3.1.1.1.8. | Интегральные схемы для нейронных сетей; Заказные интегральные схемы, функции которых неизвестны или изготовителю не известно, распространяется ли статус контроля на аппаратуру, в которой будут использоваться эти интегральные схемы, с любой из следующих характеристик: | 8542 |
3.1.1.1.9. | 8542 31 900 3; |
| 8542 31 900 9; |
| 8542 39 900 2; |
| 8542 39 900 9 |
| а) более 1000 выводов; | |
| б) типовое время задержки основного логического элемента менее 0,1 нс; или | |
| в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | |
3.1.1.1.10. | Цифровые интегральные схемы, иные, нежели указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого полупроводникового соединения и характеризующиеся любым из нижеследующего: | 8542 |
| а) эквивалентным количеством логических элементов более 3000 (в пересчете на элементы с двумя входами); или | |
| б) частотой переключения выше 1,2 ГГц; | |
3.1.1.1.11. | Процессоры быстрого преобразования Фурье, имеющие расчетное время выполнения комплексного Nточечного сложного быстрого преобразования Фурье менее (N log_2 N)/20 480 мс, где N - количество точек | 8542 31 900 1; |
| 8542 31 900 9; |
| 8542 39 900 9 |
| Техническое примечание. | |
| В случае, когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени выполнения 500 мкс | |
| Примечания: | |
| 1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 | |
| 2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: | |
| монолитные интегральные схемы; | |
| гибридные интегральные схемы; | |
| многокристальные интегральные схемы; | |
| пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа "кремний на сапфире"; | |
| оптические интегральные схемы; | |
3.1.1.2. | Компоненты микроволнового или миллиметрового диапазона: | |
3.1.1.2.1. | Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы и катоды: | |
3.1.1.2.1.1. | Лампы бегущей волны импульсного или непрерывного действия: | 8540 79 000 0 |
| а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ГГц; | |
| б) имеющие элемент подогрева катода со временем выхода лампы на предельную радиочастотную мощность менее 3 с; | |
| в) лампы с сопряженными резонаторами или их модификации с относительной шириной полосы частот более 7% или пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; | |
| г) спиральные лампы или их модификации, имеющие любую из следующих характеристик: | |
| мгновенную ширину полосы частот более одной октавы и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; | |
| мгновенную ширину полосы частот в одну октаву или менее и произведение средней мощности (выраженной в кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц) более 1; или пригодные для применения в космосе; | |
3.1.1.2.1.2. | Лампы-усилители магнетронного типа с коэффициентом усиления более 17 дБ; | 8540 71 000 0 |
3.1.1.2.1.3. | Импрегнированные катоды, разработанные для электронных ламп, эмитирующие в непрерывном режиме и штатных условиях работы ток плотностью, превышающей 5 А/кв. см | 8540 99 000 0 |
| Примечания: | |
| 1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: | |
| а) частота не превышает 31,8 ГГц; и | |
| б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения | |
| 2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим характеристикам: | |
| а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и | |
| б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим характеристикам: | |
| частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и | |
| диапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; | |
3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 31 900 3; |
| 8542 33 000; |
| 8542 39 900 2; |
| 8543 90 000 1 |
| а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 15%; | |
| б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| в) предназначенные для работы на частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; | |
| г) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно; | |
| д) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со средней выходной мощностью, превышающей 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт), с относительной шириной полосы частот более 10%; или | |
| е) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | |
| Примечания: | |
| 1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц | |
| 2. Контрольный статус ММИС, рабочая частота которых охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности | |
| 3. Примечания, приведенные после пункта 3.1 категории 3, подразумевают, что по пункту 3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они специально разработаны для иных целей, например для телекоммуникаций, радиолокационных станций, автомобилей; | |
3.1.1.2.3. | Микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 21 000 0; |
| 8541 29 000 0 |
| а) предназначенные для работы на частотах от более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| б) предназначенные для работы на частотах от более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| в) предназначенные для работы на частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); | |
| г) предназначенные для работы на частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и имеющие среднюю выходную мощность, превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт); или | |
| д) предназначенные для работы на частотах выше 43,5 ГГц | |
| Примечание. | |
| Контрольный статус изделия, рабочая частота которого охватывает более одной полосы частот, указанной в пункте 3.1.1.2.3, определяется наименьшим контрольным порогом средней выходной мощности; | |