экспонировании рентгеновскими лучами, с чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или лучше; | 854150990 |
| 3.3.2.4. | Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка, включая силицированные резисты | 854140990 |
| | Техническое примечание. Методы силицирования - это процессы, включающие оксидирование поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого проявления | |
| 3.3.3. | Органо-неорганические компаунды, такие, как: | |
| 3.3.3.1. | Органо-металлические соединения на основе алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы свыше 99,999%; | 293100900 |
| 3.3.3.2. | Органо-мышьяковистые, органо-сурьмянистые и органо-фосфорные соединения с чистотой органической элементной основы свыше 99,999% | 293100900 |
| | Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, чей металлический, частично металлический или неметаллический элемент непосредственно связан с углеродом в органической части молекулы | |
| 3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту свыше 99,999% даже после растворения в инертных газах или водороде | 284890000; 285000100 |
| | Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие 20% и более молей инертных газов или водорода | |
| 3.4. | Программное обеспечение | |
| 3.4.1. | Программное обеспечение, специально созданное для разработки или производства оборудования, контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 | |
| 3.4.2. | Программное обеспечение, специально созданное для применения в оборудовании, управляемом встроенной программой и контролируемом по пункту 3.2 | |
| 3.4.3. | Программное обеспечение систем автоматизированного проектирования (САПР), предназначенное для полупроводниковых приборов или интегральных схем, имеющее любую из следующих составляющих: | |
| 3.4.3.1. | Правила проектирования или правила проверки (верификации) схем; | |
| 3.4.3.2. | Моделирование схем по их физической топологии; или | |
| 3.4.3.3. | Имитаторы литографических процессов для проектирования | |
| | Техническое примечание. Имитатор литографических процессов - это пакет программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для определения последовательности операций литографии, травления и осаждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные топологические рисунки проводников, диэлектриков или полупроводникового материала | |
| | Примечание. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, специально созданное для описания принципиальных схем, логического моделирования, раскладки и маршрутизации (трассировки), проверки топологии или размножения шаблонов | |
| | Особое примечание. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем рассматриваются как технология | |
| 3.5. | Технология | |
| 3.5.1. | Технологии, в соответствии с общим технологическим примечанием предназначенные для разработки или производства оборудования или материалов, контролируемых по пунктам 3.1, 3.2 или 3.5 | |
| | Примечание. По пункту 3.5.1 не контролируются технологии разработки или производства: | |
| | а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; | |
| | б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба нижеперечисленных признака: | |
| | 1) использующие проектные нормы 1 мкм или выше; и | |
| | 2) не содержащие многослойных структур | |
| | Особое примечание. Термин "многослойные структуры" в подпункте 2 пункта "б" примечания не включает приборы, содержащие максимум два металлических слоя и два слоя поликремния | |
| 3.5.2. | Прочие технологии для разработки или производства: | |
| | а) вакуумных микроэлектронных приборов; | |
| | б) полупроводниковых приборов на гетероструктурах, таких, как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках; | |
| | в) сверхпроводящих электронных приборов; | |
| | г) подложек пленок алмаза для электронных компонентов | |
Расширенный поиск
Популярные запросы
