Законодательная база Российской Федерации

РАСПОРЯЖЕНИЕ Правительства РФ от 18.12.2006 N 1761-р

Предусматривается проведение работ по следующим разделам мероприятий подпрограммы:

сверхвысокочастотная электроника;

радиационно стойкая электронная компонентная база;

микросистемная техника;

микроэлектроника;

электронные материалы и структуры;

группа пассивной электронной компонентной базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику;

обеспечивающие работы.

В разделе, касающемся сверхвысокочастотной техники (2006 год - 352,2 млн. рублей, 2007 год - 545 млн. рублей), предусматриваются работы, выполнение которых обеспечит выпуск к 2012 году образцов фазированных антенных решеток для радиолокаторов наземного, корабельного, воздушного и космического базирования в интересах перспективных специальных средств и комплексов, а также создание производственных мощностей для серийного производства изделий специальной сверхвысокочастотной электронной компонентной базы и приемо-передающих модулей.

Указанные работы необходимы для разработки сотовых (спутниковых, воздушных и наземных) интерактивных телекоммуникационных систем сантиметрового и миллиметрового диапазона в интересах органов государственного управления, блокирование или несанкционированный доступ к функционированию которых должны быть исключены. Поэтому такая аппаратура должна создаваться только на российской электронной компонентной базе.

Сверхвысокочастотная электронная компонентная база будет применяться в цифровом телевидении, домашних и учрежденческих беспроводных информационно-управляющих сетях, автомобильных радарах для автоматической парковки, предупреждения столкновений и автопилотирования.

В указанном разделе предусматривается разработка технологий производства мощных транзисторов и монолитных сверхвысокочастотных микросхем на основе гетероструктур материалов группы А В , объемных

3 5 приемопередающих сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона, технологий производства мощных полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем сверхвысокочастотного диапазона длин волн на основе нитридных гетероэпитаксиальных структур, интегральных схем высокой степени интеграции на основе гетероструктур "кремний - германий", а также технологий производства корпусов мощных транзисторов X-, C-, S-, L- и P-диапазонов из малотоксичных материалов с высокой теплопроводностью.

Будут также разработаны базовые технологии производства суперлинейных кремниевых транзисторов S- и L-диапазонов и технологии измерений параметров сверхвысокочастотных полупроводниковых структур, мощных транзисторов и монолитных интегральных схем X-, C-, S-, L- и P-диапазонов, а также базовые технологии создания нового поколения мощных вакуумно-твердотельных малогабаритных модулей с улучшенными массогабаритными и спектральными характеристиками для перспективных радиоэлектронных систем двойного применения.

Дальнейшее расширение сверхвысокочастотного диапазона связано с созданием в стране гетероструктурной электронной компонентной базы с рабочими частотами 40 ГГц и более. Перспективными материалами для такой базы являются широкозонные полупроводники нитрид галлия и карбид кремния - для мощных полупроводниковых приборов и кремний - германий - для монолитных интегральных схем. Работы с этими материалами за рубежом активно развиваются последние 3-5 лет. В России их использование в электронной компонентной базе сдерживается по причине недостаточного объема работ в области создания и совершенствования технологии производства необходимых материалов.

В разделе, касающемся радиационно стойкой электронной компонентной базы (2006 год - 255 млн. рублей, 2007 год - 248 млн. рублей), предусматриваются работы по разработке радиационно стойкой электронной компонентной базы для аппаратуры и систем двойного назначения (специальной и космической техники, аппаратуры, используемой в интересах Федерального агентства по атомной энергии и для других специализированных применений). Проблема является межотраслевой, предусматривается проведение комплекса совместных работ с Федеральным агентством по атомной энергии и Федеральным космическим агентством.

В 2007 году предстоит разработать принципиально новую технологию для элементов памяти на основе фазовых структурных переходов веществ, нечувствительных к воздействию практически любых видов радиации и обеспечивающих создание одного универсального типа памяти для всех микроконтроллеров и микропроцессоров. При этом резко сократится номенклатура применяемых элементов.

Кроме того, будет разработана новая электронная компонентная база на структурах ультратонкого кремния (32-разрядные микропроцессоры, микроконтроллеры, умножители, базовые матричные кристаллы до 200 тыс. вентилей, функционально ориентированные процессоры, аналоговые, аналого-цифровые и цифроаналоговые сверхбольшие интегральные схемы). Такая база будет обладать экстремально высокой устойчивостью к воздействию постоянных потоков радиации, в том числе на наземных ядерных энергетических установках гражданского назначения.

Необходимость выполнения указанных работ обусловлена также сохранением паритета в области стратегических ядерных сил с другими ядерными державами. Аналогичные работы были выполнены в США в 2001-2005 годах в рамках программы ускоренного развития субмикронной радиационно стойкой электронной компонентной базы для нового поколения стратегических ядерных сил.

Необходимо учитывать, что закупки лицензий на эти технологии за рубежом невозможны из-за ограничений, накладываемых международными соглашениями о нераспространении ядерных технологий.

В разделе, касающемся микросистемной техники (2006 год - 42 млн. рублей, 2007 год - 286 млн. рублей), предусмотрено значительное увеличение объемов работ по удовлетворению спроса на микроэлектромеханические системы на внутреннем рынке (объем производства на мировом рынке в 2005 году составил 7,1 млрд. долларов). Так, простейшие микроэлектромеханические системы - цифровые микрофоны, разработку и производство которых могут осуществлять российские организации электронной промышленности, в 2005 году выпускались в объеме 100 млн. штук (157 млн. долларов), а прогнозируемая потребность на 2010 год составляет около 850 млн. штук (более 1 млрд. долларов) в год.

Аналогичные темпы роста потребностей прогнозируются и в отношении более сложных микроэлектромеханических систем (для дисплеев, топливных элементов, адаптивной оптики, сверхвысокочастотных устройств, гироскопов, интегральных сенсоров).

В отличие от других высокотехнологичных направлений отставание России в этой области от передовых стран не так значительно, и требуемый технологический уровень производства таких систем значительно меньше, чем, например, для производства цифровой электроники.

В результате будут разработаны пассивные датчики давления, температуры, деформации, крутящего момента, микроперемещений, освоены технологии изготовления микросистем на основе процессов формирования специальных слоистых структур, способных обнаруживать опасные токсичные горючие и взрывчатые вещества и чувствительных к газовым, химическим и биологическим компонентам внешней среды.

Учитывая мультипликативный эффект развития микросистемной техники для других отраслей промышленности, реализация работ по этому разделу позволит повысить экспортный потенциал России в области автомобильного, авиационного и ракетно-космического машиностроения, а также в области навигации, здравоохранения, информационных, телекоммуникационных и военных технологий.

В разделе, касающемся микроэлектроники (2006 год - 420 млн. рублей, 2007 год - 492 млн. рублей), предусматривается проведение работ по освоению в производстве новых технологий с топологическими нормами 0,18 - 0,13 мкм, а также работ по проектированию электронной компонентной базы с помощью создаваемой сети дизайн-центров, обеспечивающих сквозное проектирование радиоэлектронной аппаратуры, включая сверхбольшие интегральные схемы типа "система на кристалле".

В 2007 году будет осуществлен комплекс работ по разработке и освоению современной технологии проектирования универсальных микропроцессоров, цифровых процессоров обработки сигналов, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей на частотах выше 100 Мгц, микроконтроллеров и интегральных схем типа "система на кристалле" на основе каталогизированных сложно функциональных блоков и библиотечных элементов.

Будут разработаны универсальные микропроцессоры для радиоэлектронной аппаратуры, процессоры цифровой обработки сигналов, микросхемы приемопередатчиков для шинных интерфейсов, а также микроконтроллеры со встроенной энергонезависимой электрически программируемой памятью и изделия интеллектуальной силовой микроэлектроники.

Таким образом, будет расширена номенклатура отечественной электронной компонентой базы, применяемой в паспортно-визовых документах, автоэлектронике, промышленной электронике и бытовой аппаратуре.

В разделе, касающемся электронных материалов и структур (2006 год - 55 млн. рублей, 2007 год - 442 млн. рублей), предусматривается разработка технологий по освоению новых материалов для современной электронной компонентной элементной базы (структуры "кремний на изоляторе", широкозонные полупроводниковые структуры и гетероструктуры, структуры с квантовыми эффектами, композитные, керамические и ленточные материалы, специальные органические материалы для оптоэлектроники).

Работы планируется проводить по 5 направлениям. В рамках первого направления, касающегося материалов и структур для микроэлектроники, предполагается освоение производства пластин кремния диаметром 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур топологического уровня 0,25 - 0,18 мкм, а также организация производства гетероструктур "кремний - германий" по технологиям, необходимым для производства быстродействующих сверхбольших интегральных схем.

В рамках второго направления, касающегося материалов и структур для радиационно стойкой электронной компонентной базы, предполагается разработка технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур для радиоэлектронных средств и силовых приборов нового поколения, технологии производства сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке, а также технологии производства облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для создания IGBT-транзисторов и сильноточных транзисторов нового поколения.

В рамках третьего направления, касающегося материалов и структуры сверхвысокочастотной электроники, предполагаются работы по производству гетероэпитаксиальных структур на основе нитридных соединений А3В5 в целях разработки и изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и мощных транзисторов, а также по созданию спин-электронных магнитных материалов и микроволновых структур для создания перспективных микроволновых сверхвысокочастотных приборов повышенного быстродействия и низкого энергопотребления.

В рамках четвертого направления, касающегося материалов для микросистемной техники, предполагается проводить разработку технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием диффузионных и диэлектрических слоев, а также технологии пьезокерамики на кремниевых подложках.

В рамках пятого направления, касающегося материалов для оптои акустоэлектроники и пассивных компонентов, предполагается разработка технологий выращивания пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и оптоэлектроники, технологии получения гетероструктур нового поколения на основе соединений А3В5 и тройных структур, технологии гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров, а также разработка технологий особо тонких полупроводниковых структур.

В разделе, касающемся группы пассивной электронной компонентной базы, включая оптоэлектронику и квантовую электронику (2006 год - 98,2 млн. рублей, 2007 год - 502 млн. рублей), предусматривается проводить работы по 7 направлениям.

В рамках первого направления, касающегося резисторов, предполагается разработка технологий сверхпрецизионных резисторов, используемых для аппаратуры двойного назначения, технологий особо стабильных и особо точных резисторов широкого диапазона, а также технологий интегрированных резистивных структур с повышенными технико-эксплуатационными характеристиками на основе микроструктурированных материалов.

В рамках второго направления, касающегося конденсаторов, предполагается разработка технологий изготовления танталовых оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов, конденсаторов с органическими диэлектриками и повышенными удельными характеристиками, а также технологий ионисторов с высокой удельной энергией и повышенным током разряда.

В рамках третьего направления, касающегося коммутаторов и переключателей, предполагается разработка технологий базовых конструкций высоковольтных вакуумных выключателей нового поколения, газонаполненных высоковольтных высокочастотных коммутирующих устройств, а также технологий изготовления малогабаритных переключателей с повышенными сроками службы для печатного монтажа и герметизированных магнитоуправляемых контактов и переключателей широкого частотного диапазона.

В рамках четвертого направления, касающегося приборов акустоэлектроники и пьезотехники, предполагается разработка технологий производства прецизионных, температуростабильных и высокочастотных резонаторов на поверхностных акустических волнах, радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных устройств, работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом, технологий производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа, акустоэлектронной компонентной базы для задач мониторинга, робототехники и контроля функционирования различных механизмов, средств и систем, а также технологий изготовления высокочастотных резонаторов и фильтров на объемных акустических волнах для телекоммуникационных и навигационных систем.

В рамках пятого направления, касающегося приборов инфракрасной техники, предполагается разработка технологий фоточувствительных приборов с матричными приемниками высокого разрешения видимого и ближнего инфракрасного диапазона для аппаратуры контроля изображений, технологий микроканальных пластин, пироэлектрических матриц и камер на их основе с чувствительностью до 0,1 К и широкого диапазона, а также технологий создания фотоэлектронных и высокочувствительных приборов высокого разрешения для задач космического мониторинга и специальных систем наблюдения.

В рамках шестого направления, касающегося приборов квантовой электроники, предполагается разработка технологий мощных полупроводниковых лазерных диодов и лазерных волоконно-оптических модулей, оптоэлектронных компонентов для широкого класса инерциальных лазерных систем управления движением гражданских и специальных транспортных средств, а также технологий создания элементной базы для производства лазерных устройств по поиску взрывчатых, отравляющих и наркотических веществ.

В рамках седьмого направления, касающегося приборов светотехники и отображения информации, предполагается разработка технологий создания интегрированных катодолюминесцентных дисплеев двойного назначения со встроенным микроэлектронным управлением, технологий изготовления светодиодов высокой яркости и индикаторов для систем подсветки, а также технологий изготовления крупноформатных и особо плоских экранов, активных матриц и драйверов плоских экранов на основе аморфных, поликристаллических и кристаллических кремниевых интегральных структур для перспективных видеомодулей, в том числе электролюминесцентных и жидкокристаллических, включая газоразрядные.

В разделе, касающемся обеспечивающих работ (2006 год - 49,4 млн. рублей, 2007 год - 85 млн. рублей), предусматриваются разработка нового метрологического оборудования для контроля производства изделий электронной компонентной базы и внедрение системы стандартизации и сертификации элементной базы.

Будет также создана автоматизированная информационно-аналитическая система для анализа хода работ по реализации мероприятий подпрограммы.

Увеличение объемов финансирования по капитальным вложениям в подпрограмме обусловлено рядом следующих факторов:

фактическим состоянием технологического базиса и накопленного потенциала его развития в виде научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, выполненных ранее и планируемых к выполнению в рамках подпрограммы;

освоением новых технологических уровней производства изделий микроэлектроники и сверхвысокочастотной техники, являющихся приоритетными областями развития современной электронной компонентной базы и определяющих облик специальной и гражданской техники. При этом переход на новые технологические уровни производства требует практически полной замены специального технологического оборудования и систем технического обеспечения, контрольного и метрологического оборудования;

практически полным отсутствием капитальных вложений в модернизацию технического и технологического обеспечения производства изделий электронной техники в рамках ранее действовавших федеральных целевых программ;

невозможностью организаций-производителей переоснащать свое микроэлектронное производство за счет собственных источников из-за отсутствия оборотных средств;

созданием новой системы проектирования электронной компонентной базы, состоящей из сети отраслевых и межотраслевых базовых центров системного проектирования и использующей лицензионное программное обеспечение, а также межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов, позволяющего выйти на современный мировой уровень в проектировании российской электронной компонентной базы;

полным отсутствием производства в России специального технологического оборудования и необходимостью закупки импортного оборудования, цены на которое на мировом рынке чрезвычайно высоки.

Капитальные вложения в 2007 году предполагается направить на реконструкцию и техническое перевооружение действующего производства изделий электронной компонентной базы, в том числе на реконструкцию и техническое перевооружение производства сверхвысокочастотной техники, что позволит создать производственные мощности по выпуску твердотельных и интегральных приемопередающих модулей сантиметрового диапазона для радиолокационной аппаратуры и радиотехнических и телекоммуникационных систем.

Кроме того, капитальные вложения в 2007 году предполагается направить на реконструкцию и техническое перевооружение базовых центров системного проектирования и создание межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов.