| 6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база |
42. | Разработка библиотеки элементов и СФ-блоков радиационностойкой электронной компонентной базы на основе технологий кремний на изоляторе и кремний на сапфире, в том числе: процессоры (сигнальные и цифровые процессоры); микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т. д.); логические схемы; экспертиза и мониторинг технических процессов по обеспечению радиационной стойкости электронной компонентной базы | | 143 ----- 71,5 | 20 ---- 10 | 39,4 ----- 19,7 | 41 ---- 20,5 | 42,6 ----- 21,3 | создание электронных систем вооружения, военной и специальной техники, функционирующих в условиях воздействия радиационных факторов |
| 7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники |
43. | Разработка базового фотоэлектронного модуля на основе инфракрасных смотрящих двухцветных многорядных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия с цифровой обработкой и повышенной информационной емкостью | | 32,4 ----- 16,2 | 3,2 ---- 1,6 | 9,6 ----- 4,8 | 9,8 ---- 4,9 | 9,8 ---- 4,9 | создание матричных унифицированных фотоэлектронных модулей с повышенной информационной емкостью на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия, работающих в двух спектральных диапазонах. |
| | | | | | | Применение многоспектральных фотоприемных модулей в тепловизионных и теплопеленгационных системах выведет последние по дальности и надежности обнаружения и захвата целей, а также помехозащищенности на качественно новый уровень |
44. | Разработка базового фотоэлектронного модуля нового поколения для сканирующих тепловизионных систем, работающих в режиме ВЗН, с числом элементов накопления не менее 8 | | 32,4 ----- 16,2 | 3,2 ---- 1,6 | 9,6 ---- 4,8 | 9,8 ---- 4,9 | 9,8 ---- 4,9 | разработка базового унифицированного фотоэлектронного модуля формата не менее 8 х 288 элементов, предназначенного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения, работающих в режиме ВЗН; |
| | | | | | | | увеличение числа рядов в МФПУ позволит улучшить фотоэлектрические параметры МФПУ, увеличить надежность за счет резервирования ФЧЭ, улучшить качество тепловизионных изображений |
45. | Разработка ряда базовых фотоэлектронных модулей на основе охлаждаемых фотодиодных матриц из антимонида индия и микроболометров для диапазонов спектра 3...5 и 8...12 мкм формата 320 х 240, 384 х 288 элементов | 1,4 ---- 0,7 | 36,8 ------ 18,4 | 4,2 ---- 2,1 | 10,8 ----- 5,4 | 11,2 ----- 5,6 | 10,6 ----- 5,3 | создание типоразмерного ряда охлаждаемых матричных ИК-приемников на основе фотодиодов и микроболометрических элементов, чувствительных в диапазоне 3...5 и 8...12 мкм формата 320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность выпуска тепловизионных систем гражданского и двойного применения |
46. | Разработка МФПУ смотрящего типа на спектральный диапазон 3...5 мкм с покадровым накоплением фотосигналов и цифровым выводом информации | | 14 ---- 7 | | 4,6 ---- 2,3 | 4,6 ---- 2,3 | 4,8 ---- 2,4 | создание смотрящего МФПУ на основе КРТ формата 128 х 128 спектрального диапазона 3...5 мкм с совмещенным покадровым накоплением и цифровым выводом информации, предназначенного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения; |
| | | | | | | | существенное уменьшение темновых и фоновых токов по сравнению с фотодиодами спектрального диапазона 8-12 мкм, переход к более длительному времени накопления по сравнению с построчным накоплением фотосигналов в диапазоне 8-12 мкм и повышение технических характеристик МФПУ |
47. | Разработка унифицированных модулей аналоговой и цифровой обработки сигналов многорядных матричных фотоприемных устройств для тепловизионных каналов широкого применения | | 26,8 ----- 13,4 | 2,6 ---- 1,3 | 7,8 ---- 3,9 | 8,2 ---- 4,1 | 8,2 ---- 4,1 | создание унифицированных модулей для обработки сигналов МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, 8 х 288 и др., обеспечивающих функции аналого-цифрового преобразования сигналов МФПУ, суммирование сигналов с задержкой для реализации режима ВЗН, цифровую обработку сигналов с проведением коррекции неоднородности чувствительности, формирование сигналов управления МФПУ и синхронизацию с системой сканирования, оптимизацию режима работы МФПУ при изменении условий эксплуатации, формирование видеосигнала для отображения на мониторе |
48. | Разработка МОП - мультиплексора с интегрированием фототока в ячейке для двухцветных матричных ФПУ, чувствительных в диапазонах длин волн 3...5 и 8...14 мкм | | 14 ---- 7 | | 4,6 ---- 2,3 | 4,6 ---- 2,3 | 4,8 ---- 2,4 | создание МОП - мультиплексора формата 128 х 128 с интегрированием фототока в ячейке для матриц фотодиодов на основе материалов кадмий-ртуть-теллур и антимонида индия в обеспечение выпуска матричных двухцветных ФПУ нового поколения |
49. | Разработка микросхем малошумящих операционных усилителей (ОУ) для обработки сигналов фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов | | 16 ---- 8 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 4,8 ---- 2,4 | создание унифицированного ряда малошумящих операционных усилителей, предназначенных для обработки сигналов фотоприемников (ФП) с различным внутренним сопротивлением. Унифицированный ряд включает в себя двухканальный ОУ двух типов для обработки сигналов фотоприемников с низким и высоким внутренним сопротивлением |
50. | Разработка спецалгоритмов и создание модулей цифровой обработки сигналов и изображений, получаемых в различных областях спектра с применением технологий нейросетей и методов локально-анизотропных признаков для решения задач обнаружения, распознавания и автосопровождения целей в реальном времени | | 26,8 ----- 13,4 | 2,6 ---- 1,3 | 7,8 ---- 3,9 | 8 ---- 4 | 8,4 ---- 4,2 | разработка алгоритмов и модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей на основе информации, получаемой радио- и оптико-электронными каналами различного спектрального диапазона комплексированных систем; создание комплекта экспериментальных образцов модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей и проведение их испытаний |
51. | Разработка жидкофазных и МОС-гидридных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" для крупноформатных матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3...5 и 8...12 мкм | 3 ---- 1,5 | 40,4 ----- 20,2 | 6,6 ---- 3,3 | 13,6 ----- 6,8 | 10 ---- 5 | 10,2 ----- 5,1 | разработка жидкофазных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" с высоким уровнем параметров, пригодных для промышленного производства матричных ФПУ на спектральные диапазоны 3...5 и 8...12 мкм |
52. | Разработка типоразмерного ряда микрокриогенных систем с повышенным ресурсом работы для охлаждения матричных фотоприемных устройств нового поколения | | 26,8 ----- 13,4 | 2,6 ----- 1,3 | 7,8 ---- 3,9 | 8,2 ---- 4,1 | 8,2 ---- 4,1 | создание типоразмерного ряда микрокриогенных систем (МКС), обеспечивающих температурный режим работы нового поколения матричных фотоприемных устройств различных форматов для спектральных диапазонов 3...5 и 8...12 мкм. Основные характеристики: холодопроизводительность - 0,4...1,2 Вт; тип МКС - интегральный, Сплит-Стирлинг; ресурс работы - не менее - 20000 час |
53. | Разработка базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей, в том числе на основе явлений в квантовых ямах, для фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона | | 6,2 ---- 3,1 | 0,6 ---- 0,3 | 1,8 ---- 0,9 | 1,8 ---- 0,9 | 2 ---- 1 | создание базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей (ТЭО) для фотоприемников и фотоприемных устройств (МОФ) с улучшенными ТТХ, в том числе по энергопотреблению, весу и габаритам, конкурентоспособных на внешнем рынке (МОФ на основе термоэлектрических охладителей на базе Bi2 Te3, Sb2 Te3 и твердых растворов Bi - Те- Sе- Sb, в том числе с использованием новых квантоворазмерных явлений) |
54. | Разработка ультрафиолетового ЭОП на основе фотокатодов с отрицательным электронным сродством | | 9,6 ---- 4,8 | 0,8 ---- 0,4 | 2,4 ---- 1,2 | 2,8 ---- 1,4 | 3,6 ---- 1,8 | создание ЭОП на спектральный диапазон от 0,2 мкм до 0,4 мкм на основе принципиально нового фотокатода с отрицательным электронным сродством |
55. | Разработка высокочувствительного фотоэлектрического инфракрасного модуля для лазерных систем круглосуточного видения | | 17,2 ----- 8,6 | 1,4 ---- 0,7 | 5,2 ---- 2,6 | 5,2 ---- 2,6 | 5,4 ---- 2,7 | создание инфракрасного фотоэлектрического модуля на основе ЭОП с фотокатодом на структурах А3В5 с барьером Шоттки, чувствительного в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 2,0 мкм и работающего в активно-импульсном режиме совместно с импульсным лазером для электронных систем повышенной дальности действия, в том числе для обнаружения и распознавания воздушных объектов на дальностях свыше 30 км, а также для медицинской техники, дифференциальной диагностики в онкологии, маммографии, оптической томографии и др. |
56. | Разработка высокоэффективных ЭОП на основе фотокатодов, чувствительных в спектральном диапазоне от 0,9 мкм до 1,65 мкм | | 70,4 ----- 35,2 | | 23,4 ---- 11,7 | 23,4 ---- 11,7 | 23,6 ---- 11,8 | создание высокоэффективного инфракрасного ЭОП с квантовой эффективностью более 5% на длине волны лямбда = 1,54 мкм для оптико-электронных систем с повышенной помехозащищенностью и обнаружительной способностью, дальность действия которых в ночных условиях на 60% больше, чем у аналогичных систем на основе ЭОП третьего поколения для создания принципиально нового класса приборных комплексов и систем двойного назначения |
57. | Создание межотраслевой интегрированной базы данных по исследованиям и разработкам ИК-систем и приборов двойного назначения | | 18,4 ----- 9,2 | 1,8 ---- 0,9 | 5,2 ---- 2,6 | 5,6 ---- 2,8 | 5,8 ---- 2,9 | разработка методологии оценки перспективности исследований и разработок, проводимых в рамках межведомственной целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002-2006 годы", создание информационно-аналитической базы данных, имеющихся в данной области разработок |
58. | Разработка и освоение технологии мелкоструктурных МКП с повышенной информативностью для ЭОПов четвертого поколения, предназначенных для перспективной техники ночного видения | 0,8 ---- 0,4 | 5,6 ---- 2,8 | 1 ---- 0,5 | 1,4 ---- 0,7 | 1,4 ---- 0,7 | 1,8 ---- 0,9 | разработка МКП с повышенной информативностью свыше 80 штр/мм, улучшенными пороговыми характеристиками (фактор шума - не более 1,5), долговечностью более 5 тыс. ч., термостойкостью о более 550 С |
59. | Разработка базовой технологии производства полупроводниковых индикаторов нового поколения в широкой видимой области спектра на основе антистоксовых люминофоров | 1 ---- 0,5 | 6,6 ---- 3,3 | 1 ---- 0,5 | 1,8 ---- 0,9 | 1 ---- 0,9 | 2 ---- 1 | создание нового поколения высокоэффективных индикаторов мирового уровня расширенного диапазона свечения для широкого применения в народнохозяйственной и специальной аппаратуре |
60. | Разработка новых технологий фотоники и оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах | 9 ---- 4,5 | 88,6 ---- 44,3 | 9 ---- 4,5 | 25,4 ---- 12,7 | 26,6 ---- 13,3 | 27,6 ---- 13,8 | разработка принципиально новых систем фотонной обработки информации с производительностью, многократно превышающей предельную производительность электронных информационно-обрабатывающих систем (в том числе разработка технологии выращивания функциональных полупроводниковых гетероструктур, диагностика и сертификация функциональных параметров, создание образцов систем); |
| | | | | | | | создание на основе полупроводниковых гетероструктур новых типов оптоэлектронных компонентов |
61. | Разработка охлаждаемых полупроводниковых структур и устройств на их основе, технологий производства крупноформатных матричных фотоприемных комплексов на основе фотодиодов из теллурида кадмия-ртути, двухцветных матричных фотоприемников на гетероструктурах с квантовыми ямами ИК-диапазона спектра (3...5 и 8...12 мкм). Разработка базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств | 10,8 ---- 5,4 | 105,8 ---- 52,9 | 12,8 ---- 6,4 | 27,4 ---- 13,7 | 32 ---- 16 | 33,6 ---- 16,8 | создание светочувствительных многоэлементных структур, охлаждаемых фотоприемных устройств, в том числе двухцветных субматричных фотоприемников; создание базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств |
62. | Разработка гетероэпитаксиальных структур фоточувствительных слоев полноформатной ИК-матрицы и производственнотехнологического базиса создания фотоприемных устройств с использованием современных кремниевых мультиплексоров | 1 ---- 0,5 | 6,6 ---- 3,3 | 1 ---- 0,5 | 1,8 ---- 0,9 | 1,8 ---- 0,9 | 2 ---- 1 | организация серийного производства типового ряда тепловизионной техники двойного назначения в спектральной области 3...5 мкм с чувствительностью на уровне лучших зарубежных аналогов (не 7 2 более 5 х 10 Вт/см ) |
63. | Разработка МОС-гидридных эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур | | 14,8 ---- 7,4 | 1,4 ---- 0,7 | 4,2 ---- 2,1 | 4,4 ---- 2,2 | 4,8 ---- 2,4 | развитие МОС-гидридной эпитаксии позволит наладить выпуск высококачественных гетероструктур на соединениях InGaAlAs(P) с толщинами квантовых ям до 10 А и планарной однородностью электро-физических и оптических характеристик на уровне 1% для производства на их основе квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона, фотокатодов для электронно-оптических преобразователей |
64. | Разработка протяженных активных элементов длиной до 120 мм из кристаллов KYW:Tm | | 6,6 ---- 3,3 | 0,6 ---- 0,3 | 1,8 ---- 0,9 | 2,2 ---- 1,1 | 2 ---- 1 | создание активных элементов длиной 120 мм, генерирующих в диапазоне 1,85-1,95 мкм из кристаллов KYW:Tm в безопасном для глаз диапазоне |
65. | Разработка нелинейнооптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 | | 7 ---- 3,5 | 0,6 ---- 0,3 | 1,8 ---- 0,9 | 2,2 ---- 1,1 | 2,4 ---- 1,2 | разработка нелинейнооптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg)Ga2(S-Se)4 заданной концентрации с оптимизированными свойствами для конкретных заданных типов взаимодействия с целью разработки генераторов суммарной частоты и параметрических преобразователей частоты |
66. | Разработка мощных одиночных полупроводниковых лазеров (до 10 Вт), лазерных линеек (50-150 Вт) и матриц (свыше 1 кВт), работающих в непрерывном режиме | | 37,4 ---- 18,7 | 3,8 ---- 1,9 | 11 ---- 5,5 | 11,2 ---- 5,6 | 11,4 ---- 5,7 | создание мощных источников накачки лазерных кристаллов на диапазон длин волн 0,78-1,06 мкм с КПД ~50% м для систем специального назначения, а также для использования в промышленных технологических установках |
67. | Создание мощного широкодиапазонного фемтосекундного лазерного излучателя на твердотельных активных средах с диодной накачкой | | 46,2 ---- 23,1 | 4,6 ---- 2,3 | 13,4 ---- 6,7 | 14 ---- 7 | 14,2 ---- 7,1 | создание фемтосекундного лазерного излучателя с диодной накачкой, энергией в импульсе до 100 мДж при длительности 20-30 фс |
68. | Создание твердотельных лазерных модулей с полупроводниковой накачкой непрерывного излучения мощностью до 10 Вт с длинами волн 0,4-0,7 мкм | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | разработка высокоэффективных высокоресурсных многоцветных (видимого диапазона) лазерных модулей с полупроводниковой накачкой для информационных, технологических и медицинских целей, а также в интересах комплексов специального назначения |
69. | Разработка и создание типового ряда непрерывных твердотельных лазеров с накачкой линейками лазерных диодов средней мощностью до 100 Вт | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | создание модульной конструкции излучателя, позволяющей наращивать мощность от 10 до 100 Вт выходного излучения на осевом типе колебаний с дифракционной расходимостью КПД излучателя - более 50% от мощности накачки |
70. | Разработка и создание базовой модели технологического лазерного излучателя средней мощностью 1 кВт на основе кристаллических активных сред с накачкой полупроводниковыми лазерами | | 27 ---- 13,5 | 2,6 ---- 1,3 | 7,8 ---- 3,9 | 8,2 ---- 4,1 | 8,4 ---- 4,2 | создание экономичных мощных кристаллических источников лазерного излучения мощностью до 1 кВт с полупроводниковой накачкой для применения в различных технологиях |
71. | Разработка микролазеров на основе активированных монокристаллических оптических волокон и пленочных структур | | 6,8 ---- 3,4 | 0,6 ---- 0,3 | 1,8 ---- 0,9 | 2 ---- 1 | 2,4 ---- 1,2 | разработка микролазеров для диапазонов 1,3-1,5 мкм и 3.0 мкм с диодной накачкой с целью применения в медицине, технике и телекоммуникациях |
72. | Создание ряда высокоэффективных непрерывных и импульсно-периодических газовых лазеров УФ-, видимого и ИК-диапазонов для использования в лазерных технологиях различного назначения. Разработка нормативной базы | | 33,2 ---- 16,6 | | 11 ---- 5,5 | 11 ---- 5,5 | 11,2 ---- 5,6 | создание: эксимерных лазеров ультрафиолетового диапазона спектра на длинах волн 157 нм, 193 нм, 248 нм и 308 нм с энергией в импульсе до 200 МДж для отжига и кристаллизации поверхностей полупроводниковых материалов; |
| | | | | | | | микроструктур, а также реализации новых методов лечения заболеваний в области кардиохирургии, дерматологии, офтальмологии и др.; |
| | | | | | | | опытных образцов цельнометаллических компактных отпаянных СО2-лазеров с ресурсом не менее 10000 часов, в том числе волноводных лазеров с планарной геометрией с ВЧ разрядом с мощностью до 1 кВт для технологии и медицины и перестраиваемых лазеров с ВЧ разрядом с компьютерным управлением для спектроскопических применений, включая лидары (аналоги отсутствуют); |
| | | | | | | | ряда щелевых отпаянных СО2-лазеров с уровнем выходной мощности от 0,1 до 1,5 кВт, ряда образцов лазеров на парах меди с уровнем выходной мощности от 10 до 100 Вт и технологии их изготовления, создание образцов лазерных технологических комплексов на основе щелевых СО2-лазеров и лазеров на парах меди; |
| | | | | | | | типового ряда СО2-лазеров с ВЧ-накачкой активной среды с мощностью 1,5; 2,5 и 5 кВт, ресурсом работы более 5000 часов, стабильностью излучения не менее 2% и расходимостью дифракционного качества |
73. | Разработка перспективной элементной базы для лазерных локаторов дальнего действия | | 56,2 ----- 28,1 | 5,8 ---- 2,9 | 16,6 ---- 8,3 | 16,8 ---- 8,4 | 17 ---- 8,5 | разработка базовых модулей, определяющих основные характеристики лазерных локаторов и информационных лазерных комплексов, в том числе: 3-координатных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-17 Дж; |
| | | | | | | | гибридных телевизионных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-18 Дж на элемент; |
| | | | | | | | быстродействующих сканирующих устройств с полосой пропускания не менее 1 кГц и апертурой 20-200 млм; |
| | | | | | | | модулей усиления лазерного сигнала с энергией в импульсе 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж на основе явления вынужденного рассеивания в нелинейных средах. |
| | | | | | | | Внедрение создаваемых ключевых элементов в новые комплексы позволит в 5...10 раз уменьшить ошибки слежения комплексов за динамическими объектами, сократить время обзора контролируемого пространства, увеличить дальность наблюдения |
74. | Разработка лазерных стереодатчиков для робототехнических комплексов, лазерных дальномеров | | 21,8 ----- 10,9 | 2,2 ---- 1,1 | 6,4 ---- 3,2 | 6,6 ---- 3,3 | 6,6 ---- 3,3 | создание лазерных стереодатчиков с точностью измерения дальности 0,1-0,3% позволит на порядок сократить время измерительных операций в машиностроении, на транспортных магистралях, в медицине (например, при изготовлении ортопедических изделий), обеспечить автоматизацию управления полетов летательных аппаратов на сверхмалых высотах и при посадке |
75. | Разработка новых высокоэффективных оптических сред на основе кристаллов германия, двойных вольфраматов и боратов, алюминиевой шпинели, нелинейного кристалла КРТ, халькогенидных стекол и стекол на основе сульфидов цинка и свинца | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | создание нового класса кристаллов для крупногабаритных оптических окон, проходной оптики, работающей в экстремальных условиях, для видимого и ИК-диапазонов и микролазеров с диодной накачкой |
76. | Совершенствование технологии производства оптического волокна и оптоволоконных датчиков, в том числе активного волокна, волноводных планарных и канальных структур на различных материалах | 8,4 ---- 4,2 | 55 ---- 27,5 | 8,4 ---- 4,2 | 14,8 ---- 7,4 | 15,8 ---- 7,9 | 16 ---- 8 | создание промышленных образцов оптического волокна для линий связи со сверхнизкими потерями и оптических линий передачи информации; |
| | | | | | | создание образцов датчиков физических величин для контроля производственных процессов в машиностроении, атомной энергетике, химической промышленности; |
| | | | | | | | разработка базовой технологии получения активного волокна, позволяющего усиливать оптические сигналы в магистральных линиях связи, что позволит увеличить расстояния между ретрансляторами до 200 км |
77. | Разработка гаммы оптических волокон с повышенными оптическими и механическими характеристиками | | 14,8 ---- 7,4 | | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | создание двулучепреломляющего одномодового волокна с повышенной устойчивостью к изгибам и высокопрозрачного в УФ-области низкодисперсионного волокна для диагностики плазмы |
78. | Разработка радиационностойких стекол с особыми оптическими и термооптическими свойствами для высокоразрешающих аэрокосмических фотографических объективов | | 14,8 ---- 7,4 | | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | разработка номенклатуры стекол, необходимой для создания космической оптики; |
| | | | | | | расширение номенклатуры атермальных стекол для упрощения конструкции изделия, уменьшения требований по термостабилизации космического комплекса в целом |
79. | Разработка особо чистых веществ для новых марок оптических стекол | | 22,4 ---- 11,2 | 2,2 ---- 1,1 | 6,4 ---- 3,2 | 6,8 ---- 3,4 | 7 ---- 3,5 | создание новых химических продуктов для получения оптических стекол с повышенными характеристиками |
80. | Разработка образцов сравнения и лазерных отражателей с высокими эксплуатационными свойствами в УФ-, видимой и ИКобластях спектра на базе высокоотражающих диффузионных материалов | | 12 ---- 6 | 1,2 ---- 0,6 | 3,6 ---- 1,8 | 3,6 ---- 1,8 | 3,6 ---- 1,8 | разработка и опытное производство образцов высокоэффективных отражателей для твердотельных лазеров видимого и ближнего ИК-диапазонов и элементной базы оптико-электронных приборов (интегрирующие сферы, ламбертовские ослабители, стандартные образцы сравнения и т. д.); |
| | | | | | | | повышение эффективности твердотельных лазеров, увеличение ресурса их работы, снижение себестоимости и возможность создания фотометрических и спектрофотометрических приборов нового поколения |
81. | Разработка одномодового волокна на основе фотоннокристаллических структур | | 15,4 ---- 7,7 | 1,2 ---- 0,6 | 3,6 ---- 1,8 | 3,6 ---- 1,8 | 7 ---- 3,5 | создание фотоннокристаллических структур и разработка на их основе оптического волокна, позволяющего реализовать одномодовый режим распределения в широком спектральном диапазоне |
82. | Создание фотолитографического объектива для тиражирования сверхбольших интегральных схем с элементами разрешения 0,15-0,18 мкм и стенда для его сборки, юстировки и испытаний | | 33,2 ---- 16,6 | 3,2 ---- 1,6 | 9,6 ---- 4,8 | 9,8 ---- 4,9 | 10,6 ---- 5,3 | разработка объективов на основе отечественного флюорита для формирования изображения на длине волны 193 нм (эксимерный лазер) |
83. | Разработка управляемых интерференционных тонкопленочных элементов на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в тонких слоях оксида ванадия и их модификациях, полученных за счет интегрирования с другими родственными материалами | | 12,6 ---- 6,3 | 1,2 ---- 0,6 | 3,6 ---- 1,8 | 3,6 ---- 1,8 | 4,2 ---- 2,1 | создание управляемых интерференционных покрытий и элементов на их основе, обеспечивающих исключение возможной взаимной диффузии и химических реакций между слоями и подложкой в условиях высоких температур и с глубоким подавлением мешающего излучения в видимой и ближней ИК-областях спектра |
84. | Разработка новых оптических клеев для склеивания оптических элементов между собой и с элементами конструкций приборов назначения | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | восстановление производства оптических клеев, не уступающих зарубежным аналогам |
85. | Разработка оптоэлектронных модулей с использованием методов Фурье-спектрометрии, в том числе многоканальных | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | разработка средств контроля и мониторинга атмосферы земной и водной поверхности по выявлению выбросов опасных, в том числе отравляющих, газов в чрезвычайных ситуациях, утечек газопроводов, аномалий распределения природных газов и др. |
86. | Разработка стенда метрологии функциональных характеристик элементов терагерцовой фотоники, спинтроники и ИК-оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | разработка методов и создание аппаратуры для измерения функциональных характеристик полупроводниковых гетероструктур и системного моделирования функций: (i) - параллельной оптической логики, (ii) - квантовой (фотонной) логики, (iii) - оперативной оптической памяти, основанной на оптической ориентации спинов, (iv) - чтения битовых и аналоговых (в т. ч. тепловых) изображений и (v) - квантовой голографической телепортации |
87. | Разработка акустически управляемых оптоволоконных устройств, электро- и светоуправляемых жидкокристаллических устройств для недисплейных применений, а также голографических технологий создания нейроподобных систем | | 16,8 ---- 8,4 | 2 ---- 1 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | создание оптоволоконных устройств (модуляторов, перестраиваемых фильтров) с акустическим управлением параметрами пропускаемого через волокно света на основе пьезоэлектрических пленок ZnO со значительно уменьшенными оптическими потерями и увеличенными функциональными возможностями; |
| | | | | | | | применение устройств в оборудовании связи, волоконных интерферометрах, гироскопах, для дальнометрии, нелинейной оптики и др.; |
| | | | | | | | создание технологии и изготовление пространственно-временных модуляторов света на основе новых материалов, а также быстродействующих ЖК-модуляторов для использования в системах оптической обработки информации, в т. ч. для записи динамических голограмм |
88. | Разработка многослойных оптических покрытий на оптические элементы из материалов, работающих в ИК-области спектра для нового поколения тепловизионных приборов и приборов ночного видения | | 16,4 ---- 8,2 | 1,6 ---- 0,8 | 4,6 ---- 2,3 | 5 ---- 2,5 | 5,2 ---- 2,6 | создание многослойных оптических покрытий деталей из германия, кремния, лейкосапфира, оптической керамики и др., работающих в ИК-области спектра |