в базе 1 113 607 документа
Последнее обновление: 20.11.2024

Законодательная база Российской Федерации

Расширенный поиск Популярные запросы

8 (800) 350-23-61

Бесплатная горячая линия юридической помощи

Бесплатная консультация
Навигация
Федеральное законодательство
Содержание

Действия


Версия для печати

  • Главная
  • ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007-2011 ГОДЫ"
не действует Редакция от 01.01.1970 Подробная информация
ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007-2011 ГОДЫ"

Приложение N 2. ПЕРЕЧЕНЬ МЕРОПРИЯТИЙ ПОДПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ" НА 2007-2011 ГОДЫ

(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)

Мероприятия 2007 - 2011 годы - всего В том числе Ожидаемые результаты
2007 год 2008 год 2009 год 2010 год 2011 год
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1 "Сверхвысокочастотная электроника"
1. Разработка технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А В 3 5 312 105 147 60 - -создание базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов на основе гетероструктур материалов группы А В для бортовой и 3 5 наземной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
208 <*> 70 98 40
2. Разработка базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона 265 --60 120 85 создание базовой технологии производства монолитных сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В для 3 5 бортовой и наземной аппаратуры радиолокации, средств связи, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
175 40 79 56
3. Разработка базовой технологии производства мощных сверхвысокочастотных полупроводниковых приборов на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 467 153 214 100 --создание технологии производства мощных транзисторов сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур для техники связи, радиолокации
312 102 143 67
4. Разработка базовой технологии и библиотеки элементов для проектирования и производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур 770 --136 337 297 создание технологии производства на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур мощных сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с рабочими частотами до 20 ГГц для связной техники, радиолокации, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
512 90 225 197
5. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных компонентов и сложнофункциональных блоков для сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 357 120 166 71 --создание базовой технологии производства компонентов для сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
231 80 111 40
6. Разработка базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий" 532 --100 246 186 создание базовой технологии производства сверхвысокочастотных интегральных схем диапазона 2-12 ГГц с высокой степенью интеграции для аппаратуры радиолокации и связи бортового и наземного применения, а также бытовой и автомобильной электроники, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
352 64 164 124
7. Разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе гетеростуктур "кремний - германий" 171 60 76 35 --разработка аттестованных библиотек сложнофункциональных блоков для проектирования широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
121 40 51 30
8. Разработка базовых технологий проектирования кремний - германиевых сверхвысокочастотных и радиочастотных интегральных схем на основе аттестованной библиотеки сложнофункциональных блоков 207 --40 100 67 создание базовых технологий проектирования на основе библиотеки сложнофункциональных блоков широкого спектра сверхвысокочастотных интегральных схем на SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
142 30 67 45
9. Разработка базовых технологий производства элементной базы для ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 163,5 43,5 60 60 --создание базовых технологий производства и конструкций элементной базы для высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
110 30 40 40
10. Разработка базовых технологий производства ряда силовых герметичных модулей высокоплотных источников вторичного электропитания вакуумных и твердотельных сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры 153 ---89 64 создание базовых конструкций и технологии производства высокоэффективных, высокоплотных источников вторичного электропитания сверхвысокочастотных приборов и узлов аппаратуры на основе гибридно-пленочной технологии с применением бескорпусной элементной базы, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
102 60 42
11. Разработка базовых конструкций и технологии производства корпусов мощных сверхвысокочастотных транзисторов X, C, S, L и P - диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью 162,5 38,5 74 50 --создание технологии массового производства ряда корпусов мощных сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой" сборки, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
110 25 52 33
12. Разработка базовых конструкций теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов 150 --45 60 45 создание базовых конструктивных рядов элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов
97 30 40 27
13. Разработка базовой технологии производства теплоотводящих элементов систем охлаждения сверхвысокочастотных приборов Х и С - диапазонов на основе новых материалов 93 ---60 33 создание технологии массового производства конструктивного ряда элементов систем охлаждения аппаратуры Х и С - диапазонов наземных, корабельных и воздушно-космических комплексов, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
62 32 30
14. Разработка базовых технологий производства суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов 141,5 45,5 53 43 --создание технологии массового производства конструктивного ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
92 30 35 27
15. Разработка конструктивно-параметрического ряда суперлинейных кремниевых сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов 170 ---95 75 создание конструктивно-параметрического ряда сверхвысокочастотных транзисторов S и L диапазонов для связной аппаратуры, локации и контрольной аппаратуры, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
116 70 46
16. Разработка технологии измерений и базовых конструкций установок автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем X, C, S, L и P - диапазонов для их массового производства 147 60 45 42 --разработка метрологической аппаратуры нового поколения для исследования и контроля параметров полупроводниковых структур, активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем в производстве и при их использовании
97 40 27 30
17. Исследование и разработка базовых технологий для создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения 161 57 54 50 --создание технологии унифицированных сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
107 38 36 33
18. Разработка базовых конструкций и технологии производства нового поколения мощных вакуумно-твердотельных сверхвысокочастотных приборов и гибридных малогабаритных сверхвысокочастотных модулей с улучшенными массогабаритными характеристиками, магнитоэлектрических приборов сверхвысокочастотного диапазона, в том числе: циркуляторов и фазовращателей, вентилей, высокодобротных резонаторов, перестраиваемых фильтров, микроволновых приборов со спиновым управлением для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения 141 ---89 52 разработка конструктивных рядов и базовых технологий производства сверхширокополосных приборов среднего и большого уровня мощности сантиметрового диапазона длин волн и сверхвысокочастотных магнитоэлектрических приборов для перспективных радиоэлектронных систем и аппаратуры связи космического базирования, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
95 60 35
19. Исследование и разработка процессов и базовых технологий нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа и сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами 130 45 45 40 --создание технологических процессов производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа, создание базовой технологии получения сверхбыстродействующих (до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с квантовыми дефектами, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
87 30 30 27
20. Разработка базовых конструкций и технологии производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа 85 ---45 40 создание конструктивных рядов и базовых технологий производства нанопленочных малогабаритных сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-емкостных матриц многофункционального назначения для печатного монтажа, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
57 30 27
21. Разработка базовой технологии сверхвысокочастотных p-i-n диодов, матриц, узлов управления и портативных фазированных блоков аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн на основе магнитоэлектронных твердотельных и высокоскоростных цифровых приборов и устройств с функциями адаптации и цифрового диаграммообразования 246 90 86 70 --создание базовой технологии производства элементов и специальных элементов и блоков портативной аппаратуры миллиметрового диапазона длин волн для нового поколения средств связи, радиолокационных станций, радионавигации, измерительной техники, автомобильных радаров, охранных и сигнальных устройств, разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
164 60 57 47
Всего по направлению 1 5024,5 817,5 1020 1002 1241 944
3349 545 680 668 827 629
Направление 2 "Радиационно стойкая электронная компонентная база"
22. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 202 51 71 80 - -создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,5 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм, разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника)
134,8 34 47,4 53,4
23. Разработка базовой технологии радиационно стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм 315,4 - - - 59,4 256 создание технологии изготовления микросхем с размерами элементов 0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире" диаметром 150 мм, разработка правил проектирования базовых библиотек элементов и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем, обеспечивающих создание расширенной номенклатуры быстродействующей и высоко интегрированной радиационно стойкой элементной базы
210,3 39,6 170,7
24. Разработка технологии проектирования и конструктивно-технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,25 мкм 237,5 82,5 71 84 - -создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,25 мкм
158,4 55 47,4 56
25. Разработка технологии проектирования и конструктивно - технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно стойких блоков контроллеров по технологии "кремний на изоляторе" с проектными нормами до 0,18 мкм 360,1 - - - 81,5 278,6 создание технологического базиса (технология проектирования, базовые технологии), позволяющего разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах "кремний на изоляторе" с проектной нормой до 0,18 мкм
240 54,3 185,7
26. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,35 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 246 72 98 76 --создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,35 мкм и базовой технологии создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы
164 48 65,3 50,7
27. Разработка базовых технологических процессов изготовления радиационно стойкой элементной базы для сверхбольших интегральных схем энергозависимой пьезоэлектрической и магниторезистивной памяти с проектными нормами 0,18 мкм и пассивной радиационно стойкой элементной базы 261 ---56 205 создание технологического процесса изготовления сверхбольших интегральных схем энергонезависимой, радиационно стойкой сегнетоэлектрической памяти уровня 0,18 мкм и создания, изготовления и аттестации радиационно стойкой пассивной электронной компонентной базы
174,2 37,3 136,9
28. Разработка технологии "кремний на сапфире" изготовления ряда лицензионно-независимых радиационно стойких комплементарных металл-окисел полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса 218,8 78 83,2 57,6 --разработка расширенного ряда цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналого-цифровых преобразователей в радиационно стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения
145,9 52 55,4 38,5
29. Разработка технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире 374 ---74,5 299,5 создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре "кремний на сапфире", позволяющей разрабатывать радиационно стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости
249,5 49,8 199,7
30. Разработка базовой технологии и приборно-технологического базиса производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем "система на кристалле", радиационно стойкой силовой электроники для аппаратуры питания и управления 213,1 60,5 80,6 72 --разработка конструкции и модели интегральных элементов и технологического маршрута изготовления радиационно стойких сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" с расширенным температурным диапазоном, силовых транзисторов и модулей для бортовых и промышленных систем управления с пробивными напряжениями до 75 В и рабочими токами коммутации до 10 А
135,4 37 50,4 48
31. Разработка элементной базы радиационно стойких интегральных схем на основе полевых эмиссионных микронанотриодов 109,2 28 33,2 48 --создание ряда микронанотриодов и микронанодиодов с наивысшей радиационной стойкостью для долговечной аппаратуры космического базирования
79,5 22 25,5 32
32. Создание информационной базы радиационно стойкой электронной компонентной базы, содержащей модели интегральных компонентов, функционирующих в условиях радиационных воздействий, создание математических моделей стойкости электронной компонентной базы, создание методик испытаний и аттестации электронной компонентной базы 251 ---61,1 189,9 разработка комплекса моделей расчета радиационной стойкости электронной компонентной базы в обеспечение установления технически обоснованных норм испытаний
167,3 40,7 126,6
Всего по направлению 2 2788,1 372 437 417,6 332,5 1229
1859,3 248 291,4 278,6 221,7 819,6
Направление 3 "Микросистемная техника"
33. Разработка базовых технологий микроэлектромеханических систем 302 93 112 97 - - создание базовых технологий и комплектов технологической документации на изготовление микроэлектромеханических систем контроля давления, микроакселерометров с чувствительностью по двум и трем осям, микромеханических датчиков угловых скоростей, микроактюаторов
166 61 75 30
34. Разработка базовых конструкций микроэлектромеханических систем 424 - - 75 228 121 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление чувствительных элементов: микросистем контроля давления; микроакселерометров; микромеханических датчиков угловых скоростей; микроактюаторов с напряжением управления, предназначенных для использования в транспортных средствах, оборудовании топливно-энергетического комплекса, машиностроении, медицинской технике, робототехнике, бытовой технике
277 60 141 76
35. Разработка базовых технологий микроакустоэлектромеханических систем 249 94 110 45 - - создание базовых технологий и комплектов необходимой технологической документации на изготовление микроакустоэлектромеханических систем, основанных на использовании поверхностных акустических волн (диапазон частот до 2 ГГц) и объемно-акустических волн (диапазон частот до 8 ГГц), пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники
161 61 70 30
36. Разработка базовых конструкций микроакустоэлектромеханических систем 418 - - 71 225 122 разработка базовых конструкций и комплектов необходимой конструкторской документации на изготовление пассивных датчиков физических величин: микроакселерометров; микрогироскопов на поверхностных акустических волнах; датчиков давления и температуры; датчиков деформации, крутящего момента и микроперемещений; резонаторов
280 60 143 77
37. Разработка базовых технологий микроаналитических систем 106 51 55 - - - создание базовых технологий изготовления элементов микроаналитических систем, чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды, предназначенных для использования в аппаратуре жилищно-коммунального хозяйства, в медицинской и биомедицинской технике для обнаружения токсичных, горючих и взрывчатых материалов
72 34 38
38. Разработка базовых конструкций микроаналитических систем 224 - - 64 102 58 создание базовых конструкций микроаналитических систем, предназначенных для аппаратуры жилищно-коммунального хозяйства, медицинской и биомедицинской техники; разработка датчиков и аналитических систем миниатюрных размеров с высокой чувствительностью к сверхмалым концентрациям химических веществ для осуществления мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов и контроля утечек опасных и вредных веществ в технологических процессах
164 30 86 48
39. Разработка базовых технологий микрооптоэлектромеханических систем 151 57 59 35 - - создание базовых технологий выпуска трехмерных оптических и акустооптических функциональных элементов, микрооптоэлектромеханических систем для коммутации и модуляции оптического излучения, акустооптических перестраиваемых фильтров, двухмерных управляемых матриц микрозеркал микропереключателей и фазовращателей
109 38 41 30
40. Разработка базовых конструкций микрооптоэлектромеханических систем 208 - - 35 112 61 разработка базовых конструкций и комплектов, конструкторской документации на изготовление микрооптоэлектромеханических систем коммутации и модуляции оптического излучения
145 30 75 40
41. Разработка базовых технологий микросистем анализа магнитных полей 106 51 55 - - - создание базовых технологий изготовления микросистем анализа магнитных полей на основе анизотропного и гигантского магниторезистивного эффектов, квазимонолитных и монолитных гетеромагнитных пленочных структур
72 34 38
42. Разработка базовых конструкций микросистем анализа магнитных полей 214 - - 54 104 56 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на магниточувствительные микросистемы для применения в электронных системах управления приводами, в датчиках положения и потребления, бесконтактных переключателях
137 30 69 38
43. Разработка базовых технологий радиочастотных микроэлектромеханических систем 119 42 45 32 - - разработка и освоение в производстве базовых технологий изготовления радиочастотных микроэлектромеханических систем и компонентов, включающих микрореле, коммутаторы, микропереключатели
89 28 31 30
44. Разработка базовых конструкций радиочастотных микроэлектромеханических систем 166 - - 32 87 47 разработка базовых конструкций и комплектов конструкторской документации на изготовление радиочастотных микроэлектромеханических систем - компонентов, позволяющих получить резкое улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и снижение стоимости изделий
119 30 58 31
45. Разработка методов и средств обеспечения создания и производства изделий микросистемной техники 81 41 40 - - - создание методов и средств контроля и измерения параметров и характеристик изделий микросистемотехники, разработка комплектов стандартов и нормативных документов по безопасности и экологии
54 30 24
Всего по направлению 3 2768 429 476 540 858 465
1845 286 317 360 572 310
Направление 4 "Микроэлектроника"
46. Разработка технологии и развитие методологии проектирования изделий микроэлектроники: разработка и освоение современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и "системы на кристалле" на основе каталогизированных сложнофункциональных блоков и библиотечных элементов, в том числе создание отраслевой базы данных и технологических файлов для автоматизированных систем проектирования; освоение и развитие технологии проектирования для обеспечения технологичности производства и стабильного выхода годных с целью размещения заказов на современной базе контрактного производства с технологическим уровнем до 0,13 мкм 443 173 148,9 121,1 - - разработка комплекта нормативно-технической документации по проектированию изделий микроэлектроники, создание отраслевой базы данных с каталогами библиотечных элементов и сложнофункциональных блоков с каталогизированными результатами аттестации на физическом уровне (2008 г.), разработка комплекта нормативно-технической и технологической документации по взаимодействию центров проектирования в сетевом режиме
212,6 87 76,6 49
47. Разработка и освоение базовой технологии производства фотошаблонов с технологическим уровнем до 0,13 мкм с целью обеспечения информационной защиты проектов изделий микроэлектроники при использовании контрактного производства (отечественного и зарубежного) 64 30 22 12 - - разработка комплекта технологической документации и организационно-распорядительной документации по взаимодействию центров проектирования и центра изготовления фотошаблонов
42,7 20 14,7 8
48. Разработка семейств и серий изделий микроэлектроники: универсальных микропроцессоров для встроенных применений; универсальных микропроцессоров для серверов и рабочих станций; цифровых процессоров обработки сигналов; сверхбольших интегральных схем, программируемых логических интегральных схем; сверхбольших интегральных схем быстродействующей динамической и статической памяти; микроконтроллеров со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью; схем интерфейса дискретного ввода/вывода; схем аналогового интерфейса; цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 8-12 бит; схем приемопередатчиков шинных интерфейсов; изделий интеллектуальной силовой микроэлектроники для применения в аппаратуре промышленного и бытового назначения; встроенных интегральных источников питания 1050,9 284 336,7 430,2 - - разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
617,8 151 180 286,8
49. Разработка базовых серийных технологий изделий микроэлектроники: цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 МГц с разрядностью более 14-16 бит 802.11, 802.16, WiMAX и т. д.; микроэлектронных сенсоров различных типов, включая сенсоры с применением наноструктур и биосенсоров; сенсоров на основе магнитоэлектрических и пьезоматериалов; встроенных интегральных антенных элементов для диапазонов частот 5 ГГц, 10-12 ГГц; систем на кристалле, в том числе в гетероинтеграции сенсорных и исполнительных элементов методом беспроводной сборки с применением технологии матричных жестких выводов 1801,6 - - - 799,8 1001,8 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, изготовление опытных образцов изделий и организация серийного производства
1200,9 533,1 667,8
50. Разработка технологии и освоение производства изделий микроэлектроники с технологическим уровнем 0,13 мкм 513,4 51 252,4 210 - - разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и ввод в эксплуатацию производственной линии
342,3 34 168,3 140
51. Разработка базовой технологии формирования многослойной разводки (7-8 уровней) сверхбольших интегральных схем на основе Al и Cu 894,8 - - - 146,3 748,5 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
596,2 97,3 498,9
52. Разработка технологии и организация производства многокристальных микроэлектронных модулей для мобильных применений с использованием полимерных и металлополимерных микроплат и носителей 494,2 - - 211,1 166,4 116,7 разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию производственной линии
294,2 105,6 110,9 77,7
53. Разработка новых методов технологических испытаний изделий микроэлектроники, гарантирующих их повышенную надежность в процессе долговременной (более 100 000 часов) эксплуатации, на основе использования типовых оценочных схем и тестовых кристаллов 258 85 68 105 - - разработка комплектов документации в стандартах единой системы конструкторской, технологической и производственной документации, ввод в эксплуатацию специализированных участков
258 85 68 105
54. Разработка современных методов анализа отказов изделий микроэлектроники с применением ультраразрешающих методов (ультразвуковая гигагерцовая микроскопия, сканирование синхротронным излучением, атомная и туннельная силовая микроскопия, электронно - и ионно-лучевое зондирование и др.) 342 115 132 95 - - разработка комплектов документации, включая утвержденные отраслевые методики, ввод в эксплуатацию модернизированных участков и лабораторий анализа отказов
342 115 132 95
Всего по направлению 4 5861,9 738 960 1184,4 1112,5 1867
3906,7 492 639,6 789,4 741,3 1244,4
Направление 5 "Электронные материалы и структуры"
55. Разработка технологии производства новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза 132 54 51 27 - - внедрение новых диэлектрических материалов на основе ромбоэдрической модификации нитрида бора и подложек из поликристаллического алмаза с повышенной теплопроводностью и электропроводностью для создания нового поколения высокоэффективных и надежных сверхвысокочастотных приборов
85 36 32 17
56. Разработка технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А В для мощных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем 131 - - - 77 54 создание технологии производства гетероэпитаксиальных структур и структур гетеробиполярных транзисторов на основе нитридных соединений А_3 В_ для обеспечения разработок и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов
87 51 36
57. Разработка базовой технологии производства метаморфных структур на основе GaAs и псевдоморфных структур на подложках InP для приборов сверхвысокочастотной электроники диапазона 60-90 ГГц 129 52 50 27 - - создание базовой технологии производства гетероструктур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60-90 ГГц
84 34 32 18
58. Разработка технологии производства спинэлектронных магнитных материалов, радиопоглощающих и мелкодисперсных ферритовых материалов для сверхвысокочастотных приборов 133 - - - 79 54 создание спинэлектронных магнитных материалов и микроволновых структур со спиновым управлением для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления
88 52 36
59. Разработка технологии производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) в обеспечение производства полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе 128 51 50 27 - - создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе
85 36 31 18
60. Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов 134 - - - 79 55 создание технологии производства поликристаллических алмазов и его пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов
88 52 36
61. Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника 98 41 36 21 - - создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники
65 27 24 14
62. Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники 106 - - 25 44 37 создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами
69 17 28 24
63. Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем 98 41 36 21 - - создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния
64 26 24 14
64. Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств 105 - - - 61 44 создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения
70 41 29
65. Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники 191 50 57 84 - - создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения
128 35 38 55
66. Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного применения 227 67 52 108 - - создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и топологическими нормами до 0,18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения
130 40 35 55
67. Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов 191 45 54 92 - - создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения
126 30 36 60
68. Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией 114 22 36 56 - - разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов, с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией
83 20 24 39
69. Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0,25 - 0,18 мкм 326 110 72 144 - - создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0,25 - 0,18 мкм
233 71 48 114
70. Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами 232 - - - 109 123 разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур
161 78 83
71. Разработка технологии производства гетероструктур SiGe биполярной комплементарной металл-окисел полупроводниковой технологии для разработки приборов с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм 220 - - - 85 135 создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0,25 - 0,18 мкм
143 53 90
72. Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики 78 32 28 18 - - создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения
55 21 22 12
73. Разработка технологий производства соединений А_3 В_5 и тройных структур для: производства сверхмощных лазерных диодов; высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов; фотоприемников среднего инфракрасного диапазона 87 - - - 32 55 создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе: производства сверхмощных лазерных диодов; высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов; фотоприемников среднего инфракрасного диапазона
58 22 36
74. Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения 80 32 30 18 - - создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники
55 22 22 11
75. Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе: катодов и газопоглотителей; электронно-оптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок 86 - - - 32 54 создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых; электроннооптических и отклоняющих систем; стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок
57 22 35
76. Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и др., фотоэлектронных приборов с высокими значениями коэффициента полезного действия 80 33 30 17 - - создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электроннооптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений
54 22 20 12
77. Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур 85 - - - 32 53 создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения
58 22 36
78. Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и т. п.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами 80 33 30 17 - - создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения, в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники
54 22 20 12
79. Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органонеорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно-емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса внешних и специальных факторов 86 - - - 33 53 создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов
58 21 37
Всего по направлению 5 3357 663 612 702 663 717
2238 442 408 468 442 478
Направление 6 "Группы пассивной электронной компонентной базы"
80. Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1,5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1,5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2-5 нс 57 24 18 15 - - разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной и связной аппаратуры двойного назначения
38 16 12 10
81. Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2,45 ГТц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных метоктранспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом 120 - - 21 48 51 создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных метоктранспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности
80 14 32 34
82. Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа 56 24 17 15 - - создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении связной аппаратуры массового применения
37 16 11 10
83. Разработка технологии проектирования, базовой технологии производства и конструирования акустоэлектронных устройств нового поколения и фильтров промежуточной частоты с высокими характеристиками для современных систем связи, включая высокоизбирательные высокочастотные устройства частотной селекции на поверхностных и приповерхностных волнах и волнах Гуляева-Блюштейна с предельно низким уровнем вносимого затухания для частотного диапазона до 5 ГГц 125 86 39 - - - создание базовой технологии акустоэлектронных приборов для перспективных систем связи, измерительной и навигационной аппаратуры нового поколения - подвижных, спутниковых, тропосферных и радиорелейных линий связи, цифрового интерактивного телевидения, радиоизмерительной аппаратуры, радиолокационных станций, спутниковых навигационных систем
83 57 26
84. Разработка технологии проектирования и базовой технологии производства функциональных законченных устройств стабилизации, селекции частоты и обработки сигналов типа "система в корпусе" 96 - - 33 63 - создание технологии производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы типа "система в корпусе" для вновь разрабатываемых и модернизируемых сложных радиоэлектронных систем и комплексов
64 22 42
85. Разработка базовой конструкции и технологии изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем 69 - - - 48 21 создание базовой технологии (2010 г.) и базовой конструкции микроминиатюрных высокодобротных фильтров для малогабаритной и носимой аппаратуры навигации и связи
46 32 14
86. Разработка технологии и базовой конструкции фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения для видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений 80 50 30 - - - создание нового поколения оптоэлектронных приборов для обеспечения задач предотвращения аварий и контроля
53 33 20
87. Разработка базовой технологии унифицированных электроннооптических преобразователей, микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого инфракрасного диапазона 50 13 16 21 - - создание базовой технологии нового поколения приборов контроля тепловых полей для задач теплоэнергетики, медицины, поисковой и контрольной аппаратуры на транспорте, продуктопроводах и в охранных системах
33 9 10 14
88. Разработка базовой технологии создания интегрированных гибридных фотоэлектронных высокочувствительных и высокоразрешающих приборов и усилителей для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения, научной и метрологической аппаратуры 129 45 45 39 - - создание базовой технологии (2008 г.) и конструкции новых типов приборов, сочетающих фотоэлектронные и твердотельные технологии, с целью получения экстремально достижимых характеристик для задач контроля и наблюдения в системах двойного назначения
85 30 30 25
89. Разработка базовых технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов (непрерывного и импульсного излучения) специализированных лазерных полупроводниковых диодов, фотодиодов и лазерных волоконно-оптических модулей для создания аппаратуры и систем нового поколения 159 63 45 51 - - создание базовой технологии (2008 г.) и конструкций принципиально новых мощных диодных лазеров, предназначенных для широкого применения в изделиях двойного назначения, медицины, полиграфического оборудования и системах открытой оптической связи
106 42 30 34
90. Разработка и освоение базовых технологий для лазерных навигационных приборов, включая интегральный оптический модуль лазерного гироскопа на базе сверхмалогабаритных кольцевых полупроводниковых лазеров инфракрасного диапазона, оптоэлектронные компоненты для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных средств транспорта 98 - - 15 60 23 разработка базового комплекта основных оптоэлектронных компонентов для лазерных гироскопов широкого применения (2010 г.), создание комплекса технологий обработки и формирования структурных и приборных элементов, оборудования контроля и аттестации, обеспечивающих новый уровень технико-экономических показателей производства
65 10 40 15
91. Разработка базовых конструкций и технологий создания квантово-электронных приемопередающих модулей для малогабаритных лазерных дальномеров нового поколения на основе твердотельных чип-лазеров с полупроводниковой накачкой, технологических лазерных установок широкого спектрального диапазона 74 27 22 25 - - создание базовой технологии твердотельных чип-лазеров для лазерных дальномеров, твердотельных лазеров с пикосекундными длительностями импульсов для установок по прецизионной обработке композитных материалов, для создания элементов и изделий микромашиностроения и в производстве электронной компонентной базы нового поколения, мощных лазеров для применения в машиностроении, авиастроении, автомобилестроении, судостроении, в составе промышленных технологических установок обработки и сборки, систем экологического мониторинга окружающей среды, контроля выбросов патогенных веществ, контроля утечек в продуктопроводах
50 18 15 17
92. Разработка базовых технологий формирования конструктивных узлов и блоков для лазеров нового поколения и технологии создания полного комплекта электронной компонентной базы для производства лазерного устройства определения наличия опасных, взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ в контролируемом пространстве 127 60 55 12 - - создание технологии получения широкоапертурных элементов на основе алюмоиттриевой легированной керамики композитных составов для лазеров с диодной накачкой (2008 г.), высокоэффективных преобразователей частоты лазерного излучения, организация промышленного выпуска оптических изделий и лазерных элементов широкой номенклатуры
85 40 37 8
93. Разработка базовых технологий, базовой конструкции и организация производства интегрированных катодолюминесцентных и других дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением 82 30 25 27 --разработка расширенной серии низковольтных катодолюминесцентных и других дисплеев с широким диапазоном эргономических характеристик и свойств по условиям применения для информационных и контрольных систем
55 20 17 18
94. Разработка технологии и базовых конструкций высокояркостных светодиодов и индикаторов основных цветов свечения для систем подсветки в приборах нового поколения 72 27 24 21 --создание ряда принципиально новых светоизлучающих приборов с минимальными геометрическими размерами, высокой надежностью и устойчивостью к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивающих энергосбережение за счет замены ламп накаливания в системах подсветки аппаратуры и освещения
48 18 16 14
95. Разработка базовой технологии и конструкции оптоэлектронных приборов (оптроны, оптореле, светодиоды) в миниатюрных корпусах для поверхностного монтажа 90 --15 57 18 создание базовой технологии производства нового поколения оптоэлектронной высокоэффективной и надежной электронной компонентной базы для промышленного оборудования и систем связи
60 10 38 12
96. Разработка схемотехнических решений и унифицированных базовых конструкций и технологий формирования твердотельных видеомодулей на полупроводниковых светоизлучающих структурах для носимой аппаратуры, экранов индивидуального и коллективного пользования с бесшовной стыковкой 81 30 24 27 --создание технологии новых классов носимой и стационарной аппаратуры, экранов отображения информации коллективного пользования повышенных емкости и формата
54 20 16 18
97. Разработка базовой технологии изготовления высокоэффективных солнечных элементов на базе использования кремния, полученного по "бесхлоридной" технологии и технологии "литого" кремния прямоугольного сечения 93 33 30 30 --создание технологии массового производства солнечных элементов для индивидуального и коллективного использования в труднодоступных районах, развития солнечной энергетики в жилищно-коммунальном хозяйстве в обеспечение задач энергосбережения
62 22 20 20
98. Разработка базовой технологии и освоение производства оптоэлектронных реле с повышенными техническими характеристиками для поверхностного монтажа 59 21 18 20 --создание технологии массового производства нового класса оптоэлектронных приборов для широкого применения в радиоэлектронной аппаратуре
39 14 12 13
99. Комплексное исследование и разработка технологий получения новых классов органических (полимерных) люминофоров, пленочных транзисторов на основе "прозрачных" материалов, полимерной пленочной основы и технологий изготовления крупноформатных гибких и особо плоских экранов, в том числе на базе высокоразрешающих процессов струйной печати и непрерывного процесса изготовления типа "с катушки на катушку" 162 --33 99 30 создание базовой технологии массового производства экранов с предельно низкой удельной стоимостью для информационных и обучающих систем
108 22 66 20
100. Разработка базовых конструкций и технологии активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур на различных подложках и создание на их основе перспективных видеомодулей, включая органические электролюминесцентные, жидкокристаллические и катодолюминесцентные, создание базовой технологии серийного производства монолитных модулей двойного назначения 183 -45 33 105 -создание технологии и конструкции активно-матричных органических электролюминесцентных, жидкокристаллических и катодолюминесцентных дисплеев, стойких к внешним специальным и климатическим воздействиям
122 30 22 70
101. Разработка базовой конструкции и технологии крупноформатных полноцветных газоразрядных видеомодулей 162 --33 99 30 создание технологии и базовых конструкций полноцветных газоразрядных видеомодулей специального и двойного назначения для наборных экранов коллективного пользования
108 22 66 20
102. Разработка технологии сверхпрецизионных резисторов и гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналогоцифровых преобразователей на их основе в металлокерамических корпусах для аппаратуры двойного назначения 72 -24 18 30 -разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов, гибридных интегральных схем цифроаналоговых и аналогоцифровых преобразователей с параметрами, превышающими уровень существующих отечественных и зарубежных изделий для аппаратуры связи, диагностического контроля, медицинского оборудования, авиастроения, станкостроения, измерительной техники
48 16 12 20
103. Разработка базовой технологии особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона сопротивления, прецизионных датчиков тока для измерительной и контрольной аппаратуры и освоение их производства 105 ---45 60 разработка расширенного ряда сверхпрецизионных резисторов с повышенной удельной мощностью рассеяния, высоковольтных высокоомных резисторов для измерительной техники, приборов ночного видения и аппаратуры контроля
70 30 40
104. Разработка технологии и базовых конструкций резисторов и резистивных структур нового поколения для поверхностного монтажа, в том числе: резисторов с повышенными характеристиками, ультранизкоомных резисторов, малогабаритных подстроечных резисторов, интегральных сборок серии нелинейных полупроводниковых резисторов в многослойном исполнении чип-конструкции 192 --24 78 90 создание базовой технологии и конструкции резисторов с повышенными значениями стабильности, удельной мощности в чип-исполнении на основе многослойных монолитных структур
128 16 52 60
105. Разработка технологий формирования интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов и методов групповой сборки 90 42 36 12 --создание базовой технологии производства датчиков на резистивной основе с высокими техническими характеристиками и надежностью
60 28 24 8
106. Создание групповой технологии автоматизированного производства толстопленочных чип- и микрочип-резисторов 105 45 30 30 --создание технологии автоматизированного производства чип- и микрочипрезисторов (в габаритах 0402, 0201 и менее) для применения в массовой аппаратуре
70 30 20 20
107. Разработка новых базовых технологий и конструктивных решений изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов и чипконденсаторов и организация производства конденсаторов с повышенным удельным зарядом, сверхнизким значением внутреннего сопротивления и улучшенными потребительскими характеристиками 129 -24 30 75 -создание базовой технологии производства конденсаторов с качественно улучшенными характеристикам с электродами из неблагородных металлов при сохранении высокого уровня надежности
86 16 20 50
108. Разработка комплексной базовой технологии и организация производства конденсаторов с органическим диэлектриком и повышенными удельными характеристиками и ионисторов с повышенным током разряда 65 24 20 21 --создание базовых технологий конденсаторов и ионисторов на основе полимерных материалов с повышенным удельным зарядом и энергоемких накопительных конденсаторов с повышенной удельной энергией
43 16 13 14
109. Разработка технологии, базовых конструкций высоковольтных (быстродействующих, мощных) вакуумных выключателей нового поколения с предельными характеристиками для радиотехнической аппаратуры с высокими сроками службы 115 --25 60 30 создание технологии и базовых конструкций нового поколения выключателей для радиоэлектронной аппаратуры с повышенными тактико-техническими характеристиками и надежностью
77 17 40 20
110. Разработка технологий создания газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей с повышенными техническими характеристиками 74 25 24 25 --создание технологии изготовления коммутирующих устройств для токовой коммутации цепей в широком диапазоне напряжений и токов для радиоэлектронных и электротехнических систем
50 17 16 17
111. Разработка полного комплекта электронной компонентной базы для создания модульного устройства грозозащиты зданий и сооружений с обеспечением требований по международным стандартам 57 30 27 ---создание технологии выпуска устройств грозозащиты в индивидуальном, промышленном и гражданском строительстве, строительстве пожароопасных объектов
38 20 18
112. Разработка базовых конструкций и технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа 151 54 46 51 --создание базовой технологии формирования высококачественных гальванических покрытий, технологии прецизионного формирования изделий для автоматизированных систем изготовления коммутационных устройств широкого назначения
101 36 31 34
Всего по направлению 6 3379 753 684 722 867 353
2252 502 456 481 578 235
Направление 7 "Обеспечивающие работы"
113. Разработка организационных принципов и научно-технической базы обеспечения проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации 62 12 9 15 11 15 разработка комплекта методической и научно-технической документации в обеспечение функционирования систем проектирования и производства электронной компонентной базы в соответствии с требованиями Всемирной торговой организации
41 8 6 10 7 10
114. Создание и обеспечение функционирования системы испытаний электронной компонентной базы, обеспечивающей поставку изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального и двойного назначения 124 24 20 30 22 28 разработка новых и совершенствование существующих методов испытаний электронной компонентной базы, разработка методов отбраковочных испытаний перспективной электронной компонентной базы, обеспечение поставки изделий с гарантированной надежностью для комплектации систем специального назначения (атомная энергетика, космические программы, транспорт, системы двойного назначения)
84 16 13 20 15 19
115. Разработка и совершенствование методов, обеспечивающих качество и надежность сложнофункциональной электронной компонентной базы на этапах опытно-конструкторских работ, освоения и производства 71,5 13,5 10 18 13 17 разработка и систематизация методов расчетно-экспериментальной оценки показателей надежности электронной компонентной базы, разрешенной для применения в аппаратуре, функционирующей в специальных условиях и с длительными сроками активного существования
48 9 7 12 9 11
116. Создание и внедрение нового поколения основополагающих документов по обеспечению жизненного цикла изделия на этапах проектирования, производства, применения и утилизации электронной компонентной базы 63 12 10 15,5 10,5 15 разработка системы технологий обеспечения жизненного цикла изделия при создании широкой номенклатуры электронной компонентной базы
42 8 7 10 7 10
117. Научное сопровождение подпрограммы, в том числе: определение технологического и технического уровней развития отечественной и импортной электронной компонентной базы на основе их рубежных технико-экономических показателей, разработка "маршрутных карт" развития групп электронной компонентной базы 125,5 25,5 19 30 23 28 оптимизация состава выполняемых комплексов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по развитию электронной компонентной базы в рамках подпрограммы и определение перспективных направлений создания новых классов электронной компонентной базы с установлением системы технико-экономических и рубежных технологических показателей, разработка "маршрутных карт" развития по направлениям электронной компонентной базы
84 17 13 20 15 19
118. Создание интегрированной информационно-аналитической автоматизированной системы по развитию электронной компонентной базы, охватывающей деятельность заказчика-координатора, заказчика и предприятий, участвующих в выполнении комплекса программных мероприятий, с целью оптимизации состава участников, финансовых средств, перечисляемой государству прибыли и достижения заданных технико-экономических показателей разрабатываемой электронной компонентной базы 71 15 11 17,5 12,5 15 проведение технико-экономической оптимизации выполнения комплексных годовых мероприятий подпрограммы, создание системы действенного финансового и технического контроля выполнения подпрограммы в целом
48 10 7 12 9 10
119. Определение перспектив развития российской электронной компонентной базы на основе анализа динамики сегментов мирового и отечественного рынков радиоэлектронной продукции и действующей производственно-технологической базы 64,5 13,5 11 16 12 12 формирование системноориентированных материалов по экономике, технологиям проектирования и производству электронной компонентной базы, обобщение и анализ мирового опыта для выработки технически и экономически обоснованных решений развития электронной компонентной базы
42 9 7 10 8 8
120. Системный анализ результатов выполнения комплекса мероприятий подпрограммы на основе создания отраслевой системы планирования и учета развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы по основным технико-экономическим показателям создание отраслевой системы учета и планирования развития разработки, производства и применения электронной компонентной базы
60 12 11 15 12 10
41 8 8 11 12 10
Всего по направлению 7 641,5 127,5 101 157 116 140
430 85 68 105 78 94
ИТОГО по разделу I 23820 3900 4290 4725 5190 5715
15880 2600 2860 3150 3460 3810
II. Капитальные вложения
Федеральное агентство по промышленности
Техническое перевооружение производств сверхвысокочастотной техники
121. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино 2050 690 300 - 430 630 создание производственно-технологического комплекса по выпуску твердотельных сверхвысокочастотных субмодулей мощностью 100 тыс. штук в год <***>
1025 <**> 345 150 215 315
122. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Пульсар", г. Москва 1730 620 220 - 370 520 создание производственной технологической линии по выпуску сверхвысокочастотных приборов и модулей на широкозонных полупроводниках <***>
865 <**> 310 110 185 260
123. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Салют", г. Нижний Новгород 280 - - - 100 180 расширение мощностей по производству активных элементов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью с 15 до 35 тыс. штук в год <***>
140 <**> 50 90
124. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов 280 - - - 100 180 ввод новых мощностей по производству новейших образцов ламп бегущей волны и других сверхвысокочастотных приборов, в том числе в миллиметровом диапазоне <***>
140 <**> 50 90
125. Реконструкция и техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Торий", г. Москва 440 - - - 160 280 реконструкция производственной линии по выпуску новых сверхмощных сверхвысокочастотных приборов с повышенным уровнем технических параметров, надежности и долговечности <***>
220 <**> 80 140
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой электронной компонентной базы
126. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск 120 - - - 60 60 реконструкция производственной линии для выпуска новых изделий радиационно стойкой электронной компонентной базы, необходимой для предприятий Росатома и Роскосмоса <***>
60 <**> 30 30
127. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск 180 - - - 100 80 создание производственных мощностей по выпуску радиационно стойкой электронной компонентной базы в количестве 80-100 тыс. штук в год для комплектования важнейших специальных систем <***>
90 <**> 50 40
128. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва 1520 - 900 620 - - техническое перевооружение завода для выпуска сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами
0,18 мкм (2008 год),
0,13 мкм (2009 год) <***>
760 <**> 450 310
Техническое перевооружение производств изделий микросистемной и электронной техники
129. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха", г. Москва 240 - - 120 120 - организация участка прецизионной оптической и механической обработки деталей для лазерных излучателей, твердотельных лазеров и бескарданных лазерных гироскопов нового поколения <***>
120<**> 60 60
130. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт-Петербург 620 - - 580 40 - создание новых производственных мощностей для выпуска микроэлектронных датчиков физических величин и электронных датчиков для экспресс-контроля параметров крови и жизнедеятельности человека <***>
310 <**> 290 20
131. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Резистор - НН", г. Нижний Новгород 120 - - 120 - - создание производственной линии для выпуска тонко- и толстопленочных микрочипов прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, интегральных сборок <***>
60 <**> 60
132. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов", г. Пенза 120 - - 120 - - техническое перевооружение действующего производства электронной компонентной базы и микросистемотехники для создания новых рядов конкурентоспособных изделий электронной техники <***>
60 <**> 60
133. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронной техники", г. Воронеж 120 - - - 120 - техническое перевооружение действующих производственных мощностей по выпуску сверхбольших интегральных схем и мощных сверхвысокочастотных транзисторов с объемом выпуска сверхбольших интегральных схем 50 тыс. штук в год, мощных сверхвысокочастотных транзисторов 10 тыс. штук в год <***>
60 <**> 60
134. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт электронных материалов", г. Владикавказ 100 - - - 100 - техническое перевооружение производства новых электронных материалов, используемых в микросистемотехнике, микроэлектронике и квантовой электронике <***>
50 <**> 50
135. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Производственное объединение "Октябрь", г. Каменск-Уральский 200 - - - 60 140 создание новых производственных мощностей по выпуску оптоволоконных соединителей изделий микромеханики <***>
100 <**> 30 70
136. Техническое перевооружение открытого акционерного общества "Авангард", г. Санкт-Петербург 200 - - 100 100 - создание спецтехнологической линии, включающей чистые производственные помещения и технологическое оборудование для выпуска современных микроэлектромеханических и микроакустоэлектромеханических систем мирового класса <***>
100 <**> 50 50
137. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва 160 - 120 40 - - организация серийного производства параметрических рядов мембранных датчиков (10 млн. штук в год к 2008 году) и чувствительных элементов для сканирующей зондовой микроскопии (0,3 млн. шт. в год) <***>
80 <**> 60 20
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) для создания базовых центров системного проектирования
138. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры "Прогресс", г. Москва, для создания межотраслевого центра проектирования 160 - - - 60 100 создание межотраслевого базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м <***>
80 <**> 30 50
139. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Научно-производственное объединение "Алмаз" имени академика А.А.Расплетина" , г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 - 120 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
140. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Московский научно-исследовательский институт "Агат", г. Жуковский, для создания базового центра проектирования 120 - - - 120 - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
141. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Всероссийский научно-исследовательский институт радиотехники", г. Москва, для создания базового центра проектирования 80 - - 30 - 50 создание базового центра системного проектирования площадью 400 кв. м <***>
40 <**> 15 25
142. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) государственного унитарного предприятия "Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 120 - - - - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
143. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 460 - - 60 140 260 создание базового центра системного проектирования площадью 1000 кв. м <***>
230 <**> 30 70 130
144. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Научно-исследовательский центр электронной вычислительной техники", г. Москва, для создания базового центра проектирования 140 - - - 140 - создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <***>
70 <**> 70
145. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Восток", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования 140 - - - - 140 создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <***>
70 <**> 70
146. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Концерн "Созвездие", г. Воронеж, для создания базового центра проектирования 200 - - - 80 120 создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв. м <***>
100 <**> 40 60
147. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Концерн радиостроения "Вега", г. Москва, для создания базового центра проектирования 200 - - - 80 120 создание базового центра системного проектирования площадью 700 кв. м <***>
100 <**> 40 60
148. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи", г. Ростов-на-Дону, для создания базового центра проектирования 120 - - - 120 - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
149. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Омский научно-исследовательский институт приборостроения", г. Омск, для создания базового центра проектирования 120 90 - - - 30 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 45 15
150. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Российский институт радионавигации и времени", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования 120 - - - - 120 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
151. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Светлана", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования 380 - 130 250 - - создание базового центра системного проектирования площадью 1000 кв. м <***>
190 <**> 65 125
152. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Центральный научно-исследовательский институт "Циклон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 360 - - - 160 200 создание базового центра системного проектирования площадью 800 кв. м <***>
180 <**> 80 100
153. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт "Аргон", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 - - - 120 - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
154. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "НПО "Орион", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 90 - - - 30 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 45 15
155. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт телевидения", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования 160 160 - - - - создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <***>
80 <**> 80
156. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ", г. Новосибирск, для создания базового центра проектирования 120 - - - 120 - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 60
157. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В.Лукина", г. Москва, для создания базового центра проектирования 220 200 20 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 900 кв. м <***>
110 <**> 100 10
158. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общества "Концерн "Океанприбор", г. Санкт-Петербург, для создания базового центра проектирования 140 - - - - 140 создание базового центра системного проектирования площадью 600 кв. м <***>
70 <**> 70
159. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-производственное предприятие "Полет", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования 160 160 - - - - создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <***>
80 <**> 80
160. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Нижегородский научно-исследовательский приборостроительный институт "Кварц", г. Нижний Новгород, для создания базового центра проектирования 160 - 160 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <***>
80 <**> 80
161. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С.Семенихина", г. Москва, для создания базового центра проектирования 160 160 - - - - создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <***>
80 <**> 80
162. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) открытого акционерного общество "Корпорация "Тактическое ракетное вооружение", г. Королев, Московская область, для создания базового центра проектирования 160 - 160 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 650 кв. м <***>
80 <**> 80
163. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 60 60 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 30 30
Строительство и приобретение технологического и контрольного оборудования для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
164. Строительство межотраслевого центра проектирования, каталогизации открытого акционерного общества "Российская электроника", г. Москва, и приобретение технологического и контрольного оборудования 1200 - 400 800 - - создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов площадью 5000<***>
600 <**> 200 400
Итого по Федеральному агентству по промышленности 14160 2350 2590 2840 3000 3380
7080 <**> 1175 1295 1420 1500 1690
Федеральное агентство по образованию
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки)
165. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) государственного образовательного учреждения "Московский государственный институт электронной техники", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 - - 60 60 - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 30 30
166. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования "Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики", г. Москва, для создания базового центра проектирования Итого по Федеральному агентству по образованию 100 50 50 - - - создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв <***>
50 <**> 25 25
220 50 50 60 60 -
110 <**> 25 25 30 30
Федеральное агентство по атомной энергии
Техническое перевооружение производств радиационно стойкой ЭКБ
167. Техническое перевооружение федерального государственного унитарного предприятия "ФНПЦ Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова", г. Нижний Новгород 140 - - - 80 60 создание технологического комплекса для производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на широкозонных полупроводниковых материалах <***>
70 <**> 40 30
Итого Федеральному агентству по атомной энергии 140 - - - 80 60
70 <**> 40 30
Федеральное космическое агентство
Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) для создания базовых центров системного проектирования
168. Реконструкция и техническое перевооружение (приобретение оборудования, не входящего в смету стройки) федерального государственного унитарного предприятия "Российский научно-исследовательский институт космического приборостроения", г. Москва, для создания базового центра проектирования 120 - - - 60 60 создание базового центра системного проектирования площадью 500 кв. м <***>
60 <**> 30 30
Итого по Федеральному космическому агентству 120 - - - 60 60
60 <**> 30 30

<*> В числителе - указывается общая стоимость работ, в знаменателе - объем финансирования из федерального бюджета.

<**> Объемы финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.

<***> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.

Примечание. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.

ПРИЛОЖЕНИЕ N 3
к подпрограмме "Развитие электронной
компонентной базы" на 2007-2011 годы
федеральной целевой программы
"Национальная технологическая база"
на 2007-2011 годы

  • Главная
  • ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 29.01.2007 N 54 "О ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЕ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2007-2011 ГОДЫ"

© 2012 - 2024
ZakonBase.ru

© Buzznet: Мониторинг СМИ