в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 04.11.2024
Расширенный поиск
Популярные запросы
Последнее обновление: 04.11.2024
Законодательная база Российской Федерации
Закрыть
закон об исполнительном производстве 2017
закон 1 фз
упк рф 2017 с изменениями
закон об осаго
фз о некоммерческих организациях
закон о защите прав потребителей
закон о высшем послевузовском образовании
фз 127 о несостоятельности банкротстве
закон об эцп
федеральный закон о газоснабжении
8 (800) 350-23-61
Бесплатная горячая линия юридической помощи
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 (ред. от 22.11.2004) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"
ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 (ред. от 22.11.2004) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА
N пункта | Наименование | Код ТН ВЭД |
КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА | ||
3.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
Примечания: | ||
1. Контрольный статус оборудования и компонентов, указанных в пункте 3.1, других, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11, и которые специально разработаны или имеют те же самые функциональные характеристики, как и другое оборудование, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
2. Контрольный статус интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно запрограммированными или разработанными для выполнения функций другого оборудования, определяется по контрольному статусу такого оборудования | ||
Особое примечание. | ||
В тех случаях, когда изготовитель или заявитель не может определить контрольный статус другого оборудования, этот статус определяется контрольным статусом интегральных схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11. Если интегральная схема является кремниевой микросхемой микроЭВМ или микросхемой микроконтроллера, указанными в пункте 3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда (данных) 8 бит или менее, то ее статус контроля должен определяться в соответствии с пунктом 3.1.1.1.3 | ||
3.1.1. | Электронные компоненты: | |
3.1.1.1. | Нижеперечисленные интегральные микросхемы общего назначения: | |
3.1.1.1.1. | Интегральные схемы, спроектированные или относящиеся к классу радиационно стойких, выдерживающие любое из следующих воздействий: | 8542 |
а) суммарную дозу 5 х 10(3) Гр (Si) [5 х 10(5) рад] или выше; | ||
б) мощность дозы 5 х 10(6) Гр(Si)/с [5 х 10(8)рад/с] или выше; или | ||
в) флюенс (интегральный поток) нейтронов (соответствующий энергии в 1 МэВ) 5х10(13) н/кв. см или более по кремнию или его эквивалент для других материалов | ||
Примечание. | ||
Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется к структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-структуре); | ||
3.1.1.1.2. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, изготовленные из полупроводниковых соединений интегральные схемы памяти, аналого-цифровые преобразователи, цифроаналоговые преобразователи, электронно-оптические или оптические интегральные схемы для обработки сигналов, программируемые пользователем логические устройства, интегральные схемы для нейронных сетей, заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, процессоры быстрого преобразования Фурье, электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с групповой перезаписью или статические запоминающие устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 |
а) работоспособные при температуре окружающей среды выше 398 К (+125 °С); | ||
б) работоспособные при температуре окружающей среды ниже 218 К (-55 °С); или | ||
в) работоспособные во всем диапазоне температур окружающей среды от 218 К (-55 °С) до 398 К (+125 °С) | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется на интегральные схемы, применяемые для гражданских автомобилей и железнодорожных поездов; | ||
3.1.1.1.3. | Микросхемы микропроцессоров, микросхемы микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, имеющие любую из следующих характеристик: | |
3.1.1.1.3.1. | Изготовлены на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
3.1.1.1.3.2. | Более одной шины данных или команд либо последовательный порт связи, что обеспечивает прямое внешнее соединение между параллельными микросхемами микропроцессоров со скоростью передачи, превышающей 150 Мбайт/с | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры; | ||
3.1.1.1.4. | Интегральные схемы памяти, изготовленные на полупроводниковых соединениях; | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
3.1.1.1.5. | Следующие интегральные схемы для аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей: | 8542 29 600 0; 8542 29 900 9; 8542 60 000 9 |
а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
разрешающую способность 8 бит или более, но менее 12 бит с общим временем преобразования менее 5 нс; | ||
разрешающую способность 12 бит с общим временем преобразования менее 20 нс; | ||
разрешающую способность более 12 бит, но равную или меньше 14 бит с общим временем преобразования менее 200 нс; или | ||
разрешающую способность более 14 бит с общим временем | ||
преобразования менее 1 мкс; | ||
б) цифроаналоговые преобразователи с разрешающей способностью 12 бит или более и временем установления сигнала менее 10 нс | ||
Технические примечания: | ||
1. Разрешающая способность n битов соответствует 2(n) уровням квантования | ||
2. Общее время преобразования является величиной, обратной частоте выборки; | ||
3.1.1.1.6. | Электронно-оптические и оптические интегральные схемы для обработки сигналов, имеющие одновременно все перечисленные составляющие: | 8542 |
а) один внутренний лазерный диод или более; | ||
б) один внутренний светочувствительный элемент или более; и | ||
в) световоды; | ||
3.1.1.1.7. | Программируемые пользователем логические устройства, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 21 690 0; 8542 21 990 0 |
а) эквивалентное количество задействованных логических элементов более 30 000 (в пересчете на элементы с двумя входами); | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | ||
в) частоту переключения выше 133 МГц | ||
Примечание. | ||
Пункт 3.1.1.1.7 включает: простые программируемые логические устройства (ППЛУ); сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); программируемые пользователем межсоединения (ППМС) | ||
Особое примечание. | ||
Программируемые пользователем логические устройства также известны как программируемые пользователем вентильные или программируемые пользователем логические матрицы; | ||
3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных сетей; | 8542 |
3.1.1.1.9. | Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: | 8542 21 690 0; 8542 21 990 0; 8542 29; 8542 60 000 |
а) более 1000 выводов; | ||
б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | ||
в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | ||
3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: | 8542 |
а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или | ||
б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; | ||
3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного N-точечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек | 8542 21 45; 8542 21 500 0; 8542 21 83; 8542 21 850 0; 8542 60 000 |
Техническое примечание. | ||
В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс | ||
Примечания: | ||
1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | ||
2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: | ||
монолитные интегральные схемы; | ||
гибридные интегральные схемы; | ||
многокристальные интегральные схемы; | ||
пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; | ||
оптические интегральные схемы; | ||
3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: | |
3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: | 8540 79 000 0 |
а) работающие на частотах, превышающих 31 ГГц; | ||
б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | ||
в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7 % или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | ||
г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | ||
мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | ||
мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | ||
пригодные для применения в космосе; | ||
3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 8540 71 000 0 |
3.1.2. | Нижеперечисленная электронная аппаратура общего назначения: | |
3.1.2.1. | Записывающая аппаратура и специально разработанная измерительная магнитная лента для нее: | |
3.1.2.1.1. | Устройства записи на магнитной ленте показаний аналоговой аппаратуры, включая аппаратуру с возможностью записи цифровых сигналов (например, использующие модуль цифровой записи высокой плотности), имеющие любую из следующих характеристик: | 8520 32 500 0; 8520 32 990 0; 8520 39 900 0; 8520 90 900 0; 8521 10 300 0; 8521 10 800 0 |
а) полосу частот, превышающую 4 МГц на электронный канал или дорожку; | ||
б) полосу частот, превышающую 2 МГц на электронный канал или дорожку, при количестве дорожек более 42; или | ||
в) ошибку рассогласования (основную) временной шкалы, измеренную по методикам соответствующих руководящих материалов Межведомственного совета по радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации электронной промышленности (ЕIA), менее +-0,1 мкс | ||
Примечание. | ||
Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для гражданского применения, не рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту; | ||
3.1.2.1.2. | Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, имеющие максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 360 Мбит/с | 8521 10; 8521 90 000 9 |
(в ред. Приказа ФТС РФ от 22.11.2004 N 306) | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике; | ||
3.1.2.1.3. | Устройства записи на магнитной ленте показаний цифровой аппаратуры, использующие принципы спирального сканирования или принципы фиксированной головки и имеющие любую из следующих характеристик: | 8471 70 600 0; 8521 10 |
а) максимальную пропускную способность цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или | ||
б) пригодные для применения в космосе | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные для записи только цифровых данных; | ||
3.1.2.1.4. | Аппаратура с максимальной пропускной способностью цифрового интерфейса, превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях переделки цифровых видеомагнитофонов на магнитной ленте для использования их как устройств записи данных цифровой аппаратуры; | 8521 90 000 9 |
(в ред. Приказа ФТС РФ от 22.11.2004 N 306) | ||
3.1.2.1.5. | Приборы для преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов, имеющие все следующие характеристики: | 8471 90 000 0; 8543 89 950 0 |
а) скорость преобразования в цифровую форму 200 млн. проб в секунду или более и разрешение 10 бит или более; и | ||
б) непрерывную пропускную способность 2 Гбит/с или более | ||
Техническое примечание. | ||
Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении скорости выборки и аналого-цифрового преобразования; | ||
3.1.2.1.6. | Устройства записи данных цифровой аппаратуры, использующие способ хранения на магнитном диске, имеющие все следующие характеристики: | 8471 50; 8471 60 100 0; 8471 60 900 0; 8471 70 100 0; 8471 70 510 0; |
а) скорость преобразования в цифровую форму 100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит или более; и | 8471 70 530 0; 8520 90 100 0; 8520 90 900 0; 8521 90 000 9; | |
(в ред. Приказа ФТС РФ от 22.11.2004 N 306) | ||
б) непрерывную пропускную способность не менее 1 Гбит/с или более; | 8522 90 590 0; 8522 90 930 0; 8522 90 980 0 | |
3.1.2.2. | Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты менее 1 мс; | 8543 20 000 0 |
3.1.2.3. | Анализаторы сигналов радиочастот: | |
3.1.2.3.1. | Анализаторы сигналов, анализирующие любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или превышающие 43,5 ГГц; | 9030 83 900 0; 9030 89 920 0 |
3.1.2.3.2. | Динамические анализаторы сигналов с полосой частот в реальном масштабе времени, превышающей 500 кГц | 9030 83 900 0; 9030 89 920 0 |
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.3.2 не контролируются динамические анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры); | ||
3.1.2.4. | Генераторы сигналов синтезированных частот, формирующие выходные частоты с управлением по параметрам точности, кратковременной и долговременной стабильности на основе или с помощью внутренней эталонной частоты и имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 20 000 0 |
а) максимальную синтезируемую частоту, превышающую 31,8 ГГц; | ||
б) время переключения с одной выбранной частоты на другую менее 1 мс; или | ||
в) фазовый шум одной боковой полосы лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах дБ/Гц, где F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц | ||
Примечание. | ||
По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты; | ||
3.1.2.5. | Схемные анализаторы (панорамные измерители полных сопротивлений; измерители амплитуды, фазы и групповой задержки двух сигналов относительно опорного сигнала) с максимальной рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц; | 9030 40 900 0 |
3.1.2.6. | Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики: | 8527 90 980 0 |
а) максимальную рабочую частоту, превышающую 43,5 ГГц; и | ||
б) способные одновременно измерять амплитуду и фазу; | ||
3.1.2.7. | Атомные эталоны частоты, имеющие любую из следующих характеристик: | 8543 20 000 0 |
а) долговременную стабильность (старение) меньше(лучше) х 110(-11) в месяц; или | ||
б) пригодные для применения в космосе | ||
Примечание. | ||
По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе | ||
Особое примечание. | ||
В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 | ||
3.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
3.2.1. | Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них: | |
3.2.1.1. | Управляемое встроенной программой оборудование для эпитаксиального выращивания: | |
3.2.1.1.1. | Оборудование, обеспечивающее толщину выращиваемого слоя с отклонением менее +-2,5 % на расстояниях 75 мм или более; | 8479 89 650 0 |
3.2.1.1.2. | Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, специально разработанные для выращивания кристаллов полупроводниковых соединений с использованием материалов, контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных | 8419 89 200 0 |
Особое примечание. | ||
В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2; | ||
3.2.1.1.3. | Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников; | 8479 89 700 0; 8543 89 650 0 |
3.2.1.2. | Управляемое встроенной программой оборудование, предназначенное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик: | 8543 11 000 0 |
а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) более 1 МэВ; | ||
б) специально спроектированное и оптимизированное для работы с энергией пучка (ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; | ||
в) имеет возможность непосредственного формирования рисунка; или | ||
г) имеет возможность высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; | ||
3.2.1.3. | Управляемое встроенной программой оборудование для сухого анизотропного плазменного травления: | |
3.2.1.3.1. | Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: | 8456 91 000 0; 8456 99 800 0 |
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или | ||
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; | ||
3.2.1.3.2. | Оборудование, специально спроектированное для систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и имеющее любую из следующих характеристик: | 8456 91 000 0; 8456 99 800 0 |
а) разработанное или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или | ||
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; | ||
3.2.1.4. | Управляемое встроенной программой оборудование химического осаждения из паровой фазы с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс: | 8419 89 200 0; 8419 89 300 0 |
3.2.1.4.1. | Оборудование с подачей заготовок из кассеты в кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую из следующих характеристик: | |
а) разработанное в соответствии с техническими условиями производителя или оптимизированное для производства структур с критическим размером 0,3 мкм или менее и погрешностью (3 сигма), равной +-5 %; или | ||
б) разработанное для обеспечения чистоты лучше 0,04 частицы на кв. см, при этом измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в диаметре; |
- Главная
- ПРИКАЗ ГТК РФ от 26.07.2004 N 796 (ред. от 22.11.2004) "О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ТОВАРОВ И ТЕХНОЛОГИЙ ДВОЙНОГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЙ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ"