Законодательная база Российской Федерации

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 08.11.2001 N 779 (ред. от 13.11.2002) "ОБ УТВЕРЖДЕНИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "НАЦИОНАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ БАЗА" НА 2002-2006 ГОДЫ"

Мероприятия данного раздела соответствуют приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники Российской Федерации "Информационно-телекоммуникационные технологии и электроника", "Космические и авиационные технологии", "Новые материалы и химические технологии", "Перспективные вооружения, военная и специальная техника" и предусматривают работы по развитию включенных в перечень критических технологий Российской Федерации технологий "Материалы для микро- и наноэлектроники", "Микросистемная техника", "Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и сверхвысокочастотная связь", "Прецизионные и нанометрические технологии обработки, сборки, контроля", "Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров".

Стратегической целью этого раздела является развитие прорывных электронных технологий, и в первую очередь разработка высококачественных элементов микроэлектроники, акусто- и магнитоэлектроники, оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники для создания перспективных образцов систем, обеспечения их эффективности и надежности. Для достижения этой цели актуален переход на новые технологические принципы проектирования и разработки, ориентированные на применение сложнофункциональных (СФ) блоков и на их основе - сверхбольших интегральных схем (СБИС) "система на кристалле" и требующие постоянного взаимодействия и объединения научно-технологических потенциалов разработчиков элементной базы и разработчиков электронных систем.

Главными направлениями мероприятий в области создания электронной компонентной базы, включенных в этот раздел, являются:

разработка методологии проектирования современной элементной компонентной базы, основанной на новых СБИС "система на кристалле", создания информационной базы библиотечных элементов и СФ-блоков (направления работ 35, 36, 37, 39, 40, 42, 91 и 92 приложения N 1);

разработка функционально полной номенклатуры электронной компонентной базы, необходимой для комплектации действующих и вновь разрабатываемых образцов серийно выпускаемых систем (направления работ 38, 41 и 89 приложения N 1);

разработка и сопровождение нормативно-технических документов, направленных на обеспечение требуемой радиационной и электромагнитной стойкости, стандартизации, унификации, качества и надежности СФ-блоков и СБИС "система на кристалле" на их основе (направления работ 93-96 приложения N 1).

Состояние и уровень развития оптоэлектронных, лазерных и ИК-технологий, во многом определяющих технический прогресс в науке и промышленности, технологическую независимость и военную безопасность государства, в свою очередь, зависят от качества промышленного освоения компонентной базы, используемой в оптико-электронных, лазерных и инфракрасных системах и приборах.

Данным разделом Программы предусматривается проведение работ по наиболее актуальным направлениям развития этой компонентной базы, по которым за последние десятилетия Россия отстала от наиболее развитых стран мира, в том числе по разработке:

схемотехнических, физико-технологических, конструктивных, материаловедческих и метрологических решений, обеспечивающих создание высокочувствительных фотоприемников и фотоприемных устройств в ближнем, среднем и дальнем ИК-диапазонах (1,3-2,5; 3-5; 8-12 мкм), включая многорядные высокочувствительные приемники со встроенной охлаждаемой электронной системой накопления и обработки сигналов, мультиплексоры, микросхемные малошумящие операционные усилители, неохлаждаемые болометрические матрицы, микрокриогенные и термоэлектрические охладители для фотоприемников и фотоприемных устройств;

унифицированного ряда фотоприемников и фотоприемных устройств для волоконно-оптических линий связи;

мощных полупроводниковых одиночных и матричных лазеров, твердотельных лазерных модулей, лазеров с полупроводниковой накачкой, газовых лазеров УФ- и ИК-диапазонов, микролазеров на основе оптического волокна, элементной базы для лазерных локаторов, высокоэффективных отражателей и другой компонентной базы лазерной техники;

оптического, в том числе активного, волокна, волоконно-оптических элементов, волоконных планарных и канальных структур из различных материалов, волокна УФ-диапазона с повышенными оптическими и механическими характеристиками для диагностики плазмы;

электронно-оптических преобразователей нового поколения, фотокатодов и микроканальных пластин для них;

полупроводниковых индикаторов на базе антистоксовых люминофоров, работающих совместно с приборами ночного видения;

рецептур новых оптических сред и технологий получения особо чистых веществ для их производства;

материалов для новых типов многослойных защитных и просветляющих покрытий на оптических деталях, оптических клеев, многослойных светофильтров для ИК-области спектра;

функциональных модулей усиления и цифровой обработки сигналов изображений, управляемых интерференционных тонкопленочных элементов, акустоуправляемых и светоуправляемых жидкокристаллических устройств;

УФ-объектива для фотолитографии с разрешением 0,15-0,18 мкм и специального стекла для него.

Выполнение предусмотренных работ (направление работ подраздела 7 раздела II приложения N 1) должно создать технологический базис для развития новых направлений в оптоэлектронике, лазерной и инфракрасной технике.

Кроме того, важными направлениями работ в области развития электронных технологий, включенных в этот раздел, являются:

разработка базовых технологий проектирования, изготовления и создания необходимых производств сверхскоростных и сверхбольших интегральных схем уровня 0,1-0,25 мкм (направления работ 15, 17, 99-101 приложения N 1);

разработка технологий производства микромеханических элементов и создание нанотехнологических комплексов для наноэлементов и терабитных микромеханических запоминающих устройств, что позволит создать принципиально новую микросистемную технику с использованием искусственного интеллекта, а также разработать СБИС с уровнем интеграции до 10 в ст. 9 бит/см2 (направления работ подраздела 2 раздела II приложения N 1);

разработка акустоэлектронных технологий и компонентов, в том числе интегрированных датчиков, фильтров, преобразователей и других компонентов перспективных электронных систем (направления работ подраздела 3 раздела II приложения N 1);

разработка новых и совершенствование действующих базовых технологических процессов создания вакуумной и твердотельной СВЧ-техники для создания высокоточных систем и принципиально новых образцов современной аппаратуры (направления работ подраздела 4 раздела II приложения N 1);

разработка технологий производства новых поколений акустоэлектронных и магнитоэлектронных устройств с минимальными размерами элементов 0,5-0,7 мкм, обеспечивающих создание унифицированных комплексов сверхвысокой производительности и достижение мирового уровня при создании мультимедиа- и телекоммуникационной техники (направления работ подраздела 3 раздела II приложения N 1);

создание базовых технологий оборудования, материалов и метрологических средств контроля производства новых поколений резисторов, конденсаторов, коммутирующих и коммутационных изделий, герконов, что позволит разработать новую радиоэлектронную аппаратуру с тактико-техническими характеристиками, соответствующими мировому уровню (направления работ подраздела 8 раздела II приложения N 1).

Для реализации указанных работ предложена система первоочередных инвестиционных проектов, внедрение которых позволит создать современную инфраструктуру проектирования и производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы, необходимой для существующих и перспективных радиоэлектронных систем и комплексов (направления работ 97-103 приложения N 1).