Законодательная база Российской Федерации

РАСПОРЯЖЕНИЕ Правительства РФ от 18.12.2006 N 1761-р

Проблемой, рассматриваемой в рамках настоящей Концепции, является создание современной инфраструктуры высокотехнологичной отрасли промышленности, способной в сжатые сроки сформировать конкурентоспособную на внутреннем и мировом рынках электронную компонентную базу.

Указанная проблема носит системный характер, и от ее решения зависят эффективность мер по обеспечению технологического развития и безопасности страны, динамика экономического подъема и повышение конкурентоспособности всей отечественной промышленности, а также рост благосостояния населения.

Электронная промышленность, аккумулируя самые передовые достижения естественных наук и стимулируя развитие фундаментальных, поисковых и прикладных исследований, существенно влияет на тактико-технические характеристики разрабатываемой и производимой радиотехнической аппаратуры и ее конкурентоспособность на мировом рынке. При этом доля электронной компонентной базы, производимой в мире, растет с каждым годом. В сфере информационных и телекоммуникационных технологий, являющихся основной составляющей высокотехнологичной экономики и социальной сферы, доля такой базы составляет не менее 70 процентов, а в других высокотехнологичных отраслях экономики - до 60 процентов (в автомобильной промышленности - до 20 процентов, в приборостроительной промышленности - до 40 процентов, в авиационной промышленности - до 55 процентов).

Мировая практика показывает:

темпы роста объема производства электронной продукции в большинстве стран значительно выше темпов роста объема валового внутреннего продукта;

одно рабочее место в сфере электронного производства инициирует создание до 4 рабочих мест в других отраслях промышленности;

срок окупаемости вложений в электронное производство в среднем составляет не более 2 лет.

На протяжении последних 30 лет увеличение объема производства микроэлектронной продукции во всем мире в среднем составляло 15 процентов. Ожидается, что такое положение сохранится еще 10-15 лет, и объем производства микроэлектронной продукции может достичь 20 процентов всего промышленного производства развитых стран.

Главным индикатором, определяющим уровень развития технологии микроэлектронной продукции, является минимальный размер элементов на кристалле (топологический уровень). Уже сейчас размер элементов на кристалле в микроэлектронной продукции, выпускаемой мировыми лидерами, составляет 0,13 - 0,09 мкм, а в опытных образцах - 0,065 мкм. Такой уровень технологии позволяет разместить в одном кристалле целые вычислительные системы (вплоть до миллиарда транзисторов), что обеспечивает экстремально высокие технико-экономические показатели при производстве телекоммуникационной аппаратуры и радиотехнических систем.

Анализ зарубежного опыта развития микроэлектронной техники показывает, что для повышения своего экономического потенциала достижения электронной промышленности используют как передовые, так и развивающиеся страны, а вхождение государства в мировую элиту высокоразвитых стран возможно лишь при наличии определенных успехов в этой области.

Реализация подпрограммы полностью соответствует государственным приоритетам по поддержке стратегически важных направлений инновационного развития страны, от которых зависят устойчивое функционирование национальной экономики и повышение благосостояния населения.

Исходя из мирового опыта развитие электронной компонентной базы в России целесообразно осуществлять программно-целевым методом.

В ведущих мировых странах государственная поддержка развития электронной промышленности рассматривается как самый эффективный способ повышения конкурентоспособности национальной экономики и вхождения в мировой рынок. Среди таких мер следует отметить не только участие государства в финансировании строительства современных производств, но и формирование плановой политики развития, введение льготных ставок налога, отмены платы за землю, введение практики ускоренной амортизации оборудования, предоставление льготных кредитов безвозмездных субсидий, создание свободных экономических зон и технопарков.

Производство электронной продукции во многих странах пользуется неоспоримым приоритетом, а основные электронные компании при финансовой поддержке государства вкладывают в развитие этого направления значительные средства.

Анализ мирового опыта развитых стран в сфере электронного производства показывает, что совершенствование электронной продукции и наращивание объемов ее выпуска главным образом осуществляются на основе комплексных целевых научно-технических программ, инициируемых правительствами государств и финансируемых наполовину за счет средств государственного бюджета.

Ежегодно на указанные программы ведущие мировые державы выделяют более 20 млрд. долларов. При этом следует учесть, что фирмы-производители не менее 10 процентов средств, полученных от реализации своей продукции, направляют на разработку перспективных изделий.

Для освоения дорогостоящих технологий даже крупные фирмы-производители не в состоянии использовать только собственные средства, поэтому они вынуждены создавать технологические альянсы и консолидировать свои средства с государством. В США с этой целью был создан консорциум правительства и частных компаний, который успешно обеспечил ликвидацию технологического отставания страны от Японии в сфере микроэлектронного производства. В Японии, в свою очередь, при участии государства создана специальная организация с целью возврата утраченного приоритета в области развития электронной промышленности.

Страны Европейского союза выполняют комплексные программы по освоению новых технологических уровней в области микро- и нанотехнологий в рамках специально организованных структур, финансируемых из бюджета Европейского союза, а также осуществляют ряд проектов, направленных на завоевание передовых позиций в области полупроводниковых технологий.

Китай уже реализовал государственную программу развития электронной промышленности стоимостью более 10 млрд. долларов и в настоящее время стоит в одном ряду с крупнейшими производителями электронной компонентной базы. Китайские микроэлектронные производства характеризуются весьма высоким уровнем технологии (топологический уровень - 0,18 - 0,13 мкм), что позволяет решать задачи, связанные с массовым выпуском современной электронной компонентной базы.

Другим примером является развитие производства микроэлектронных изделий в США и Японии. Объем их производства в США в 2005 году составил более 10 млрд. долларов, а Япония стремится к тому, чтобы годовой уровень выпуска микроэлектронной продукции составил 17 млрд. долларов.

В последнее десятилетие четко прослеживается тенденция перемещения производства электронной техники в страны Юго-Восточной Азии, что позволяет США, Японии, Европе резко усилить научные направления в области новых перспективных технологий (нанотехнологии, микротехника, молекулярная электроника). При этом правительства развитых западных государств оказывают поддержку этим ключевым направлениям науки, техники и производства.

Таким образом, практически все ведущие страны мира стимулируют развитие электронной промышленности путем комбинированных инвестиций (за счет средств государственных бюджетов и частного капитала), признавая ведущую роль этой отрасли в развитии общества.

В настоящее время уровень развития российской электронной промышленности не соответствует мировому уровню. Если в период существования СССР еще можно было говорить о паритете в области создания микросхем и полупроводниковых приборов (тогда не использовалась импортная элементная база для специальных и космических систем, разработка которых составляла 70-75 процентов объема всех разработок, осуществляемых в электронной промышленности), то за последние 15 лет произошло существенное отставание в этой сфере. Значительное сокращение объема специальных закупок без увеличения гражданских заказов привело отрасль, выпуск продукции которой рассчитан на массовое использование, в состояние кризиса. Возросла доля накладных расходов, упала конкурентоспособность, рынок стал стремительно заполняться продукцией иностранного производства, а отрасль окончательно лишилась естественных источников своего развития. Многократно снизившийся уровень спроса на отечественные изделия электронной техники сделал экономически невыгодными для российских производителей электронной продукции разработку и выпуск продукции на более высоком технологическом уровне, требующем, безусловно, значительных финансовых затрат. Доля российской электронной продукции на мировом рынке сократилась до уровня 0,23 процента. Значительно ослаблены также позиции отечественных производителей на внутреннем рынке - в настоящее время доля импортной электронной компонентной базы составляет 65 процентов объема внутреннего рынка электронных изделий.

Усугубляет ситуацию также и значительное сокращение производства отечественного технологического оборудования, необходимого для разработки и выпуска современной электронной продукции, а также деградация обеспечивающих производств, включая производство перспективных полупроводниковых материалов, химикатов и особо чистых веществ. В настоящее время ведутся работы по налаживанию производства высокотехнологичного оборудования автоматизированной сборки, сверхбольших интегральных схем, полупроводниковых приборов генерации и переносу изображения с помощью российско-белорусских программ, но они являются только частичным решением проблемы обеспечения отечественных производств необходимым специальным технологическим оборудованием.

С 2002 по 2006 год основное развитие отечественной электронной техники осуществлялось в процессе реализации раздела "Электронная компонентная база" федеральной целевой программы "Национальная технологическая база" на 2002-2006 годы. Всего по этому разделу выполнялось около 90 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, обеспечивающих реализацию программных мероприятий по наиболее перспективным направлениям развития электронной техники. Из них 58 работ завершено к началу 2006 года.

В процессе выполнения указанных работ получены следующие результаты.

В области микроэлектронных технологий реализованы проекты по созданию отдельных технологических процессов для производства новых поколений сверхбольших и сверхскоростных интегральных схем с минимальным топологическим уровнем 0,1 - 0,25 мкм, в том числе радиационно стойких больших интегральных схем с уровнем 0,5 - 0,8 мкм, а также по разработке технологической среды, ориентированной на сквозное проектирование аппаратуры, и перспективной электронной компонентной базы с использованием библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков. Такие блоки необходимы для создания конкурентоспособных мультимедийных систем, аппаратуры космического мониторинга и телекоммуникаций, радиолокационных комплексов, средств связи и цифрового телевидения, а также для развития транспорта и торговли.

Впервые в стране проработаны основные положения для создания трехуровневой системы автоматизированного проектирования перспективной аппаратуры на основе сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле".

В области сверхвысокочастотной электроники значительное внимание уделено работам по созданию современных широкозонных полупроводниковых соединений и технологического базиса для производства монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона на основе гетероструктур материалов группы А В , а также

3 5 по разработке широкой номенклатуры мощных полупроводниковых приборов. Впервые в стране на материале группы А В получены

3 5 образцы транзисторов с Т-образным затвором длиной 0,1 мкм и разработана технология получения транзисторов с малым коэффициентом шума. Заложены основы технологии производства схем с топологическим уровнем 0,1 мкм.

В рамках федеральной целевой программы "Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса (2002-2006 годы)" проводились в основном работы институционального характера, направленные на реформирование структуры электронного комплекса.

Для изменения сложившейся ситуации подпрограммой предусматривается сокращение до минимума технологического разрыва между развитыми странами и Россией с последующим упрочением ее позиции как за счет создания собственной технологической базы, так и за счет международной кооперации в области разработки и производства перспективных изделий электронной техники.

В рамках подпрограммы предусматривается создание инфраструктуры для проектирования и производства сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле" для разработки на их основе радиоэлектронной аппаратуры.

Для этого необходимо создать:

базовые отраслевые и межотраслевые центры по сквозному системному проектированию электронной компонентной базы;

унифицированные библиотеки элементов и макроблоков;

правила проектирования электронной компонентной базы;

межотраслевой центр проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Предусматривается также реконструкция и технологическое перевооружение основных электронных производств.

Новая инфраструктура проектирования и производства электронной компонентной базы позволит ведущим организациям приступить к разработке микросхем широкой номенклатуры, включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле", а также создаст предпосылки для осуществления проектирования радиоэлектронных систем на уровне микросхем, что потребует новых форм кооперации разработчиков электронной компонентной базы и аппаратуры.

Ориентация только на потребности свободного рынка в области электронной техники не позволит получить ощутимый результат, в том числе даже по таким важнейшим направлениям, как технологии создания и производства радиационно стойкой электронной компонентной базы, твердотельной сверхвысокочастотной электроники, сложных функциональных блоков и сверхбольших интегральных схем типа "система на кристалле", так как эта продукция не обладает высокой серийностью и поэтому финансово непривлекательна. В то же время созданные небольшие мелкосерийные производства не позволят производить электронную компонентную базу по конкурентной цене.

Налаживание отечественного электронного производства позволит осуществить массовый выпуск продукции, отвечающей мировому уровню, что снизит зависимость страны от иностранного производителя. Для этого необходимо участие государства в организационной и финансовой поддержке создания новых секторов электронного рынка (электронные паспорта, цифровое телевидение и т. д.), что также обеспечит развитие смежных отраслей промышленности (автомобильной, авиационной, приборостроительной) и создаст предпосылки для гармоничного развития высокотехнологичного сектора экономики.

Развитие электронной промышленности в России является государственной задачей, решение которой позволит укрепить экономику страны, обеспечить разработку и производство отечественной аппаратуры нового поколения, систем специального и гражданского назначения, укрепить технологическую и информационную безопасность страны. Для этого необходимы использование программно-целевого метода, частичное государственное финансирование мероприятий и осуществление контроля за расходованием бюджетных средств.

В ближайшие годы в России планируется создание электронного паспорта, то есть открываются новые возможности для применения отечественной электронной компонентной базы.

Расчеты показывают, что для перехода на электронный паспорт при численности населения страны около 150 млн. человек потребуется как минимум такое же количество микросхем (учитывая ежегодное пополнение состава взрослого населения, необходимость замены паспортов по семейным и другим обстоятельствам, а также плановое обновление паспортов один раз в 5 лет).

Таким образом, для использования в паспортно-визовых документах электронных технологий потребуется единовременно около 150 млн. микросхем, а затем по 50 млн. микросхем ежегодно. Потребность в использовании микросхем будет увеличиваться в связи с необходимостью перевода на эту же технологию изготовления водительских удостоверений, специальных платежных карт для систем мобильной связи.

С использованием электронных технологий можно выпускать такие не слишком сложные микросхемы, как электронные метки для товаров и грузов (ориентировочная потребность в них в 2007 году - не менее 250-400 млн. штук). При этом объем продаж сможет составить не менее 200-300 млн. долларов в год.

Современное типовое микроэлектронное производство способно обрабатывать в год около 240 тыс. пластин диаметром 200 мм. С одной такой пластины можно получить около 2000 микросхем. При этом объем выпуска составит около 500 млн. микросхем в год, что позволит удовлетворить потребность внутреннего рынка в средствах радиочастотной идентификации с помощью всего одного микроэлектронного производства.

Принципиально важным шагом является выбор отечественного разработчика и изготовителя микросхем для создания электронного паспорта. Такое решение, с одной стороны, придаст новый импульс развитию электронной промышленности, с другой, - устранит возможность несанкционированного доступа к информации, содержащейся в электронном паспорте.

Создание электронного паспорта должно находиться под контролем государства, и решение этой задачи необходимо рассматривать как реализацию основного проекта для подъема микроэлектронной промышленности в целом.

Кроме того, для внедрения в России отечественной глобальной навигационной спутниковой системы ГЛОНАСС потребуется создать около 50 млн. навигационных приборов, что обеспечит еще 5-7 процентов загрузки микроэлектронного производства. При этом необходимо сохранить за отечественным производителем не менее 50 процентов рынка навигационной аппаратуры. В целом объем выпуска изделий микроэлектронной техники для производства такой аппаратуры составит 50-70 млн. долларов в год.

Для внедрения в стране европейской системы цифрового телевизионного вещания (такое решение уже принято Правительством Российской Федерации) необходимо также использовать отечественное высокотехнологичное оборудование, чтобы исключить захват российского рынка зарубежными фирмами, как это произошло при внедрении мобильной радиосвязи.

Объем рынка аппаратуры цифрового телевидения в стране может к 2015 году составить не менее 25 млрд. долларов, однако уже сегодня не менее 60 процентов необходимого объема может выпускаться отечественными производителями.

Имеется также и довольно значительная потребность в производстве отечественных приставок к обычным аналоговым телевизорам, обеспечивающих прием цифрового телевизионного вещания. Учитывая то, что в пользовании у населения находится не менее 80 миллионов таких телевизоров, этот сегмент рынка представляется весьма перспективным.

Кроме того, существует система телевидения, при которой используются специальные схемотехнические решения для платного просмотра телевизионных передач. В целом совокупный объем рынка электронной базы для этого направления может составить 200-300 млн. долларов в год.

Применение отечественной электронной компонентной базы необходимо при разработке и производстве современного медицинского оборудования. И если не развивать отечественное производство этого оборудования, значительную часть рынка займут зарубежные компании.

В настоящее время общий объем рынка медицинской техники в России составляет около 1,5 млрд. долларов, из них примерно 1 млрд. долларов приходится на импортные изделия.

Импортная медицинская техника весьма дорогостоящая, поэтому для снижения затрат на оснащение медицинских учреждений необходимо применять отечественную медицинскую технику. Доля стоимости электронной компонентной базы в общей стоимости стационарного оборудования составляет не менее 20 процентов (при объеме рынка в 250 млн. долларов в год), что позволяет рассчитывать на реализацию изделий электронной техники в объеме не менее 50 млн. долларов.

В перспективе общий объем рынка электронной компонентной базы для создания медицинской техники может составить 300 млн. долларов в год.

Такие сегменты рынка потребителей изделий микроэлектронной техники, как сельское хозяйство, промышленная электроника, энергетическое оборудование, связь, космическая техника, специальная техника, автомобильная электроника, системы безопасности, бытовая техника, торговое оборудование, могут также существенно увеличить загрузку развиваемого микроэлектронного производства.

Таким образом, в России существует реальная, подкрепленная гарантированными и государственными закупками возможность создания современного отечественного микроэлектронного производства электронной компонентной базы с общим объемом сбыта около 3,5 - 4,5 млрд. долларов в год.

При разработке подпрограммы будут полностью учтены такие критерии, как:

соответствие основным направлениям социально-экономической политики;

межотраслевой характер проблемы;

значительный мультипликативный эффект;

увязка расходов с возможностями бюджетного финансирования в течение всего срока реализации подпрограммы;

преобладание расходов на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и капитальное строительство, включая приобретение необходимого оборудования;

невозможность решения проблемы другими способами и необходимость участия государства в решении этой проблемы.

Имеется полное соответствие подпрограммы основным направлениям социально-экономической политики страны, так как производство электронной компонентной базы в России позволит решить проблему развития передовых отраслей промышленности, укрепить экономику, расширить сферы применения средств телекоммуникаций и информатики, улучшить условия труда и быта населения, повысить его образовательный и интеллектуальный уровень, качество медицинского обслуживания и социального обеспечения, улучшить экологию.

Электронная компонентная база является основой для разработки и производства радиотехнической аппаратуры, систем связи и телекоммуникаций, систем управления в различных отраслях промышленности и социальной сфере. Она определяет уровень радиотехнической аппаратуры и систем, технико-экономические показатели производства, а также возможность государства создавать наукоемкую технику (авиационную и космическую), современные виды транспорта, стратегически важные телекоммуникационные системы, суперкомпьютеры.

Межотраслевой характер подпрограммы определяется тем, что для производства современной электронной компонентной базы необходима разработка соответствующих технологий и материалов двойного назначения, а ее применение осуществляется в различных условиях эксплуатации, в том числе экстремальных (в космическом пространстве, вблизи источников радиоактивных излучений и ядерных объектов и т. д.), и специальной технике (системах антитеррора и контроля за перемещением наркотиков, системах экологического мониторинга, раннего предупреждения и ликвидации последствий техногенных катастроф).

Производство микроэлектронной продукции в качестве одной из высокотехнологичных отраслей промышленности даст значительный мультипликативный эффект. В американской экономике действует правило - 1 доллар, вложенный в развитие микроэлектронной техники, обеспечивает расширение производства товаров на 100 долларов.

Сверхбольшие интегральные схемы микропроцессоров содержат 100 и более миллионов транзисторов, имеют объем, не превышающий нескольких кубических сантиметров, и потребляют не более 50-100 Вт. Современное производство позволяет выпускать такие интегральные схемы в количестве более 10 млн. штук в год.

На ручной сборке одной подобной схемы, состоящей из отдельных транзисторов, пришлось бы трудиться в течение 3 лет 10 инженерно-техническим работникам, сама конструкция заняла бы более 500 куб. метров, а для ее питания потребовалось бы подключить электростанцию средней мощности. Создание такой сложной схемы без применения развитой системы автоматизированного проектирования практически невозможно.

Этот пример доказывает, что использование сложной электронной компонентной базы при разработке и производстве радиоэлектронной аппаратуры и радиотехнических систем принесет ощутимую технико-экономическую выгоду.

Совершенствование технологий и конструкций электронной компонентной базы улучшает функциональные и технические характеристики разрабатываемой на ее основе аппаратуры, упрощает ее проектирование и производство. Это объясняется тем, что часть работ по разработке аппаратуры переносится на этап проектирования элементной компонентной базы, а основной объем операций по сборке аппаратуры приходится на комплексирование сверхбольших интегральных схем.

При использовании аппаратуры и радиоэлектронных систем с высокими техническими характеристиками повышается производительность труда, точность и надежность выполнения производственных операций, экономятся электроэнергия и материалы, улучшаются условия труда, расширяется объем экспортных поставок продукции.

Финансирование подпрограммы осуществляется на основе годового бюджета по итогам выполнения плана предыдущего года.

Распределение финансовых затрат на реализацию подпрограммы (60 процентов - на разработку и 40 процентов - на капитальные вложения) позволяет добиться ее выполнения.

При этом каждый инвестиционный проект подпрограммы поддерживается соответствующим мероприятием (проведение комплекса научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по созданию автоматизированных систем проектирования, базовых технологий и базовых конструкций электронной компонентной базы и необходимых материалов), что обеспечит повышение технического уровня создаваемой электронной продукции. При создании новых производств предусматривается освоение базовых технологий за счет модернизации производственной базы путем замены устаревшего оборудования оборудованием нового поколения.

Необходимость участия государства в поддержке инвестиционных проектов обусловлена в первую очередь важностью задачи, связанной с подъемом производства высокотехнологичной наукоемкой продукции с использованием изделий микроэлектронной техники.

При этом иностранные инвесторы, не желая менять сложившееся положение на мировом и российском рынках электронной техники, не стремятся поддерживать и развивать российское электронное производство, а отечественные инвесторы пока реализуют проекты "коротких денег" и не готовы вкладывать средства в высокотехнологичные разработки с длительными сроками освоения.

Нынешнее состояние отрасли по развитию производства изделий электронной техники таково, что реализация подпрограммы является последней возможностью ее восстановления и от государственной поддержки практически зависит судьба высокотехнологичных и наукоемких производств в России.

Ставка на стихийное развитие отечественной электронной промышленности в условиях свободной рыночной конъюнктуры и отказ от использования программно-целевого метода неизбежно приведет к следующим последствиям:

утраченные отечественные ключевые электронные технологии станут тормозом на пути развития других отраслей промышленности, увеличения конкурентоспособности их продукции и поставят под угрозу переход к инновационной экономике;

не будет обеспечена технологическая независимость и информационная безопасность государства из-за широкого использования импортной элементной базы в стратегически значимых системах управления, связи, обработки и защиты информации, системах борьбы с помехами и электронного противодействия;

России придется смириться с завоеванием отечественного рынка импортной электронной техникой, прежде всего телевизионной (в том числе цифровой), телекоммуникационной, автомобильной, навигационной, медицинской, бытовой;

продолжится снижение уровня развития производства отечественной электронной продукции, увеличится технологический разрыв, что, в свою очередь, негативно отразится на технологической независимости и информационной безопасности страны.

Кроме того, отказ от программно-целевого метода приведет к утрате достигнутых на текущий момент положительных тенденций в технологии проектирования перспективных изделий микроэлектронной продукции. Попытки создания элементной компонентной базы при отсутствии координации действий и концепции развития этой сферы приведут к дублированию работ и выполнению малоэффективных разработок.

Отказ от создания путем использования программно-целевого метода отечественной микроэлектронной техники нового поколения за 6-8 лет практически полностью ликвидирует электронное производство в нашей стране, переведя его исключительно за рубеж.

Результатом этого будет неизбежная экономическая зависимость России от зарубежного производителя и капитала.

Разработка и производство отечественной электронной компонентной базы может осуществляться по нескольким вариантам.

Первый вариант предусматривает создание льготного инвестиционного климата для привлечения иностранных инвестиций и обеспечения внебюджетных вложений в разработку и производство электронной компонентной базы.

В этом случае инвестиционная активность частного капитала будет направлена в основном на достижение высокой рентабельности производства и выпуск продукции с ее гарантированным сбытом. Однако при этом важнейшие стратегические направления развития электронной компонентной базы - разработка и производство радиационно стойких и твердотельных изделий сверхвысокочастотной электронной техники останутся без инвестиционной поддержки и практически не будут развиваться, а следовательно, не смогут продолжаться работы в области космонавтики, навигации, авионики и связи, управления атомными объектами. Ущерб составит сотни миллиардов рублей ежегодно.

Второй вариант предусматривает использование государственных кредитов на строительство конкретных небольших производств электронной компонентной базы. В этом случае невозможно финансирование первоочередных работ по основным направлениям развития микроэлектронной техники, в результате чего будут решены только частные проблемы.

Этот путь потребует от государства жесткого управления в этой области и неминуемо приведет к падению активности частного капитала.

Третий вариант предусматривает создание системы бюджетного финансирования в рамках подпрограммы без привлечения инвестиционных средств на модернизацию действующих и создание новых производств. В этом случае будет наблюдаться процесс успешного развития научного и технологического базиса, однако в связи с устаревшей производственной базой не будет обеспечено производство современной микроэлектронной продукции с требуемыми характеристиками.

Такой вариант уже реализовывался в 90-х годах прошлого столетия и привел к снижению уровня отечественного производства по сравнению с мировым. Именно в сфере производства наше отставание наиболее заметно.

Четвертый вариант предусматривает создание системы бюджетного финансирования в рамках подпрограммы с привлечением инвестиционных средств. В этом случае остается в стороне инициатива частных предпринимателей и организаций, работающих в электронной промышленности, поскольку именно они значительно снижают бюджетную составляющую и рачительно управляют финансовыми ресурсами.

Пятый вариант предусматривает создание системы государственного финансирования научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в рамках подпрограммы с использованием внебюджетных средств и привлечением инвестиций на реконструкцию действующих и создание новых производств электронной компонентной базы. Этот путь - сочетание всех указанных мер при координирующей роли подпрограммы. Он позволит в конечном счете минимизировать бюджетные вложения и оптимизировать усилия по созданию в стране современного производства электронной компонентной базы.

Эта модель развития основана на принципах тесного взаимодействия государства и частного бизнеса, в том числе и зарубежного, что позволяет эффективно сочетать государственные возможности концентрации ресурсов и использовать различные преференции и инициативу частных собственников в развитии электронной отрасли.

Нагрузка на бюджет при этом может быть существенно снижена за счет повышения уровня внебюджетного финансирования - собственных средств организаций и их иностранных партнеров, коммерческих кредитов и инвестиций.

Однако повышение уровня внебюджетного финансирования развития отрасли не может произойти скачкообразно. Частные инвестиции в российскую электронную промышленность еще длительное время будут рискованными.

К реализации таких проектов государству необходимо привлекать под государственные гарантии не только отечественных инвесторов, но и авторитетных зарубежных партнеров.

Партнерство с зарубежным бизнесом является определяющим, так как именно зарубежные фирмы и предприятия являются лидерами этого направления. Только они обладают необходимыми технологиями и опытом организации этого вида производства, а также владеют методами их эффективной коммерческой эксплуатации.

При этом государству отводится важнейшая роль в решении таких проблем, как выстраивание системы государственно-частного партнерства, содействие бизнесу при организации инфраструктуры рынка электронной отрасли, развитие международных кооперационных связей, продвижение продукции отрасли на мировые рынки, развитие производственных мощностей российской электронной компонентной базы, обеспечение гарантированного рынка государственных закупок, подготовка высококвалифицированных специалистов для работы в этой области.

Основные показатели эффективности реализации вариантов подпрограммы приведены в приложении N 7.

Анализ указанных вариантов решения проблемы показывает, что наиболее эффективным является пятый вариант, который реализуется с минимально возможным риском.

Подпрограмму планируется выполнить в 2007-2011 годах в 2 этапа:

первый этап - 2007-2009 годы;

второй этап - 2008-2011 годы.

На первом этапе выполнения подпрограммы предполагается провести разработку базовых технологий микроэлектронной продукции с технологическим уровнем 0,18 мкм и к 2009 году освоить в производстве технологический уровень 0,13 мкм, а также разработать и освоить в производстве новую номенклатуру электронной компонентной базы.

На втором этапе подпрограммы будет обеспечиваться совершенствование технологий и увеличение объемов продаж за счет ввода в эксплуатацию модернизированных производственных мощностей электронной компонентной базы.

К 2011 году ожидается увеличение объемов производства в 3 раза по сравнению с 2006 годом (до 45 млрд. рублей в сопоставимых ценах) и качественное изменение технического уровня электронной компонентной базы.

Создание разветвленной отраслевой и межотраслевой системы дизайн-центров проектирования электронной компонентной базы, радиоэлектронной аппаратуры и радиотехнических систем позволит войти в мировую систему разделения труда по созданию и производству сложной микроэлектроники, что обеспечит разработку и производство современной высокотехнологичной продукции и позволит решить стратегически важную задачу обеспечения национальной безопасности страны.

Целью подпрограммы является создание современной инфраструктуры высокотехнологичной отрасли промышленности, способной в сжатые сроки создавать конкурентоспособную на внутреннем и мировом рынках электронную компонентную базу.

Основные задачи подпрограммы:

обеспечение разработок радиоэлектронных средств и стратегически значимых систем российской электронной компонентной базой современного уровня;

разработка базовых технологий и базовых конструкций электронных компонентов и приборов (сверхвысокочастотная твердотельная электроника, микросистемотехника, радиационно стойкая электронная компонентная база, изделия опто- и квантовой электроники, акусто- и магнитоэлектроники);

техническое перевооружение организаций по разработке и производству электронных компонентов на основе передовых технологий;

создание научно-технического задела по перспективным технологиям и конструкциям электронных компонентов;

активизация процессов коммерциализации новых технологий электронных компонентов;

опережающее развитие систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов.

Реализация мероприятий подпрограммы позволит достичь следующих результатов:

увеличение объема продаж изделий российской электронной компонентной базы на внутреннем и внешнем рынках;

значительное сокращение технологического отставания российской электронной промышленности от зарубежной;

создание условий для более эффективной реализации национальных проектов;

создание рыночно ориентированной инфраструктуры электронной промышленности с системами проектирования и производством изделий электронной техники (центры проектирования, "кремниевые фабрики", научно-технологические центры по микросистемотехнике);

расширение экспорта высокотехнологичной российской продукции;

активизирование инновационной деятельности и ускорение внедрения результатов научно-технической деятельности в массовое производство;

обеспечение обновляемости основных фондов предприятий и организаций электронной отрасли и стимулирование создания современных высокотехнологичных производств;

создание крупных и эффективных интегрированных структур, способных конкурировать с лучшими западными фирмами, работающими в области электроники;

организация производства массовой, интеллектуально насыщенной и конкурентоспособной высокотехнологичной радиоэлектронной продукции, современных телекоммуникационных услуг, включая радио и телевидение, и других электронных информационных систем;

повышение качества жизни населения России до уровня стандартов жизни населения высокоразвитых стран мира в связи с расширением возможности использования электроники и информационных систем;

увеличение числа рабочих мест в электронной отрасли, снижение оттока талантливых научно-технических кадров, повышение спроса на квалифицированных специалистов и улучшение возрастной структуры кадров в высокотехнологичных производствах.

В настоящей подпрограмме для оценки хода ее выполнения по годам и реализации в целом используется такой показатель, как увеличение объемов продаж изделий электронной техники.

В 2005 году общий объем продаж этих изделий составил 13 млрд. рублей. Ожидается, что в 2011 году аналогичный показатель составит около 45 млрд. рублей. При этом темпы роста объемов производства будут сопоставимы с мировыми показателями и станут соответствовать задачам современного развития страны.

Претерпит существенное изменение целевой индикатор реализации подпрограммы, отражающий технологический уровень изделий электронной техники (минимального размера элементов в микроэлектронных технологиях), который является основным индикатором уровня разработанных и освоенных технологий.

В 2009 году в организациях электронной промышленности будет освоен технологический уровень в 0,13 мкм, что обеспечит создание производственно-технологической базы для выпуска необходимых изделий электронной техники, соответствующей потребностям российских потребителей.

Целевые индикаторы и показатели реализации подпрограммы приведены в приложении N 8.

Финансовое обеспечение подпрограммы предусматривает смешанную систему инвестирования с привлечением:

средств федерального бюджета;

внебюджетных средств, формируемых за счет собственных средств исполнителей подпрограммы, с возможным привлечением средств российских и иностранных инвесторов, а также займов и кредитов.

Капитальные вложения будут направляться на создание и освоение перспективных технологических процессов производства изделий электронной компонентной базы, развитие производств нового технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание объемов производства конкурентоспособной продукции.

Распределение объемов финансирования подпрограммы по направлениям и источникам финансирования, а также по государственным заказчикам приведены в приложениях N 9-12.

Эффективность подпрограммы оценивается в течение расчетного периода.

За начальный год расчетного периода принимается 2007 год - год осуществления инвестиций и разработки приоритетных образцов продукции.

За конечный год расчетного периода принимается 2016 год - год освоения в серийном производстве продукции на созданных мощностях с учетом 3 лет серийного производства.

Экономическая эффективность реализации подпрограммы в отрасли характеризуется следующими показателями:

налоги, поступающие в федеральный бюджет и внебюджетные фонды, - 65343,9 млн. рублей;

чистый дисконтированный доход - 24615,6 млн. рублей;

бюджетный эффект - 46343,1 млн. рублей;

индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям - 3,4;

индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистому доходу организаций - 1,78;

удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) - 0,6;

срок окупаемости инвестиций из всех источников финансирования - 7,3 года, в том числе 2,3 года после окончания реализации подпрограммы;

срок окупаемости средств федерального бюджета - 1 год;

уровень безубыточности - 0,67 при норме 0,7, что свидетельствует об эффективности реализации подпрограммы.

Результатом реализации подпрограммы станет создание новых типов изделий электронной компонентной базы, повышение технико-экономических показателей производства телекоммуникационной и радиотехнической аппаратуры, в том числе уменьшения затрат по ее выпуску за счет применения электронной компонентной базы с повышенной степенью интеграции, а также высокой надежностью и долговечностью.

Социальный эффект от создания и применения новых типов изделий электронной компонентной базы - улучшение условий труда и повышение социального обеспечения населения.

По предварительной оценке, на конец реализации подпрограммы только в сфере разработки и производства изделий электронной компонентной базы будет дополнительно создано 3800 рабочих мест.

Экологическая эффективность от выполнения подпрограммы в первую очередь определяется разработкой и освоением экологически чистых технологий формирования структурных элементов электронной компонентной базы в процессе их производства:

новые уровни химической обработки на базе плазмохимических процессов, позволяющие исключить использование кислот и органических растворителей;

экологически чистые технологии нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу утилизации и нейтрализации отходов;

экологически чистые технологии сборки и монтажа радиоэлектронной аппаратуры, полупроводниковых приборов и сверхбольших интегральных схем;

высокоэффективные методы подготовки чистых сред и сверхчистых реактивов в замкнутых циклах;

внедрение систем экологического мониторинга производства изделий электронной компонентной базы и окружающей территории;

кластерные технологические системы обработки структур и приборов в технологических объемах малой величины с непосредственной подачей реагентов контролируемого минимального количества;

разработка технологий утилизации электронной компонентной базы в рамках безотходных технологий.

Вновь создаваемые виды электронной компонентной базы (высокочувствительные датчики и сенсоры) и аппаратура на их основе будут использованы в создании более эффективных систем экологического контроля и мониторинга.

Электронная промышленность является одной из самых экологически чистых отраслей экономики, и улучшение экологической обстановки за счет совершенствования новых производств электронной компонентной базы может использоваться в других отраслях (методы ультрафильтрации, технологии улавливания и нейтрализации вредных веществ, получение сверхчистой воды и сверхчистых реактивов).

Предполагается участие в формировании подпрограммы следующих федеральных органов исполнительной власти:

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации;

Министерство обороны Российской Федерации;

Федеральное агентство по промышленности;

Федеральное агентство по атомной энергии;

Федеральное космическое агентство;

Федеральное агентство по науке и инновациям;

Федеральное агентство по образованию.

Ответственными за реализацию подпрограммы будут:

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации;

Федеральное агентство по промышленности;

Федеральное агентство по атомной энергии;

Федеральное космическое агентство;

Федеральное агентство по науке и инновациям;

Федеральное агентство по образованию.

Предлагается определить:

государственным заказчиком - координатором подпрограммы - Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации;

государственными заказчиками подпрограммы - Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию;

разработчиками подпрограммы - Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации, Федеральное агентство по промышленности, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное космическое агентство и Федеральное агентство по науке и инновациям.

Предусматривается проведение работ по следующим разделам мероприятий подпрограммы:

сверхвысокочастотная электроника;

радиационно стойкая электронная компонентная база;

микросистемная техника;

микроэлектроника;

электронные материалы и структуры;

группа пассивной электронной компонентной базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику;

обеспечивающие работы.

В разделе, касающемся сверхвысокочастотной техники (2006 год - 352,2 млн. рублей, 2007 год - 545 млн. рублей), предусматриваются работы, выполнение которых обеспечит выпуск к 2012 году образцов фазированных антенных решеток для радиолокаторов наземного, корабельного, воздушного и космического базирования в интересах перспективных специальных средств и комплексов, а также создание производственных мощностей для серийного производства изделий специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и приемо-передающих модулей.

Указанные работы необходимы для разработки сотовых (спутниковых, воздушных и наземных) интерактивных телекоммуникационных систем сантиметрового и миллиметрового диапазона в интересах органов государственного управления, блокирование или несанкционированный доступ к функционированию которых должны быть исключены. Поэтому такая аппаратура должна создаваться только на российской электронной компонентной базе.

Сверхвысокочастотная электронная компонентная база будет применяться в цифровом телевидении, домашних и учрежденческих беспроводных информационно-управляющих сетях, автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования.

В указанном разделе предусматривается разработка технологий производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы А В , объемных

3 5 приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона, технологий производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона длин волн на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур, интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий", а также технологий производства корпусов мощных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью.

Будут также разработаны базовые технологии производства суперлинейных кремниевых транзисторов S- и L-диапазонов и технологии измерений параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов, а также базовые технологии создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения.

Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с созданием в стране гетероструктурной электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для такой базы являются широкозонные полупроводники нитрид галлия и карбид кремния - для мощных полупроводниковых приборов и кремний - германий - для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно развиваются последние 3-5 лет. В России их использование в электронной компонентной базе сдерживается по причине недостаточного объема работ в области создания и совершенствования технологии производства необходимых материалов.

В разделе, касающемся радиационно стойкой электронной компонентной базы (2006 год - 255 млн. рублей, 2007 год - 248 млн. рублей), предусматриваются работы по разработке радиационно стойкой электронной компонентной базы для аппаратуры и систем двойного назначения (специальной и космической техники, аппаратуры, используемой в интересах Федерального агентства по атомной энергии и для других специализированных применений). Проблема является межотраслевой, предусматривается проведение комплекса совместных работ с Федеральным агентством по атомной энергии и Федеральным космическим агентством.

В 2007 году предстоит разработать принципиально новую технологию для элементов памяти на основе фазовых структурных переходов веществ, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание одного универсального типа памяти для всех микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов.

Кроме того, будет разработана новая электронная компонентная база на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс. вентилей, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые сверхбольшие интегральные схемы). Такая база будет обладать экстремально высокой устойчивостью к воздействию постоянных потоков радиации, в том числе на наземных ядерных энергетических установках гражданского назначения.

Необходимость выполнения указанных работ обусловлена также сохранением паритета в области стратегических ядерных сил с другими ядерными державами. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001-2005 годах в рамках программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил.

Необходимо учитывать, что закупки лицензий на эти технологии за рубежом невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий.

В разделе, касающемся микросистемной техники (2006 год - 42 млн. рублей, 2007 год - 286 млн. рублей), предусмотрено значительное увеличение объемов работ по удовлетворению спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем рынке (объем производства на мировом рынке в 2005 году составил 7,1 млрд. долларов). Так, простейшие микроэлектромеханические системы - цифровые микрофоны, разработку и производство которых могут осуществлять российские организации электронной промышленности, в 2005 году выпускались в объеме 100 млн. штук (157 млн. долларов), а прогнозируемая потребность на 2010 год составляет около 850 млн. штук (более 1 млрд. долларов) в год.

Аналогичные темпы роста потребностей прогнозируются и в отношении более сложных микроэлектромеханических систем (для дисплеев, топливных элементов, адаптивной оптики, сверхвысокочастотных устройств, гироскопов, интегральных сенсоров).

В отличие от других высокотехнологичных направлений отставание России в этой области от передовых стран не так значительно, и требуемый технологический уровень производства таких систем значительно меньше, чем, например, для производства цифровой электроники.

В результате будут разработаны пассивные датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, освоены технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, способных обнаруживать опасные токсичные горючие и взрывчатые вещества и чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды.

Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация работ по этому разделу позволит повысить экспортный потенциал России в области автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, а также в области навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий.

В разделе, касающемся микроэлектроники (2006 год - 420 млн. рублей, 2007 год - 492 млн. рублей), предусматривается проведение работ по освоению в производстве новых технологий с топологическими нормами 0,18 - 0,13 мкм, а также работ по проектированию электронной компонентной базы с помощью создаваемой сети дизайн-центров, обеспечивающих сквозное проектирование радиоэлектронной аппаратуры, включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле".

В 2007 году будет осуществлен комплекс работ по разработке и освоению современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, цифровых процессоров обработки сигналов, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 Мгц, микроконтроллеров и интегральных схем типа "система на кристалле" на основе каталогизированных сложно функциональных блоков и библиотечных элементов.

Будут разработаны универсальные микропроцессоры для радиоэлектронной аппаратуры, процессоры цифровой обработки сигналов, микросхемы приемопередатчиков для шинных интерфейсов, а также микроконтроллеры со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью и изделия интеллектуальной силовой микроэлектроники.

Таким образом, будет расширена номенклатура отечественной электронной компонентой базы, применяемой в паспортно-визовых документах, автоэлектронике, промышленной электронике и бытовой аппаратуре.

В разделе, касающемся электронных материалов и структур (2006 год - 55 млн. рублей, 2007 год - 442 млн. рублей), предусматривается разработка технологий по освоению новых материалов для современной электронной компонентной элементной базы (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы для оптоэлектроники).

Работы планируется проводить по 5 направлениям. В рамках первого направления, касающегося материалов и структур для микроэлектроники, предполагается освоение производства пластин кремния диаметром 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур топологического уровня 0,25 - 0,18 мкм, а также организация производства гетероструктур "кремний - германий" по технологиям, необходимым для производства быстродействующих сверхбольших интегральных схем.

В рамках второго направления, касающегося материалов и структур для радиационно стойкой электронной компонентной базы, предполагается разработка технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур для радиоэлектронных средств и силовых приборов нового поколения, технологии производства сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке, а также технологии производства облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для создания IGBT-транзисторов и сильноточных транзисторов нового поколения.

В рамках третьего направления, касающегося материалов и структуры сверхвысокочастотной электроники, предполагаются работы по производству гетероэпитаксиальных структур на основе нитридных соединений А3В5 в целях разработки и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов, а также по созданию спин-электронных магнитных материалов и микроволновых структур для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления.

В рамках четвертого направления, касающегося материалов для микросистемной техники, предполагается проводить разработку технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием диффузионных и диэлектрических слоев, а также технологии пьезокерамики на кремниевых подложках.

В рамках пятого направления, касающегося материалов для оптои акустоэлектроники и пассивных компонентов, предполагается разработка технологий выращивания пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и оптоэлектроники, технологии получения гетероструктур нового поколения на основе соединений А3В5 и тройных структур, технологии гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров, а также разработка технологий особо тонких полупроводниковых структур.

В разделе, касающемся группы пассивной электронной компонентной базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику (2006 год - 98,2 млн. рублей, 2007 год - 502 млн. рублей), предусматривается проводить работы по 7 направлениям.

В рамках первого направления, касающегося резисторов, предполагается разработка технологий сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологий особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, а также технологий интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов.

В рамках второго направления, касающегося конденсаторов, предполагается разработка технологий изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, конденсаторов с органическими диэлектриками и повышенными удельными характеристиками, а также технологий ионисторов с высокой удельной энергией и повышенным током разряда.

В рамках третьего направления, касающегося коммутаторов и переключателей, предполагается разработка технологий базовых конструкций высоковольтных вакуумных выключателей нового поколения, газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств, а также технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа и герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.

В рамках четвертого направления, касающегося приборов акустоэлектроники и пьезотехники, предполагается разработка технологий производства прецизионных, температуростабильных и высокочастотных резонаторов на поверхностных акустических волнах, радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных устройств, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, технологий производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, а также технологий изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем.

В рамках пятого направления, касающегося приборов инфракрасной техники, предполагается разработка технологий фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений, технологий микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого диапазона, а также технологий создания фотоэлектронных и высокочувствительных приборов высокого разрешения для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения.

В рамках шестого направления, касающегося приборов квантовой электроники, предполагается разработка технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов и лазерных волоконно-оптических модулей, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных транспортных средств, а также технологий создания элементной базы для производства лазерных устройств по поиску взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ.

В рамках седьмого направления, касающегося приборов светотехники и отображения информации, предполагается разработка технологий создания интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением, технологий изготовления светодиодов высокой яркости и индикаторов для систем подсветки, а также технологий изготовления крупноформатных и особо плоских экранов, активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур для перспективных видеомодулей, в том числе электролюминесцентных и жидкокристаллических, включая газоразрядные.

В разделе, касающемся обеспечивающих работ (2006 год - 49,4 млн. рублей, 2007 год - 85 млн. рублей), предусматриваются разработка нового метрологического оборудования для контроля производства изделий электронной компонентной базы и внедрение системы стандартизации и сертификации элементной базы.

Будет также создана автоматизированная информационно-аналитическая система для анализа хода работ по реализации мероприятий подпрограммы.

Увеличение объемов финансирования по капитальным вложениям в подпрограмме обусловлено рядом следующих факторов:

фактическим состоянием технологического базиса и накопленного потенциала его развития в виде научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, выполненных ранее и планируемых к выполнению в рамках подпрограммы;

освоением новых технологических уровней производства изделий микроэлектроники и сверхвысокочастотной техники, являющихся приоритетными областями развития современной электронной компонентной базы и определяющих облик специальной и гражданской техники. При этом переход на новые технологические уровни производства требует практически полной замены специального технологического оборудования и систем технического обеспечения, контрольного и метрологического оборудования;

практически полным отсутствием капитальных вложений в модернизацию технического и технологического обеспечения производства изделий электронной техники в рамках ранее действовавших федеральных целевых программ;

невозможностью организаций-производителей переоснащать свое микроэлектронное производство за счет собственных источников из-за отсутствия оборотных средств;

созданием новой системы проектирования электронной компонентной базы, состоящей из сети отраслевых и межотраслевых базовых центров системного проектирования и использующей лицензионное программное обеспечение, а также межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов, позволяющего выйти на современный мировой уровень в проектировании российской электронной компонентной базы;

полным отсутствием производства в России специального технологического оборудования и необходимостью закупки импортного оборудования, цены на которое на мировом рынке чрезвычайно высоки.

Капитальные вложения в 2007 году предполагается направить на реконструкцию и техническое перевооружение действующего производства изделий электронной компонентной базы, в том числе на реконструкцию и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники, что позволит создать производственные мощности по выпуску твердотельных и интегральных приемопередающих модулей сантиметрового диапазона для радиолокационной аппаратуры и радиотехнических и телекоммуникационных систем.

Кроме того, капитальные вложения в 2007 году предполагается направить на реконструкцию и техническое перевооружение базовых центров системного проектирования и создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.

Перечень мероприятий подпрограммы формируется ее государственными заказчиками на основе предложений федеральных органов исполнительный власти, научно-исследовательских организаций различных организационно-правовых форм и с учетом задач, определенных Основами политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, Основами политики Российской Федерации в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу, Стратегией развития электронной промышленности России на период 2007-2025 годы, а также задач настоящей Концепции.

Отбор мероприятий для включения в подпрограмму осуществляется исходя из приоритетности достижения конечной цели и критичности для технологической и информационной безопасности государства.

Управление реализацией подпрограммы, а также контроль за ее выполнением будет осуществлять государственный заказчик - координатор Программы.

Подпрограмма имеет межотраслевой характер, отвечает интересам развития большинства отраслей промышленности, производящих и потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию. Исполнителями подпрограммы будут научные и научно-производственные организации.

Управление реализацией подпрограммы будет осуществляться в соответствии с порядком разработки и реализации федеральных целевых программ и межгосударственных целевых программ, в осуществлении которых участвует Российская Федерация, утвержденным постановлением Правительства Российской Федерации от 26 июня 1995 г. N 594, и положением о порядке управления реализацией программ.

Для осуществления планирования работ, формирования приоритетов по направлениям разработок и контроля за научно-техническим уровнем выполняемых работ создается научно-технический координационный совет, в состав которого включаются ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной базы, представители государственных заказчиков подпрограммы, а также организаций промышленности, использующих разрабатываемые в рамках подпрограммы изделия электронной техники и технологии для создания и производства радиоэлектронных и радиотехнических систем.

Координационный совет будет вырабатывать рекомендации по планируемым к проведению научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам технологического развития, а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.

Для осуществления текущего контроля и анализа хода работ по подпрограмме, подготовки материалов и рекомендаций по управлению реализацией подпрограммы организуется автоматизированная информационно-аналитическая система.

Головные исполнители (исполнители) мероприятий подпрограммы определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.

Головные исполнители в соответствии с государственным контрактом обеспечивают выполнение проектов, необходимых для реализации мероприятий подпрограммы, организуют кооперацию соисполнителей.

Федеральное агентство по промышленности, Федеральное космическое агентство, Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию отчитываются перед государственным заказчиком - координатором подпрограммы - Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации о результатах выполнения работ за отчетный год и дают предложения по формированию плана работ на следующий год.

Министерство промышленности и энергетики Российской Федерации в установленном порядке отчитывается перед Министерством экономического развития и торговли Российской Федерации и Министерством финансов Российской Федерации о выполнении годовых планов и Программы в целом, подготавливает и согласовывает предложения по финансированию подпрограммы в предстоящем году.