Законодательная база Российской Федерации

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Минтруда РФ от 21.01.2000 N 5 (ред. от 12.09.2001) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ ЕДИНОГО ТАРИФНО - КВАЛИФИКАЦИОННОГО СПРАВОЧНИКА РАБОТ И ПРОФЕССИЙ РАБОЧИХ, ВЫПУСК 20, РАЗДЕЛЫ: "ОБЩИЕ ПРОФЕССИИ ПРОИЗВОДСТВА ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ", "ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ПРОИЗВОДСТВО", "ПРОИЗВОДСТВО РАДИОДЕТАЛЕЙ", "ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ ПРОИЗВОДСТВО", "ПЬЕЗОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОИЗВОДСТВО"

4-й разряд

Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно - плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно - измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.

Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно - измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.

Примеры работ

1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.

2. Мезо - структуры с фоторезистом - ионно - плазменное напыление диэлектрических пленок.

3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.

4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.

5. Стеклопластины - ионно - плазменное нанесение Fe2O3.

Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.