не действует
Редакция от 28.12.2006
Подробная информация
Наименование документ | ПРИКАЗ ФТС РФ от 28.12.2006 N 1378 "О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ ПРАВОВЫЕ АКТЫ ФТС (ГТК) РОССИИ" (Приложение 7) |
Вид документа | приказ, список |
Принявший орган | фтс рф |
Номер документа | 1378 |
Дата принятия | 01.01.1970 |
Дата редакции | 28.12.2006 |
Дата регистрации в Минюсте | 01.01.1970 |
Статус | не действует |
Публикация | - "Таможенные ведомости", N 3, март, 2007 (извлечение)
|
Навигатор | Примечания |
КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
| КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ | |
| | |
2.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
2.1.1. | Подшипники или подшипниковые системы и их составные части: | |
2.1.1.1. | Шариковые подшипники и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия | 8482 10 100 0; 8482 10 900; 8482 30 000 0; 8482 40 000 0; 8482 50 000 0 |
| Примечание. | |
| По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники; | |
2.1.1.2. | Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту | 8482 80 000 0 |
| Примечание. | |
| По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники; | |
2.1.1.3. | Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств: | 8483 30 380 0; 8483 30 800 9 |
| а) выполнены из материала с магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 МПа; | |
| б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или | |
| в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (177 град. C) и выше, позиционные датчики | |
| Примечание. | |
| По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже) | |
2.2. | Испытательное, контрольное и производственное оборудование | |
| Технические примечания: | |
| 1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например, W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 360 град. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой) | |
| 2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. | |
| Такие оси включают: | |
| а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках; | |
| б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей; | |
| в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов | |
| 3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения" | |
| 4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения | |
| 5. Для всех станков одной модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, не полученное в результате испытаний отдельного станка, а найденное в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом. | |
| Заявленная точность позиционирования означает величину точности, представленную поставщиком (производителем) в качестве показателя точности станков определенной модели. | |
| Определение показателя точности: | |
| а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке; | |
| б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997); | |
| в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO; | |
| г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина А- становится заявленной величиной (А- х, А- у ...) для всех станков данной модели; | |
| д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей; | |
| е) если любая из осей определенной модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем А-,для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности | |
2.2.1. | Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты: | |
| Примечания: | |
| 1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3 | |
| 2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей: | |
| а) коленчатых или распределительных валов; | |
| б) режущих инструментов; | |
| в) червяков экструдеров; | |
| г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий | |
| 3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3 | |
2.2.1.1. | Токарные станки, имеющие все следующие характеристики: | 8458; 8464 90 800 0;
|
| а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и | 8465 99 100 0 |
| б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления | |
| Примечание. | |
| По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз; | |
2.2.1.2. | Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик: | 8459 31 000 0; 8459 51 000 0;
|
| а) имеющие все следующие характеристики: | 8459 61; 8464 90 800 0;
|
| точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; | 8465 92 000 0 |
| б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; | |
| в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или | |
| г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики: | |
| биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и | |
| повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения; | |
2.2.1.3. | Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик: | 8460 11 000; 8460 19 000 0;
|
| а) имеющие все следующие характеристики: | 8460 21; 8460 29;
|
| точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и | 8464 20 950 0; 8465 93 000 0 |
| три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или | |
| б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления | |
| Примечание. | |
| По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки: | |
| а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками: предназначенные лишь для круглого шлифования; и с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм; | |
| б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; | |
| в) плоскошлифовальные станки; | |
2.2.1.4. | Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; | 8456 30 |
2.2.1.5. | Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики: | 8424 30 900 0; 8456 10 00; 8456 90 000 0 |
| а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов: струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками; электронным лучом; или лазерным лучом; и | |
| б) имеющие две или более оси вращения, которые: | |
| могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и | |
| имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,003 град.; | |
2.2.1.6. | Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм, и специально разработанные для них компоненты | 8458; 8459 21 000 0; 8459 29 000 0 |
2.2.2. | Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО) | 8464 20 110 0; 8464 20 190 0; 8464 20 950 0; 8465 93 000 0 |
| Техническое примечание. | |
| Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем | |
2.2.3. | Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (R_c = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15% от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328 | 8461 40 710 0; 8461 40 790 0 |
2.2.4. | Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления: | 8462 99 |
| а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и | |
| б) любую из следующих характеристик: максимальное рабочее давление выше 207 МПа; регулируемые температуры выше 1773 К (1500 град. C); или оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения | |
| Техническое примечание. | |
| Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой | |
2.2.5. | Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования: | |
2.2.5.1. | Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее: | 8419 89 989 0 |
| а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов: CVD с пульсирующим режимом; термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNtd); или CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и | |
| б) включающее любое из следующего: высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше)) вращающиеся уплотнения; или средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения; | |
2.2.5.2. | Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более; | 8543 10 000 0 |
2.2.5.3. | Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих: | 8543 70 900 9 |
| а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или | |
| б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента; | |
2.2.5.4. | Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик: | 8419 89 300 0; 8419 89 98 |
| а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или | |
| б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления; | |
2.2.5.5. | Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв. мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более; | 8419 89 300 0; 8419 89 98 |
2.2.5.6. | Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде; | 8543 70 900 9 |
2.2.5.7. | Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе: | 8543 70 900 9 |
| а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или | |
| б) измерение оптических характеристик | |
| Примечание. | |
| По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 - 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента | |
2.2.6. | Системы и оборудование для измерения или контроля размеров: | |
2.2.6.1. | Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001); | 9031 80 320 0; 9031 80 340 0 |
2.2.6.2. | Приборы для измерения линейных или угловых перемещений: | |
2.2.6.2.1. | Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих: | 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0;
|
| а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм; | 9031 80 910 0 |
| б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики: | |
| линейность, равную или меньше (лучше) 0,1%, в диапазоне измерений до 5 мм; и | |
| дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1% в день, при стандартной комнатной температуре +/- 1 К; или | |
| в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие: | |
| содержащие лазер; и | |
| сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры +/- 1 К относительно стандартной температуры и нормальном атмосферном давлении все следующие характеристики: | |
| разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и | |
| погрешность измерения, равную или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах) | |
| Примечание. | |
| По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования | |
| Техническое примечание. | |
| Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом; | |
2.2.6.2.2. | Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,00025 град. | 9031 49 900 0; 9031 80 320 0; 9031 80 340 0; 9031 80 910 0 |
| Примечание. | |
| По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала; | |
2.2.6.3. | Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше) | 9031 49 900 0 |
| Примечание. | |
| Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов | |
2.2.7. | Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы: | 8479 50 000 0; 8537 10 100 0; 8537 10 910 9; 8537 10 990 0 |
| а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления | |
| Техническое примечание. | |
| Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D); | |
| б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со взрывчатыми веществами военного назначения; | |
| в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 5 x 10(3) Гр (Si)[5 x 10(5) рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или | |
| г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м | |
2.2.8. | Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров: | |
2.2.8.1. | Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 x L x 10(3))] нм (L - эффективная длина в миллиметрах) | 9031 |
| Особое примечание. | |
| Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1; | |
2.2.8.2. | Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,00025 град. | 9031 |
| Особое примечание. | |
| Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1; | |
2.2.8.3. | Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше | 8466 |
2.2.9. | Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики: | 8462 21 100; 8462 21 800; 8463 90 000 0 |
| а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и | |
| б) усилие на ролике более 60 кН | |
| Техническое примечание. | |
| Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам | |
2.3. | Материалы - нет | |
2.4. | Программное обеспечение | |
2.4.1. | Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2; | |
2.4.2. | Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления | |
| Примечания: | |
| 1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2. | |
| 2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. | |
| В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1 | |
| Особое примечание. | |
| В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2 | |
2.5. | Технология | |
2.5.1. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4 | |
2.5.2. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2 | |
| Особое примечание. | |
| В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2 | |
2.5.3. | Иные нижеследующие технологии: | |
2.5.3.1. | Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей; | |
2.5.3.2. | Технологии для производственных процессов металлообработки: | |
2.5.3.2.1. | Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов: | |
| а) формообразования в условиях сверхпластичности; | |
| б) диффузионной сварки; или | |
| в) гидравлического прессования прямого действия; | |
2.5.3.2.2. | Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры: | |
| а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов: | |
| подготовка поверхности; | |
| скорость деформации; | |
| температура; | |
| давление; | |
| б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов: | |
| подготовка поверхности; | |
| температура; | |
| давление; | |
| в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов: | |
| давление; | |
| время цикла; | |
| г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов: | |
| температура; | |
| давление; | |
| время цикла; | |
2.5.3.3. | Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов; | |
2.5.3.4. | Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления; | |
2.5.3.5. | Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления; | |
2.5.3.6. | Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней | |
| Особое примечание. | |
| Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния) | |
Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий
Процесс нанесения покрытия (1) <*> | Подложки | Получаемое покрытие |
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) | суперсплавы | алюминиды на поверхности внутренних каналов |
| керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) | силициды, карбиды, диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
| углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), нитрид бора |
| металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
| молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
| материалы окон датчиков (9) | диэлектрические слои (15), алмаз, алмазоподобный углерод (17) |
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом | | |
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком | суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, алюминиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
| керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) | диэлектрические слои (15) |
| коррозионно-стойкие стали (7) | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
| углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
| металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15) |
| молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15), бориды, бериллий |
| материалы окон датчиков (9) | диэлектрические слои (15) |
| титановые сплавы (13) | бориды, нитриды |
2.2. Ионноассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение) | керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод диэлектрические слои (15) |
| металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | диэлектрические слои (15) |
| молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| материалы окон датчиков (9) | диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом | керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) | силициды, диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
| углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | диэлектрические слои (15) |
| металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | диэлектрические слои (15) |
| молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| бериллий и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| материалы окон датчиков (9) | диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-дуговым разрядом | суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5) |
| полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей | бориды, карбиды, нитриды, алмазоподобный углерод (17) |
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10) | углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
| титановые сплавы (13) | силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2) |
| тугоплавкие металлы и сплавы (8) | силициды, оксиды |
4. Плазменное напыление | суперсплавы | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2) |
| алюминиевые сплавы (6) | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
| тугоплавкие металлы и сплавы (8) | алюминиды, силициды, карбиды |
| коррозионно-стойкие стали (7) | MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4) |
| титановые сплавы (13) | карбиды, алюминиды, силициды, сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав, истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир |
5. Нанесение шликера | тугоплавкие металлы и сплавы (8) | оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов) |
| углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | силициды, карбиды, смеси перечисленных выше материалов (4) |
6. Осаждение распылением | суперсплавы | сплавы на основе силицидов, сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина, смеси перечисленных выше материалов (4) |
| керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14) | силициды, платина, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
| титановые сплавы (13) | бориды, нитриды, оксиды, силициды, алюминиды, сплавы на основе алюминидов (2), карбиды |
| углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей | силициды, карбиды, тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
| металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18) | карбиды, вольфрам, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15), нитрид бора |
| молибден и его сплавы | диэлектрические слои (15) |
| бериллий и его сплавы | бориды, диэлектрические слои (15), бериллий |
| материалы окон датчиков (9) | диэлектрические слои (15), алмазоподобный углерод (17) |
| тугоплавкие металлы и сплавы (8) | алюминиды, силициды, оксиды, карбиды |
7. Ионная имплантация | высокотемпературные подшипниковые стали | присадки хрома, тантала или ниобия |
| титановые сплавы (13) | бориды, нитриды |
| бериллий и его сплавы | бориды |
| металлокерамический карбид вольфрама (16) | карбиды, нитриды |
<*> См. пункт примечаний к данной таблице, соответствующий указанному в скобках.
Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий.
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов.
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия.
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице.
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, X - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C).
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 град. C).
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (20 град. C) коэффициент линейного расширения 10(-7) К(-1) или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNtd), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку;
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку.
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 град. C) до 1375 К (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 град. С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски.
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия.
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние.
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.